JPH03293716A - マスク組立て方法 - Google Patents
マスク組立て方法Info
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- JPH03293716A JPH03293716A JP2094937A JP9493790A JPH03293716A JP H03293716 A JPH03293716 A JP H03293716A JP 2094937 A JP2094937 A JP 2094937A JP 9493790 A JP9493790 A JP 9493790A JP H03293716 A JPH03293716 A JP H03293716A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、半導体製造用Ｘ線露光装置等で用いる、転写
すべきパターンが形成されたＸ線マスク組立用治具に関
するものである。
すべきパターンが形成されたＸ線マスク組立用治具に関
するものである。
［従来の技術］
従来のＸ線マスクの構造を第４図に示す。１は支持フレ
ーム、２はマスク基板、３は接着剤、４はマスクパター
ンである。マスク基板２は支持フレーム１上に搭載され
、その周囲全周に接着剤３が施されて固定される。支持
フレーム１はリング状であり、中央には開口部１５が形
成されている。マスクパターン４はＸ線吸収体（例えば
Ａｕ）からなり、ポリイミド等の有機材料またはＳｉＮ
、ＳｉＣ等の無機材料からなる数μｍ程度の薄膜上に形
成される。支持フレーム１は、前記薄膜が有機材料のと
きは、例えば厚さ５ｍｍ程度のガラス、セラミックス等
が用いられ、無機材料のときは、厚さ０．５〜３ｍｍ程
度のＳｉ板が用いられる。
ーム、２はマスク基板、３は接着剤、４はマスクパター
ンである。マスク基板２は支持フレーム１上に搭載され
、その周囲全周に接着剤３が施されて固定される。支持
フレーム１はリング状であり、中央には開口部１５が形
成されている。マスクパターン４はＸ線吸収体（例えば
Ａｕ）からなり、ポリイミド等の有機材料またはＳｉＮ
、ＳｉＣ等の無機材料からなる数μｍ程度の薄膜上に形
成される。支持フレーム１は、前記薄膜が有機材料のと
きは、例えば厚さ５ｍｍ程度のガラス、セラミックス等
が用いられ、無機材料のときは、厚さ０．５〜３ｍｍ程
度のＳｉ板が用いられる。
第５図は従来のＸ線マスクの別の構造例である。この例
は、支持フレーム１に凹所５を形成し、この凹所５内に
接着剤層６を介してマスク基板２を固定したものである
。
は、支持フレーム１に凹所５を形成し、この凹所５内に
接着剤層６を介してマスク基板２を固定したものである
。
Ｘ線リソグラフィーにおいては、マスクとウェハとの間
隔はミクロオーダーで高精度に、かつ平行に保たれなけ
ればならない。このため前記従来のＸ線マスクにおいて
は、ウェハとの対向面であるマスクパターン４が形成さ
れた面（マスク面）の平面度を高めるための各種技術が
施されていた。（例えば特公昭５４−８０６８号公報）
。
隔はミクロオーダーで高精度に、かつ平行に保たれなけ
ればならない。このため前記従来のＸ線マスクにおいて
は、ウェハとの対向面であるマスクパターン４が形成さ
れた面（マスク面）の平面度を高めるための各種技術が
施されていた。（例えば特公昭５４−８０６８号公報）
。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、従来のようにマスク面のみの平面度を高
めても、Ｘ線マスクを構成するマスク基板とその支持フ
レームにそれぞれ厚みむらがある場合、Ｘ線マスクをマ
スクチャックに装着した際、マスクチャック側の基準面
からみてＸ線マスクのマスク面は平行面にならない。こ
のためパターン精度が低下する。これを補正しようとす
れは、オートアライメントやオートフォーカスに対し制
限が加わるばかりでなく、ウェハが移動するための６軸
ステージに余分なストロークを必要とし、またマスク側
にも６軸ステージが必要となる等構成が複雑化する。
めても、Ｘ線マスクを構成するマスク基板とその支持フ
レームにそれぞれ厚みむらがある場合、Ｘ線マスクをマ
スクチャックに装着した際、マスクチャック側の基準面
からみてＸ線マスクのマスク面は平行面にならない。こ
のためパターン精度が低下する。これを補正しようとす
れは、オートアライメントやオートフォーカスに対し制
限が加わるばかりでなく、ウェハが移動するための６軸
ステージに余分なストロークを必要とし、またマスク側
にも６軸ステージが必要となる等構成が複雑化する。
また、前記従来の接着剤を用いたＸ線マスク構造におい
ては、接着剤とマスク基板あるいは支持フレームの熱膨
張基の差による熱応力や、接着剤硬化時の収縮による応
力がパターン歪を起こさせるという問題があった。特に
、第４図の例のように、マスク基板全周に接着剤を施し
た場合、接着剤の厚みむらにより硬化収縮量が異り、収
縮に伴う応力はマスク基板と支持フレームのそれぞれに
加わり、パターン歪を生しさせる。また、第５図のよう
に、接着剤層を設けた場合、接着剤収縮の際、マスクパ
ターン面の平面度を著しく悪化させるという問題があっ
た。
ては、接着剤とマスク基板あるいは支持フレームの熱膨
張基の差による熱応力や、接着剤硬化時の収縮による応
力がパターン歪を起こさせるという問題があった。特に
、第４図の例のように、マスク基板全周に接着剤を施し
た場合、接着剤の厚みむらにより硬化収縮量が異り、収
縮に伴う応力はマスク基板と支持フレームのそれぞれに
加わり、パターン歪を生しさせる。また、第５図のよう
に、接着剤層を設けた場合、接着剤収縮の際、マスクパ
ターン面の平面度を著しく悪化させるという問題があっ
た。
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたものであっ
て、接着剤による熱応力や収縮時の応力の影響を軽減さ
せ、露光装置に装着した際マスク面とウェハとが高精度
に平行面を構成するＸ！ｓマスクを作成することかでき
るＸ線マスク接着治具の提供を目的とする。
て、接着剤による熱応力や収縮時の応力の影響を軽減さ
せ、露光装置に装着した際マスク面とウェハとが高精度
に平行面を構成するＸ！ｓマスクを作成することかでき
るＸ線マスク接着治具の提供を目的とする。
［課題を解決するための手段］
前記目的を達成するため、本発明に係るＸ線マスク接着
治具は、マスクパターンが形成されたマスク基板と、該
マスク基板を接着剤を介して固定する支持フレームとを
有し、前記マスク基板のマスクパターン側表面および該
マスクパターン側表面と反対側の前記支持フレーム表面
は所定程度以上の高平面度に加工したＸ線マスクを接着
し組立てるための治具であって、前記マスク基板のマス
クパターン側表面に対面係合する高平面度加工された当
接面を有する第１のベースと、前記支持フレームの高平
面度加工面に対面係合する同様に高平面度加工された当
接面を有する第２のベースと、前記高平面度に加工され
た面同士を対面させてマスク基板および支持フレームを
前記第１および第２のベースにそれぞれ固定保持する吸
着手段と、前記第１および第２のベース間の間隔を所定
の間隔に保つための間隔調整手段とにより構成される。
治具は、マスクパターンが形成されたマスク基板と、該
マスク基板を接着剤を介して固定する支持フレームとを
有し、前記マスク基板のマスクパターン側表面および該
マスクパターン側表面と反対側の前記支持フレーム表面
は所定程度以上の高平面度に加工したＸ線マスクを接着
し組立てるための治具であって、前記マスク基板のマス
クパターン側表面に対面係合する高平面度加工された当
接面を有する第１のベースと、前記支持フレームの高平
面度加工面に対面係合する同様に高平面度加工された当
接面を有する第２のベースと、前記高平面度に加工され
た面同士を対面させてマスク基板および支持フレームを
前記第１および第２のベースにそれぞれ固定保持する吸
着手段と、前記第１および第２のベース間の間隔を所定
の間隔に保つための間隔調整手段とにより構成される。
［作用］
Ｘ線マスクのマスク面およびその反対面が高平面度加工
され、各面に当接する同しく高平面加工された面を有す
る第１、第２のベース間にＸ線マスフを挟持してベース
間の間隔を所定の間隔に保ちながらマスク基板と支持フ
レームとを接着する。
され、各面に当接する同しく高平面加工された面を有す
る第１、第２のベース間にＸ線マスフを挟持してベース
間の間隔を所定の間隔に保ちながらマスク基板と支持フ
レームとを接着する。
［実施例］
第３図は本発明の接着治具により作成されたＸ線マスク
の例を示す。なお、前述の第４．５図の例と同じ部材に
ついて同一番号を付して説明を省略する。この例は、パ
イレックス、石英等の支持フレーム１に凹所５を設け、
この凹所５内に接着剤層６を介してマスク基板２を固定
したものである。スリット状の応力緩和溝７が接着剤層
６の両側の支持フレーム１に形成されている。マスク基
板２には位置合わせマーク８が設けられ、支持フレーム
１に設けた位置合わせマーク９と整合させることにより
マスク基板２と支持フレーム１が相互に位置決めされる
。
の例を示す。なお、前述の第４．５図の例と同じ部材に
ついて同一番号を付して説明を省略する。この例は、パ
イレックス、石英等の支持フレーム１に凹所５を設け、
この凹所５内に接着剤層６を介してマスク基板２を固定
したものである。スリット状の応力緩和溝７が接着剤層
６の両側の支持フレーム１に形成されている。マスク基
板２には位置合わせマーク８が設けられ、支持フレーム
１に設けた位置合わせマーク９と整合させることにより
マスク基板２と支持フレーム１が相互に位置決めされる
。
第１図は本発明に係るＸ線マスク接看治具の構成図であ
る。マスク基板２は、真空溝１８および真空配管１９を
介して真空ポンプ（図示しない）により第１の上側ベー
ス１７の下面２７に真空吸着される。マスク基板２のマ
スク面（上面）１０（第３図）は所定の平面度以上に平
面仕上げ加工されている。このマスク面に対面係合する
第１のベース１７の下面２７も同様に高平面度に仕上げ
加工されている。一方、支持フレーム１は、真空溝１４
および真空配管１６を介して、真空ポンプ（図示しない
）により第２の下側ベース１２の上面に真空吸着される
。支持フレーム１の下面１１（第３図）およびこれに当
接する第２のベース１２の上面１３はともに高平面度に
仕上げ加工されている。第２のベース１２には、θ回転
（Ｚ＠廻り回転）用θステージ２０、傾斜角度調整用チ
ルトステージ２１．ＸＹ方向位置調整用Ｘステージ２２
およびＹステージ２３が連結されている。また、第１の
ベース１７にはＺ方向（マスク面に垂直方向）の位置調
整用Ｚステージ２６が連結されている。２４は顕微鏡で
あり、ベース１フの孔２９を通して位置合わせ用マーク
８．９を観察してマスク基板２と支持フレーム１とを相
互に位置決めする。２５はギャップセンサであり、第１
および第２のベース１７．１２間の間隔検出する。ギャ
ップセンサ２５は少なくとも３本設けることが望ましい
。３０はマスク保護カバーである。
る。マスク基板２は、真空溝１８および真空配管１９を
介して真空ポンプ（図示しない）により第１の上側ベー
ス１７の下面２７に真空吸着される。マスク基板２のマ
スク面（上面）１０（第３図）は所定の平面度以上に平
面仕上げ加工されている。このマスク面に対面係合する
第１のベース１７の下面２７も同様に高平面度に仕上げ
加工されている。一方、支持フレーム１は、真空溝１４
および真空配管１６を介して、真空ポンプ（図示しない
）により第２の下側ベース１２の上面に真空吸着される
。支持フレーム１の下面１１（第３図）およびこれに当
接する第２のベース１２の上面１３はともに高平面度に
仕上げ加工されている。第２のベース１２には、θ回転
（Ｚ＠廻り回転）用θステージ２０、傾斜角度調整用チ
ルトステージ２１．ＸＹ方向位置調整用Ｘステージ２２
およびＹステージ２３が連結されている。また、第１の
ベース１７にはＺ方向（マスク面に垂直方向）の位置調
整用Ｚステージ２６が連結されている。２４は顕微鏡で
あり、ベース１フの孔２９を通して位置合わせ用マーク
８．９を観察してマスク基板２と支持フレーム１とを相
互に位置決めする。２５はギャップセンサであり、第１
および第２のベース１７．１２間の間隔検出する。ギャ
ップセンサ２５は少なくとも３本設けることが望ましい
。３０はマスク保護カバーである。
以上のような構成において、予め支持フレーム１に接着
剤６を塗布し、顕微鏡２４で位置合わせマーク８．９を
観察しなからθステージ２０およびＸ、Ｙステージ２２
．２３を駆動してマスク基板２および支持フレーム１を
相互に位置合わせする。接着剤６としては、硬化時の収
縮量が少ないもので、高い粘性があり硬化時間の長いも
の、または光硬化型タイプが望ましい。さらに、３本の
ギャップセンサ２５により両ベース１７．１２間の間隔
を計測し、これに基づいてチルトステージ２１および２
ステージ２６をサーボ制御し、両ベース間を所定の平行
間隔に調整する。本実施例ではセンサ２５として静電容
量センサを用いた。
剤６を塗布し、顕微鏡２４で位置合わせマーク８．９を
観察しなからθステージ２０およびＸ、Ｙステージ２２
．２３を駆動してマスク基板２および支持フレーム１を
相互に位置合わせする。接着剤６としては、硬化時の収
縮量が少ないもので、高い粘性があり硬化時間の長いも
の、または光硬化型タイプが望ましい。さらに、３本の
ギャップセンサ２５により両ベース１７．１２間の間隔
を計測し、これに基づいてチルトステージ２１および２
ステージ２６をサーボ制御し、両ベース間を所定の平行
間隔に調整する。本実施例ではセンサ２５として静電容
量センサを用いた。
以上のような方法により、ウェハに対面するマスク面お
よびこれと反対側のマスクチャック取付は面が高精度に
平行にされたＸ線マスクが接着し組立てられ名。なお、
各ベース１２．１７への支持フレーム１およびマスク基
板２の吸着方式は真空吸着に限らず静電吸着方式やその
他の吸着方式を用いてもよい。
よびこれと反対側のマスクチャック取付は面が高精度に
平行にされたＸ線マスクが接着し組立てられ名。なお、
各ベース１２．１７への支持フレーム１およびマスク基
板２の吸着方式は真空吸着に限らず静電吸着方式やその
他の吸着方式を用いてもよい。
第２図は本発明の別の実施例の構成図である。
この実施例では、上下のベース１２．１７間に各ベース
との当接面が高平面度に仕上げ加工されたリング状のス
ペーサ２８が介装される。このスペーサ２８により両ベ
ース１２．１７間は所定の平行間隔に保たれる。したが
って、第１図の実施例で用いた間隔検出用ギャップセン
サ２５、チルトステージ２１およびＺステージ２６は省
略できる。その他の構成、作用効果は前述の実施例と同
様である。
との当接面が高平面度に仕上げ加工されたリング状のス
ペーサ２８が介装される。このスペーサ２８により両ベ
ース１２．１７間は所定の平行間隔に保たれる。したが
って、第１図の実施例で用いた間隔検出用ギャップセン
サ２５、チルトステージ２１およびＺステージ２６は省
略できる。その他の構成、作用効果は前述の実施例と同
様である。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明では、マスク両面を高平面
度加工し、同しく高平面度加工した２つのベース間に挟
持し、マスク基板と支持フレーム間の接着剤が硬化する
前に両者を位置合わせし、その状態で接着剤が硬化する
まで゛高精度の平行間隔を保持することができるため、
ウェハに対面するマスク面およびこれと反対側のマスク
チャック取付は面が高精度に平行にされたＸ線マスクが
接着組立てられる。
度加工し、同しく高平面度加工した２つのベース間に挟
持し、マスク基板と支持フレーム間の接着剤が硬化する
前に両者を位置合わせし、その状態で接着剤が硬化する
まで゛高精度の平行間隔を保持することができるため、
ウェハに対面するマスク面およびこれと反対側のマスク
チャック取付は面が高精度に平行にされたＸ線マスクが
接着組立てられる。
第１図は本発明の実施例の構成図、
第２図は本発明の別の実施例の構成図、第３図は本発明
の治具により作成したＸ線マスクの一例の構成図、 第４図および第５図は各々従来のＸ線マスクの構成図で
ある。 １：支持フレーム、 ２：マスク基板、 ６：接着剤、 １０：マスク面、 １２：第２のベース、 暖７：第１のベース。
の治具により作成したＸ線マスクの一例の構成図、 第４図および第５図は各々従来のＸ線マスクの構成図で
ある。 １：支持フレーム、 ２：マスク基板、 ６：接着剤、 １０：マスク面、 １２：第２のベース、 暖７：第１のベース。
Claims (5)
- （１）少なくともマスクパターンが形成されているマス
クパターン側表面が高い平面度を有するマスク基板と、
前記マスク基板を接着剤を介して固定する支持フレーム
からなるＸ線マスクを接着して組立てる治具において、
前記支持フレームは、少なくとも接着剤を有する面と反
対側のフレーム表面が高い平面度であって前記マスク基
板のマスクパターン側表面に対面係合する高平面度加工
された当接面を有する第１のベースと、前記支持フレー
ムの高平面度加工面に対面係合する同様に高平面度加工
された当接面を有する第２のベースと、前記高平面度に
加工された面同士を対面させてマスク基板および支持フ
レームを前記第１および第２のベースにそれぞれ固定保
持する吸着手段と、前記第１および第２のベース間の間
隔を所定の間隔に保つための間隔調整手段とからなるこ
とを特徴とするＸ線マスク接着治具。 - （２）前記間隔調整手段は、該間隔の検出手段と、前記
第１および第２のベースの相対的な姿勢制御手段とから
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線
マスク接着治具。 - （３）前記間隔調整手段は、前記第１および第２のベー
ス間に介装され各ベースとの接触面が高平面度に加工さ
れたスペーサ手段からなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のＸ線マスク接着治具。 - （４）前記吸着手段は、真空吸着手段からなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線マスク接着治
具。 - （５）前記吸着手段は、静電吸着手段からなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線マスク接着治
具。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9493790A JP2802665B2 (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | マスク組立て方法 |
| DE1991626738 DE69126738T2 (de) | 1990-04-12 | 1991-04-04 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Röntgenmaske |
| EP19910302988 EP0453133B1 (en) | 1990-04-12 | 1991-04-04 | Method and apparatus for manufacture of X-ray mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9493790A JP2802665B2 (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | マスク組立て方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03293716A true JPH03293716A (ja) | 1991-12-25 |
| JP2802665B2 JP2802665B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=14123869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9493790A Expired - Fee Related JP2802665B2 (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | マスク組立て方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0453133B1 (ja) |
| JP (1) | JP2802665B2 (ja) |
| DE (1) | DE69126738T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6605392B2 (en) | 1998-06-19 | 2003-08-12 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure, and X-ray exposure method and apparatus using the same |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4242632C1 (de) * | 1992-12-17 | 1994-05-05 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung und Verfahren zur Vervielfältigung von Röntgenmasken |
| KR102069137B1 (ko) * | 2013-04-19 | 2020-02-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 조립체 제조 장치 및 이를 이용하여 마스크 조립체를 제조하는 방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63150918A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Toshiba Corp | Ｘ線露光用マスク |
| JPH0750670B2 (ja) * | 1987-07-31 | 1995-05-31 | 日本電信電話株式会社 | マスク接着装置およびその使用方法 |
| JPH01266722A (ja) * | 1988-04-18 | 1989-10-24 | Fujitsu Ltd | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
-
1990
- 1990-04-12 JP JP9493790A patent/JP2802665B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-04-04 EP EP19910302988 patent/EP0453133B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-04-04 DE DE1991626738 patent/DE69126738T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6605392B2 (en) | 1998-06-19 | 2003-08-12 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure, and X-ray exposure method and apparatus using the same |
Also Published As
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|---|---|
| DE69126738D1 (de) | 1997-08-14 |
| EP0453133A3 (en) | 1992-05-27 |
| JP2802665B2 (ja) | 1998-09-24 |
| EP0453133A2 (en) | 1991-10-23 |
| EP0453133B1 (en) | 1997-07-09 |
| DE69126738T2 (de) | 1997-11-06 |
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