JPH03278561A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPH03278561A JPH03278561A JP2079247A JP7924790A JPH03278561A JP H03278561 A JPH03278561 A JP H03278561A JP 2079247 A JP2079247 A JP 2079247A JP 7924790 A JP7924790 A JP 7924790A JP H03278561 A JPH03278561 A JP H03278561A
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- Japan
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- wiring board
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- bare chip
- resin
- chip
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は混成集積回路装置に関する。
従来の混成集積回路装置には、第５図に示すように、金
属製リードフレーム１上に配線基板２を貼り付け、半導
体ベアチップ（半導体ウェハーを分割して得られた通常
のはだかのペレット）３゜チップコンデンサ４等を搭載
し、半導体ベアチップ３と配線基板２の間、および配線
基板２とリードフレーム１の間を金線８にてワイヤボン
デングし、トランスファモールド法にて樹脂５を封止し
た構造の混成集積回路装置、または第６図に示すように
、配線基板２の上面端部にリードフレーム１を電気的導
通を持たせて固着し、配線基板２上ニ半導体ベアチップ
３．チップコンデンサ４等を搭載し、半導体ベアチップ
３は配線基板２の所定電極へワイヤボンデングされ、樹
脂５にてトランスファモールド封止された構造の混成集
積回路装置があった。
属製リードフレーム１上に配線基板２を貼り付け、半導
体ベアチップ（半導体ウェハーを分割して得られた通常
のはだかのペレット）３゜チップコンデンサ４等を搭載
し、半導体ベアチップ３と配線基板２の間、および配線
基板２とリードフレーム１の間を金線８にてワイヤボン
デングし、トランスファモールド法にて樹脂５を封止し
た構造の混成集積回路装置、または第６図に示すように
、配線基板２の上面端部にリードフレーム１を電気的導
通を持たせて固着し、配線基板２上ニ半導体ベアチップ
３．チップコンデンサ４等を搭載し、半導体ベアチップ
３は配線基板２の所定電極へワイヤボンデングされ、樹
脂５にてトランスファモールド封止された構造の混成集
積回路装置があった。
従来の混成集積回路装置は、チップ抵抗器４にて機能ト
リミングを行なう場合、半導体ベアチップ３に照射され
る紫外線等の除去が困難であり、半導体ベアチップ３が
紫外線照射の影響を受けて電気的に誤動作をすることが
あるなどの問題があり、機能トリミングを行なうことは
極めて困難であるという欠点がある。
リミングを行なう場合、半導体ベアチップ３に照射され
る紫外線等の除去が困難であり、半導体ベアチップ３が
紫外線照射の影響を受けて電気的に誤動作をすることが
あるなどの問題があり、機能トリミングを行なうことは
極めて困難であるという欠点がある。
又、上述した従来の混成集積回路装置は、リードフレー
ム１または、配線基板の下部は樹脂５にて充填されてい
るだけであり、スペースを有効利用しているとは言い難
いという欠点がある。
ム１または、配線基板の下部は樹脂５にて充填されてい
るだけであり、スペースを有効利用しているとは言い難
いという欠点がある。
本発明の混成集積回路装置は、配線基板の上面端部にリ
ードフレームを電気的導通をもたせて固着させ、前記配
線基板上に少なくとも一つの半導体ベアチップと、少な
くとも一つの被機能調整素子を具備し、前記半導体ベア
チップと配線基板を金属線にてワイヤボンデインクした
後に前記半導体ベアチップをプリコート樹脂にて覆い、
さらに被機能トリミング素子にて機能トリミングを行っ
た後にトランスファモールド法にて樹脂封止したことを
特徴とする。
ードフレームを電気的導通をもたせて固着させ、前記配
線基板上に少なくとも一つの半導体ベアチップと、少な
くとも一つの被機能調整素子を具備し、前記半導体ベア
チップと配線基板を金属線にてワイヤボンデインクした
後に前記半導体ベアチップをプリコート樹脂にて覆い、
さらに被機能トリミング素子にて機能トリミングを行っ
た後にトランスファモールド法にて樹脂封止したことを
特徴とする。
さらに、本発明の混成集積回路装置は、端部をリードフ
レーム上またはリードフレーム下に目的導通を持たせて
固着した配線基板上に少なくとも一つの能動素子又は、
受動素子を搭載し、配線基板下面の少なくとも一部を露
出させてトランスファモールド法により樹脂封止し、該
露出した配線基板下面に少なくとも一つの能動素子又は
受動素子を搭載し、樹脂封止したことを特徴とする。
レーム上またはリードフレーム下に目的導通を持たせて
固着した配線基板上に少なくとも一つの能動素子又は、
受動素子を搭載し、配線基板下面の少なくとも一部を露
出させてトランスファモールド法により樹脂封止し、該
露出した配線基板下面に少なくとも一つの能動素子又は
受動素子を搭載し、樹脂封止したことを特徴とする。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の第１の実施例の製造
方法を説明するための工程順に示した断面図である。
方法を説明するための工程順に示した断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、配線基板２の上面端
部にリードフレーム１を電気的導通を持たせて固着させ
、配線基板２上に半導体ベアチップ３、チップ抵抗器４
等を搭載し、金線８にて半導体ベアチップ３上の所定電
極と配線基板２上の所定電極をワイヤボンディングする
。次に、半導体ベアチップ３をプリコート樹脂７にてプ
リコートし、図示していない機能トリミング回路を形成
し、チップ抵抗器４をレーザビーム９にてトリミングす
ることにより、所定回路の機能トリミングを実箆した後
に、第１図（ｂ）に示すようにトランスファモールド法
にて樹脂１５により封止する。
部にリードフレーム１を電気的導通を持たせて固着させ
、配線基板２上に半導体ベアチップ３、チップ抵抗器４
等を搭載し、金線８にて半導体ベアチップ３上の所定電
極と配線基板２上の所定電極をワイヤボンディングする
。次に、半導体ベアチップ３をプリコート樹脂７にてプ
リコートし、図示していない機能トリミング回路を形成
し、チップ抵抗器４をレーザビーム９にてトリミングす
ることにより、所定回路の機能トリミングを実箆した後
に、第１図（ｂ）に示すようにトランスファモールド法
にて樹脂１５により封止する。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。
上面端部にリードフレーム１を固着した配線基板２上に
半導体ベアチップ３とチップトリマー１２等を搭載し、
半導体ベアチップ３は金線８にて配線基板２とワイヤボ
ンディングし、プリコート図示７にてプリコートする。
半導体ベアチップ３とチップトリマー１２等を搭載し、
半導体ベアチップ３は金線８にて配線基板２とワイヤボ
ンディングし、プリコート図示７にてプリコートする。
さらに、図示していない機能トリミング回路を形成し、
チップトリマー９にて所定回路の機能調整を実施した後
に、トランスファモールド法により樹脂封止する。
チップトリマー９にて所定回路の機能調整を実施した後
に、トランスファモールド法により樹脂封止する。
第３図は本発明の第３の実施例の断面図である。
配線基板２の下面端部とｕ−Ｆフレーム１とを電気的導
通を持たせて固着し、配線基板２上に半導体ベアチップ
３．チップコンデンサ４等を搭載し、半導体ベアチップ
３は配線基板２上の所定電極に金線８にてワイヤボンデ
ィングし、樹脂２５をトランスファモールド法にて樹脂
封止するが、配線基板２の下面の少なくとも一部を露出
させておく。さらに配線基板２の露出部に５ＯＰ（Ｓｒ
ｎａｏｕｔｌｉｎｅ ｐａｃｋａｇｅ）部品１１．他の
チップコンデンサ４ａ等を搭載し、樹脂２６にて封止す
る。
通を持たせて固着し、配線基板２上に半導体ベアチップ
３．チップコンデンサ４等を搭載し、半導体ベアチップ
３は配線基板２上の所定電極に金線８にてワイヤボンデ
ィングし、樹脂２５をトランスファモールド法にて樹脂
封止するが、配線基板２の下面の少なくとも一部を露出
させておく。さらに配線基板２の露出部に５ＯＰ（Ｓｒ
ｎａｏｕｔｌｉｎｅ ｐａｃｋａｇｅ）部品１１．他の
チップコンデンサ４ａ等を搭載し、樹脂２６にて封止す
る。
第４図は本発明の第４の実施例の断面図である。
配線基板２の上面端部とリードフレームｌとを電気的導
通を持たせて固着し、配線基板２上に半導体ベアチップ
３．チップコンデンサ４等を搭載し、半導体ベアチップ
３は配線基板２上の所定電極に金線８にてワイヤボンデ
ィングし、配線基板２の下面の少なくとも一部を露出さ
せて樹脂２５にてトランスファモールド法により封止す
る。さらに、配線基板２の下面の露出部にＳＯＰ部品１
１等を搭載し、樹脂２６にて封止する。
通を持たせて固着し、配線基板２上に半導体ベアチップ
３．チップコンデンサ４等を搭載し、半導体ベアチップ
３は配線基板２上の所定電極に金線８にてワイヤボンデ
ィングし、配線基板２の下面の少なくとも一部を露出さ
せて樹脂２５にてトランスファモールド法により封止す
る。さらに、配線基板２の下面の露出部にＳＯＰ部品１
１等を搭載し、樹脂２６にて封止する。
以上説明したように、本発明は、半導体ベアチップをプ
リコート樹脂にて覆うことにより所定回路の機能調整が
容易に実施できる効果がある。
リコート樹脂にて覆うことにより所定回路の機能調整が
容易に実施できる効果がある。
さらに、本発明は、配線基板の両面に各々少なくとも一
つの能動素子又は、受動素子を搭載できることにより、
スペースの有効利用ができるため、混成集積回路装置の
、集Ｍ密度を向上させることができる効果がある。
つの能動素子又は、受動素子を搭載できることにより、
スペースの有効利用ができるため、混成集積回路装置の
、集Ｍ密度を向上させることができる効果がある。
第１図、第２図、第３図および第４図はそれぞれ本発明
の第１．第２．第３および第４の実施例を示す断面図で
ある。第５図および第６図はそれぞれ従来技術の混成集
積回路装置を示す断面図である。 尚、図において、１はリードフレーム、２は配線基板、
３は半導体ベアチップ（半導体ベレット）、４，４ａは
チップ抵抗器、５，１５，２５゜２６はモールド樹脂、
７はプリコート材、８は金線、９はレーザビーム、１１
はＳＯＰ部品、１２はチップトリマーである。
の第１．第２．第３および第４の実施例を示す断面図で
ある。第５図および第６図はそれぞれ従来技術の混成集
積回路装置を示す断面図である。 尚、図において、１はリードフレーム、２は配線基板、
３は半導体ベアチップ（半導体ベレット）、４，４ａは
チップ抵抗器、５，１５，２５゜２６はモールド樹脂、
７はプリコート材、８は金線、９はレーザビーム、１１
はＳＯＰ部品、１２はチップトリマーである。
Claims (2)
- （１）上面端部に電気的導通を持たせて固着させたリー
ドフレームを具備した配線基板上に少なくとも一つの半
導体ベアチップと少なくとも一つの被機能調整用素子を
有し、前記半導体ベアチップと配線基板を金属線にてワ
イヤボンディングし、前記半導体ベアチップをプリコー
ト樹脂にて覆った後に被機能調整用素子にて所定回路の
機能調整を実施した後に、トランスファモールド法にて
樹脂封止したことを特徴とする混成集積回路装置。 - （２）端部をリードフレーム上または、リードフレーム
下に電気的導通を持たせて固着した配線基板上に少なく
とも一つの能動素子または、受動素子を搭載し、配線基
板下面の少なくとも一部を露出させてトランスファモー
ルド法により樹脂封止し、該露出した配線基板下面に少
なくとも一つの能動素子または受動素子を搭載し、樹脂
封止したことを特徴とする混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2079247A JPH03278561A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2079247A JPH03278561A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03278561A true JPH03278561A (ja) | 1991-12-10 |
Family
ID=13684529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2079247A Pending JPH03278561A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03278561A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5406699A (en) * | 1992-09-18 | 1995-04-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing an electronics package |
| WO1999050912A1 (fr) * | 1998-04-01 | 1999-10-07 | Ricoh Company, Ltd. | Dispositif semi-conducteur et sa fabrication |
| EP1420444A2 (de) * | 2002-11-13 | 2004-05-19 | Robert Bosch Gmbh | Thermischer und mechanischer Schutz von diskreten Bauelementen in einem Schaltungsmodul |
| JP2017126774A (ja) * | 2011-04-04 | 2017-07-20 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-03-28 JP JP2079247A patent/JPH03278561A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5406699A (en) * | 1992-09-18 | 1995-04-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing an electronics package |
| WO1999050912A1 (fr) * | 1998-04-01 | 1999-10-07 | Ricoh Company, Ltd. | Dispositif semi-conducteur et sa fabrication |
| EP1420444A2 (de) * | 2002-11-13 | 2004-05-19 | Robert Bosch Gmbh | Thermischer und mechanischer Schutz von diskreten Bauelementen in einem Schaltungsmodul |
| EP1420444A3 (de) * | 2002-11-13 | 2005-08-03 | Robert Bosch Gmbh | Thermischer und mechanischer Schutz von diskreten Bauelementen in einem Schaltungsmodul |
| JP2017126774A (ja) * | 2011-04-04 | 2017-07-20 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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