JPH03277692A - 高オクタン価ガソリン基材の製造方法 - Google Patents
高オクタン価ガソリン基材の製造方法Info
- Publication number
- JPH03277692A JPH03277692A JP2413348A JP41334890A JPH03277692A JP H03277692 A JPH03277692 A JP H03277692A JP 2413348 A JP2413348 A JP 2413348A JP 41334890 A JP41334890 A JP 41334890A JP H03277692 A JPH03277692 A JP H03277692A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen
- gallosilicate
- catalyst
- octane gasoline
- alkaline earth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 10
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 24
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 24
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 24
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000002585 base Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 238000011160 research Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 11
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 7
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 claims description 3
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 4
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052909 inorganic silicate Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 12
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 3
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 238000001833 catalytic reforming Methods 0.000 description 3
- 239000000571 coke Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 3
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 3
- ZFFMLCVRJBZUDZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylbutane Chemical compound CC(C)C(C)C ZFFMLCVRJBZUDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N 2-Methylpentane Chemical compound CCCC(C)C AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PFEOZHBOMNWTJB-UHFFFAOYSA-N 3-methylpentane Chemical compound CCC(C)CC PFEOZHBOMNWTJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical group [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CHPZKNULDCNCBW-UHFFFAOYSA-N gallium nitrate Chemical compound [Ga+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O CHPZKNULDCNCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- IVDFJHOHABJVEH-UHFFFAOYSA-N pinacol Chemical compound CC(C)(O)C(C)(C)O IVDFJHOHABJVEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 2
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004111 Potassium silicate Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYVGBNGTBQLJBG-UHFFFAOYSA-N [3-(hydroxymethyl)cyclopentyl]methanol Chemical compound OCC1CCC(CO)C1 AYVGBNGTBQLJBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001414 amino alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000005899 aromatization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 150000002258 gallium Chemical class 0.000 description 1
- 229940044658 gallium nitrate Drugs 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000000449 magic angle spinning nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VFOJFWOVDZGATC-UHFFFAOYSA-N methyl(tripropyl)azanium Chemical class CCC[N+](C)(CCC)CCC VFOJFWOVDZGATC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDOPTJXRTPNYNR-UHFFFAOYSA-N methyl-cyclopentane Natural products CC1CCCC1 GDOPTJXRTPNYNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N potassium silicate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Si]([O-])=O NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052913 potassium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000012254 powdered material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- -1 sodium and potassium Chemical class 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N tetrabutylammonium Chemical class CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSBSFAARYOCBHB-UHFFFAOYSA-N tetrapropylammonium Chemical class CCC[N+](CCC)(CCC)CCC OSBSFAARYOCBHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGQMOFGZRJUORO-UHFFFAOYSA-M tetrapropylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC BGQMOFGZRJUORO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Production Of Liquid Hydrocarbon Mixture For Refining Petroleum (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[0001]
本発明は、軽質炭化水素を原料とし、これから芳香族炭
化水素を主成分とする高オクタン価ガソリン基材を製造
する方法に関するものである。 [0002]
化水素を主成分とする高オクタン価ガソリン基材を製造
する方法に関するものである。 [0002]
従来、オクタン価の高いガソリンを得る目的には、白金
アルミナ系触媒による直留ナフサの接触改質が商業的に
広く採用されている。この接触改質における原料ナフサ
は、自動車用ガソリン製造を目的とする場合には、沸点
70〜180℃の留分が、またBTX製造を目的とする
場合には、60〜150℃の留分がそれぞれ用いられて
いる。しかし、この接触改質法では、原料炭化水素の炭
素数の減少とともに芳香族への転化割合が著しく低下す
るため、炭素数2〜7のパラフィン及び/又はオレフィ
ンを主成分とする軽質炭化水素より高オクタン価ガソリ
ンを製造することは困難である。このため、現状では、
この軽質炭化水素の用途(石油化学用原料、都市ガス製
造用原料等に限られている。それ故、この軽質炭化水素
からの高オクタン価ガソリンの製造は、軽質炭化水素の
付加価値の増大、ガソリン消費量の増大への対応のため
注目されている技術である。 [0003] 軽質炭化水素を原料とする高オクタン価ガソリン基材の
製造に関連する技術としては、軽質炭化水素を結晶性シ
リケート、特にZSM−5及びZSM−5型C結晶性シ
リケートと接触させる方法が種々知られている。例えば
、特開昭59−98020号公報によれば、組成式3N
a O: 9 (C3H7) 4NOH: 0.33G
a 0 ・25Si○ °450HOで表わされる結
晶質ケイ酸ガリウムの焼惑23° 2°
2 物をアンモニウムイオン交換後仮焼して触媒として用い
、n−ブタンとプロパンをそれぞれ芳香族化処理する方
法が具体的に示されている。しかしながら、こC従来法
では、軽質炭化水素からの高オクタン価ガソリン基材収
率が低く、工業閉には未だ満足すべきものではなかった
。 [0004]
アルミナ系触媒による直留ナフサの接触改質が商業的に
広く採用されている。この接触改質における原料ナフサ
は、自動車用ガソリン製造を目的とする場合には、沸点
70〜180℃の留分が、またBTX製造を目的とする
場合には、60〜150℃の留分がそれぞれ用いられて
いる。しかし、この接触改質法では、原料炭化水素の炭
素数の減少とともに芳香族への転化割合が著しく低下す
るため、炭素数2〜7のパラフィン及び/又はオレフィ
ンを主成分とする軽質炭化水素より高オクタン価ガソリ
ンを製造することは困難である。このため、現状では、
この軽質炭化水素の用途(石油化学用原料、都市ガス製
造用原料等に限られている。それ故、この軽質炭化水素
からの高オクタン価ガソリンの製造は、軽質炭化水素の
付加価値の増大、ガソリン消費量の増大への対応のため
注目されている技術である。 [0003] 軽質炭化水素を原料とする高オクタン価ガソリン基材の
製造に関連する技術としては、軽質炭化水素を結晶性シ
リケート、特にZSM−5及びZSM−5型C結晶性シ
リケートと接触させる方法が種々知られている。例えば
、特開昭59−98020号公報によれば、組成式3N
a O: 9 (C3H7) 4NOH: 0.33G
a 0 ・25Si○ °450HOで表わされる結
晶質ケイ酸ガリウムの焼惑23° 2°
2 物をアンモニウムイオン交換後仮焼して触媒として用い
、n−ブタンとプロパンをそれぞれ芳香族化処理する方
法が具体的に示されている。しかしながら、こC従来法
では、軽質炭化水素からの高オクタン価ガソリン基材収
率が低く、工業閉には未だ満足すべきものではなかった
。 [0004]
本発明は、軽質炭化水素を原料とする高オクタン価ガソ
リン基材の製造において、前記従来技術に比較し、高め
られた高オクタン価ガソリン基材収率を与える方法を提
供することをその課題とする。 [0005]
リン基材の製造において、前記従来技術に比較し、高め
られた高オクタン価ガソリン基材収率を与える方法を提
供することをその課題とする。 [0005]
本発明によれば、炭素数2〜7のパラフィン及び/又は
オレフィンを主成分として含む軽質炭化水素よりリサー
チ法オクタン価95以上の高オクタン価ガソリン基材を
製造するに際し、該軽質炭化水素を、温度350〜65
0℃、水素分圧2. 5kg/cm以下の条件で、SiC2及びGao4四面
体で骨格が構成され、かつMxO(Mはアルカリ金属又
はアルカリ土類金属を表わし、Xは、Mがアルカリ金属
の場合は2であり、Mがアルカリ土類金属の場合は2で
ある)とGa2O3と(7)(−ル比が0.5〜2.5
及びS l 02とG a 203のモル比が18〜1
50の範囲にある結晶性ガロシリケートの水素型ガロシ
リケートと接触させることを特徴とする高オクタン価ガ
ソリン基材の製造方法が提供さ−れる。 [0006] 本明細書でいう高オクタン価ガソリン基材とは、リサー
チ法オクタン価95以上であり、炭素数6〜10の芳香
族を多量に含むものである。この高オクタン価ガソリン
は、自動車用燃料あるいは、芳香族製造用として使用し
うるものである。また、本明細書でいう高オクタン価ガ
ソリン製造原料となる軽質炭化水素とは炭素数2〜7の
パラフィン及び/又はオレフィンを主成分として含むも
のであり、炭素数5〜7のパラフィンを主成分とするナ
フサ留分中の沸点100℃以下の軽質留分等がその代表
例となる。 [0007] 本発明で用いる結晶性ガロシリケートは、水熱合成によ
るゲル結晶化やシリケートゼオライト結晶の格子骨格中
にガリウムを挿入する方法で得ることができる。ゲル結
晶化法は、目的とする量のガリウムを含有させて結晶性
ガロシリケートを調製できるので簡便な方法である。ゲ
ル結晶化法による結晶性ガロシリケートは、シリケート
合成のために必要な成分の他に、必須成分としてガリア
源を含む水性混合物を水熱合成条件に保持することによ
り得ることができる。例えば、シリカ源としては、ケイ
酸ソーダ、ケイ酸カリウム等のケイ酸塩、コロイド状シ
リカ、シリカ粉末等を用いることができる。また、ガリ
ア源としては、硝酸ガリウム、塩化ガリウム等のガリウ
ム塩や酸化ガリウム等を用いることができる。目的とす
る結晶性ガロシリケートの成長を速めるとともに純度を
良くし、良質の製品を得るために有機添加物も使用でき
る。有機添加物としては、テトラプロピルアンモニウム
塩、テトラブチルアンモニウム塩、トリプロピルメチル
アンモニウム塩等の第4級アンモニウム塩、プロピルア
ミン、ブチルアミン、アニリン、ジプロピルアミン、ジ
ブチルアミン、モルホリン等のアミン、エタノールアミ
ン、ジグリコールアミン、ジェタノールアミン等のアミ
ノアルコール、エタノール、プロピルアルコール、エチ
レングリコール、ピナコール等のアルコールの他、有機
酸、エーテル、ケトン、アミノ酸、エステル、チオアル
コールあるいは、チオエーテルを用いることができる。 さらに、水熱合成条件下で、上記の有機添加物を生成す
るような化合物を使用することもできる。アルカリ金属
源、アルカリ土類金属源としては、ナトリウム、カリウ
ム等のアルカリ金属、マグネシウム、カルシウム等のア
ルカリ土類金属の各水酸化物、ハロゲン化物、硫酸塩、
硝酸塩、炭酸塩等を用いることができる。原料中には、
上記の化合物の他に、pH調整剤として、硫酸、硝酸等
の鉱酸を含んでもよい。上記の各々の原料となる一種以
上の化合物を含む水性原料混合物は、50〜300℃、
好ましくは、100〜250℃の自己圧下で、1時間〜
7日程度、好ましくは、1〜5日間保持することにより
結晶操作を行う。また、この生成物は、必要に応じ、慣
用の変性化処理を施すことができる。従って、本明細書
でいう結晶性ガロシリケートは、前記水熱合成によって
製造されたものの他、その変性化処理によって得られる
各種の変性物をも包含するものである。 [0008] MASNMR(Magic Angle Spin
ning NuclearMagnetic Re
5onance)分析により、結晶性シリケートの結晶
構造中に存在する元素及びその組成について有益な情報
を直接あるいは間接的に得ることができる。例えば、ア
ルミノシリケートにおいては、アニオン性骨格構造中の
四面体配位のA1についての情報が27AI−NMRに
より得られる。また、構造中の(S i○)四面体に隣
接する4個の四面体(T 04 : T =A l 、
S 1)に関する情報が295i−NMRにより得
られる。本明細書中に示すガロシリケートにおいても、
71Ga−NMRにより骨格構造中の四面体配位のAl
、Gaの29 ・ 存在が示され、 Sl−NMR分析の情報から結晶構造
中のSiO/Ga2O3モル比が推算された。 [0009] 結晶性ガロシリケートの化学的特性の1つとして酸性質
が挙げられる。一般に酸量はアンモニア、ピリジン等の
塩基性物質を用いた昇温脱離や吸着熱測定等により測定
することができる。ガロシリケートでは、合成に使用し
たガリウムの量にみあう酸量が測定されており、ガリウ
ムが結晶構造中のアニオン性骨格構造中にあることが示
される。 [0010] 本発明で用いる結晶性ガロシリケートは、一般的に、骨
格構造中に0.6〜1o、o重量%のガリウムを含有し
、S iO/ G a 203のモル比18〜150で
2 あるが、その組成が、500℃以上の焼成物の酸化物の
モル比で表わして、次式で示されるものが好ましい。ま
た、本発明で用いる結晶性ガロシリケートは、その製造
原料由来のアルミナを不純物として微量含む場合がある
が、このような微量のアルミナの存在は特に問題とされ
ない。一般には、31021モル当り0゜001モル程
度までのアルミナの存在は許容される。 [0011] aMXO・GaO・bSiO2・CH2O3 [0012] 前記組成式中、Mはアルカリ金属又はアルカリ土類金属
を表わし、Xは、Mがアルカリ金属のときは1、Mがア
ルカリ土類金属のときは0.5である。また、a−Cは
次の数値を示す。 [0013] a:o、5〜2.5、好ましくは0.6〜2.00b:
18〜150、好ましくは20〜1400c:1〜10
0、好ましくは1〜50゜[0014] 特に有用なシリケートはMFIタイプ及び/又はMEL
タイプである。MFIタイプ、MELタイプシリケート
は、「The 5tructure Comm1s
sion of the Internatio
nal ZeoliteAssociation」に
より公表された種類の公知ゼオライト構造型に属するも
のである[At1as of Zeolite
5tructure Types、by W、M、
Meiyer and D、H,01son (1
978):Distributed by Po1
ycrystal Book 5ervice、P
ittsburgh、PA、 USA、l。 [0015] 水熱合成で得られるガロシリケートは、通常、ナトリウ
ムやカリウム等のアルカリ金属および/またはマグネシ
ウム、カルシウム等のアルカリ土類金属を含んでいるが
、本発明においては、触媒とするために、水素型ガロシ
リケートに変換させる。このための方法としては、例え
ば、塩化アンモニウムや硝酸アンモニウム等のアンモニ
ウム塩を含む水溶液中でイオン交換し、アンモニウム型
とした後に、350〜650℃に焼成する。また、水素
処理及び/又は水蒸気処理はガロシリケート触媒の芳香
族化活性の維持に効果がある。ま本発明で用いるガロシ
リケートは種々の形態で用いることができ、粉末状の他
、アルミナ、シリカ等のバインダーを加えて、押出し成
形や、スプレードライ、打錠成形等の方法で、粒状板状
、ペレット状等の各種成形体とすることができる。前記
水素型ガロシリケートを得るための処理は、粉末状のも
のに対して適用し得る他、このような成形体に対して適
用することもできる。 [0016] 本発明で用いる水素型ガロシリケートは、軽質炭化水素
を原料とした高オクタン価ガソリン基材製造用触媒とし
て極めてすぐれた触媒活性を有する。 [0017] 本発明により高オクタン価ガソリン基材を製造するには
、軽質炭化水素を、温度350〜650℃、水素分圧5
kg/cm2以下の条件で、水素型ガロシリケートに接
触させる。この場合、触媒として用いる水素型ガロシリ
ケートは、補助成分として金属成分を担持させて用いる
ことができる。この場合、担持金属としては、触媒活性
を向上させるものとして、マグネシウム、カルシウム、
ストロンチウム、バリウム、ランタン、セリウム、チタ
ン、バナジウム、クロム、モリブデン、タングステン、
マンガン、レニウム、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジ
ウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、
銀、亜鉛、アルミニウム、インジウム、ゲルマニウム、
スズ、鉛、リン、アンチモン、ビスマス、セレン等が挙
げられる。これらの金属は、単独の他、2種以上を組合
わせて用いることもでき、その担持量は金属換算で0.
1〜10重量%である。金属の担持方法としては、イオ
ン交換法、含浸法等の公知の技術を用いることができる
。また、本発明で触媒として用いる水素型ガロシリケー
トには、反応に際してのコークの堆積の抑制を目的とし
て、マグネシウム、カルシウム、ランタン及びセリウム
、ルテニウム、イリジウム中から選ばれる1種以上の金
属を担持させることができ、その担持量は、金属換算で
0.01〜5重量%である。 [0018] 前記本発明の軽質炭化水素の転化方法における反応温度
は、反応物である軽質炭化水素の組成と高オクタン価ガ
ソリン基材の収率等を考慮して定められるが、350〜
650℃が好ましい範囲である。反応温度を低くするこ
とは、メタン、エタン等の軽質ガスの副生を抑えるもの
の、高オクタン価ガソリン基材の収率を減少させる。ま
た、高温では高オクタン価ガソリン基材の収率を高める
ことができるが、コーク等による触媒の活性低下を促進
し、触媒の再生頻度を増加させることとなる。軽質炭化
水素がn−パラフィンを主成分とする場合には、450
〜650℃、イソ−パラフィンを主成分とする場合には
、400〜600℃、オレフィンを主成分とする場合に
は、350〜550℃がさらに好ましい温度範囲となる
。 [0019] また、前記転化方法においては、大気圧下でも十分な高
オクタン価ガソリンの収率が得られるため、特に高圧は
必要としない。しかし、反応物がエタン、プロパン等の
軽質ガスを多量に含む場合や、副生ずる水素あるいはプ
ロパン、ブタンをLPGとして使用することを考慮すれ
ば、20kg/cm2程度までの加圧は経済的に有利で
ある。軽質炭化水素が高オクタン価ガソリン基材へ転化
する際には、脱水素を含む反応が進行するので、反応条
件下では水素を添加しなくとも反応にみあう水素分圧を
有することとなる。意図的な水素の添加は、コークの堆
積を抑制し、再生頻度を減らす利点があるが、高オクタ
ン価ガソリン基材の収率は水素分圧の増加により急激に
低下するため必ずしも有利ではない。それ故、水素分圧
は5kg/cm2以下に抑えることが好ましい。 [0020] 本発明の軽質炭化水素転化方法で実施される反応様式と
しては、固定床、移動床あるいは流動床のいずれの形態
も使用可能である。反応物流量は、固定床の場合、ガス
空間速度(1/hr)で100〜10000、好ましく
は100〜2000である。反応様式として固定床以外
のものを使用するにあたっても、接触時間は固定床と同
様の値となるように考慮すればよい。 [0021]
オレフィンを主成分として含む軽質炭化水素よりリサー
チ法オクタン価95以上の高オクタン価ガソリン基材を
製造するに際し、該軽質炭化水素を、温度350〜65
0℃、水素分圧2. 5kg/cm以下の条件で、SiC2及びGao4四面
体で骨格が構成され、かつMxO(Mはアルカリ金属又
はアルカリ土類金属を表わし、Xは、Mがアルカリ金属
の場合は2であり、Mがアルカリ土類金属の場合は2で
ある)とGa2O3と(7)(−ル比が0.5〜2.5
及びS l 02とG a 203のモル比が18〜1
50の範囲にある結晶性ガロシリケートの水素型ガロシ
リケートと接触させることを特徴とする高オクタン価ガ
ソリン基材の製造方法が提供さ−れる。 [0006] 本明細書でいう高オクタン価ガソリン基材とは、リサー
チ法オクタン価95以上であり、炭素数6〜10の芳香
族を多量に含むものである。この高オクタン価ガソリン
は、自動車用燃料あるいは、芳香族製造用として使用し
うるものである。また、本明細書でいう高オクタン価ガ
ソリン製造原料となる軽質炭化水素とは炭素数2〜7の
パラフィン及び/又はオレフィンを主成分として含むも
のであり、炭素数5〜7のパラフィンを主成分とするナ
フサ留分中の沸点100℃以下の軽質留分等がその代表
例となる。 [0007] 本発明で用いる結晶性ガロシリケートは、水熱合成によ
るゲル結晶化やシリケートゼオライト結晶の格子骨格中
にガリウムを挿入する方法で得ることができる。ゲル結
晶化法は、目的とする量のガリウムを含有させて結晶性
ガロシリケートを調製できるので簡便な方法である。ゲ
ル結晶化法による結晶性ガロシリケートは、シリケート
合成のために必要な成分の他に、必須成分としてガリア
源を含む水性混合物を水熱合成条件に保持することによ
り得ることができる。例えば、シリカ源としては、ケイ
酸ソーダ、ケイ酸カリウム等のケイ酸塩、コロイド状シ
リカ、シリカ粉末等を用いることができる。また、ガリ
ア源としては、硝酸ガリウム、塩化ガリウム等のガリウ
ム塩や酸化ガリウム等を用いることができる。目的とす
る結晶性ガロシリケートの成長を速めるとともに純度を
良くし、良質の製品を得るために有機添加物も使用でき
る。有機添加物としては、テトラプロピルアンモニウム
塩、テトラブチルアンモニウム塩、トリプロピルメチル
アンモニウム塩等の第4級アンモニウム塩、プロピルア
ミン、ブチルアミン、アニリン、ジプロピルアミン、ジ
ブチルアミン、モルホリン等のアミン、エタノールアミ
ン、ジグリコールアミン、ジェタノールアミン等のアミ
ノアルコール、エタノール、プロピルアルコール、エチ
レングリコール、ピナコール等のアルコールの他、有機
酸、エーテル、ケトン、アミノ酸、エステル、チオアル
コールあるいは、チオエーテルを用いることができる。 さらに、水熱合成条件下で、上記の有機添加物を生成す
るような化合物を使用することもできる。アルカリ金属
源、アルカリ土類金属源としては、ナトリウム、カリウ
ム等のアルカリ金属、マグネシウム、カルシウム等のア
ルカリ土類金属の各水酸化物、ハロゲン化物、硫酸塩、
硝酸塩、炭酸塩等を用いることができる。原料中には、
上記の化合物の他に、pH調整剤として、硫酸、硝酸等
の鉱酸を含んでもよい。上記の各々の原料となる一種以
上の化合物を含む水性原料混合物は、50〜300℃、
好ましくは、100〜250℃の自己圧下で、1時間〜
7日程度、好ましくは、1〜5日間保持することにより
結晶操作を行う。また、この生成物は、必要に応じ、慣
用の変性化処理を施すことができる。従って、本明細書
でいう結晶性ガロシリケートは、前記水熱合成によって
製造されたものの他、その変性化処理によって得られる
各種の変性物をも包含するものである。 [0008] MASNMR(Magic Angle Spin
ning NuclearMagnetic Re
5onance)分析により、結晶性シリケートの結晶
構造中に存在する元素及びその組成について有益な情報
を直接あるいは間接的に得ることができる。例えば、ア
ルミノシリケートにおいては、アニオン性骨格構造中の
四面体配位のA1についての情報が27AI−NMRに
より得られる。また、構造中の(S i○)四面体に隣
接する4個の四面体(T 04 : T =A l 、
S 1)に関する情報が295i−NMRにより得
られる。本明細書中に示すガロシリケートにおいても、
71Ga−NMRにより骨格構造中の四面体配位のAl
、Gaの29 ・ 存在が示され、 Sl−NMR分析の情報から結晶構造
中のSiO/Ga2O3モル比が推算された。 [0009] 結晶性ガロシリケートの化学的特性の1つとして酸性質
が挙げられる。一般に酸量はアンモニア、ピリジン等の
塩基性物質を用いた昇温脱離や吸着熱測定等により測定
することができる。ガロシリケートでは、合成に使用し
たガリウムの量にみあう酸量が測定されており、ガリウ
ムが結晶構造中のアニオン性骨格構造中にあることが示
される。 [0010] 本発明で用いる結晶性ガロシリケートは、一般的に、骨
格構造中に0.6〜1o、o重量%のガリウムを含有し
、S iO/ G a 203のモル比18〜150で
2 あるが、その組成が、500℃以上の焼成物の酸化物の
モル比で表わして、次式で示されるものが好ましい。ま
た、本発明で用いる結晶性ガロシリケートは、その製造
原料由来のアルミナを不純物として微量含む場合がある
が、このような微量のアルミナの存在は特に問題とされ
ない。一般には、31021モル当り0゜001モル程
度までのアルミナの存在は許容される。 [0011] aMXO・GaO・bSiO2・CH2O3 [0012] 前記組成式中、Mはアルカリ金属又はアルカリ土類金属
を表わし、Xは、Mがアルカリ金属のときは1、Mがア
ルカリ土類金属のときは0.5である。また、a−Cは
次の数値を示す。 [0013] a:o、5〜2.5、好ましくは0.6〜2.00b:
18〜150、好ましくは20〜1400c:1〜10
0、好ましくは1〜50゜[0014] 特に有用なシリケートはMFIタイプ及び/又はMEL
タイプである。MFIタイプ、MELタイプシリケート
は、「The 5tructure Comm1s
sion of the Internatio
nal ZeoliteAssociation」に
より公表された種類の公知ゼオライト構造型に属するも
のである[At1as of Zeolite
5tructure Types、by W、M、
Meiyer and D、H,01son (1
978):Distributed by Po1
ycrystal Book 5ervice、P
ittsburgh、PA、 USA、l。 [0015] 水熱合成で得られるガロシリケートは、通常、ナトリウ
ムやカリウム等のアルカリ金属および/またはマグネシ
ウム、カルシウム等のアルカリ土類金属を含んでいるが
、本発明においては、触媒とするために、水素型ガロシ
リケートに変換させる。このための方法としては、例え
ば、塩化アンモニウムや硝酸アンモニウム等のアンモニ
ウム塩を含む水溶液中でイオン交換し、アンモニウム型
とした後に、350〜650℃に焼成する。また、水素
処理及び/又は水蒸気処理はガロシリケート触媒の芳香
族化活性の維持に効果がある。ま本発明で用いるガロシ
リケートは種々の形態で用いることができ、粉末状の他
、アルミナ、シリカ等のバインダーを加えて、押出し成
形や、スプレードライ、打錠成形等の方法で、粒状板状
、ペレット状等の各種成形体とすることができる。前記
水素型ガロシリケートを得るための処理は、粉末状のも
のに対して適用し得る他、このような成形体に対して適
用することもできる。 [0016] 本発明で用いる水素型ガロシリケートは、軽質炭化水素
を原料とした高オクタン価ガソリン基材製造用触媒とし
て極めてすぐれた触媒活性を有する。 [0017] 本発明により高オクタン価ガソリン基材を製造するには
、軽質炭化水素を、温度350〜650℃、水素分圧5
kg/cm2以下の条件で、水素型ガロシリケートに接
触させる。この場合、触媒として用いる水素型ガロシリ
ケートは、補助成分として金属成分を担持させて用いる
ことができる。この場合、担持金属としては、触媒活性
を向上させるものとして、マグネシウム、カルシウム、
ストロンチウム、バリウム、ランタン、セリウム、チタ
ン、バナジウム、クロム、モリブデン、タングステン、
マンガン、レニウム、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジ
ウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、
銀、亜鉛、アルミニウム、インジウム、ゲルマニウム、
スズ、鉛、リン、アンチモン、ビスマス、セレン等が挙
げられる。これらの金属は、単独の他、2種以上を組合
わせて用いることもでき、その担持量は金属換算で0.
1〜10重量%である。金属の担持方法としては、イオ
ン交換法、含浸法等の公知の技術を用いることができる
。また、本発明で触媒として用いる水素型ガロシリケー
トには、反応に際してのコークの堆積の抑制を目的とし
て、マグネシウム、カルシウム、ランタン及びセリウム
、ルテニウム、イリジウム中から選ばれる1種以上の金
属を担持させることができ、その担持量は、金属換算で
0.01〜5重量%である。 [0018] 前記本発明の軽質炭化水素の転化方法における反応温度
は、反応物である軽質炭化水素の組成と高オクタン価ガ
ソリン基材の収率等を考慮して定められるが、350〜
650℃が好ましい範囲である。反応温度を低くするこ
とは、メタン、エタン等の軽質ガスの副生を抑えるもの
の、高オクタン価ガソリン基材の収率を減少させる。ま
た、高温では高オクタン価ガソリン基材の収率を高める
ことができるが、コーク等による触媒の活性低下を促進
し、触媒の再生頻度を増加させることとなる。軽質炭化
水素がn−パラフィンを主成分とする場合には、450
〜650℃、イソ−パラフィンを主成分とする場合には
、400〜600℃、オレフィンを主成分とする場合に
は、350〜550℃がさらに好ましい温度範囲となる
。 [0019] また、前記転化方法においては、大気圧下でも十分な高
オクタン価ガソリンの収率が得られるため、特に高圧は
必要としない。しかし、反応物がエタン、プロパン等の
軽質ガスを多量に含む場合や、副生ずる水素あるいはプ
ロパン、ブタンをLPGとして使用することを考慮すれ
ば、20kg/cm2程度までの加圧は経済的に有利で
ある。軽質炭化水素が高オクタン価ガソリン基材へ転化
する際には、脱水素を含む反応が進行するので、反応条
件下では水素を添加しなくとも反応にみあう水素分圧を
有することとなる。意図的な水素の添加は、コークの堆
積を抑制し、再生頻度を減らす利点があるが、高オクタ
ン価ガソリン基材の収率は水素分圧の増加により急激に
低下するため必ずしも有利ではない。それ故、水素分圧
は5kg/cm2以下に抑えることが好ましい。 [0020] 本発明の軽質炭化水素転化方法で実施される反応様式と
しては、固定床、移動床あるいは流動床のいずれの形態
も使用可能である。反応物流量は、固定床の場合、ガス
空間速度(1/hr)で100〜10000、好ましく
は100〜2000である。反応様式として固定床以外
のものを使用するにあたっても、接触時間は固定床と同
様の値となるように考慮すればよい。 [0021]
本発明で用いる水素型ガロシリケートは、従来のアルミ
ノシリケートに比較して、軽質炭化水素の高オクタン価
ガソリン基材への転化反応に対し、すぐれた触媒活性を
示す。 [0022]
ノシリケートに比較して、軽質炭化水素の高オクタン価
ガソリン基材への転化反応に対し、すぐれた触媒活性を
示す。 [0022]
次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
[0023]
【実施例1】
(ガロシリケートの製造)
213.3gの珪酸ナトリウム(Jケイ酸ソーダ3号、
28〜30wt%Si○ 9〜10wt%N a 20
、残部水、日本化学工業(株)製)および278゜2ゝ 4gの水からなる溶液(I) 4.6gのGa(No
3)3・9H20,13,6gのテトラプロピルアンモ
ニウムブロマイド、22.9gのH2S04(97wt
%) 81.6gのNaC1および372.0gの水
からなる溶液(II)をそれぞれ調製した。 [0024] 次いで、上記溶剤(I)の中に溶液(II)を室温で撹
拌しながら徐々に入れ、その混合物をミキサーにて5分
間攪拌した。攪拌後、混合物をステンレス製オートクレ
ーブに入れ、180℃にて88時間、自己圧力下、結晶
化操作を行った。 [0025] その後とり出し、生成物を吸引濾過し、約11の水で5
回洗浄、濾過を繰り返した。濾別した面形物を120℃
で3時間乾燥し、さらに550℃、空気雰囲気下で3時
間焼成し、ガロシリケートを得た。生成物は、MFI構
造をもつことがX線回折により判明した。またこのガロ
シリケー) (Ga−3)のモル組成は次の通りである
。 80、4SiO°1. OGa O′0.9Na O:
9.0H202° 23゛ 2 また、前記と同様にして、後記衣1に示す組成のガロシ
リケートを調製した[0026]
28〜30wt%Si○ 9〜10wt%N a 20
、残部水、日本化学工業(株)製)および278゜2ゝ 4gの水からなる溶液(I) 4.6gのGa(No
3)3・9H20,13,6gのテトラプロピルアンモ
ニウムブロマイド、22.9gのH2S04(97wt
%) 81.6gのNaC1および372.0gの水
からなる溶液(II)をそれぞれ調製した。 [0024] 次いで、上記溶剤(I)の中に溶液(II)を室温で撹
拌しながら徐々に入れ、その混合物をミキサーにて5分
間攪拌した。攪拌後、混合物をステンレス製オートクレ
ーブに入れ、180℃にて88時間、自己圧力下、結晶
化操作を行った。 [0025] その後とり出し、生成物を吸引濾過し、約11の水で5
回洗浄、濾過を繰り返した。濾別した面形物を120℃
で3時間乾燥し、さらに550℃、空気雰囲気下で3時
間焼成し、ガロシリケートを得た。生成物は、MFI構
造をもつことがX線回折により判明した。またこのガロ
シリケー) (Ga−3)のモル組成は次の通りである
。 80、4SiO°1. OGa O′0.9Na O:
9.0H202° 23゛ 2 また、前記と同様にして、後記衣1に示す組成のガロシ
リケートを調製した[0026]
【実施例2】
(触媒の調製)
実施例1で得たガロシリケートのそれぞれに、バインダ
ーとしてのアルミナパウダー(Cataloid A
P、触媒化成工業(株)製)と水とを加えて押出成形し
、120℃で3時間乾燥後、550℃で3時間空気雰囲
気下で焼成した。 次いで、各成形物1グラム当り5mlの2.2規定硝酸
アンモニウム水溶液を加え、100℃、2時間イオン交
換した。この操作を4回繰り返した後、120℃で3時
間乾燥し、NH4型とした。 さらに550℃、空気雰囲気下にて3時間焼成すること
により、表1に示した水素型のガロシリケート触媒H−
[Ga−1〕〜H[Ga−9)をそれぞれ得た[002
7] また、比較のために、表5に示すモル組成を有する7種
の結晶性アルミノシリケート(All〜Al−7)を用
い、前記と同様にして水素型のアルミノシリケート (
H−[’Al−1〕〜H−(AI−7))を得た。 これらのガロシリケート及びアルミノシリケートは、X
線回折分析によりMF工構造タイプであった。 [0028]
ーとしてのアルミナパウダー(Cataloid A
P、触媒化成工業(株)製)と水とを加えて押出成形し
、120℃で3時間乾燥後、550℃で3時間空気雰囲
気下で焼成した。 次いで、各成形物1グラム当り5mlの2.2規定硝酸
アンモニウム水溶液を加え、100℃、2時間イオン交
換した。この操作を4回繰り返した後、120℃で3時
間乾燥し、NH4型とした。 さらに550℃、空気雰囲気下にて3時間焼成すること
により、表1に示した水素型のガロシリケート触媒H−
[Ga−1〕〜H[Ga−9)をそれぞれ得た[002
7] また、比較のために、表5に示すモル組成を有する7種
の結晶性アルミノシリケート(All〜Al−7)を用
い、前記と同様にして水素型のアルミノシリケート (
H−[’Al−1〕〜H−(AI−7))を得た。 これらのガロシリケート及びアルミノシリケートは、X
線回折分析によりMF工構造タイプであった。 [0028]
【表1】
*シリケートの製造原料から不純物として導入された。
[0029]
【実施例3】
前記の水素型のガロシリケート触媒を用い、流通式反応
装置を用いてn−ヘキサンの転化反応を行った。この場
合の反応条件としては、温度:538’C1圧力ニ1a
tm、水素分圧:0.7kg/cm2以下、LH3V
(1/hr): 2、触媒量:3ml (16〜24
メツシユパス) 反応時間:1時間を採用した。 得られた反応生成物は、装置に直結されたガスクロマト
グラフを用いて分析した。 また比較のために、水素型アルミノシリケートを触媒と
して用いた以外は前記と同様にして実験を行った。ガロ
シリケート及びアルミノシリケート触媒に関する反応実
験データを表2及び表3に示す。 [0030]
装置を用いてn−ヘキサンの転化反応を行った。この場
合の反応条件としては、温度:538’C1圧力ニ1a
tm、水素分圧:0.7kg/cm2以下、LH3V
(1/hr): 2、触媒量:3ml (16〜24
メツシユパス) 反応時間:1時間を採用した。 得られた反応生成物は、装置に直結されたガスクロマト
グラフを用いて分析した。 また比較のために、水素型アルミノシリケートを触媒と
して用いた以外は前記と同様にして実験を行った。ガロ
シリケート及びアルミノシリケート触媒に関する反応実
験データを表2及び表3に示す。 [0030]
【表2】
1触媒
l H−(Ga−1) l H−(Ga−2) l H
−(Ga−3) l H−(Ga−4) l H−(G
a−5) !1転化率(%) 00 99.8 00 99.8 84.2 1芳香族収率 1 1 (Cwt%)I 63.8 67.7 64.2 63.6 32.8 1触媒 l H−(Ga−6) l H−(Ga−7) l H
−(Ga−8) l )I−(Ga−9) 11転化率
(%) 89.1 71.6 72.8 75.8 ! 1芳香族収率 1 1 (Cwt%)1 34.7 16.7 17.0 19.7 ? [0031]
−(Ga−3) l H−(Ga−4) l H−(G
a−5) !1転化率(%) 00 99.8 00 99.8 84.2 1芳香族収率 1 1 (Cwt%)I 63.8 67.7 64.2 63.6 32.8 1触媒 l H−(Ga−6) l H−(Ga−7) l H
−(Ga−8) l )I−(Ga−9) 11転化率
(%) 89.1 71.6 72.8 75.8 ! 1芳香族収率 1 1 (Cwt%)1 34.7 16.7 17.0 19.7 ? [0031]
【表3】
1触媒
l H−(AI−1) l H−(Al−2) l H
−(Al−3) l H−(Al−4) l H−(A
I−5) 11転化率(%) 00 00 00 00 00 1芳香族収率 1 1 (Cwt%)1 55.3 50.9 ■ 44.4 40.1 38.2 1触媒 l H−(Al−6) l H−(AI−7) 11転
化率(%) 1 92.7 1 40.5 11芳香
族収率 1 17.1 l 2.4 l(Cw
t%)1 1 I[0032] 実施例4 実施例2で示した水素型のガロシリケートH−(Ga−
3)を触媒として用い表4に示す組成のナフサを用いて
反応試、験を行った。この場合、反応条件としては、温
度:538℃、圧カニ3kg/Cm2G、水素分圧:1
kg/cm2以下液空時速度(1/hr):1、共存ガ
ス:N2(流量: l0NI/hr) 、触媒量:20
ccを採用した。 また、比較のために、水素型のアルミノシリケートH−
〔Al−1〕を触媒として用いて、同様にして反応実験
を行った。 [0033] 前記反応実験の結果、本発明触媒では、反応開始後40
時間での芳香族収率50wt%の結果が得られたのに対
し、比較触媒では、芳香族収率39wt%が得られな。 [0034]
−(Al−3) l H−(Al−4) l H−(A
I−5) 11転化率(%) 00 00 00 00 00 1芳香族収率 1 1 (Cwt%)1 55.3 50.9 ■ 44.4 40.1 38.2 1触媒 l H−(Al−6) l H−(AI−7) 11転
化率(%) 1 92.7 1 40.5 11芳香
族収率 1 17.1 l 2.4 l(Cw
t%)1 1 I[0032] 実施例4 実施例2で示した水素型のガロシリケートH−(Ga−
3)を触媒として用い表4に示す組成のナフサを用いて
反応試、験を行った。この場合、反応条件としては、温
度:538℃、圧カニ3kg/Cm2G、水素分圧:1
kg/cm2以下液空時速度(1/hr):1、共存ガ
ス:N2(流量: l0NI/hr) 、触媒量:20
ccを採用した。 また、比較のために、水素型のアルミノシリケートH−
〔Al−1〕を触媒として用いて、同様にして反応実験
を行った。 [0033] 前記反応実験の結果、本発明触媒では、反応開始後40
時間での芳香族収率50wt%の結果が得られたのに対
し、比較触媒では、芳香族収率39wt%が得られな。 [0034]
【表4】
−
1
1
1
成分
1
(重量
%)
1
I
I
【
1
n−ブタン
1
8,
○
I
1
I
1
2
シクロペンタン
1
2.
0
1
1
I
■
1
イソーベンタン
1
17.
O
1
1
1
■
1
n−ペンタン
I
25.
O
■
1
1
1
1
ベンゼン
1
4.
O
J
1
■
■
1
メチルシクロペンタン
1
1.
0
1
■
=
■
1
シクロヘキサン
1
1.
0
薯
1
■
I
1
2,3−ジメチルブタン
1
2.
O
I
1
!
1
■
2−メチルペンタン
2
12.
5
1
1
!
■
■
3−メチルペンタン
1
7,
5
1
1
翼
1
1
n−ヘキサン
1
17.
O
1
1
l
l
1
その他
■
3.
O
■
畷
1
1
【図面の簡単な説明】
【図1】
アルミノシリケート
(曲線1.
3)及びガロシリケート
(曲線2.
4)
を用い
た反応結果を示すグラフである。
図面
【図1】
Claims (2)
- 【請求項1】炭素数2〜7のパラフィン及び/又はオレ
フィンを主成分として含む軽質炭化水素よりリサーチ法
オクタン価95以上の高オクタン価ガソリン基材を製造
するに際し、該軽質炭化水素を、温度350〜650℃
、水素分圧5kg/cm^2以下の条件で、SiO_4
及びGaO_4四面体で骨格が構成され、かつMxO(
Mはアルカリ金属又はアルカリ土類金属を表わし、xは
、Mがアルカリ金属の場合は2であり、Mがアルカリ土
類金属の場合は1である)とGa_2O_3とのモル比
が0.5〜2.5及びSiO_2とGa_2O_3のモ
ル比が18〜150の範囲にある結晶性ガロシリケート
の水素型ガロシリートと接触させることを特徴とする高
オクタン価ガソリン基材の製造方法。 - 【請求項2】該軽質炭化水素が、炭素数5〜7のパラフ
ィン及び/又はオレフィンを50重量%以上含む請求項
1の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2413348A JPH03277692A (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | 高オクタン価ガソリン基材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2413348A JPH03277692A (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | 高オクタン価ガソリン基材の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62002752A Division JPH0816228B2 (ja) | 1986-01-09 | 1987-01-09 | 高オクタン価ガソリン基材の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03277692A true JPH03277692A (ja) | 1991-12-09 |
JPH0565554B2 JPH0565554B2 (ja) | 1993-09-17 |
Family
ID=18522017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2413348A Granted JPH03277692A (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | 高オクタン価ガソリン基材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03277692A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8606567B2 (en) | 2009-07-17 | 2013-12-10 | Sony Corporation | Signal encoding apparatus, signal decoding apparatus, signal processing system, signal encoding process method, signal decoding process method, and program |
US9656232B2 (en) | 2010-03-26 | 2017-05-23 | Chiyoda Corporation | Method for producing aromatic hydrocarbons and aromatic hydrocarbon production plant |
-
1990
- 1990-12-21 JP JP2413348A patent/JPH03277692A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8606567B2 (en) | 2009-07-17 | 2013-12-10 | Sony Corporation | Signal encoding apparatus, signal decoding apparatus, signal processing system, signal encoding process method, signal decoding process method, and program |
US9656232B2 (en) | 2010-03-26 | 2017-05-23 | Chiyoda Corporation | Method for producing aromatic hydrocarbons and aromatic hydrocarbon production plant |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0565554B2 (ja) | 1993-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0816228B2 (ja) | 高オクタン価ガソリン基材の製造方法 | |
US4795732A (en) | Sulphided platinum group metal-silicalite dehydrogenation catalysts | |
AU628031B2 (en) | A dehydrogenation and dehydrocyclization catalyst, its synthesis and use | |
JPS6121985B2 (ja) | ||
JP2740819B2 (ja) | 高オクタン価ガソリン基材の製造方法 | |
US4657750A (en) | Process for the production of crystalline silicate ISI-4 using ethylene glycol | |
AU615552B2 (en) | Chemical process and catalyst | |
JPS624326B2 (ja) | ||
AU647871B2 (en) | Process for dehydrogenation of paraffins to yield alkenes | |
JPH0118013B2 (ja) | ||
JPS623090B2 (ja) | ||
US5202513A (en) | Process for producing aromatic hydrocarbons | |
JPH03277692A (ja) | 高オクタン価ガソリン基材の製造方法 | |
WO2004076064A1 (en) | Catalyst and process for the preparation of linear alkanes | |
JP3061897B2 (ja) | 合成結晶アルミノケイ酸塩および石油化学プロセスで炭化水素を触媒反応させる方法 | |
US5208201A (en) | Chemical process and catalyst | |
JP3966429B2 (ja) | 芳香族炭化水素製造用触媒 | |
JP3068347B2 (ja) | 高オクタン価ガソリン基材の製造方法 | |
EP0299392B1 (en) | Process for production of crystalline galloalumino silicate and process for production of aromatic hydrocarbons | |
JPS617218A (ja) | 炭化水素の接触転化方法 | |
EP0061799B1 (en) | Crystalline silicates | |
JP4621000B2 (ja) | 高オクタン価ガソリン基材の製造方法 | |
WO2005083040A1 (ja) | 高オクタン価ガソリン基材の製造方法 | |
JP2005247932A (ja) | 高オクタン価ガソリン基材の製造方法 | |
JPS6338077B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |