JPH03297125A - パターン転写装置 - Google Patents
パターン転写装置Info
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- JPH03297125A JPH03297125A JP2100947A JP10094790A JPH03297125A JP H03297125 A JPH03297125 A JP H03297125A JP 2100947 A JP2100947 A JP 2100947A JP 10094790 A JP10094790 A JP 10094790A JP H03297125 A JPH03297125 A JP H03297125A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体素子の製造等で広く使われているパ
ターン転写装置に関するものであり、特に半導体基板と
マスクとが非接触の状態で紫外線などを照射し、半導体
基板にマスクのパターンを転写するパターン転写装置に
関するものである。
ターン転写装置に関するものであり、特に半導体基板と
マスクとが非接触の状態で紫外線などを照射し、半導体
基板にマスクのパターンを転写するパターン転写装置に
関するものである。
第３図（ａ）〜（ｇ）はプロキシミティアライナーと呼
ばれている従来のパターン転写装置における各部の一連
の動作を示す図である。この図において、１はパターン
が印刷されたマスク、２はこのマスク１を載置するマス
クホルダプレート、３は前記マスク１のパターンが転写
される半導体基板、４はこの半導体基板３を保持するウ
ェハプレート、５は前記マスク１と半導体基板３の表面
とが平行で、かつ一定の間隔となるように調整する際の
基準面となるキャリブレータである。
ばれている従来のパターン転写装置における各部の一連
の動作を示す図である。この図において、１はパターン
が印刷されたマスク、２はこのマスク１を載置するマス
クホルダプレート、３は前記マスク１のパターンが転写
される半導体基板、４はこの半導体基板３を保持するウ
ェハプレート、５は前記マスク１と半導体基板３の表面
とが平行で、かつ一定の間隔となるように調整する際の
基準面となるキャリブレータである。
第４図（ａ）、（ｂ）は、第３図のキャリブレータ５の
拡大図で、第４図（ａ）は正面図、第４図（ｂ）は平面
図である。第４図において、５１は前記キャリブレータ
５の内部に設けられた空気導入管であり、その一端５２
はエアーギャップセンサ（図示せず）に接続されている
。
拡大図で、第４図（ａ）は正面図、第４図（ｂ）は平面
図である。第４図において、５１は前記キャリブレータ
５の内部に設けられた空気導入管であり、その一端５２
はエアーギャップセンサ（図示せず）に接続されている
。
次に動作を第３図に基づいて説明する。
まず、マスク１をマスクホルダプレート２上に、また、
半導体基板（以下、ウェハと呼ぶ）３をウェハプレート
４上に載置する（第３図（ａ））。次にキャリブレータ
５をマスク１とウェハ３の間に挿入する（第３図（ｂ）
）。次にウェハプレート４を押し上げ、ウェハ３をキャ
リブレータ５に密着させる（第３図（Ｃ））。これによ
り、ウェハ３表面とキャリブレータ５の下面とが平行に
なる。また、両者の間隔は零である。次にエアギャップ
センサ（図示せず）によって上記の間隔をモニタしなが
ら所定の間隔（例えば１００μｍ）が生ずるようにウェ
ハプレート４を下げる（第３図（ｄ））。さらに、あら
かじめ設定された間隔（例えば３００μｍ）だけウェハ
プレート４を下げた後、キャリブレータ５をマスク１下
部より抜き去る（第３図（ｅ））。次に、マスクホルダ
プレート２の上面からキャリブレータ５の下面までの距
離分だけウェハプレート４を押し上げる（第３図（ｆ）
）。さらに、紫外線等の照射の際の所定の間隔（例えば
２０μｍ）となるようウェハプレート４を押し上げる（
上記の例では（１００μｍ＋３００４ｍ−２０μｍ）押
し上げる）（第３図（ｇ）。次に図示はしてないが、第
３図（ｇ）の状態で紫外線等がマスク１の上部方向から
照射される。なお、照射以降のウェハ３の取出し等の動
作については説明を省略する。
半導体基板（以下、ウェハと呼ぶ）３をウェハプレート
４上に載置する（第３図（ａ））。次にキャリブレータ
５をマスク１とウェハ３の間に挿入する（第３図（ｂ）
）。次にウェハプレート４を押し上げ、ウェハ３をキャ
リブレータ５に密着させる（第３図（Ｃ））。これによ
り、ウェハ３表面とキャリブレータ５の下面とが平行に
なる。また、両者の間隔は零である。次にエアギャップ
センサ（図示せず）によって上記の間隔をモニタしなが
ら所定の間隔（例えば１００μｍ）が生ずるようにウェ
ハプレート４を下げる（第３図（ｄ））。さらに、あら
かじめ設定された間隔（例えば３００μｍ）だけウェハ
プレート４を下げた後、キャリブレータ５をマスク１下
部より抜き去る（第３図（ｅ））。次に、マスクホルダ
プレート２の上面からキャリブレータ５の下面までの距
離分だけウェハプレート４を押し上げる（第３図（ｆ）
）。さらに、紫外線等の照射の際の所定の間隔（例えば
２０μｍ）となるようウェハプレート４を押し上げる（
上記の例では（１００μｍ＋３００４ｍ−２０μｍ）押
し上げる）（第３図（ｇ）。次に図示はしてないが、第
３図（ｇ）の状態で紫外線等がマスク１の上部方向から
照射される。なお、照射以降のウェハ３の取出し等の動
作については説明を省略する。
従来のパターン転写装置では、上記した一連の動作によ
ってマスク１とウェハ３の平行出しおよび両者が所定の
間隔となるよう調整されていた。
ってマスク１とウェハ３の平行出しおよび両者が所定の
間隔となるよう調整されていた。
この場合、第３図（Ｃ）で示しように、両者の平行出し
と間隔設定の基準位置（間隔零の位置）を決めるために
、−旦つエバ３がキャリブレータ５に密着するよう押し
つけられる。この際、ウェハ３が、例えばテルル化カド
ミウム（ＣｄＴｅ）のような機械的に脆い結晶はしばし
ば割れることがあった。また、これまでの説明では省略
していたか、ウェハ３表面にはホトレジストカへ例えば
３μｍの厚さで塗布されているが、このホトレジストの
厚さはウェハ３表面全体に亙って必ずしも均一ではなく
、通常はウェハ３周縁部において厚くなフて盛り上がっ
ている。ウェハ３の形状が円形の場合はこの盛り上がり
は比較的小さいが、矩形のウェハ３においては四隅にお
いて著しく盛り上がっている（−例としては６０μｍ）
。このようなホトレジストの厚さが著しく異なるウェハ
３は、上記の基準位置決めの際にしばしば割れるという
問題点があった。
と間隔設定の基準位置（間隔零の位置）を決めるために
、−旦つエバ３がキャリブレータ５に密着するよう押し
つけられる。この際、ウェハ３が、例えばテルル化カド
ミウム（ＣｄＴｅ）のような機械的に脆い結晶はしばし
ば割れることがあった。また、これまでの説明では省略
していたか、ウェハ３表面にはホトレジストカへ例えば
３μｍの厚さで塗布されているが、このホトレジストの
厚さはウェハ３表面全体に亙って必ずしも均一ではなく
、通常はウェハ３周縁部において厚くなフて盛り上がっ
ている。ウェハ３の形状が円形の場合はこの盛り上がり
は比較的小さいが、矩形のウェハ３においては四隅にお
いて著しく盛り上がっている（−例としては６０μｍ）
。このようなホトレジストの厚さが著しく異なるウェハ
３は、上記の基準位置決めの際にしばしば割れるという
問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、矩形のウェハの場合のように、ホトレジス
トの厚さが著しく異なっているウェハやテルル化カドミ
ウムのような機械的に脆い結晶ウェハの場合でも、平行
出しあるいは間隔基準位置出しの際にウェハ割れを生じ
ることのないパターン転写装置を得ることを目的とする
。
れたもので、矩形のウェハの場合のように、ホトレジス
トの厚さが著しく異なっているウェハやテルル化カドミ
ウムのような機械的に脆い結晶ウェハの場合でも、平行
出しあるいは間隔基準位置出しの際にウェハ割れを生じ
ることのないパターン転写装置を得ることを目的とする
。
（ｉ１題を解決するための手段）
この発明に係るパターン転写装置は、ホトレジストが塗
布された半導体基板表面と１．パターンが印刷されたマ
スクとが平行で、かつ一定の間隔となるように調整する
際の基準面となるキャリブレータの半導体基板表面と対
向する面の所要箇所にウェハプレートとの間隔を定める
所定の厚さのスペーサを備えたものである。
布された半導体基板表面と１．パターンが印刷されたマ
スクとが平行で、かつ一定の間隔となるように調整する
際の基準面となるキャリブレータの半導体基板表面と対
向する面の所要箇所にウェハプレートとの間隔を定める
所定の厚さのスペーサを備えたものである。
この発明におけるパターン転写装置においては、スペー
サを用いて半導体基板の平行出しが行われることから、
半導体基板をキャリブレータに押しつける必要がなくな
り、表面に凹凸がある半導体基板でも破損することがな
い。
サを用いて半導体基板の平行出しが行われることから、
半導体基板をキャリブレータに押しつける必要がなくな
り、表面に凹凸がある半導体基板でも破損することがな
い。
以下、この発明の一実施例について説明する。
第１図はこの発明の一実施例を示すパターン転写装置に
用いられるキャリブレータを示し、第１図（ａ）は正面
図、第１図（ｂ）は平面図である。第１図において、第
３図、第４図と同一符号は同一構成部分を示し、５３は
従来のキャリブレータ５に新たに取り付けられたスペー
サで、ウェハプレート４との間隔を定めるものであり、
これらでこの発明のキャリブレータ５０が構成される。
用いられるキャリブレータを示し、第１図（ａ）は正面
図、第１図（ｂ）は平面図である。第１図において、第
３図、第４図と同一符号は同一構成部分を示し、５３は
従来のキャリブレータ５に新たに取り付けられたスペー
サで、ウェハプレート４との間隔を定めるものであり、
これらでこの発明のキャリブレータ５０が構成される。
この厚みは、例えばウェハ３の厚さとレジスト（図示せ
ず）の厚さとの合計よりやや厚く形成されている。
ず）の厚さとの合計よりやや厚く形成されている。
次に、第１図のキャリブレータ５０を用いた動作を第２
図（ａ）〜（ｇ）について説明する。
図（ａ）〜（ｇ）について説明する。
従来の場合と同様に、まず、マスク１をマスクホルダプ
レート２上に、また、ウェハ３をウェハプレート４上に
載置する（第２図（ａ））。次にスペーサ５３を取り付
けたキャリブレータ５０をマスク１とウェハ３の間に挿
入する（第２図（ｂ））。次にウェハプレート４を押し
上げ、ウェハプレート４表面をキャリブレータ５０に取
り付けたスペーサ５３の下面に密着させる（第２図（Ｃ
））。これにより、ウェハ３表面とキャリブレータ５０
の下面とが平行になる。
レート２上に、また、ウェハ３をウェハプレート４上に
載置する（第２図（ａ））。次にスペーサ５３を取り付
けたキャリブレータ５０をマスク１とウェハ３の間に挿
入する（第２図（ｂ））。次にウェハプレート４を押し
上げ、ウェハプレート４表面をキャリブレータ５０に取
り付けたスペーサ５３の下面に密着させる（第２図（Ｃ
））。これにより、ウェハ３表面とキャリブレータ５０
の下面とが平行になる。
ただし、ウェハ３はその表面および裏面が互いに平行で
あり、また、ウェハプレート４上に傾くことなく載置さ
れているものとする。
あり、また、ウェハプレート４上に傾くことなく載置さ
れているものとする。
次に、エアギャップセンサ（図示せず）によってキャリ
ブレータ５０の中央下面と、ウェハ３表面との間隔が所
定の間隔（例えば１００μｍ）となるようモニタしなが
らウェハプレート４を下げる（第２図（ｄ））。なお、
この例ではスペーサ５３の厚さはウェハ４の厚さ＋α（
０くα＜１００μｍ）である。次に、あらかじめ設定さ
れた間隔（例えば３００μｍ）だけウェハプレート４を
下げた後、キャリブレータ５０をマスク１下部より抜き
去る（第２図（ｅ））。次に、マスクホルダプレート２
の上面からキャリブレータ５ｏの下面までの距離分だけ
ウェハプレート４を押し上げる（第２図（ｆ））。さら
に、紫外線等の照射線の照射の際の所定の間隔（例えば
２０μｍ）となるようウェハプレート４を押し上げる（
上記の例では（１００μｍ＋３００Ａ１ｍ−２０μｍ）
（第２図（ｇ））。次に、この状態で照射線等がマスク
１上部方向から照射される（図示せず）。なお、照射以
降のウェハプレート４の取出し等の動作については説明
を省略する。
ブレータ５０の中央下面と、ウェハ３表面との間隔が所
定の間隔（例えば１００μｍ）となるようモニタしなが
らウェハプレート４を下げる（第２図（ｄ））。なお、
この例ではスペーサ５３の厚さはウェハ４の厚さ＋α（
０くα＜１００μｍ）である。次に、あらかじめ設定さ
れた間隔（例えば３００μｍ）だけウェハプレート４を
下げた後、キャリブレータ５０をマスク１下部より抜き
去る（第２図（ｅ））。次に、マスクホルダプレート２
の上面からキャリブレータ５ｏの下面までの距離分だけ
ウェハプレート４を押し上げる（第２図（ｆ））。さら
に、紫外線等の照射線の照射の際の所定の間隔（例えば
２０μｍ）となるようウェハプレート４を押し上げる（
上記の例では（１００μｍ＋３００Ａ１ｍ−２０μｍ）
（第２図（ｇ））。次に、この状態で照射線等がマスク
１上部方向から照射される（図示せず）。なお、照射以
降のウェハプレート４の取出し等の動作については説明
を省略する。
なお、スペーサ５３の材料としては、金属、プラスチッ
ク、Ｓｉ結晶等、特に指定はしないが、機械的強度が十
分で、また、加工精度（厚さおよび平坦性）が高いもの
であれば何でもよい。また、キャリブレータと一体のも
のであっても良い （発明の効果） 以上説明したように、この発明は、キャリブレータにウ
ェハプレートとの間隔を定める所定の厚さのスペーサを
取り付けたので、半導体基板の平行出しおよび間隔設定
の基準位置出しの際、半導体基板表面がキャリブレータ
下面に接触することがない。したがって、機械的に脆い
半導体基板や不均一な厚さのホトレジストが塗布された
半導体基板、特に四隅においてホトレジストが著しく厚
くなる矩形の半導体基板でも割れを発生させることなく
マスクパターンを転写することができる。
ク、Ｓｉ結晶等、特に指定はしないが、機械的強度が十
分で、また、加工精度（厚さおよび平坦性）が高いもの
であれば何でもよい。また、キャリブレータと一体のも
のであっても良い （発明の効果） 以上説明したように、この発明は、キャリブレータにウ
ェハプレートとの間隔を定める所定の厚さのスペーサを
取り付けたので、半導体基板の平行出しおよび間隔設定
の基準位置出しの際、半導体基板表面がキャリブレータ
下面に接触することがない。したがって、機械的に脆い
半導体基板や不均一な厚さのホトレジストが塗布された
半導体基板、特に四隅においてホトレジストが著しく厚
くなる矩形の半導体基板でも割れを発生させることなく
マスクパターンを転写することができる。
さらに、キャリブレータ下面と半導体基板表面とが接触
しないので、キャリブレータ下面にホトレジストが付着
して汚れるということが生じない。
しないので、キャリブレータ下面にホトレジストが付着
して汚れるということが生じない。
第１図（ａ）、（ｂ）はこの発明の一実施例によるパタ
ーン転写装置のキャリブレータの構造を示す正面図およ
び平面図、第２図（ａ）〜（ｇ）はこの発明の一実施例
によるパターン転写装置の一連の動作を説明するための
図、第３図（ａ）〜（ｇ）は従来のパターン転写装置の
一連の動作を説明するための図、第４図（ａ）、（ｂ）
は従来のパターン転写装置のキャリブレータの構造を示
す正面図および平面図である。 図において、１はマスク、２はマスクホルダプレート、
３は半導体基板、４はウェハプレート、５０はキャリブ
レータ、５１は空気導入管、５３はスペーサである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
ーン転写装置のキャリブレータの構造を示す正面図およ
び平面図、第２図（ａ）〜（ｇ）はこの発明の一実施例
によるパターン転写装置の一連の動作を説明するための
図、第３図（ａ）〜（ｇ）は従来のパターン転写装置の
一連の動作を説明するための図、第４図（ａ）、（ｂ）
は従来のパターン転写装置のキャリブレータの構造を示
す正面図および平面図である。 図において、１はマスク、２はマスクホルダプレート、
３は半導体基板、４はウェハプレート、５０はキャリブ
レータ、５１は空気導入管、５３はスペーサである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- ホトレジストが塗布された半導体基板をウェハプレー
ト上に載置し、前記半導体基板表面とパターンが印刷さ
れたマスクとが平行で、かつ一定の間隔となるように基
準面となるキャリブレータを用いて調整し、前記半導体
基板に前記パターンが印刷されたマスクを介して照射線
を照射することにより前記半導体基板に前記マスクのパ
ターンを転写する装置において、前記キャリブレータに
前記ウェハプレートとの間隔を定める所定の厚さのスペ
ーサを取り付けたことを特徴とするパターン転写装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2100947A JPH03297125A (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | パターン転写装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2100947A JPH03297125A (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | パターン転写装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03297125A true JPH03297125A (ja) | 1991-12-27 |
Family
ID=14287550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2100947A Pending JPH03297125A (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | パターン転写装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03297125A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8039154B2 (en) | 2003-08-25 | 2011-10-18 | Panasonic Corporation | Fuel cell system, method of starting fuel cell system |
| US8765314B2 (en) | 2003-08-25 | 2014-07-01 | Panasonic Corporation | Fuel cell system and method for stopping operation of fuel cell system |
| JP2017027028A (ja) * | 2015-07-15 | 2017-02-02 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングＳｕｓｓ ＭｉｃｒｏＴｅｃ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ＧｍｂＨ | ウエハ照明ユニット用スペーサー変位装置、及びウエハ照明ユニット |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59161820A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-12 | Toshiba Corp | マスク合せ装置 |
-
1990
- 1990-04-16 JP JP2100947A patent/JPH03297125A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59161820A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-12 | Toshiba Corp | マスク合せ装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8039154B2 (en) | 2003-08-25 | 2011-10-18 | Panasonic Corporation | Fuel cell system, method of starting fuel cell system |
| US8765314B2 (en) | 2003-08-25 | 2014-07-01 | Panasonic Corporation | Fuel cell system and method for stopping operation of fuel cell system |
| JP2017027028A (ja) * | 2015-07-15 | 2017-02-02 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングＳｕｓｓ ＭｉｃｒｏＴｅｃ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ＧｍｂＨ | ウエハ照明ユニット用スペーサー変位装置、及びウエハ照明ユニット |
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