KR101249262B1

KR101249262B1 - 투명도전 조성물 및 타겟, 이를 이용한 투명도전 박막 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR101249262B1
Application number: KR1020110015507A
Authority: KR
Inventors: 최지원; 윤석진; 최원국; 김진상; 강종윤; 장호원; 정근
Original assignee: 한국과학기술연구원
Priority date: 2011-02-22
Filing date: 2011-02-22
Publication date: 2013-04-02
Also published as: KR20120097451A; US20130098754A1; US20120211355A1

Abstract

본 발명은 투명도전 조성물 및 타겟, 이를 이용한 투명도전 박막 및 그 제조방법에 관한 것이다.　 본 발명은 하기 화학식의 조성을 포함하는 투명도전 조성물 및 박막용 타겟, 상기 타겟을 이용한 투명도전 박막 및 그 제조방법을 제공한다.　 본 발명에 따르면, 하기 화학식으로 표시되는 특정의 조성을 포함하여 우수한 도전성(낮은 저항률) 및 높은 광투과율을 갖는다.　 특히, 상온에서 증착되었음에도 불구하고 10^-3Ω·cm 이하의 낮은 저항률과 90% 이상의 높은 광투과율을 가져 미래의 핵심 디스플레이 산업이라고 할 수 있는 연성전자소자에도 매우 유용하게 적용될 수 있다.
[화학식]
Al_xZn₁ _- _xO
위 화학식에서, x는 0.04 ≤ x ≤ 0.063이다.

Description

투명도전 조성물 및 타겟, 이를 이용한 투명도전 박막 및 그 제조방법{TRANSPARENT CONDUCTIVE COMPOSITION AND TARGET, TRANSPARENT CONDUCTIVE THIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME USING THE TARGET}

본 발명은 투명도전 조성물 및 타겟, 이를 이용한 투명도전 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 산화아연(ZnO)에 +3가의 금속원소가 특정 조성비로 도핑되어 우수한 도전성(낮은 저항률) 및 광투과성을 가지는 투명도전 조성물 및 타겟, 이를 이용한 투명도전 박막 및 그 제조방법에 관한 것이다.

최근, 투명도전 박막(transparent conductive thin film)에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 투명도전 박막은 평판 패널 디스플레이(flat panel display), 발광 다이오드(light emitting diode) 및 태양전지(solar cell) 등에 실제적으로 사용되고 있으며, 그 응용 범위가 점차 증가되고 있다.　　

투명도전 박막은 가시광선 영역 및 근적외선 영역에서 우수한 도전성 및 광투과성을 가질 것이 요구된다.　 특히, 미래의 핵심 디스플레이 산업이라고 할 수 있는 연성전자소자(flexible electronic device) 분야에서는 상온 또는 저온에서 형성 가능한 투명도전 박막이 매우 중요한 부분을 차지하게 된다.　 연성전자소자의 경우 플라스틱 기판을 사용하기 때문에 일정 온도 이상에서 쉽게 변형이 생긴다는 단점을 갖고 있다.　 따라서 투명도전 박막을 연성전자소자에 적용하기 위해서는 상온에서 제조했을 경우에도 높은 도전성과 광투과성을 가져야 하며, 최근 이에 대한 연구가 주를 이루고 있다.

현재 가장 많이 사용되고 있는 투명도전 박막은 산화인듐에 적당량의 주석을 도핑시킨 ITO(indium tin oxide) 박막이다.　 ITO 박막이 투명 도전체로 많이 사용되고 있는 가장 큰 이유는 다른 재료의 박막과 비교하여 저항률이 낮고, 가시광선 영역에서의 광투과율이 높기 때문이다.　 그러나 ITO 박막은, 이의 제조에 사용되는 원료인 인듐(In)이 고가이고 희소자원이라는 점에서 최종 제품의 가격 상승 및 자원 고갈에 수반되는 재료 공급의 문제가 지적되고 있다.　 또한, ITO 박막은 반도체공정 중 산성용액(acid solution)을 사용하는 습식식각(wet etching) 공정 시 소자에 패터닝(patterning)하기가 어렵다는 점과, 저온에서 제조할 경우 낮은 비저항을 유지가 어렵다는 점 때문에 연성전자소자에 적용시키기 어렵다.

최근 들어 이러한 문제를 해결하기 위해 산화아연(ZnO)에 도펀트(dopant)를 도핑한 산화아연계 투명도전 박막의 개발이 진행되었다.　 산화아연(ZnO)은 산소공공이나 아연침입에 의한 내부결함이나 외부 도펀트(dopant)의 치환에 의해 도전성이 변화될 수 있다.　 이러한 개발의 결과 Al, Ga 및 Sn 등과 같은 3가나 4가의 원자가를 갖는 후보 도펀트의 탐색이 행해졌다.

그러나 아직까지는 저항률이 ITO 박막과 비교하여 상당히 높다는 단점이 있다.　 지금까지의 방법은 모재인 산화아연에 아연의 가수인 2가보다 큰 원자가를 갖는 Al 등의 금속 산화물을 적당한 농도 범위로 혼합한 타겟(target)을 제조하고, 상기 타겟을 스퍼터를 이용하여 기판 상에 성막한 후, 저항률을 평가하는 것이 대부분이었다.　 그러나 종래의 방법은 도펀트의 양을 광범위하게 연속적으로 첨가하지 못하고 단속적으로 제한된 양만을 첨가한 결과, 저항률이 ITO 박막보다 훨씬 높은 문제점이 있다.　 특히, 상온에서 증착된 경우 10^-2 ~ 10^-3 Ω·cm 영역대의 높은 저항률(낮은 도전성)을 보이고 있다.

이에, 본 발명은 산화아연에 +3가의 금속원소를 도핑하되, 종래에 알려지지 않는 특정의 조성을 갖도록 도핑함으로써, 우수한 도전성(낮은 저항률) 및 광투과율을 가지는 투명도전 조성물 및 박막 제조용 타겟, 이를 이용한 투명도전 박막 및 그 제조방법을 제공하는 데에 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 하기 화학식의 조성을 포함하는 투명도전 조성물, 및 투명도전 박막용 타겟을 제공한다.

[화학식]

Al_xZn₁ _- _xO

(위 화학식에서, x는 0.04 ≤ x ≤ 0.063이다.)

또한, 본 발명은 상기 화학식의 조성을 포함하고, 10^-3Ω·cm 이하의 비저항과 90% 이상의 광투과율을 가지는 투명도전 박막을 제공한다.

이에 더하여, 본 발명은 상기 화학식의 조성을 포함하는 타겟을 얻는 제1단계; 및

상기 얻어진 타겟을 기판 상에 상온에서 스퍼터링하여 증착하는 제2단계를 포함하는 투명도전 박막의 제조방법을 제공한다.

본 발명에 따르면, 상기 화학식으로 표시되는 특정의 조성을 포함하여 우수한 도전성(낮은 저항률) 및 높은 광투과율을 갖는다.　 특히, 상온에서 증착되었음에도 불구하고 10^-3Ω·cm 이하의 낮은 저항률과 90% 이상의 높은 광투과율을 가져 미래의 핵심 디스플레이 산업이라고 할 수 있는 연성전자소자에도 매우 유용하게 적용될 수 있는 효과를 갖는다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 AZO 타겟의 전기적 특성(저항률)을 보인 것으로서, 기판의 위치(거리)에 따른 평가 결과를 보인 그래프이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 AZO 박막의 전기적 특성(저항률)을 보인 것으로서, 박막의 조성에 따른 평가 결과를 보인 그래프이다.

이하, 본 발명을 상세히 설명한다.　

본 발명자들은 산화아연계 투명도전 박막의 조성에 대한 연구를 거듭하는 과정에서, 연속조성 확산법을 통해 조성을 탐색한 결과 종래에 시도되지 않은 특정의 조성에서 우수한 전기적, 광학적 특성을 가짐을 확인하여 본 발명을 완성하게 되었다.　 본 발명에서 사용되는 용어 "연속조성 확산법"이란 하나의 기판 위에 위치에 따라 연속적으로 다른 조성을 갖는 박막을 증착하여 우수한 특성을 갖는 화합물의 조성을 단시간 내에 탐색할 수 있는 방법을 의미한다.　 이러한 연속조성 확산법을 통하여 우수한 특성을 가지는 조성을 탐색하였다.　

구체적으로, 본 발명자들은 90°수직 대향된 독립된 건(gun)을 이용하여 산화아연(ZnO)과 +3가의 금속원소 산화물을 하나의 기판 상에 연속적으로 동시에 스퍼터링하여, 기판의 위치에 따른 증착 산화물의 특성을 평가함으로써 우수한 특성을 가지는 조성을 탐색하였다.　 이러한 조성 탐색의 결과로, 산화아연(ZnO)에 +3가의 금속원소로서 알루미늄(Al)이 특정의 조성비로 도핑(치환)된 경우 상온에서 증착된 경우에도 우수한 전기적, 광학적 특성을 가짐을 알 수 있었다.　

본 발명에 따른 투명도전 조성물 및 박막용 타겟은 산화아연(ZnO)에 Al³ ⁺이 도핑된 산화아연계 조성물로서, 하기 화학식의 조성을 포함한다.　 또한, 본 발명에 따른 투명도전 박막은 하기 화학식의 조성을 포함하고, 10^-3Ω·cm 이하의 낮은 비저항과 90% 이상의 높은 광투과율을 갖는다.　

[화학식]

Al_xZn₁ _- _xO

위 화학식에서, 조성비 x(원자분율)는 0.04 ≤ x ≤ 0.063이다.　 조성비 x가 상기 범위를 벗어난 경우 본 발명에서 목적하는 우수한 도전성(낮은 저항률)과 90% 이상의 높은 광투과율을 보이기 어렵다.　 상기 조성비 x가 0.04 미만이면 저항률이 높아짐과 동시에 광투과율이 낮아질 수 있다.　 그리고 상기 조성비 x가 0.063을 초과하는 경우에도 저항률이 높아진다.　 바람직하게는, 상기 조성비 x는 0.042 ≤ x ≤ 0.055인 것이 좋다.　 보다 바람직하게는 0.045 ≤ x ≤ 0.052인 것이 좋다.　 이러한 바람직한 범위에서 더욱 양호한 전기적, 광학적 특성을 갖는다.

상기 조성비는 전술한 바와 같이 연속조성 확산법에 의해 탐색되었다.　 구체적으로, 산화아연(ZnO)과 산화알루미늄(Al₂O₃)이 각각 장착된 스퍼터 건들을 기판과 90°의 각도로 유지시켜 오프-엑시스 반응성 스퍼터링법(Off-axis RF sputtering)을 통해 기판 상에 증착하되, 기판의 위치마다 조성이 다르게 연속적으로 증착하였다.　 그리고 각 위치에 따른 증착물에 대해 전기적, 광학적 특성을 평가해본 결과, Al의 조성비(원자분율) x가 0.04 ≤ x ≤ 0.063인 경우에 우수한 특성을 가졌다.　 즉, 산화알루미늄(Al₂O₃)이 질량분율(wt%)로서 대략 2.6 ≤ Al₂O₃ ≤ 4.19의 범위로 포함되는 경우 우수한 전기적, 광학적 특성을 가졌다.

또한, 상기 오프-엑시스 반응성 스퍼터링법(Off-axis RF sputtering)을 통해 증착된 산화물을 타겟으로 사용하여, 스퍼터 건이 180°로 배열된 온-엑시스 반응성 스퍼터링법(on-axis RF sputtering)을 통해 적절한 가스압력 조건으로 상온에서 증착해본 결과, 10^-3Ω·cm 이하의 낮은 비저항과 90% 이상 높은 광투과율을 가지는, Al이 도핑된 산화아연(ZnO)계 투명도전 박막(AZO 박막)을 제조할 수 있었다. 이때, 제조된 AZO 박막 중에서 어떤 특정 조성의 박막은, 바람직하게는 10^-4Ω·cm 영역대의 낮은 저항률, 구체적인 바람직한 예로는 6.5 × 10^-4Ω·cm의 매우 낮은 저항률을 보였다.　

한편, 본 발명에 따른 투명도전 박막의 제조방법은 상기 화학식의 조성을 포함하는 타겟을 얻는 제1단계; 및 상기 얻어진 타겟을 기판 상에 상온에서 스퍼터링하여 증착하는 제2단계를 포함한다.　

이때, 상기 제1단계는 상기한 바와 같이 기판과 90°로 대향된 독립된 건을 이용하여 산화아연(ZnO)과 산화알루미늄(Al₂O₃)을 기판 상에 연속적으로 스퍼터링함으로써, Zn⁺²의 자리에 Al³ ⁺이 연속적으로 치환(도핑)되도록 하여 상기 화학식의 조성을 가지는 타겟(산화물 조성물)을 얻는다.　 그리고 상기 제2단계에는 제1단계에서 얻어진 타겟(산화물 조성물)을 스퍼터 건에 장착하여 기판과 180°로 유지시켜 온-엑시스 반응성 스퍼터링법(on-axis RF sputtering)을 통해 상온에서 증착하는 방법으로 진행한다.　 이때, 제2단계에서의 증착 시, 가스압력은　1 ~ 50 mTorr로 유지하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 1 ~ 10 mTorr로 유지하여 증착하는 것이 좋다.

전술한 바와 같이, 본 발명은 기존에 알려지지 않은 상기 화학식의 특정 조성을 포함하여 우수한 도전성(낮은 저항률) 및 광투과율을 갖는다.　 본 발명에 따른 투명도전 박막(AZO 박막)은 ITO 박막을 대체함으로써 비용 절감 및 환경 보호 효과를 얻을 수 있다.　 본 발명에 따른 투명도전 박막(AZO 박막)은, 예를 들어 평판 패널 디스플레이, 발광 다이오드 및 태양전지 등의 투명 도전체용(투명전극 등)이나 전자파 차폐용 등으로 사용될 수 있으며, 특히 상온에서 증착했음에도 불구하고 높은 도전성과 광투과율을 가짐으로 인하여 미래의 핵심 디스플레이 산업이라고 할 수 있는 연성전자소자에 유용하게 적용될 수 있다.

이하, 본 발명의 실시예를 예시한다.　 하기의 실시예는 본 발명의 이해를 돕도록 하기 위해 제공되는 것일 뿐, 이에 의해 본 발명의 기술적 범위가 한정되는 것은 아니다.

[실시예]

<　조성 탐색 및 타겟 제조 >

먼저, 스퍼터링 장치에 기판으로서 6인치 글래스(glass)를 설치하였다.　 그리고 스퍼터 건들이 90°로 배열된 오프-엑시스 반응성 스퍼터링법(Off-axis RF sputtering)을 통해 상기 글래스 위에 산화물을 증착하였다.　 구체적으로, ZnO과 Al₂O₃이 각각 장착된 스퍼터 건들을 글래스와 90°의 각도가 유지되도록 수직 배열하여 오프-엑시스 반응성 스퍼터링법(Off-axis RF sputtering)을 통해 상기 6인치 글래스 위에 증착하였다.　 이때, ZnO건은 150 W의 파워로, Al₂O₃ 건은 300 W의 파워로 각각 스퍼터링하였으며, 증착 시 가스의 압력은 순수 아르곤(pure Ar)을 사용하여 20 mTorr의 압력으로 상온에서 10분간 증착하였다.　 이와 같은 공정을 통해, 하나의 글래스 위에 위치마다 조성이 다른 산화물이 연속적으로 증착된 AZO 타겟(ZnO에 Al이 도핑된 산화물 박막)을 얻었다.　

첨부된 도 1은 상기 공정을 통해 얻어진 AZO 타겟(ZnO에 Al이 도핑된 산화물 박막)의 위치(거리)에 따른 전기적 특성(저항률)을 나타낸 것이다.　 이때, 증착된 AZO 타겟(산화물 박막)의 전기적 특성은 자동 프로브 스테이션(automated probe station)을 이용하여 면저항(sheet resistance)을 측정하고, 주사광학현미경(SEM)에 의해 두께를 측정한 다음, 비저항(resistivity)을 계산하여 나타내었다.

도 1에 보인 바와 같이, AZO 타겟은 조성의 변화에 따라 전기적 특성이 변화하는 것을 알 수 있었다.　 구체적으로, Al₂O₃가 rich한 영역인 위치(거리) 0 ~ 80 mm 에서는 과부하(overload) 특성을 보였으며, ZnO이 rich한 영역인 위치(거리) 80 ~ 150 mm 에서는 비저항이 10^-2 Ω·cm 이하의 값을 가졌다.　 그리고 ZnO과 Al₂O₃이 적정 조성된 위치(거리) 92 ~ 112 mm 영역에서 우수한 특성(비저항)을 보였으며, 특히 100 mm 위치(거리)에서는 2.8×10^-3 Ω·cm의 매우 낮은 비저항 값을 나타냄을 알 수 있었다.

따라서 상기와 같은 연속조성 확산법을 통해 하나의 기판 위에 위치별로 조성이 다른 박막을 연속적으로 증착하고, 증착된 박막의 위치에 따른 전기적 특성을 평가하여 우수한 특성을 보이는 조성을 간편하게 탐색할 수 있었다.　 그리고 탐색 결과, 도 1에 보인 바와 같이 92 ~ 112 mm 영역의 조성이 우수한 특성을 보임을 알 수 있었다.

하기 [표 1]은 상기 우수한 특성을 보인 92 ~ 112 mm 영역에 대한 조성 분석 및 전기적, 광학적 특성을 보인 것이다.

　　　　　　<　조성에 따른 전기적, 광학적 특성 평가 결과 >

조성	저항률 (Ω·cm)	광투과율 (%)	거리(mm)
Al₀ _.067Zn₀ _.933O₁	9.1 × 10^-3	96	90.0
Al₀ _.063Zn₀ _.937O₁	4.9 × 10^-3	96	92.5
Al₀ _.058Zn₀ _.942O₁	4.1 × 10^-3	96	95
Al₀ _.055Zn₀ _.945O₁	3.5 × 10^-3	96	97.5
Al₀ _.051Zn₀ _.949O₁	3.2 × 10^-3	95	98.7
Al₀ _.048Zn₀ _.952O₁	2.8 × 10^-3	95	100
Al₀ _.046Zn₀ _.954O₁	3.0 × 10^-3	95	101.2
Al₀ _.045Zn₀ _.955O₁	3.2 × 10^-3	94	102.5
Al₀ _.043Zn₀ _.957O₁	3.4 × 10^-3	94	105
Al₀ _.042Zn₀ _.958O₁	3.8 × 10^-3	94	107.5
Al₀ _.0403Zn₀ _.9597O₁	4.2 × 10^-3	93	110
Al₀ _.04Zn₀ _.96O₁	4.9 × 10^-3	93	112
Al₀ _.035Zn₀ _.965O₁	6.3 × 10^-3	89	120

상기와 같이, 연속조성 확산법을 통하여 우수한 전기적, 광학적 특성을 보이는 조성을 탐색할 수 있었다.　 그리고 이를 통해 상기 [표 1]에 나타난 바와 같이, ZnO에 Al이 도핑된 Al_xZn₁ _- _xO의 조성에서 Al의 조성비(원자분율) x가 0.04 ≤ x ≤ 0.063인 경우에 우수한 전기적 특성(저저항률) 및 광학적 특성(고광투과율)을 보임을 알 수 있었다.　 구체적으로, 상기 [표 1]에 나타난 바와 같이, 0.04 ≤ x ≤ 0.063인 범위에서 5.0 × 10^-3Ω·cm 이하의 낮은 저항률과 90% 이상의 높은 광투과율을 가짐을 알 수 있었다.　 그러나 x가 0.04 미만인 경우 높은 저항률을 보임과 함께 광투과율 면에서도 양호하지 못하였고, 0.063을 초과하는 경우에 높은 저항률을 보였다.　 또한, 0.042 ≤ x ≤ 0.055의 범위에서는 3.5 × 10^-3Ω·cm 이하, 0.045 ≤ x ≤ 0.052의 범위에서는 3.2 × 10^-3Ω·cm 이하의 낮은 저항률을 보였으며, 특히 x = 0.048의 최적 조성에서 2.8 × 10^-3Ω·cm의 매우 낮은 저항률을 보임을 알 수 있었다.

<　AZO 박막 제조 >

상기와 같은 조성 탐색을 통해 얻어진 AZO 타겟(산화물 박막)을 이용하여 다음과 같이 상온에서 증착(성막)한 AZO 박막을 제조하였다.

스퍼터 건이 180°로 배열된 온-엑시스 반응성 스퍼터링법(on-axis RF sputtering)을 통해 1.5 × 1.5 cm 크기의 글래스 위에 상기 얻어진 AZO 타겟(산화물 박막)을 스퍼터링하여 증착하였다. 이때, 60W의 파워로 스퍼터링하였으며, 순수 아르곤(pure Ar)을 사용하여 상온에서 60분 동안 증착하였다.　

첨부된 도 2는 상기 증착된 AZO 박막의 조성에 따른 전기적 특성(저항률)을 보인 것이다.　 도 2에 보인 바와 같이, Al의 조성비 x가 0.04 ≤ x ≤ 0.063인 경우에, 즉 Al의 원자분율(at%)이 4 내지 6.3인 경우에, 상온에서 증착되었음에도 불구하고 약 10^-3 Ω·cm 이하의 우수한 저항률을 보임을 알 수 있었다. 그리고 도 2에 나타난 바와 같이, Al의 조성비 x값 0.04와 0.063을 기준으로 하여, 0.04 미만인 경우와 0.063을 초과하는 경우에는 저항률이 큰 기울기 폭으로 증가함을 알 수 있었다.

한편, 하기 [표 2]는 상기 얻어진 [표 1]의 결과에서 가장 우수한 특성을 보인 타겟(Al_0.048Zn_0.952O₁)을 사용하여 상온에서 증착한 AZO 박막의 전기적, 광학적 특성을 보인 결과이다.　 아울러, 하기 [표 2]에는 제조된 AZO 박막에 대해 홀측정법(Hall measurement method)을 이용하여 추가적인 전기적 특성을 평가한 결과를 함께 나타내었다.　 이때, AZO 박막을 상온에서 증착하되, pure Ar 가스의 압력을 1 ~ 50 mTorr 범위 내에서 조절하여 60분 동안 증착하였다.

하기 [표 2]에 보인 바와 같이, 온-엑시스 반응성 스퍼터링법(on-axis RF sputtering)을 실시한 결과 상온에서 증착되었음에도 불구하고, 적정 가스압력(1 mTorr 및 5 mTorr)에서 10^-3 Ω·cm 이하의 낮은 비저항률, 특히 5 mTorr의 pure Ar 가스압력에서는 6.5 × 10^-4 Ω·cm의 매우 낮은 비저항률을 가지는 AZO 박막을 얻어낼 수 있었다.　 또한, 상기 제조된 AZO 박막에 대하여 평균 광투과율을 측정한 결과 가시광선 영역(400 ~ 700 nm)에서 92% 이상의 높은 평균 광투과율을 보임을 알 수 있었다.　

　　　　　　　　　　<　AZO 박막의 압력에 따른 전기적 특성 평가 결과 >

조성	가스압력 (pure Ar)	저항률 (Ω·cm)	캐리어농도 (cm³)	이동도 (cm²/Vs)
Al₀ _.048Zn₀ _.952O₁	1 mTorr	8.1 × 10^-4	1.7 × 10²¹	6.3
	5 mTorr	6.5 × 10^-4	2.1 × 10²¹	4.9
	20 mTorr	1.2 × 10^-2	2.8 × 10²⁰	1.0
	50 mTorr	3.0 × 10^-2	2.5 × 10²⁰	0.5

이상의 실시예를 통해 확인되는 바와 같이, 연속조성 확산법을 통해 우수한 특성을 보이는 산화물 박막 조성을 탐색할 수 있었으며, 탐색 결과 Al의 조성비 x가 0.04 ≤ x ≤ 0.063인 경우에 우수한 전기적, 광학적 특성을 보임을 알 수 있다.　 특히, 최적의 조성을 갖도록 하되, 증착 시의 가스압력을 바람직하게는 1 ~ 10 mTorr 범위로 유지하는 경우, 상온에서 증착되었음에도 불구하고 10^-4 Ω·cm 영역대의 낮은 비저항률, 보다 좋게는 5 mTorr의 가스압력에서 6.5 × 10^-4 Ω·cm의 매우 낮은 비저항률을 가짐을 알 수 있다.

Claims

하기 화학식의 조성을 포함하는 투명도전 조성물:
[화학식]
Al_xZn_1-xO
위 화학식에서, x는 0.048 ≤ x ≤ 0.063이다.
제1항에 있어서,
상기 화학식의 x는 0.048 ≤ x ≤ 0.055인 것을 특징으로 하는 투명도전 조성물.
하기 화학식의 조성을 포함하는 투명도전 박막용 타겟:
[화학식]
Al_xZn_1-xO
위 화학식에서, x는 0.048 ≤ x ≤ 0.063이다.
제3항에 있어서,
상기 화학식의 x는 0.048 ≤ x ≤ 0.055인 것을 특징으로 하는 투명도전 박막용 타겟.
하기 화학식의 조성을 포함하고, 10^-3Ω·cm 이하의 비저항과 90% 이상의 광투과율을 가지는 투명도전 박막:
[화학식]
Al_xZn_1-xO
위 화학식에서, x는 0.048 ≤ x ≤ 0.063이다.
제5항에 있어서,
상기 화학식의 x는 0.048 ≤ x ≤ 0.055인 것을 특징으로 하는 투명도전 박막.
제3항 또는 제4항에 따른 타겟을 얻는 제1단계; 및
상기 얻어진 타겟을 기판 상에 상온에서 스퍼터링하여 증착하는 제2단계를 포함하고,
상기 제2단계에서는 1 ~ 10 mTorr의 압력에서 증착하는 것을 특징으로 하는 투명도전 박막의 제조방법.
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