JPH03286551A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03286551A JPH03286551A JP8797390A JP8797390A JPH03286551A JP H03286551 A JPH03286551 A JP H03286551A JP 8797390 A JP8797390 A JP 8797390A JP 8797390 A JP8797390 A JP 8797390A JP H03286551 A JPH03286551 A JP H03286551A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ｓｏ工（Ｓｉｌｉｃｍｎ旦ｎ Ｉｎ５ｕ’１
ａｔｏｒ ）構造ウェーハの製造方法に関すす ［従来の技術］ 従来、ＳＯエウエーハの製造方法としては、（１）Ｓｉ
ｌｉｃｏｎ Ｏｎ ５ａｐｐｈｉｒｅ （Ｓ ＯＳ ）
、 （２） Ｓ工ＭＯＸ（５ｉｌｉｃｏｎ工ｎｐｌａ
ｎｔｅｃｌ ０ｘｉｄｅ ） （３） Ｚ Ｍ Ｒ（Ｚ
ｏｎｅＭｓｌｔｉｎｇ Ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌ土ｚａｔ
ｉｏｎ ）法による工５Ｅ（（工５ｏｌａｔｅｄ ５ｉ
ｌｉｃｏｎ Ｅｐｉｔａｘｉａｌ ）技術、（４）シラ
ノール反応を利用した２枚の酸化膜形成Ｓ１ウエーへの
貼り合せ法、等があった。
ａｔｏｒ ）構造ウェーハの製造方法に関すす ［従来の技術］ 従来、ＳＯエウエーハの製造方法としては、（１）Ｓｉ
ｌｉｃｏｎ Ｏｎ ５ａｐｐｈｉｒｅ （Ｓ ＯＳ ）
、 （２） Ｓ工ＭＯＸ（５ｉｌｉｃｏｎ工ｎｐｌａ
ｎｔｅｃｌ ０ｘｉｄｅ ） （３） Ｚ Ｍ Ｒ（Ｚ
ｏｎｅＭｓｌｔｉｎｇ Ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌ土ｚａｔ
ｉｏｎ ）法による工５Ｅ（（工５ｏｌａｔｅｄ ５ｉ
ｌｉｃｏｎ Ｅｐｉｔａｘｉａｌ ）技術、（４）シラ
ノール反応を利用した２枚の酸化膜形成Ｓ１ウエーへの
貼り合せ法、等があった。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記従来技術によると、ＳＯＳは結晶欠陥が発
生し、熱処理等にサファイヤ基板が割れ易く、コスト高
であると云う課題があり、Ｓ工ＭＯＸはイオン打ち込み
誘起欠陥が発生し、コスト高であると云う課題があり、
工ＳＥは、結晶欠陥があり、収率が悪くなり、ややコス
ト高に付くと云う課題があり、貼り合わせ法はゴミを挾
んだ部位からハガレ易く、パーティクル発生による歩留
り低下や、必ず２枚のＳｌウェーハを要する為にコスト
高に付くと云う課題があった。
生し、熱処理等にサファイヤ基板が割れ易く、コスト高
であると云う課題があり、Ｓ工ＭＯＸはイオン打ち込み
誘起欠陥が発生し、コスト高であると云う課題があり、
工ＳＥは、結晶欠陥があり、収率が悪くなり、ややコス
ト高に付くと云う課題があり、貼り合わせ法はゴミを挾
んだ部位からハガレ易く、パーティクル発生による歩留
り低下や、必ず２枚のＳｌウェーハを要する為にコスト
高に付くと云う課題があった。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、結晶欠陥が
なく、低コストなＳＯエウエーハを製造する新らしい方
法を提供する事を目的とする。
なく、低コストなＳＯエウエーハを製造する新らしい方
法を提供する事を目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決する為に、本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、Ｓｉウェーハ表面からＳｉ島となる部位を
凸状に残して方向性ドライ・エッチングを施した後、Ｓ
ｉ、Ｎ４膜を被覆し、前記Ｓｉ島とたる凸状部位の側面
の５１３Ｎ４膜を残して凸部表面と溝部の底面からＳ
ｉ３ Ｎ、膜を方向性ドライ・エッチングにより除去し
た後、熱酸化処理を施して、Ｓｉ島を残してその下部に
熱酸化膜を形成する手段をとる。
方法に関し、Ｓｉウェーハ表面からＳｉ島となる部位を
凸状に残して方向性ドライ・エッチングを施した後、Ｓ
ｉ、Ｎ４膜を被覆し、前記Ｓｉ島とたる凸状部位の側面
の５１３Ｎ４膜を残して凸部表面と溝部の底面からＳ
ｉ３ Ｎ、膜を方向性ドライ・エッチングにより除去し
た後、熱酸化処理を施して、Ｓｉ島を残してその下部に
熱酸化膜を形成する手段をとる。
［実施例］
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示すＳ○エウエーハの製造
工程順の断面図である。すなわち、（α）Ｓｉウェーハ
であるＳｉｌの鏡面研磨面上にＳｉ○、膜２と形成後、
ホト・リソグラフィーと方向性ドライエツチングとによ
り、Ｓｉ島となる凸部位を形成する。この場合、凸部と
凹部のライン・アンド・スペースの寸法は、０．５μｍ
以下とする。本例では、０．５μｍとすると、凹部の深
さは１μｍ程度とする。次で、Ｉｂ））全表面にＳ ｉ
３ Ｎ４３をＳｉ、Ｎ４膜単層かあるいはＳｉ○２膜十
Ｓｉ３Ｎ４膜の２層として形成する。この場合、Ｓ ｉ
、Ｎ４膜厚は、Ｏ，ｉμｙｙｃ以下である。Ｓｉ３Ｎ４
膜を形成後、ｓ１ウェーハ表面から方向性ドライエツチ
ングにより凸部の表面と凹部の底面のＳｉ。
工程順の断面図である。すなわち、（α）Ｓｉウェーハ
であるＳｉｌの鏡面研磨面上にＳｉ○、膜２と形成後、
ホト・リソグラフィーと方向性ドライエツチングとによ
り、Ｓｉ島となる凸部位を形成する。この場合、凸部と
凹部のライン・アンド・スペースの寸法は、０．５μｍ
以下とする。本例では、０．５μｍとすると、凹部の深
さは１μｍ程度とする。次で、Ｉｂ））全表面にＳ ｉ
３ Ｎ４３をＳｉ、Ｎ４膜単層かあるいはＳｉ○２膜十
Ｓｉ３Ｎ４膜の２層として形成する。この場合、Ｓ ｉ
、Ｎ４膜厚は、Ｏ，ｉμｙｙｃ以下である。Ｓｉ３Ｎ４
膜を形成後、ｓ１ウェーハ表面から方向性ドライエツチ
ングにより凸部の表面と凹部の底面のＳｉ。
Ｎ４膜を除去する。本例の場合、底部のＳｉ３Ｎ４膜を
除去後、Ｓｉ１を更に少し深くドライ・エッチングして
いる。次で、（Ｃ）前記Ｓｉ３Ｎ４５の残存部をマスク
として熱酸化処理を１μｍ厚さ程度施す事によりｓｉｏ
□ ４を１μｍ厚程度に形成して、Ｓｉ３Ｎ、！Ｉや５
ｉ０２２等を除去することによりＳｉ島５が結晶欠陥も
なく形成することができる。本プロセスは通常のｄｉ加
エプロセスで行なうことができ低床である。
除去後、Ｓｉ１を更に少し深くドライ・エッチングして
いる。次で、（Ｃ）前記Ｓｉ３Ｎ４５の残存部をマスク
として熱酸化処理を１μｍ厚さ程度施す事によりｓｉｏ
□ ４を１μｍ厚程度に形成して、Ｓｉ３Ｎ、！Ｉや５
ｉ０２２等を除去することによりＳｉ島５が結晶欠陥も
なく形成することができる。本プロセスは通常のｄｉ加
エプロセスで行なうことができ低床である。
尚、該Ｓ○エウエーハはＳｉ島部の表面や側面を用いて
トランジスタやダイオード等の半導体装置による集積回
路装置に応用することができ、完全誘電体分離された素
子による高速ＩＣとなすことができる。
トランジスタやダイオード等の半導体装置による集積回
路装置に応用することができ、完全誘電体分離された素
子による高速ＩＣとなすことができる。
更に、凸部５１０２２はＳｉ３Ｎ４ あるいは５１０２
＋Ｓｉ３Ｎ４あるいはＳｉ３Ｎ４＋ＳｉＯ２，５ｉ０２
＋Ｓｉ３Ｎ４ ＋５Ｓｉ２等の多層構造であっても良
い。
＋Ｓｉ３Ｎ４あるいはＳｉ３Ｎ４＋ＳｉＯ２，５ｉ０２
＋Ｓｉ３Ｎ４ ＋５Ｓｉ２等の多層構造であっても良
い。
２ ・・・・・・・・・ Ｓｉ Ｏ２３・・・・・・
・・・ Ｓｉ ３Ｎ４ ４ ・・・・・・・・・ Ｓ 工 Ｏ２５・・・・・・
・・・Ｓｉ島 以上 ［発明の効果コ 本発明により結晶欠陥のないＳ○エウエーハが低床に提
供することができ、高速工Ｃを容易に製作する事ができ
る効果がある。
・・・ Ｓｉ ３Ｎ４ ４ ・・・・・・・・・ Ｓ 工 Ｏ２５・・・・・・
・・・Ｓｉ島 以上 ［発明の効果コ 本発明により結晶欠陥のないＳ○エウエーハが低床に提
供することができ、高速工Ｃを容易に製作する事ができ
る効果がある。
Claims (1)
- Ｓｉウェーハ表面からＳｉ島となる部位を凸状に残し
て方向性ドライ・エッチングを施した後、Ｓｉ＿３Ｎ＿
４膜を被覆し、前記Ｓｉ島となる凸状部位の側面のＳｉ
＿３＿４膜を残して凸部表面と溝部の底面からＳｉ＿３
Ｎ＿４膜を方向性ドライエッチングにより除去した後、
熱酸化処理を施すことにより、Ｓｉ島を残してその下部
に熱酸化膜を形成する事を特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8797390A JPH03286551A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8797390A JPH03286551A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03286551A true JPH03286551A (ja) | 1991-12-17 |
Family
ID=13929784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8797390A Pending JPH03286551A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03286551A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013048161A (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-04-02 JP JP8797390A patent/JPH03286551A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013048161A (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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