KR101082514B1 - 금속 산화물 조성물, 및 이를 이용한 소결체 및 도전성막 - Google Patents

금속 산화물 조성물, 및 이를 이용한 소결체 및 도전성막 Download PDF

Info

Publication number
KR101082514B1
KR101082514B1 KR1020090135457A KR20090135457A KR101082514B1 KR 101082514 B1 KR101082514 B1 KR 101082514B1 KR 1020090135457 A KR1020090135457 A KR 1020090135457A KR 20090135457 A KR20090135457 A KR 20090135457A KR 101082514 B1 KR101082514 B1 KR 101082514B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal oxide
oxide composition
indium
gallium
barium
Prior art date
Application number
KR1020090135457A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110078604A (ko
Inventor
이영주
최승덕
박언병
박종일
Original Assignee
재단법인 포항산업과학연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 재단법인 포항산업과학연구원 filed Critical 재단법인 포항산업과학연구원
Priority to KR1020090135457A priority Critical patent/KR101082514B1/ko
Publication of KR20110078604A publication Critical patent/KR20110078604A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101082514B1 publication Critical patent/KR101082514B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F11/00—Compounds of calcium, strontium, or barium
    • C01F11/02—Oxides or hydroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G9/00—Compounds of zinc
    • C01G9/02—Oxides; Hydroxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

인듐(In), 갈륨(Ga), 바륨(Ba), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함하고, (In+Ga)/(In+Ga+Ba+Zn)의 원자비(at%)가 15 내지 85 인 금속 산화물 조성물, 및 이를 이용한 소결체 및 도전성막이 제공된다.
인듐(In), 갈륨(Ga), 바륨(Ba), 아연(Zn), 소결체, 도전성막, 수축률, 투명성, 도전성

Description

금속 산화물 조성물, 및 이를 이용한 소결체 및 도전성막{METAL OXIDE COMPOSITION, AND SINTERED MATERIAL AND CONDUCTING MEMBRANE USING THE SMAE}
본 기재는 금속 산화물 조성물, 및 이를 이용한 소결체 및 도전성막에 관한 것이다.
투명도전성 박막은 전기전도도가 높고 가시광선 투과율이 높아 액정 디스플레이(LCD), 플라즈마 디스플레이(PDP), 유기발광 디스플레이(OLED), 터치패널 등에 많이 사용되고 있으며, 전자파 흡수 및 차폐, 발열체, 태양 전지, 정전기 방지 등에도 광범위하게 사용되고 있다.
투명도전성 박막의 제조에 주로 사용되고 있는 재료는 산화인듐 (In2O3)에 산화주석(SnO2)이 3 내지 10 중량%로 도핑된 인듐주석산화물(ITO)이다. ITO막의 제조 방법으로는 분사(spray), 진공기화(vacuum evaporation), 스퍼터링(sputtering), 이온플레이팅(ion plating) 등이 있으며, 상업적으로는 스퍼터링 방법이 많이 이용되고 있다.
상기 방법들로 제조된 ITO막은 투명성 및 도전성이 우수할 뿐만 아니라 에칭성이 우수하고 기판과의 밀착성도 좋아 현재 가장 많이 사용되고 있다. 하지만, 인듐은 희소 자원일 뿐 아니라 생체에 유해하며, ITO 타겟을 스퍼터링할 때 노듈 발생의 원인이 되기도 한다. 이러한 문제 때문에 ITO 중의 인듐을 저감시키거나 ITO를 대체할 수 있는 대체물질에 대한 연구 개발이 요구되고 있다.
이러한 요구에 대응하여 불소 또는 안티모니가 도핑된 산화주석(FTO, ATO)이나, 알루미늄, 갈륨 또는 인듐이 도핑된 산화아연(AZO, GZO, IZO) 등에 대한 연구가 진행되고 있다.
본 발명의 일 측면은 수축률이 높아 타겟의 품질이 우수하고, 투명성 및 도전성이 우수하며, 기판과의 접합성이 우수한 금속 산화물 조성물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 일 측면은 상기 금속 산화물 조성물을 이용한 소결체를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 일 측면은 상기 금속 산화물 조성물을 이용한 도전성막을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면은 인듐(In), 갈륨(Ga), 바륨(Ba), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함하고, (In+Ga)/(In+Ga+Ba+Zn)의 원자비(at%)가 15 내지 85 인 금속 산화물 조성물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 일 측면은 인듐(In), 갈륨(Ga), 바륨(Ba), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함하고, (In+Ga)/(In+Ga+Ba+Zn)의 원자비(at%)가 15 내지 85 인 금속 산화물 조성물을 이용한 소결체를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 일 측면은 인듐(In), 갈륨(Ga), 바륨(Ba), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함하고, (In+Ga)/(In+Ga+Ba+Zn)의 원자비(at%)가 15 내지 85 인 금속 산화물 조성물을 이용한 도전성막을 제공하기 위한 것이다.
상기 도전성막은 5000 Å 이하의 막 두께를 가질 수 있으며, 비정질 또는 결정질일 수 있다.
기타 본 발명의 구현예들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.
일 구현예에 따른 금속 산화물 조성물은 수축률이 높아 타겟의 품질이 우수하고, 투명성 및 도전성이 우수하며, 기판과의 접합성이 우수하여, 액정 디스플레이(LCD), 플라즈마 디스플레이(PDP), 유기발광 디스플레이(OLED), 터치패널 등의 전극에 사용될 수 있으며, 또한 전자파 차폐재, 발열체, 태양 전지 등에도 유용하게 사용될 수 있다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 　다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
일 구현예에 따른 금속 산화물 조성물은 인듐(In), 갈륨(Ga), 바륨(Ba), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함한다.
상기 인듐(In)은 상기 금속 산화물 조성물 총량에 대하여, 즉, 인듐(In), 갈륨(Ga), 바륨(Ba), 아연(Zn) 및 산소(O)의 원자비(at%) 총량에 대하여 2 내지 20 원자비(at%)로 포함될 수 있다. 또한 상기 갈륨(Ga)은 상기 금속 산화물 조성물 총량에 대하여 2 내지 20 원자비(at%)로 포함될 수 있고, 상기 바륨(Ba)은 상기 금속 산화물 조성물 총량에 대하여 2 내지 10 원자비(at%)로 포함될 수 있으며, 상기 아연(Zn)은 상기 금속 산화물 조성물 총량에 대하여 10 내지 30 원자비(at%)로 포함될 수 있으며, 상기 산소는 상기 금속 산화물 조성물 총량에 대하여 20 내지 80 원자비(at%)로 포함될 수 있다. 인듐(In), 갈륨(Ga), 바륨(Ba), 아연(Zn) 및 산소(O) 각각이 상기 함량 범위 내로 포함될 경우 투명성 및 도전성이 우수하고 기판과의 접합성이 우수하다.
또한 인듐(In), 갈륨(Ga), 바륨(Ba) 및 아연(Zn)의 원자비(at%) 총량에 대한 인듐(In) 및 갈륨(Ga)의 원자비(at%)는 15 내지 85 일 수 있으며, 구체적으로는 20 내지 80 일 수 있다. 상기 비율의 원자비(at%)를 가질 경우 투명성 및 도전성이 우수하고 기판과의 접합성이 우수하다.
상기 금속 산화물 조성물은 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 바륨 산화물 및 아연 산화물의 금속 산화물을 혼합하여 제조될 수 있으며, 구체적으로는 산화인듐(In2O3), 산화갈륨(Ga2O3), 산화바륨(BaO) 및 산화아연(ZnO)의 금속 산화물을 혼합하여 제조될 수 있다.
다른 일 구현예는 전술한 금속 산화물 조성물을 이용한 소결체이다.
상기 소결체는 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 바륨 산화물 및 아연 산화물의 금속 산화물을 혼합하여 제조된 금속 산화물 조성물을 금형에 넣고 프레스하여 성형 한 후 열처리하여 소결하는 단계를 거쳐 얻을 수 있다. 상기 열처리는 1000 내지 1700 ℃의 온도에서 수행될 수 있다.
또 다른 일 구현예는 전술한 금속 산화물 조성물을 이용한 도전성막이다.
상기 도전성막은 5000 Å 이하의 막 두께를 가질 수 있으며, 상기 두께 범위를 가질 경우 투명성이 양호하다.
상기 도전성막은 비정질 또는 결정질일 수 있다. 비정질인 경우에는 유리 기판이나 플라스틱 기판이 비정질임에 따라 접합성이 우수하다.
상기 도전성막의 가시광선 투과율은 80% 이상일 수 있다.
상기 도전성막은 유리, 세라믹 또는 플라스틱 소재의 표면에 전술한 금속 산화물 조성물을 코팅하여 얻을 수 있다.
상기 도전성막은 구체적으로 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 바륨 산화물 및 아연 산화물의 금속 산화물을 혼합하여 제조된 금속 산화물 조성물을 열처리하여 소결체를 얻은 후, 상기 소결체를 스퍼터링하여 기판에 성막하는 단계를 거쳐 제조될 수 있다.
전술한 금속 산화물 조성물, 및 이를 이용한 소결체 및 도전성막은 수축률이 높아 타겟의 품질이 우수하고, 투명성 및 도전성이 우수하며, 기판과의 접합성이 우수하여, 액정 디스플레이(LCD), 플라즈마 디스플레이(PDP), 유기발광 디스플레이(OLED), 터치패널 등의 전극에 사용될 수 있으며, 또한 전자파 차폐재, 발열체, 태양 전지 등에도 유용하게 사용될 수 있다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다.　 그러나 하기한 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일뿐 본 발명이 하기한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
비교예 1 및 실시예 1 내지 3과, 비교예 2 및 실시예 4 내지 6
산화인듐(In2O3) 분말, 산화갈륨(Ga2O3) 분말, 산화바륨(BaO) 분말 및 산화아연(ZnO) 분말을 각각 In:Ga:Ba:Zn:O의 원자비(at%)가 하기 표 1에 나타난 바와 같이 되도록 중량을 천칭하였고, 총 중량은 100g이 되도록 하였다. 상기 각 성분의 분말을 폴레에틸렌제의 포트에 넣고 에탄올을 충분히 채운 다음 지르코니아(ZrO2) 볼(ball)을 이용한 볼밀링(ball milling) 방법으로 24 시간 동안 혼합한 후 120℃의 플레이트 위에서 충분히 저으면서 건조시킴으로써 금속 산화물 조성물을 제조한다.
상기 금속 산화물 조성물을 금형에 넣고, 300 kg/cm2의 압력으로 프레스하여 성형한 후 대기 중에서 소결시킴으로써 소결체를 제조한다. 소결을 위한 승온 속도는 10℃/min 이고, 소결은 1450℃에서 6 시간 동안 수행된다.
상기 소결체를 스퍼터링하여 유리 기판에 성막하여, RF 전력 30 W, 가스압 5X10-3 Torr, Ar 가스유량 15 SCCM, O2 가스유량 5 SCCM, 기판 온도 상온의 조건으로 도전성막을 제조한다. 상기 도전성막의 두께는 3000 Å이다.
실험예 1: 비교예 1 및 실시예 1 내지 3과, 비교예 2 및 실시예 4 내지 6에서 제조된 소결체의 조성 분석
위에서 제조된 소결체의 조성 분석을 EPMA(Electron Probe Micro Analyzer)를 이용하여 수행하며, 그 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
[표 1]
구분 원자비(at%)
인듐(In) 갈륨(Ga) 바륨(Ba) 아연(Zn) 산소(O) (In+Ga)/(In+Ga+Ba+Zn)
비교예 1 14.28 14.26 0.00 14.31 57.15 66.60
실시예 1 12.28 12.26 4.00 14.31 57.15 57.27
실시예 2 18.25 6.24 4.00 14.37 57.14 57.14
실시예 3 6.26 18.27 4.00 14.31 57.16 57.26
비교예 2 9.10 9.00 0.00 27.25 54.65 39.91
실시예 4 7.10 7.00 4.00 27.25 54.65 31.09
실시예 5 2.05 12.03 4.00 27.37 54.54 30.98
실시예 6 12.02 2.03 4.00 27.36 54.59 30.94
실험예 2: 비교예 1 및 실시예 1 내지 3과, 비교예 2 및 실시예 4 내지 6에서 제조된 소결체를 이용한 타겟의 수축률
위에서 제조된 소결체를 이용한 타겟의 수축률은 아래 식에 의해 그 값을 구하며, 그 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
(소결 전 부피 - 소결 후 부피) / 소결 전 부피 X 100
[표 2]
비교예 1 실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 2 실시예 4 실시예 5 실시예 6
수축률(%) 35.93 42.75 42.77 41.32 19.31 24.63 25.38 24.18
상기 표 2를 통하여, 일 구현예에 따라 인듐(In), 갈륨(Ga), 바륨(Ba), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함하고, (In+Ga)/(In+Ga+Ba+Zn)의 원자비(at%)가 15 내지 85인 금속 산화물 조성물을 이용한 실시예 1 내지 3의 경우 바륨(Ba)을 포함하지 않은 비교예 1과 비교하여 수축률이 크게 증가함을 확인할 수 있다. 마찬가지로, 일 구현예에 따른 실시예 4 내지 6의 경우 바륨(Ba)을 포함하지 않은 비교예 2와 비교하여 수축률이 크게 증가함을 확인할 수 있다. 이러한 수축률 증가는 소결 밀도 향상을 나타내므로, 타겟의 품질 향상에 결정적인 영향을 미친다.
실험예 3: 비교예 1 및 실시예 1 내지 3과, 비교예 2 및 실시예 4 내지 6에서 제조된 도전성막의 조성 분석
위에서 제조된 도전성막의 조성 분석을 EPMA(Electron Probe Micro Analyzer)를 이용하여 수행하며, 그 결과를 하기 표 3에 나타낸다.
[표 3]
구분 원자비(at%)
인듐(In) 갈륨(Ga) 바륨(Ba) 아연(Zn) 산소(O) (In+Ga)/(In+Ga+Ba+Zn)
비교예 1 13.38 14.40 0.00 13.92 58.30 66.62
실시예 1 12.36 12.13 4.05 14.31 57.15 57.15
실시예 2 18.23 6.33 4.04 14.29 57.11 57.26
실시예 3 6.18 18.35 4.08 14.36 57.03 57.09
비교예 2 9.20 8.87 0.00 27.07 54.86 40.03
실시예 4 7.18 6.96 4.03 27.21 54.62 31.16
실시예 5 2.13 11.98 4.06 27.29 54.54 31.09
실시예 6 12.07 1.98 4.07 27.32 54.56 30.92
실험예 4: 실시예 1 내지 6에서 제조된 도전성막의 특성 평가
위에서 제조된 도전성막의 특성을 아래와 같은 방법으로 평가하였으며, 그 결과를 하기 표 4에 나타낸다.
(1) 투명성 평가: 3000 Å 두께의 막에 대해 UV/VIS 분광기를 이용하여 550 nm에서의 투과율을 측정한다.
(2) 도전성 평가: 3000 Å 두께의 막에 대해 4포인트 프로브 표면저항 측정기를 이용하여 저항을 측정한다.
(3) XRD 특성: 3000 Å두께의 막에 대해 XRD를 측정한다.
[표 4]
구분 투과율(%) 저항(Ω/□) XRD 측정 결과
실시예 1 80 96 비정질
실시예 2 83 106 비정질
실시예 3 82 102 비정질
실시예 4 85 113 결정질
실시예 5 83 112 결정질
실시예 6 88 116 결정질
상기 표 4를 통하여, 일 구현예에 따라 인듐(In), 갈륨(Ga), 바륨(Ba), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함하고, (In+Ga)/(In+Ga+Ba+Zn)의 원자비(at%)가 15 내지 85 인 금속 산화물 조성물을 이용한 실시예 1 내지 6의 경우 투명성 및 도전성이 우수함을 확인할 수 있다.
또한 XRD 측정 결과 실시예 1 내지 3에 따라 제조된 도전성막은 비정질이고, 실시예 4 내지 6에 따라 제조된 도전성막은 결정질임을 확인할 수 있다. 도 1은 실시예 1에 따라 제조된 도전성막의 단면에 대한 주사전자현미경(XRD) 사진이며, 이를 참조하면 실시예 1에 따라 제조된 도전성막은 비정질임을 알 수 있다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실 시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.　 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
도 1은 실시예 1에 따라 제조된 도전성막의 단면에 대한 주사전자현미경(XRD) 사진이다.

Claims (5)

  1. 인듐(In), 갈륨(Ga), 바륨(Ba), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함하고,
    (In+Ga)/(In+Ga+Ba+Zn)의 원자비(at%)가 15 내지 85 인 금속 산화물 조성물.
  2. 인듐(In), 갈륨(Ga), 바륨(Ba), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함하고,
    (In+Ga)/(In+Ga+Ba+Zn)의 원자비(at%)가 15 내지 85 인 금속 산화물 조성물을 이용한 소결체.
  3. 인듐(In), 갈륨(Ga), 바륨(Ba), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함하고,
    (In+Ga)/(In+Ga+Ba+Zn)의 원자비(at%)가 15 내지 85 인 금속 산화물 조성물을 이용한 도전성막.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 도전성막은 5000 Å 이하의 막 두께를 가지는 것인 도전성막.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 도전성막은 비정질 또는 결정질인 것인 도전성막.
KR1020090135457A 2009-12-31 2009-12-31 금속 산화물 조성물, 및 이를 이용한 소결체 및 도전성막 KR101082514B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090135457A KR101082514B1 (ko) 2009-12-31 2009-12-31 금속 산화물 조성물, 및 이를 이용한 소결체 및 도전성막

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090135457A KR101082514B1 (ko) 2009-12-31 2009-12-31 금속 산화물 조성물, 및 이를 이용한 소결체 및 도전성막

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110078604A KR20110078604A (ko) 2011-07-07
KR101082514B1 true KR101082514B1 (ko) 2011-11-10

Family

ID=44918057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090135457A KR101082514B1 (ko) 2009-12-31 2009-12-31 금속 산화물 조성물, 및 이를 이용한 소결체 및 도전성막

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101082514B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000044236A (ja) 1998-07-24 2000-02-15 Hoya Corp 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
US20060261383A1 (en) 2003-12-05 2006-11-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Compound semiconductor film, solar cell, and methods for producing those
JP2009263709A (ja) 2008-04-24 2009-11-12 Hitachi Ltd 酸化亜鉛薄膜形成用スパッタターゲットと、それを用いて得られる酸化亜鉛薄膜を有する表示素子及び太陽電池

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000044236A (ja) 1998-07-24 2000-02-15 Hoya Corp 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
US20060261383A1 (en) 2003-12-05 2006-11-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Compound semiconductor film, solar cell, and methods for producing those
JP2009263709A (ja) 2008-04-24 2009-11-12 Hitachi Ltd 酸化亜鉛薄膜形成用スパッタターゲットと、それを用いて得られる酸化亜鉛薄膜を有する表示素子及び太陽電池

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110078604A (ko) 2011-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2007142330A1 (ja) 透明導電膜およびその製造方法、ならびにその製造に使用されるスパッタリングターゲット
CN103993288B (zh) 一种透明导电FTO/Ag/FTO复合薄膜的制备方法
KR101236039B1 (ko) 도전 적층체 및 이의 제조방법
KR101249262B1 (ko) 투명도전 조성물 및 타겟, 이를 이용한 투명도전 박막 및 그 제조방법
EP2514851A1 (en) Transparent conductive film, solar cell using same, sputtering target for forming said transparent conductive film, and manufacturing method therefor
KR101251134B1 (ko) 투명 도전 산화막, 이의 제조방법, 인듐-주석 복합 산화물,및 소결체
KR101082514B1 (ko) 금속 산화물 조성물, 및 이를 이용한 소결체 및 도전성막
KR20120072237A (ko) 투명전극용 인듐-갈륨-실리콘-아연 산화물계 조성물
CN103177800B (zh) 一种高透过率透明导电薄膜及其制备方法
KR20120123990A (ko) Ｔｉ-Ｉｎ-Ｚｎ-Ｏ 투명전극 및 이를 이용한 금속 삽입형 3층 구조 고전도도 투명전극과 이의 제조방법
JP5952031B2 (ja) 酸化物焼結体の製造方法およびターゲットの製造方法
CN106222618B (zh) SnO2掺杂ZnO溅射靶材的制备方法
JP5488970B2 (ja) 透明導電膜、この透明導電膜を用いた太陽電池および透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲット
KR101627331B1 (ko) 투명도전성 박막 조성물, 이를 이용한 투명도전성 박막 형성방법 및 투명도전성 박막
KR101900820B1 (ko) 투명도전성 박막 조성물, 이를 이용한 투명도전성 박막 형성방법 및 투명도전성 박막
KR101597294B1 (ko) 투명도전성 박막 조성물, 이를 이용한 투명도전성 박막 형성방법
CN106024110A (zh) 一种锡酸锶基柔性透明导电电极及其制备方法
CN105741916A (zh) 一种柔性透明电极及其制备方法
CN106702321A (zh) 一种磁控溅射制备高导高透明度本征二氧化锡薄膜的方法
KR20060095534A (ko) 도전성 재료 및 그것을 이용한 증착용 타겟
KR20100075193A (ko) 인듐-갈륨-아연 금속산화물계 조성물, 이를 이용한 소결체 및 투명 도전성막
CN103993281A (zh) 一种制备fto透明导电薄膜的制备方法
KR100788333B1 (ko) 투명도전막 형성용 구리 함유 금속 산화물 및 그 소결체와이를 이용한 투명도전막 및 그 제조방법
KR20080065092A (ko) 투명 도전 산화막, 인듐-아연 복합 산화물, 및 소결체
KR102646917B1 (ko) 몰리브덴 산화물계 소결체, 상기 소결체를 이용한 박막, 상기 박막을 포함하는 박막트랜지스터 및 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141006

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151030

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161027

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170807

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181031

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191104

Year of fee payment: 9