KR20080065092A - 투명 도전 산화막, 인듐-아연 복합 산화물, 및 소결체 - Google Patents

투명 도전 산화막, 인듐-아연 복합 산화물, 및 소결체 Download PDF

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Abstract

본 발명은, a) 인듐(In); b) 아연(Zn); c) 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 및 바륨(Ba) 중에서 선택되는 1종 이상의 알카리 토금속 및 주석(Sn)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 금속(M); 및 d) 산소(O)를 함유하는 금속산화물로 형성된 투명 도전 산화막으로서, 상기 a) 인듐(In)의 원자비 In/(In+Zn+M)는 0<In/(In+Zn+M)<0.3인 것인 투명 도전 산화막, 인듐-아연 복합 산화물, 소결체 및 이를 이용하여 형성된 투명 전극, 상기 투명 전극을 포함하는 전자장치를 제공한다.
투명 도전 산화막, 인듐, 아연, 알카리 토금속, 주석

Description

투명 도전 산화막, 인듐-아연 복합 산화물, 및 소결체{TRANSPARENT CONDUCTIVE OXID FILM AND INDIUM-ZINC COMPOSITE OXID AND SINTERED MATERIAL}
도 1은 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 4에 따른 투명 도전 산화막과 비교예 1에 따른 투명 도전 산화막의 XRD 분석 결과를 나타낸 그래프이다.
본 발명은 a) 인듐(In); b) 아연(Zn); c) 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 및 바륨(Ba) 중에서 선택되는 1종 이상의 알카리 토금속 및 주석(Sn)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 금속(M); 및 d) 산소(O)를 함유하는 금속산화물로 형성된 투명 도전 산화막, 인듐-아연 복합 산화물, 소결체 및 이를 이용하여 형성된 투명 전극, 상기 투명 전극을 포함하는 전자장치에 관한 것이다.
현재 플렉서블 디스플레이(Flexible display)나 유기EL과 같이 투명 고분자 기재를 사용하는 디스플레이가 차세대 정보전달매체로 주목받고 있다. 투명 고분자 기재로 사용되고 있는 PET(Polyethylene telephthalate)는 사용온도가 100℃ 이하이기 때문에 상온에서 투명 도전막을 성막하는 것은 매우 중요한 문제이다.
또한 기존에 고온에서 성막하는 투명 도전막 재료라 할지라도 상온에서 성막 할 수 있는 재료가 이보다 동등하거나 우수한 전기적, 광학적 특성을 가질 경우 제조과정에서 이점 때문에 기존의 재료를 대체할 수 있다. 이와 같은 취지에서 상온에서 비정질의 투명 도전막을 증착하는 것이 전 세계적으로 광범위하게 연구되고 있다.
투명 도전막 재료 중 인듐-아연 혼합산화물(IZO)은 상온에서 증착하더라도 비저항이 3~4×10-4 Ωcm로 우수하고 250 ℃이상의 열처리 후에도 전기적 특성이 변하지 않으며 표면 평활성과 에칭(etching) 특성이 우수하기 때문에 유기EL 및 플렉서블 디스플레이(Flexible display)에 되는 고분자 필름(Film) 위에 성막할 수 있는 재료로 주목받고 있다. 그러나 IZO 조성의 90 wt. % 이상을 차치하는 인듐은 자연상태에서 구하기 힘들고 아연의 제련과정에서 소량 얻을 수 있다. 한편 투명 전극에 대한 수요가 상승함에 따라 인듐의 가격 또한 같이 상승하고 있다. 따라서, 상업적으로 생산되고 있는 IZO에 대비하여 인듐의 양이 상대적으로 적은 투명전극 재료의 개발이 시급하다.
인듐-아연 혼합 산화물 박막을 제조할 경우 인듐의 양이 줄어듦에 따라 비저항은 급격하게 증가하는 것으로 알려져 있다.(T. Minami 등, J. Vacuum Sci. Tec. A 14, 1996) 이러한 비저항의 증가는 인듐의 양이 줄어듦에 따라 비정질의 박막이 In2O3(ZnO)m의 분자식을 가지는 층상의 결정상으로 전이하게 되고 그에 따라 생성된 미세한 결정립들간의 계면에 의해 전자의 이동이 방해되어 전자이동도(mobility)가 감소하기 때문으로 생각되고 있다(N. Naghavi 등, Electrochim. Acta 46, 2001).
따라서, 본 발명의 목적은, 현재 상업적으로 사용되고 있는 상업적으로 생산되는 ITO(indium tin oxide)나 IZO(indium zinc oxide)에 대비하여 투명 도전 산화막, 인듐-아연 복합 산화물, 소결체에서 비교적 고가인 인듐의 양을 절반 이하로 줄여 저가의 투명 도전 산화막, 인듐-아연 복합 산화물, 소결체 및 이를 이용하여 형성된 투명 전극, 상기 투명 전극을 포함하는 전자장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은, a) 인듐(In); b) 아연(Zn); 및 c) 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 및 바륨(Ba) 중에서 선택되는 1종 이상의 알카리 토금속 및 주석(Sn)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 금속(M) 각각의 산화물을 혼합함으로써, 그 혼합된 복합 산화물이 결정상으로 전이되는 것을 억제하고, 중요한 전기적 특성인 전자 이동도를 증가시킬 수 있는 투명 도전 산화막, 인듐-아연 복합 산화물, 소결체 및 이를 이용하여 형성된 투명 전극, 상기 투명 전극을 포함하는 전자장치를 제공하는 것이다.
그리고, 같은 비저항을 가지는 물질들에서 전자이동도가 높은 물질이 그렇지 않은 물질보다 플라즈마 프리퀀시(plasma frequency)가 작고, 플라즈마 프리퀀시(plasma frequency)가 작은 물질은 태양 에너지를 투과시킬 수 있는 파장 영역이 그렇지 않은 물질보다 넓기 때문에, 결과적으로 태양 전지 등에 쉽게 적용할 수 있는 투명 도전 산화막, 인듐-아연 복합 산화물, 소결체 및 이를 이용하여 형성된 투명 전극을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명의 하나의 실시 상태로서, a) 인듐(In); b) 아연(Zn); c) 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 및 바륨(Ba) 중에서 선택되는 1종 이상의 알카리 토금속 및 주석(Sn)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 금속(M); 및 d) 산소(O)를 함유하는 금속산화물로 형성된 투명 도전 산화막으로서, 상기 a) 인듐(In)의 원자비 In/(In+Zn+M)는 0<In/(In+Zn+M)<0.3인 것인 투명 도전 산화막을 제공한다.
본 발명의 다른 하나의 실시 상태로서, 본 발명에 따른 투명 도전 산화막으로 형성된 투명 전극을 제공한다.
본 발명의 또 다른 하나의 실시 상태로서, 본 발명에 따른 투명 전극을 포함하는 전자 장치를 제공한다.
본 발명의 또 다른 하나의 실시 상태로서, a) 인듐(In); b) 아연(Zn); c) 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 및 바륨(Ba) 중에서 선택되는 1종 이상의 알카리 토금속 및 주석(Sn)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 금속(M); 및 d) 산소(O)를 함유하는 인듐-아연 복합 산화물로서, 상기 a) 인듐(In)의 원자비 In/(In+Zn+M)는 0<In/(In+Zn+M)<0.3인 것인 인듐-아연 복합 산화물을 제공한다.
본 발명의 또 다른 하나의 실시 상태로서, a) 인듐(In); b) 아연(Zn); c) 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 및 바륨(Ba) 중에서 선택되는 1종 이상의 알카리 토금속 및 주석(Sn)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 금속(M); 및 d) 산소(O)를 함유하는 금속산화물로 형성된 소결체로서, 상기 a) 인듐(In)의 원자비 In/(In+Zn+M)는 0<In/(In+Zn+M)<0.3인 것인 소결체를 제공한다.
본 발명의 또 다른 하나의 실시 상태로서, 본 발명에 따른 소결체를 이용한 증착 재료를 제공한다.
본 발명의 또 다른 하나의 실시 상태로서, 본 발명에 따른 소결체를 이용한 스퍼터링 타겟을 제공한다.
이하에서 본 발명에 대해 상세히 설명한다.
본 발명의 하나의 실시 상태로서, 투명 도전 산화막은 a) 인듐(In); b) 아연(Zn); c) 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 및 바륨(Ba) 중에서 선택되는 1종 이상의 알카리 토금속 및 주석(Sn)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 금속(M); 및 d) 산소(O)를 함유하는 금속산화물로 형성되고, 여기서, 상기 a) 인듐(In)의 원자비 In/(In+Zn+M)는 0<In/(In+Zn+M)<0.3이다.
그리고, 상기 c) 금속(M)의 원자비 M/(In+Zn+M)는 0<M/(In+Zn+M)<0.25인 것이 바람직하다.
상기 c) 금속(M)이 상기 주석(Sn)인 경우, 상기 주석(Sn)의 원자비 Sn/(In+Zn+Sn)는 0<Sn/(In+Zn+Sn)<0.25이고, 상기 주석(Sn)의 원자비 Sn/In는 Sn/In<1인 것이 바람직하다.
또는, 상기 c) 금속(M)이 상기 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 및 바륨(Ba) 중에서 선택되는 1종 이상의 알카리 토금속 N인 경우, 상기 알카리 토금속(N)의 원자비 N/(In+Zn+N)는 0<N/(In+Zn+N)<0.25인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 투명 도전 산화막은 스퍼터링(sputtering), 화학증착(CVD), 졸-겔(sol-gel), 스핀 코팅(spin coating), 전자 빔 증착(E-Beam evaporation), 펄 스레이저증착(PLD), 및 이온플레이팅(Ion plating) 중에서 선택되는 방법을 사용하여 고분자 기재 또는 유리 기재 상에 형성시킬 수 있다.
상기 투명 도전 산화막을 고분자 기재 또는 유리 기재 상에 형성할 때 200㎚ 이하의 두께를 갖도록 형성하는 것이 바람직하다. 그리고, 비정질상으로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 투명 도전 산화막의 두께가 200 nm를 초과할 경우 상기 투명 도전 산화막의 광학적 성능이 저하될 수 있다. 또한 상기 투명 도전 산화막의 두께가 200 nm를 초과할 경우 상기 투명 도전 산화막의 성막시간이 길어짐에 따라 생산효율이 저하되고, 제조비용이 상승될 수 있다.
상기 투명 도전 산화막이 상기 고분자 기재 상에 형성될 때, 고분자 기재의 유화온도(glass transition temperature) 이하에서 형성되는 것이 바람직하다. 여기서, 유화온도 이상에서 투명 도전 산화막을 성막할 경우 고분자 기재에 손상을 입힐 수 있다. 유화온도는 고분자 기재의 종류에 따라 다르며, 고분자 기재의 한 예인 PET(polyethylene telephthalate)의 유화온도는 80 ℃ 내외이다.
여기서, 고분자 기재는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 및 폴리카보네이트(PC) 중에서 선택된 1종 이상으로 형성된 고분자 기재인 것이 바람직하다.
그리고, 본 발명에 따른 투명 도전 산화막의 전자이동도(mobility)는 10 내지 40 cm2/Vs 인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 투명 도전 산화막의 비저항(resistivity)은 0.1 내지 5 mΩ인 것이 바람직하다. 여기서, 비저항이 5 mΩ을 초과하는 투명 도전 산화막으로는 투명 전극을 형성하기 쉽지 않을 수 있다.
본 발명에 따른 투명 도전 산화막에 있어서, 상기 a) 인듐(In); 상기 b) 아연(Zn); 상기 c) 금속(M); 및 상기 d) 산소(O)를 함유하는 금속 산화물로 형성되고, 상기 a) 인듐(In)의 원자비 In/(In+Zn+M)는 0<In/(In+Zn+M)<0.3임에 따라, 상기 금속 산화물이 결정상으로 전이되는 것을 억제할 수 있고, 중요한 전기적 특성인 전자 이동도를 증가시킬 수 있다.
또한, 인듐(In)의 양이 줄어듦에 따라 비저항이 급격하게 증가하는 것을 억제시켜 인듐의 양을 줄이고도 인듐의 양을 줄이지 않았을 때에 해당하는 비저항을 유지할 수 있다. 이에 고가인 인듐의 양을 줄여 투명 도전 산화막의 제조비용을 절감할 수 있게 된다.
또한, 전자 이동도를 증가시킴에 따라 투명한 파장 영역을 증가시켜 태양 전지에 적용하기 유리한 투명 도전 산화막을 제공할 수 있게 된다.
본 발명의 다른 하나의 실시 상태로서, 투명 전극은 본 발명에 따른 투명 도전 산화막으로 형성할 수 있다. 기재 위에 본 발명에 따른 투명 도전 산화막을 형성한 후, 패터닝하여 투명 전극을 형성할 수 있다.
본 발명의 또 다른 하나의 실시 상태로서, 전자장치는 본 발명에 따른 투명 전극을 포함하며, 여기서 전자 장치로는 디스플레이장치 또는 태양 전지를 예로 들 수 있다.
본 발명의 또 다른 하나의 실시 상태로서, 인듐-아연 복합 산화물은 a) 인듐(In); b) 아연(Zn); c) 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 및 바륨(Ba) 중에서 선택되는 1종 이상의 알카리 토금속 및 주석(Sn)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 금속(M); 및 d) 산소(O)를 함유하며, 상기 a) 인듐(In)의 원자비 In/(In+Zn+M)는 0<In/(In+Zn+M)<0.3이다. 본 발명에 따른 인듐-아연 복합 산화물은 앞서 투명 도전 산화막에 대해 기재한 내용과 같은 내용이 적용되므로, 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 또 다른 하나의 실시 상태로서, 소결체는 a) 인듐(In); b) 아연(Zn); c) 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 및 바륨(Ba) 중에서 선택되는 1종 이상의 알카리 토금속 및 주석(Sn)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 금속(M); 및 d) 산소(O)를 함유하는 금속산화물로 형성되며, 상기 a) 인듐(In)의 원자비 In/(In+Zn+M)는 0<In/(In+Zn+M)<0.3이다. 본 발명에 따른 소결체는 앞서 투명 도전 산화막에 대해 기재한 내용과 같은 내용이 적용되므로, 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
여기서, 본 발명에 따른 소결체는 상기 a) 인듐(In)의 산화물 분말; 상기 b) 아연(Zn)의 산화물 분말; 및 상기 c) 금속(M)의 산화물 분말을 혼합하고, 혼합된 분말에 일정의 하중을 가하여 성형한 후, 이 성형체를 일정 온도에서 일정 시간 동안 소결시켜 제조하게 된다. 본 발명에 따른 소결체는 당 분야 알려진 방법을 이용하여 제조할 수 있다.
본 발명의 또 다른 하나의 실시 상태로서, 증착 재료는 본 발명에 따른 소결 체를 산소 분위기에서 열처리하여 산소를 소결체에 보충시켜 제조할 수 있다. 그러나 증착 재료의 제조방법은 이에 한정되는 것은 아니고, 당 분야 알려진 방법을 이용하여 제조할 수 있다.
여기서, 증착 재료는 스퍼터링 타겟 또는 전자 빔(E-Beam)용 타겟 또는 이온플레이팅(Ion plating)용 타겟일 수 있다.
본 발명의 또 다른 하나의 실시 상태로서, 스퍼터링 타겟은 소결체를 산소 분위기에서 열처리하여 산소를 소결체에 보충시켜 제조할 수 있다. 그러나 스퍼터링 타켓의 제조방법은 이에 한정되는 것은 아니고, 당 분야 알려진 방법을 이용하여 제조할 수 있다. 스퍼터링 타겟의 제조가 완료되면 증착 챔버를 이용하여 스퍼터링 타겟을 얇은 필름 형태의 투명 도전 산화막으로 형성할 수 있다.
이하에서는, 도 1 및 표 1 내지 표 3을 참조하여, 본 발명의 실시예 1 내지실시예 4에 대해 상세하게 설명하기로 한다. 본 실시예에서는 투명 도전 산화막을 증착하는 방법으로 RF 스퍼터링법(Radio Frequency Sputtering)을 이용하였다. 본 실시예는 본 발명을 상세하게 설명하기 위한 예시일 뿐, 본 발명의 권리범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 투명 도전 산화막은 다음과 같은 방법으로 제조된다. 우선 잘 세척된 유리기판을 스퍼터링 챔버 안에 삽입하고 아르곤(Ar) 가스(gas)를 챔버 안에 흘려넣어 준다. 이 때 아르곤(Ar)에 부피분율로 2% 이하의 산소 혹은 수소가 섞여 있을 수도 있다. 챔버 내의 아르곤(Ar)의 압력은 1~30 mTorr가 바람직하다.
제조된 투명도전 산화막의 두께는 광학적, 경제성, 전기적 특성을 고려하였 을 때 200 nm이하가 적당하며, 150 nm 내외가 바람직하다.
각 실시예에서 얻어진 투명 도전 산화막은 각각 Hall 분석(Hall Measurement), X선 회절 분석(X-ray diffraction;XRD), ESCA(Electron Spectroscopy of Chemical Analysis)분석, UV-Vis-IR 투과도 분석 등을 이용하여 전기적 특성, 상(phase), 조성분석, 투과도(transmittance) 등을 실시하였다.
실시예 1
인듐산화물(In2O3), 아연산화물(ZnO), 주석산화물(SnO2) 타겟(Target)을 이용하여 표 1과 같이 각 타겟의 전력을 고정하고 코스퍼터링(Co-sputtering)하여 투명 도전 산화막을 증착하였다. 순수한 아르곤(Ar)을 반응 가스로 이용하였다. 표 2에 나타낸 것과 같이 전자 이동도가 비교예 1에 비해 1.5배 정도 증가하였으며, 그 결과 비저항도 감소하였다. 표 3에는 EDS(Energy Dispersive X-ray Spectrometer)로 측정한 인듐, 아연, 주석의 질량 분율을 나타내었다. 도 1에는 증착한 박막의 XRD를 나타내었다. XRD분석 결과 비교예 1에 비해 결정성이 많이 감소하였고 전자이동도가 증가하였다.
실시예 2
인듐산화물(In2O3), 아연산화물(ZnO), 주석산화물(SnO2) 타겟(Target)을 이용하여 표 1과 같이 각 타겟의 전력을 고정하고 코스퍼터링(Co-sputtering)하여 투명 도전 산화막을 증착하였다. 순수한 아르곤(Ar)을 반응 가스로 이용하였다. 표 2에 나타낸 것과 같이 전자 이동도가 비교예 1에 비해 약 4배 정도 증가하였으며, 그 결과 비저항도 감소하였다. 표 3에는 EDS로 측정한 인듐, 아연, 주석의 질량 분율을 나타내었다.
실시예 3
인듐산화물(In2O3), 아연산화물(ZnO), 주석산화물(SnO2) 타겟(Target)을 이용하여 표 1과 같이 각 타겟의 전력을 고정하고 코스퍼터링(Co-sputtering)하여 투명 도전 산화막을 증착하였다. 순수한 아르곤(Ar)을 반응가스로 이용하였다. 표 2에 나타낸 것과 같이 전자 이동도가 비교예 1에 비해 약 4배 정도 증가하였으며, 그 결과 비저항도 감소하였다. 표 3에는 EDS로 측정한 인듐, 아연, 주석의 질량 분율을 나타내었다.
실시예 4
인듐산화물(In2O3), 아연산화물(ZnO), 칼슘산화물(CaO) 타겟(Target)을 이용하여 표 1과 같이 각 타겟의 전력을 고정하고 코스퍼터링(Co-sputtering)하여 투명 도전 산화막을 증착하였다. 순수한 아르곤(Ar)을 반응가스로 이용하였다. 표 2에 나타낸 것과 같이 전자 이동도가 비교예 1에 비해 1.5배 정도 증가하였다. 도 1에는 증착한 박막의 XRD를 나타내었다. XRD분석 결과 비교예 1에 비해 결정성이 많이 감소하였고 전자이동도가 증가하였다.
비교예 1
인듐산화물(In2O3), 아연산화물(ZnO) 타겟(Target)을 이용하여 표 1과 같이 각 타겟의 전력을 고정하고 코스퍼터링(Co-sputtering)하여 투명 도전 산화막을 증 착 하였다. 순수한 아르곤(Ar)을 반응 가스로 이용하였다.
ZnO Power[W] In2O3 Power[W] SnO2 Power[W] CaO Power[W]
실시예1 105 45 15
실시예2 80 45 25
실시예3 60 45 45
실시예4 105 45 25
비교예1 105 45
비저항(mΩ) 전자이동도(cm2/Vs)
실시예1 3.4 14.4
실시예2 2.2 30.92
실시예3 2.1 27.35
실시예4 5.1 13.0
비교예1 3.5 8.9
Zn (at. %) In (at. %) Sn (at. %)
실시예1 64.12 22.27 13.61
실시예2 68.12 25.81 6.06
실시예3 54.77 25.06 20.17
비교예1 76.50 23.50 0
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 현재 상업적으로 사용되고 있는 상업적으로 생산되는 ITO(indium tin oxide)나 IZO(indium zinc oxide)에 대비하여 투명 도전 산화막, 인듐-아연 복합 산화물, 소결체에서 비교적 고가인 인듐의 양을 절반 이하로 줄여 저가의 투명 도전 산화막, 인듐-아연 복합 산화물, 소결체 및 이를 이용하여 형성된 투명 전극, 상기 투명 전극을 포함하는 전자장치를 제공할 수 있다.
또한, a) 인듐(In); b) 아연(Zn); 및 c) 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 및 바륨 (Ba) 중에서 선택되는 1종 이상의 알카리 토금속 및 주석(Sn)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 금속(M) 각각의 산화물을 혼합함으로써, 그 혼합된 복합 산화물이 결정상으로 전이되는 것을 억제하고, 중요한 전기적 특성인 전자 이동도를 증가시킬 수 있는 투명 도전 산화막, 인듐-아연 복합 산화물, 소결체 및 이를 이용하여 형성된 투명 전극, 상기 투명 전극을 포함하는 전자장치를 제공할 수 있다.
그리고, 같은 비저항을 가지는 물질들에서 전자이동도가 높은 물질이 그렇지 않은 물질보다 플라즈마 프리퀀시(plasma frequency)가 작고, 플라즈마 프리퀀시(plasma frequency)가 낮은 물질은 태양 에너지를 투과시킬 수 있는 파장 영역이 그렇지 않은 물질보다 넓기 때문에, 결과적으로 태양 전지 등에 쉽게 적용할 수 있는 투명 도전 산화막, 인듐-아연 복합 산화물, 소결체 및 이를 이용하여 형성된 투명 전극을 제공할 수 있다.

Claims (24)

  1. a) 인듐(In); b) 아연(Zn); c) 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 및 바륨(Ba) 중에서 선택되는 1종 이상의 알카리 토금속 및 주석(Sn)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 금속(M); 및 d) 산소(O)를 함유하는 금속산화물로 형성된 투명 도전 산화막으로서,
    상기 a) 인듐(In)의 원자비 In/(In+Zn+M)는 0<In/(In+Zn+M)<0.3인 것인 투명 도전 산화막.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 c) 금속(M)의 원자비 M/(In+Zn+M)는 0<M/(In+Zn+M)<0.25인 것인 투명 도전 산화막.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 c) 금속(M)이 상기 주석(Sn)인 경우, 상기 주석(Sn)의 원자비 Sn/(In+Zn+Sn)는 0<Sn/(In+Zn+Sn)<0.25이고, 상기 주석(Sn)의 원자비 Sn/In는 Sn/In<1인 것인 투명 도전 산화막.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 c) 금속(M)이 상기 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 및 바륨(Ba) 중에서 선택되는 1종 이상의 알카리 토금속 N인 경우, 상기 알카리 토금속(N)의 원자비 N/(In+Zn+N)는 0<N/(In+Zn+N)<0.25인 것인 투명 도전 산화막.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 도전 산화막은 고분자 기재 또는 유리 기재에 형성되는 것인 투명 도전 산화막.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 고분자 기재는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 및 폴리카보네이트(PC) 중에서 선택된 1종 이상으로 형성된 것인 투명 도전 산화막.
  7. 청구항 5에 있어서, 상기 투명 도전 산화막은 상기 고분자 기재의 유화온도(glass transition temperature) 이하에서 상기 고분자 기재에 형성되는 것인 투명 도전 산화막.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 도전 산화막은 스퍼터링(sputtering), 화학증착(CVD), 졸-겔(sol-gel), 스핀 코팅(spin coating), 전자 빔 증착(E-Beam evaporation), 펄스레이저증착(PLD), 및 이온플레이팅(Ion plating) 중에서 선택되는 방법으로 형성되는 것인 투명 도전 산화막.
  9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명 도전 산화막은 전자이동도(mobility)가 10 내지 40cm2/Vs인 것인 투명 도전 산화막.
  10. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명 도전 산화막은 비저항(resistivity)이 0.1 내지 5 mΩ인 것인 투명 도전 산화막.
  11. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명 도전 산화막은 비정질상으로 제조된 것인 투명 도전 산화막.
  12. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 따른 투명 도전 산화막으로 형성된 것인 투명 전극.
  13. 청구항 12에 따른 투명 전극을 포함하는 전자 장치.
  14. 청구항 13에 따른 전자 장치는 디스플레이장치 또는 태양 전지인 것인 전자장치.
  15. a) 인듐(In); b) 아연(Zn); c) 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 및 바륨(Ba) 중에서 선택되는 1종 이상의 알카리 토금속 및 주석(Sn)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 금속(M); 및 d) 산소(O)를 함유하는 인듐-아연 복합 산화물로서,
    상기 a) 인듐(In)의 원자비 In/(In+Zn+M)는 0<In/(In+Zn+M)<0.3인 것인 인듐-아연 복합 산화물.
  16. 청구항 15에 있어서, 상기 c) 금속(M)의 원자비 M/(In+Zn+M)는 0<M/(In+Zn+M)<0.25인 것인 인듐-아연 복합 산화물.
  17. 청구항 15에 있어서, 상기 c) 금속(M)이 상기 주석(Sn)인 경우, 상기 주석(Sn)의 원자비 Sn/(In+Zn+Sn)는 0<Sn/(In+Zn+Sn)<0.25이고, 상기 주석(Sn)의 원자비 Sn/In는 Sn/In<1인 것인 인듐-아연 복합 산화물.
  18. 청구항 15에 있어서, 상기 c) 금속(M)이 상기 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 및 바륨(Ba) 중에서 선택되는 1종 이상의 알카리 토금속 N인 경우, 상기 알카리 토금속(N)의 원자비 N/(In+Zn+N)는 0<N/(In+Zn+N)<0.25인 것인 인듐-아연 복합 산화물.
  19. a) 인듐(In); b) 아연(Zn); c) 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 및 바륨(Ba) 중에서 선택되는 1종 이상의 알카리 토금속 및 주석(Sn)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 금속(M); 및 d) 산소(O)를 함유하는 금속산화물로 형성된 소결체로서,
    상기 a) 인듐(In)의 원자비 In/(In+Zn+M)는 0<In/(In+Zn+M)<0.3인 것인 소결체.
  20. 청구항 19에 있어서, 상기 c) 금속(M)의 원자비 M/(In+Zn+M)는 0<M/(In+Zn+M)<0.25인 것인 소결체.
  21. 청구항 19에 있어서, 상기 c) 금속(M)이 상기 주석(Sn)인 경우, 상기 주석(Sn)의 원자비 Sn/(In+Zn+Sn)는 0<Sn/(In+Zn+Sn)<0.25이고, 상기 주석(Sn)의 원자비 Sn/In는 Sn/In<1인 것인 소결체.
  22. 청구항 19에 있어서, 상기 c) 금속(M)이 상기 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 및 바륨(Ba) 중에서 선택되는 1종 이상의 알카리 토금속 N인 경우, 상기 알카리 토금속(N)의 원자비 N/(In+Zn+N)는 0<N/(In+Zn+N)<0.25인 것인 소결체.
  23. 청구항 19 내지 청구항 22 중 어느 한 항에 따른 소결체를 이용한 증착 재료.
  24. 청구항 19 내지 청구항 22 중 어느 한 항에 따른 소결체를 이용한 스퍼터링 타겟.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20170114715A (ko) * 2016-04-06 2017-10-16 주식회사 엘지화학 전도성 필름의 제조 방법
CN116216770A (zh) * 2022-12-15 2023-06-06 先导薄膜材料（广东）有限公司 一种蓝色izo粉末及其制备方法

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