JPH032988Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH032988Y2 JPH032988Y2 JP3164283U JP3164283U JPH032988Y2 JP H032988 Y2 JPH032988 Y2 JP H032988Y2 JP 3164283 U JP3164283 U JP 3164283U JP 3164283 U JP3164283 U JP 3164283U JP H032988 Y2 JPH032988 Y2 JP H032988Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fet
- fetq
- source
- drain
- differential amplifier
- Prior art date
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- Expired
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims 2
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(考案の技術)
本考案は、負荷としてFETアクテイブロード
を備えたFET差動増幅器に係り、特に入力同相
信号除去比を大きくする事が出来るFET差動増
幅器に関する。
を備えたFET差動増幅器に係り、特に入力同相
信号除去比を大きくする事が出来るFET差動増
幅器に関する。
(従来技術及び問題点)
従来第1図に示す様にFET差動増幅器の電流
源としては、ゲート・ソース間を結合した
FETQ3が使用されていた。
源としては、ゲート・ソース間を結合した
FETQ3が使用されていた。
この回路では、FETQ3のドレイン・ソース間
の飽和抵抗γDSが無限大ではないため、FETQ1,
Q2の入力電圧によりFETQ3の電流値が変化する。
の飽和抵抗γDSが無限大ではないため、FETQ1,
Q2の入力電圧によりFETQ3の電流値が変化する。
また、負荷にアクテイブロードを用いているた
めに負荷抵抗は非常に高く、微少な電流変化が
FETQ1,Q2の動作を大きく変化させる。
めに負荷抵抗は非常に高く、微少な電流変化が
FETQ1,Q2の動作を大きく変化させる。
例えば、FETQ3のゲート幅をWg3,FETQ1,
Q2のゲート幅をWg1,FETQ4,Q5のゲート幅を
Wg2とする。
Q2のゲート幅をWg1,FETQ4,Q5のゲート幅を
Wg2とする。
一般的な差動増幅回路ではWg3≒2Wg2,Wg1
≧Wg3に選ばれる。
≧Wg3に選ばれる。
この場合FETQ3のドレイン・ソース間抵抗γDS3
とQ4,Q5のドレイン・ソース間抵抗γDS2の関係
は、ゲート幅と抵抗値が反比例することにより、
γDS22γDS3となり、入力電圧の変化をΔVi、出力
電圧変化をΔV0とすると、 ΔV0≒1/2・ΔVi/γDS3・γDS2≒ΔVu′ となり、入力同相信号成分は、出力にそのまま影
響を与え、FETの動作点を変化させ、入力電圧
の変化により、直流出力電圧変化、利得変化及び
最大出力変化等が起こり、安定な特性を得るため
には、入力電圧範囲を限定する必要がある。
とQ4,Q5のドレイン・ソース間抵抗γDS2の関係
は、ゲート幅と抵抗値が反比例することにより、
γDS22γDS3となり、入力電圧の変化をΔVi、出力
電圧変化をΔV0とすると、 ΔV0≒1/2・ΔVi/γDS3・γDS2≒ΔVu′ となり、入力同相信号成分は、出力にそのまま影
響を与え、FETの動作点を変化させ、入力電圧
の変化により、直流出力電圧変化、利得変化及び
最大出力変化等が起こり、安定な特性を得るため
には、入力電圧範囲を限定する必要がある。
(考案の目的)
本考案の目的は、FET差動増幅回路の入力同
相信号成分除去を大きくし、動作点の安定化、入
力電圧範囲の広いFET差動増幅器を提供するこ
とにある。
相信号成分除去を大きくし、動作点の安定化、入
力電圧範囲の広いFET差動増幅器を提供するこ
とにある。
(考案の構成)
本考案はFET差動増幅器の電流源インピーダ
ンスを従来に比べて充分大きくし、入力電圧(同
相成分)が変化しても、電流源の電流値変化を小
さく抑え、増幅器の動作点を安定化、同相信号成
分除去比を高くしようとするものである。そのた
め電流源には、デユアルゲートFET又はカスケ
ード接続FETを用いる。
ンスを従来に比べて充分大きくし、入力電圧(同
相成分)が変化しても、電流源の電流値変化を小
さく抑え、増幅器の動作点を安定化、同相信号成
分除去比を高くしようとするものである。そのた
め電流源には、デユアルゲートFET又はカスケ
ード接続FETを用いる。
(考案の実施例)
以下本考案を実施例に基づいて説明する。
第2図は、本考案の実施例を示す図で、図中
VGは電流値設定用電圧、Q′3は電流制御用FET
であり、第1図と同一部材には同一符号を付与し
ている。
VGは電流値設定用電圧、Q′3は電流制御用FET
であり、第1図と同一部材には同一符号を付与し
ている。
図の実施例において、入力電圧がΔViだけ変化
した場合、ΔIsはΔVi/Rs(RsはFETQ1,Q2の共
通ソースからFETQ′3を見たインピーダンス)で
表わされる。
した場合、ΔIsはΔVi/Rs(RsはFETQ1,Q2の共
通ソースからFETQ′3を見たインピーダンス)で
表わされる。
一方FETQ′3を使用しない時、RsはFETQ3の
ドレイン・ソース間抵抗γDS3に相当する。しかし
FETQ′3を使用することにより、FETQ′3のソー
スに高抵抗(FETQ3のγDS3)が接続されFETQ′3
に直列帰還がかかるので、FETQ′3のドレイン抵
抗は非常に高くなる。
ドレイン・ソース間抵抗γDS3に相当する。しかし
FETQ′3を使用することにより、FETQ′3のソー
スに高抵抗(FETQ3のγDS3)が接続されFETQ′3
に直列帰還がかかるので、FETQ′3のドレイン抵
抗は非常に高くなる。
第4図に示す様に、直列帰還がかかつたFET
のドレインから見たインピーダンスR0は R0=V/I=γDS(1+gmR)I/I ただし、γDSはFETのドレイン・ソース間の飽
和抵抗、gmは相互コンダクタンスである。
のドレインから見たインピーダンスR0は R0=V/I=γDS(1+gmR)I/I ただし、γDSはFETのドレイン・ソース間の飽
和抵抗、gmは相互コンダクタンスである。
図の例で、Q1,Q2,Q′3のゲート幅Wg=
40μm,Q4,Q5のゲート幅Wg=20μm、ゲート長
1μm、スレツシヨルド電圧Vth=−1Vとした場
合、Wg=40μmでgm=7mS(ミリ・シーメンス)、
γDS=14KΩ、Wg=20μmでgm=3.5mS(ミリ・シ
ーメンス)、γDS=28KΩとすると、 FETQ1,Q2の共通ソースからFETQ′3をみた
インピーダンスRsはRs=γDS3′(1+gm′3γDS3)=
14×103(1+7×10-3×14×103)=14×103×98
=1.37MΩと非常に高抵抗となる。
40μm,Q4,Q5のゲート幅Wg=20μm、ゲート長
1μm、スレツシヨルド電圧Vth=−1Vとした場
合、Wg=40μmでgm=7mS(ミリ・シーメンス)、
γDS=14KΩ、Wg=20μmでgm=3.5mS(ミリ・シ
ーメンス)、γDS=28KΩとすると、 FETQ1,Q2の共通ソースからFETQ′3をみた
インピーダンスRsはRs=γDS3′(1+gm′3γDS3)=
14×103(1+7×10-3×14×103)=14×103×98
=1.37MΩと非常に高抵抗となる。
一方、FETQ′3がない場合Rs=14KΩであり約
100倍の抵抗値となり、入力電圧変化に対する電
流値変化は1/100に圧縮される為、動作点は充分
安定化される。
100倍の抵抗値となり、入力電圧変化に対する電
流値変化は1/100に圧縮される為、動作点は充分
安定化される。
尚、FETQ′3が無い場合同相信号除去比が0dB
に対し、FETQ′3を付加(カスケード接続)する
事により40dBが得られる。
に対し、FETQ′3を付加(カスケード接続)する
事により40dBが得られる。
第2図では、カスケード接続を用いたが、第3
図の如く、デユアルゲートFETQ6を用いても同
様な結果が得られる。
図の如く、デユアルゲートFETQ6を用いても同
様な結果が得られる。
この例では、IC化に適しており、原理は第2
図の場合と同一である。
図の場合と同一である。
(考案の効果)
以上の如く、本考案によれば入力の変動に対し
て動作点変動が少なく、同相信号除去比が大き
く、広い入力電圧範囲にわたつて、安定な動作が
可能である。
て動作点変動が少なく、同相信号除去比が大き
く、広い入力電圧範囲にわたつて、安定な動作が
可能である。
第1図は従来のFET差動増幅器を示す図、第
2図、第3図は本考案の実施例を示す図、第4図
は直列帰還の場合のドレインから見たインピーダ
ンスを示す図である。 図中Q1〜Q6はFET、VGは電流値窃定用電圧
である。
2図、第3図は本考案の実施例を示す図、第4図
は直列帰還の場合のドレインから見たインピーダ
ンスを示す図である。 図中Q1〜Q6はFET、VGは電流値窃定用電圧
である。
Claims (1)
- 差動増幅用FET対のドレイン負荷にFETアク
テイブロードを用い、該FET対の共通ソースに
電流源を具備したFET差動増幅回路に於いて、
電流源としてデユアル・ゲートFET又はカスケ
ード接続FETを用いた事を特徴とするFET差動
増幅回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3164283U JPS59137617U (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | Fet差動増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3164283U JPS59137617U (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | Fet差動増幅回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59137617U JPS59137617U (ja) | 1984-09-13 |
JPH032988Y2 true JPH032988Y2 (ja) | 1991-01-25 |
Family
ID=30162484
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3164283U Granted JPS59137617U (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | Fet差動増幅回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59137617U (ja) |
-
1983
- 1983-03-07 JP JP3164283U patent/JPS59137617U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59137617U (ja) | 1984-09-13 |
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