JPS59161820A - マスク合せ装置 - Google Patents
マスク合せ装置Info
- Publication number
- JPS59161820A JPS59161820A JP58036914A JP3691483A JPS59161820A JP S59161820 A JPS59161820 A JP S59161820A JP 58036914 A JP58036914 A JP 58036914A JP 3691483 A JP3691483 A JP 3691483A JP S59161820 A JPS59161820 A JP S59161820A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- mask
- calibrator
- vacuum chuck
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、マスク合せ装置に関する。
近年、パワートランジスタ等の半導体装置は、高耐圧で
高信頼性のものが要求されている。これに対応すべく、
所定の素子を形成した半導体ウニへのベース・コレクタ
間のジャンクションの露出部には、パッシベーションガ
ラス膜が形成されている。ノぐツシベーションガラス膜
の形成は、素子を形成した半導体ウェハの表面（でガラ
ス粉末を付着し、これを電気炉で焼成することにより、
行なわれている。このため、）ぐツシベーションガラス
の付着量は、必ずしも一定ではなく、ノぐツシベーショ
ンガラス膜の高さは数ミクロンから数十ミクロンの範囲
で分布している。
高信頼性のものが要求されている。これに対応すべく、
所定の素子を形成した半導体ウニへのベース・コレクタ
間のジャンクションの露出部には、パッシベーションガ
ラス膜が形成されている。ノぐツシベーションガラス膜
の形成は、素子を形成した半導体ウェハの表面（でガラ
ス粉末を付着し、これを電気炉で焼成することにより、
行なわれている。このため、）ぐツシベーションガラス
の付着量は、必ずしも一定ではなく、ノぐツシベーショ
ンガラス膜の高さは数ミクロンから数十ミクロンの範囲
で分布している。
而して、パッシベーションガラス膜の形成後には、半導
体ウニへ内に所望不純物の選択拡散や、或は半導体ウニ
への表面に電極形成が行なわれる。これらの工程では、
半導体ウニへの表面にガラス／４’ターンを正確に写す
必要がある。
体ウニへ内に所望不純物の選択拡散や、或は半導体ウニ
への表面に電極形成が行なわれる。これらの工程では、
半導体ウニへの表面にガラス／４’ターンを正確に写す
必要がある。
ガラスノリ―ンの転写は、マスク合せ装置な用いて次の
ように行なわれている。先ず、Ｍ １１ｍｉ囚に示す如
く、マスク合せ装置を構成する真空チャック１上忙ウェ
ハ２を固着する。真空チャック１の上方には、所定のパ
ターンを転写するためのガラスマスク６を載置したマス
クプレートが設けられている。次いで、同図の）に示す
如く、マスクプレート３と真壁チャック１との闇に、キ
ャリブレータ４を挿入する。キャリブレータ４は、ウェ
ハ２の基準面を設定するためのものである。次いで、同
図（Ｑに示す如く、真空チャック１を上昇させ、ウェハ
２の表面をキャリブレータ４の下面に当接する。この状
態で真空チャック１の下部に設けら九た半球体５を揺動
して、マスクプレート３とウェハ２との表面の平行出し
及び、マスクプレート３とウェハ２との間の設定を行な
う。次いで、同図ｐ）に示す如く、真空チャック１を降
下して、キャリブレータ４を取出し、ウェハ２の表面を
基準面とする。然る後、同図（ト））Ｋ示す如く、真壁
チャック１を上昇し、マスクプレート３に対して所定の
位置にウェハ２を＆Ｆする。次いで、マスクプレート３
上のガラスマスク６のノぞターンとウェハ２上の７９タ
ーンを合わせて、露光を行なった後ウェハ２乞取出して
マスク合七作栗を終了する。
ように行なわれている。先ず、Ｍ １１ｍｉ囚に示す如
く、マスク合せ装置を構成する真空チャック１上忙ウェ
ハ２を固着する。真空チャック１の上方には、所定のパ
ターンを転写するためのガラスマスク６を載置したマス
クプレートが設けられている。次いで、同図の）に示す
如く、マスクプレート３と真壁チャック１との闇に、キ
ャリブレータ４を挿入する。キャリブレータ４は、ウェ
ハ２の基準面を設定するためのものである。次いで、同
図（Ｑに示す如く、真空チャック１を上昇させ、ウェハ
２の表面をキャリブレータ４の下面に当接する。この状
態で真空チャック１の下部に設けら九た半球体５を揺動
して、マスクプレート３とウェハ２との表面の平行出し
及び、マスクプレート３とウェハ２との間の設定を行な
う。次いで、同図ｐ）に示す如く、真空チャック１を降
下して、キャリブレータ４を取出し、ウェハ２の表面を
基準面とする。然る後、同図（ト））Ｋ示す如く、真壁
チャック１を上昇し、マスクプレート３に対して所定の
位置にウェハ２を＆Ｆする。次いで、マスクプレート３
上のガラスマスク６のノぞターンとウェハ２上の７９タ
ーンを合わせて、露光を行なった後ウェハ２乞取出して
マスク合七作栗を終了する。
このように従来のマスク合せ装置は、第２図（５）及び
同図（Ｂ）に示す如く、キャリブレータ４によるウェハ
２の位置出しの際に、キャリブレーク４の下面がウェハ
２上に載置している。而して、ウェハ２の表面は、第３
図に示す如く、パッシベーションガラス膜７が形成され
ているため、数ミクロンから数十ミクロンへの凹凸にな
っている。従って、キャリブレータ４を突設してガラス
マスク６に対するウェハ２の平行出しを行なうと、キャ
リブレータ４に対してウェハ２が傾斜した状態で当接し
ている。この状態でウェハ２の平行出し及び位置出しを
行なうと、第４図に示す如く、ウェハ２の表面に亀裂が
生じる問題がある。また、亀裂が発生しない場合であっ
ても、ガラスマスク６とウェハ２とのパターン合せ、及
び露光処理を正確に行なうことができない。
同図（Ｂ）に示す如く、キャリブレータ４によるウェハ
２の位置出しの際に、キャリブレーク４の下面がウェハ
２上に載置している。而して、ウェハ２の表面は、第３
図に示す如く、パッシベーションガラス膜７が形成され
ているため、数ミクロンから数十ミクロンへの凹凸にな
っている。従って、キャリブレータ４を突設してガラス
マスク６に対するウェハ２の平行出しを行なうと、キャ
リブレータ４に対してウェハ２が傾斜した状態で当接し
ている。この状態でウェハ２の平行出し及び位置出しを
行なうと、第４図に示す如く、ウェハ２の表面に亀裂が
生じる問題がある。また、亀裂が発生しない場合であっ
ても、ガラスマスク６とウェハ２とのパターン合せ、及
び露光処理を正確に行なうことができない。
「発明の目的〕
本発明は、半導体ウェハ上にガラスマスクを所定の間隔
で正しく設置できると共に、半導体ウェハの破損を防止
して、極めて正確にマスク合せ繰作を行なうことができ
るマスク合せ装置を提供することをその目的とするもの
である。
で正しく設置できると共に、半導体ウェハの破損を防止
して、極めて正確にマスク合せ繰作を行なうことができ
るマスク合せ装置を提供することをその目的とするもの
である。
本発明は、半導体ウェハを設置した真空チャック上に直
接＆’６ 置したキャリブレータに従ってガラスマスク
の位置出しをするようにしたことにより、半導体ウェハ
上にガラスマスクを所定の間隔で正しく設置できると共
に、半纏体ウェハの破損を防止して、極めて正確にマス
ク合せ操作を行なうことができるマスク合せ装置である
。
接＆’６ 置したキャリブレータに従ってガラスマスク
の位置出しをするようにしたことにより、半導体ウェハ
上にガラスマスクを所定の間隔で正しく設置できると共
に、半纏体ウェハの破損を防止して、極めて正確にマス
ク合せ操作を行なうことができるマスク合せ装置である
。
〔発明の実施例］
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第５図（４）は、本発明の一実施例のマスク合せ装置の
キャリブレータの位置を設定した状態を示す平面図、同
図（Ｂ）は、同状態を示す正面図である。図中１１はウ
ェハ１２を載置する平坦面からなるウェハステージ１３
をＩ’ｊｉ ｈに形成した真空チャックである。真空チ
ャック１１は、図示しない昇降機構によって昇降動する
ようになっている。真空チャック１１の下部には、ウェ
ハステージ１３０表面の平行度を調節する半導体１４が
揺動自在に設けられている。真空チャック１ノの上方に
は、マスクプレート１５が設けられている。マスクプレ
ート１５上には、ウニハト２に所定のパターンを転写す
るためのガラスマスク１６が載置されるようになってい
る。
キャリブレータの位置を設定した状態を示す平面図、同
図（Ｂ）は、同状態を示す正面図である。図中１１はウ
ェハ１２を載置する平坦面からなるウェハステージ１３
をＩ’ｊｉ ｈに形成した真空チャックである。真空チ
ャック１１は、図示しない昇降機構によって昇降動する
ようになっている。真空チャック１１の下部には、ウェ
ハステージ１３０表面の平行度を調節する半導体１４が
揺動自在に設けられている。真空チャック１ノの上方に
は、マスクプレート１５が設けられている。マスクプレ
ート１５上には、ウニハト２に所定のパターンを転写す
るためのガラスマスク１６が載置されるようになってい
る。
マスクプレート１５と真壁チャック１ノとの間には、キ
ャリブレータ１７が出入自在に介在され、ウェハステー
ジ１３とマスクプレート１５との間隔、平行度を調節す
ることにより、ウェハ１２に対するガラスマスク１６の
平行度及び位置関係を調節するようになっている。キャ
リブレータ１７は、その下面にウェハ１２を収容する凹
部１８を有し、凹部１８の周壁をなす爪部１９にて、ウ
ェハステージ１３上にウェハ１２− とは無接触
の状態で載置されるようになっている。
ャリブレータ１７が出入自在に介在され、ウェハステー
ジ１３とマスクプレート１５との間隔、平行度を調節す
ることにより、ウェハ１２に対するガラスマスク１６の
平行度及び位置関係を調節するようになっている。キャ
リブレータ１７は、その下面にウェハ１２を収容する凹
部１８を有し、凹部１８の周壁をなす爪部１９にて、ウ
ェハステージ１３上にウェハ１２− とは無接触
の状態で載置されるようになっている。
このように構成されたマスク合せ装置２０によれは、ウ
ェハステージ１３上に被処理体であるウェハ１２を載置
する。次いで、ウェハステージ１３上にキャリブレータ
１７を載置して、真空チャック１１を上昇し、キャリブ
レータ１７の上面をＸスフプレート１５の下面に当接せ
しめる。このとき、キャリブレータ１７はその爪部１９
でウェハステージ１３上に保持され、ウェハ１２は凹部
１８内に収容されているので、ウェハ１２と無接触の状
態になっている（ 第１−６図参照）。従って、ウェハ
１２の表面に・やツシベーションガラス膜２１等の凹凸
部が形成されても、これに左右されずにウェハステージ
１３の表面とキャリブレータ１７とマスクプレート１５
とを一体に密層して、真空チャック１１の下部に設けら
れた半球体１４を揺動させることＫより、ウェハステー
ジ１３とマスクプレート１５との間隔及び平行度を極め
て正確に一如することができる。
ェハステージ１３上に被処理体であるウェハ１２を載置
する。次いで、ウェハステージ１３上にキャリブレータ
１７を載置して、真空チャック１１を上昇し、キャリブ
レータ１７の上面をＸスフプレート１５の下面に当接せ
しめる。このとき、キャリブレータ１７はその爪部１９
でウェハステージ１３上に保持され、ウェハ１２は凹部
１８内に収容されているので、ウェハ１２と無接触の状
態になっている（ 第１−６図参照）。従って、ウェハ
１２の表面に・やツシベーションガラス膜２１等の凹凸
部が形成されても、これに左右されずにウェハステージ
１３の表面とキャリブレータ１７とマスクプレート１５
とを一体に密層して、真空チャック１１の下部に設けら
れた半球体１４を揺動させることＫより、ウェハステー
ジ１３とマスクプレート１５との間隔及び平行度を極め
て正確に一如することができる。
次いで、ウェハ１２の平行度及び位置を設定した後、真
空チャック１１′を降下してキャリブレータ１７を除去
する。次に、再び真空チャック１ノを前述のウェハ１２
の設定位置にウェハ１２が到達するまで上昇するへ然る
後、ガラスマスク１６の所定のパターンをウェハ１２上
に転写し、現像を行なってマスク操作を完了する。
空チャック１１′を降下してキャリブレータ１７を除去
する。次に、再び真空チャック１ノを前述のウェハ１２
の設定位置にウェハ１２が到達するまで上昇するへ然る
後、ガラスマスク１６の所定のパターンをウェハ１２上
に転写し、現像を行なってマスク操作を完了する。
このようにこのマスク合せ装置２０は、キャリブレータ
１７をウェハ１２と無接触の状態でウェハステージ１３
上に載置することにより、ウェハ１２の平行度及び位置
出しを高い精度で行なうことができる。その結果、ガラ
スマスク１６のパターンをウェハ１２に高精度に転写で
きる。しかも、ウェハ１２の破損を防止することができ
る。
１７をウェハ１２と無接触の状態でウェハステージ１３
上に載置することにより、ウェハ１２の平行度及び位置
出しを高い精度で行なうことができる。その結果、ガラ
スマスク１６のパターンをウェハ１２に高精度に転写で
きる。しかも、ウェハ１２の破損を防止することができ
る。
以上説明した如く、本発明に係るマスク合せ装置によれ
ば、半導体ウェハ上にガラスマスクを所定の間隔で正し
く設置できると共に、半導体ウェハの破損を防止して、
極めて正確にマスク合せ操作を行なうことができる等顕
著な効果な巻するものである。
ば、半導体ウェハ上にガラスマスクを所定の間隔で正し
く設置できると共に、半導体ウェハの破損を防止して、
極めて正確にマスク合せ操作を行なうことができる等顕
著な効果な巻するものである。
第１図（５）乃至同図（ト））は、従来のマスク合せ装
置にて行なうマスク合せ工程の説明図、第２図（５）は
、同装置のキャリブレータの位置を設定した状態を示す
平面図、同図の）は、同状態の正面図、第３図は、同キ
ャリブレータが真空チャック上のウェハに当接している
状態を示す説明図、第４図は、ウェハに亀裂が発生した
状態を示す平面図、第５図（４）は、本発明の一実施例
のマスク合せ装置のキャリブレータの位置を設定した１
１・・・真空チャック、１２・・・ウェハ、１３・・・
ウェハステージ、１４・・・半球体、１５・・・マスク
プレート、１６・・・ガラスマスク、１７・・・キャリ
ブレータ、１８・・・凹部、１９・・・爪部、２０°゛
°マスク合せ装置、２１・・・パッシベーションガラス
膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１履 ｊｉ２ ｓ
置にて行なうマスク合せ工程の説明図、第２図（５）は
、同装置のキャリブレータの位置を設定した状態を示す
平面図、同図の）は、同状態の正面図、第３図は、同キ
ャリブレータが真空チャック上のウェハに当接している
状態を示す説明図、第４図は、ウェハに亀裂が発生した
状態を示す平面図、第５図（４）は、本発明の一実施例
のマスク合せ装置のキャリブレータの位置を設定した１
１・・・真空チャック、１２・・・ウェハ、１３・・・
ウェハステージ、１４・・・半球体、１５・・・マスク
プレート、１６・・・ガラスマスク、１７・・・キャリ
ブレータ、１８・・・凹部、１９・・・爪部、２０°゛
°マスク合せ装置、２１・・・パッシベーションガラス
膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１履 ｊｉ２ ｓ
Claims (1)
- 頂部にクエへが載置される平坦面からなるウェハステー
ジを形成して昇降自在に設けられた真空チャックと、該
真空チャックの上方に前記ウェハに対向する窓を有して
設置されたマスクプレートと、前記真空チャックに取付
けられた前記真空チャックの垂平置駒節用の半球体と、
下面に前記ウェハステージに接触する爪部と前記ウェハ
を収容する凹部な有し、かつ、上面を前記マスクプレー
トの下面に接する当接面にして、前記マスクプレートと
前記真空チャック間に出入自在に介在されたキャリブレ
ータとを具備することを特徴とするマスク合せ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58036914A JPS59161820A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | マスク合せ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58036914A JPS59161820A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | マスク合せ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59161820A true JPS59161820A (ja) | 1984-09-12 |
Family
ID=12483031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58036914A Pending JPS59161820A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | マスク合せ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59161820A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0373428U (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-24 | ||
| JPH03297125A (ja) * | 1990-04-16 | 1991-12-27 | Mitsubishi Electric Corp | パターン転写装置 |
-
1983
- 1983-03-07 JP JP58036914A patent/JPS59161820A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0373428U (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-24 | ||
| JPH03297125A (ja) * | 1990-04-16 | 1991-12-27 | Mitsubishi Electric Corp | パターン転写装置 |
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