JPH03271365A - 電極材料 - Google Patents
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- JPH03271365A JPH03271365A JP2068309A JP6830990A JPH03271365A JP H03271365 A JPH03271365 A JP H03271365A JP 2068309 A JP2068309 A JP 2068309A JP 6830990 A JP6830990 A JP 6830990A JP H03271365 A JPH03271365 A JP H03271365A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電極材料に関し、特に、安価で高性能且つ毒
性のないリチウム電池用等のカソードに好適な電極材料
を得るための新規な改良に関する。
性のないリチウム電池用等のカソードに好適な電極材料
を得るための新規な改良に関する。
従来、用いられていたこの種のリチウム電池用のカソー
ド材料としては種々あるが、その中で代表的なものにつ
いて述べると、各種の硫化物（ＴｉＳ２． Ｍｏ５ｚ、
ＮｂＳｅｚ、 Ｚｒ５ｚ等）や、特開昭６３−２１０
０２８号公報及び特開平１−１５７０６７号公報に開示
された酸化物（ＭｎＯ２，Ｖ２Ｏ５，ＮｂＯ５，Ｃｒ０
＝等）が用いられていた。
ド材料としては種々あるが、その中で代表的なものにつ
いて述べると、各種の硫化物（ＴｉＳ２． Ｍｏ５ｚ、
ＮｂＳｅｚ、 Ｚｒ５ｚ等）や、特開昭６３−２１０
０２８号公報及び特開平１−１５７０６７号公報に開示
された酸化物（ＭｎＯ２，Ｖ２Ｏ５，ＮｂＯ５，Ｃｒ０
＝等）が用いられていた。
従来の電極材料は、以上のように構成されていたため、
これらの電極材料をリチウム電池用カソード材料として
用いた場合には、次のような課題が存在していた。
これらの電極材料をリチウム電池用カソード材料として
用いた場合には、次のような課題が存在していた。
すなわち、前述の硫化物の場合、硫化水素が発生し、そ
の取扱いが極めて困難であった。
の取扱いが極めて困難であった。
一方、前述の酸化物の場合、Ｎｎ０２及びＮｂ２Ｏ，の
材質では、導電率が低く、十分な電池特性が得られなか
った。・ また、ＣｒＯ３を用いた場合には、その毒性が強く、電
池使用後の公害問題も発生していた。
材質では、導電率が低く、十分な電池特性が得られなか
った。・ また、ＣｒＯ３を用いた場合には、その毒性が強く、電
池使用後の公害問題も発生していた。
さらに、前述の硫化物及び酸化物は、高価であり、リチ
ウム電池の低価格化に対する大きい障害となっていた。
ウム電池の低価格化に対する大きい障害となっていた。
本発明は、以上のような課題を解決するためになされた
もので、特に、安価で高性能且つ毒性のないリチウム電
池用等のカソードに好適な電極材料を提供することを目
的とする。
もので、特に、安価で高性能且つ毒性のないリチウム電
池用等のカソードに好適な電極材料を提供することを目
的とする。
本発明による電極材料は、Ｃｕ及びＨｎを主成分とする
二種の金属よりなるＣｕｘＭｎ＊−ｘＬの組成よりなる
構成である。
二種の金属よりなるＣｕｘＭｎ＊−ｘＬの組成よりなる
構成である。
本発明による電極材料の製造方法は、Ｃｕ及びＭｎを主
成分とする二種の金属をターゲットとし、ガス雰囲気中
で前記二種の金属をスパッタリング処理により基板上に
導き、前記基板上に形成されたＣｕｘＨｎ３−ｘＯ＋よ
りなる電極材料を得るようにした方法である。
成分とする二種の金属をターゲットとし、ガス雰囲気中
で前記二種の金属をスパッタリング処理により基板上に
導き、前記基板上に形成されたＣｕｘＨｎ３−ｘＯ＋よ
りなる電極材料を得るようにした方法である。
さらに詳細には、前記基板の温度は約１５０℃以上であ
る方法である。
る方法である。
本発明による電極材料及びその製造方法においては、電
極材料がＣｕｘＭｎ＋−ｘＯ４のスピネル型酸化物で構
成されているため、Ｃｕの作用により極めて良好な導電
性を示すと共に、その毒性も皆無であることにより、極
めて特性の良いリチウム電池等を得ることができる。
極材料がＣｕｘＭｎ＋−ｘＯ４のスピネル型酸化物で構
成されているため、Ｃｕの作用により極めて良好な導電
性を示すと共に、その毒性も皆無であることにより、極
めて特性の良いリチウム電池等を得ることができる。
さらに、その製造方法においては、ＣｕとＮｎをターゲ
ットとして、スパッタリング処理により基板に成膜する
ようにしているため、殆ど人手を介することなく、成分
や導電率を可変として、任意の特性の電極材料を得るこ
とができる。
ットとして、スパッタリング処理により基板に成膜する
ようにしているため、殆ど人手を介することなく、成分
や導電率を可変として、任意の特性の電極材料を得るこ
とができる。
以下、図面と共に本発明による電極材料及びその製造方
法の好適な実施例について詳細に説明する。
法の好適な実施例について詳細に説明する。
まず、スパッタリング処理により電極材料を製造する場
合について説明する。
合について説明する。
ターゲットとして、純金属であるＣｕとＮｎを、第１図
に示すスパッタリング装置のチャンバー１内に配設し、
周知の手段により、酸素を主成分とするガス中での、Ｃ
ｕとＨｎの二元同時反応性スパッタリング処理により、
図示しない基板上に、（ｕｘＭｎｚｘＯ４のスピネル型
酸化物よりなる複合化合物を成膜することができる。
に示すスパッタリング装置のチャンバー１内に配設し、
周知の手段により、酸素を主成分とするガス中での、Ｃ
ｕとＨｎの二元同時反応性スパッタリング処理により、
図示しない基板上に、（ｕｘＭｎｚｘＯ４のスピネル型
酸化物よりなる複合化合物を成膜することができる。
この場合、基板温度を種々変化させることにより、その
結晶化度すなわち導電率を調整することが可能であり、
例えば、第４図のＸ線回折パターンに示すように、基板
温度が５０℃では、結晶化率が低い状態を示している。
結晶化度すなわち導電率を調整することが可能であり、
例えば、第４図のＸ線回折パターンに示すように、基板
温度が５０℃では、結晶化率が低い状態を示している。
すなわち、第４図のＸ線回折パターンにおいて、ピーク
が鋭いほど結晶化度が進んでいることを示し、導電率が
高いことを示しているが、基板温度が２００℃の場合は
、基板温度が３００℃で製造されたものと比較すると、
それほど結晶化度が進行していないが、リチウム電池等
のカソードに用いる電極材料としては十分な導電特性を
有しているものである。
が鋭いほど結晶化度が進んでいることを示し、導電率が
高いことを示しているが、基板温度が２００℃の場合は
、基板温度が３００℃で製造されたものと比較すると、
それほど結晶化度が進行していないが、リチウム電池等
のカソードに用いる電極材料としては十分な導電特性を
有しているものである。
また、前記基板温度が３００℃の状態となると、各ピー
クは、２００℃の状態よりもさらに鋭くなり、結晶化度
が十分に進行した状態を示している。
クは、２００℃の状態よりもさらに鋭くなり、結晶化度
が十分に進行した状態を示している。
なお、前述の基板温度は約１００℃以下となると、結晶
化度の進行が十分でなく、電極材料としての導電度に達
していない。
化度の進行が十分でなく、電極材料としての導電度に達
していない。
さらに、前述のＣｕ、 Ｍｎに投入する投入電力を各々
独立して調整することにより、そのスパッタ量を調整す
ることができ、所望する組成のＣｕｘＨｎ３−ｘＯ４（
０，５＜ ｘ ＜２．０）を安易に合成することができ
る。
独立して調整することにより、そのスパッタ量を調整す
ることができ、所望する組成のＣｕｘＨｎ３−ｘＯ４（
０，５＜ ｘ ＜２．０）を安易に合成することができ
る。
尚、Ｘの値が、０．５〜２．０の範囲を外れると、電極
材に適したスピネル型の化合物が得られない。また、前
述の実施例においては、ＣｕとＭｎを二元同時反応スパ
ッタリングで成膜した場合について述べたが、例えば、
第２図に示すように、Ｍｎターゲット３の上に、Ｃｕの
小さい片からなるＣｕターゲット４を載置したオンチッ
プ構造のターゲットとした場合、第３図に示すように、
扇形のＮｏターゲット ３ＡとＣｕターゲット４Ａを交互にラジアル方向に配設
した複合ターゲットとした場き、並びに、酸化物をター
ゲットとした場合等も、同等の作用効果を得ることがで
きるものである。
材に適したスピネル型の化合物が得られない。また、前
述の実施例においては、ＣｕとＭｎを二元同時反応スパ
ッタリングで成膜した場合について述べたが、例えば、
第２図に示すように、Ｍｎターゲット３の上に、Ｃｕの
小さい片からなるＣｕターゲット４を載置したオンチッ
プ構造のターゲットとした場合、第３図に示すように、
扇形のＮｏターゲット ３ＡとＣｕターゲット４Ａを交互にラジアル方向に配設
した複合ターゲットとした場き、並びに、酸化物をター
ゲットとした場合等も、同等の作用効果を得ることがで
きるものである。
また、前述のＣｕ、 Ｍｎも、純金属である場合に限ら
ず、例えば、Ｃｕの場合には、リチウム、ナトリウム、
カリウム、銀等の何れかが約１〜３０％含まれた場合、
また、Ｍｎの場合には、コバルト、モリブデン、クロム
、鉄、バナジウム、チタン、ジルコニウム、ニッケル、
タンタル等の何れがが約１〜３０％含まれた場合等も、
前述と同様の作用効果が得られるものである。
ず、例えば、Ｃｕの場合には、リチウム、ナトリウム、
カリウム、銀等の何れかが約１〜３０％含まれた場合、
また、Ｍｎの場合には、コバルト、モリブデン、クロム
、鉄、バナジウム、チタン、ジルコニウム、ニッケル、
タンタル等の何れがが約１〜３０％含まれた場合等も、
前述と同様の作用効果が得られるものである。
さらに、前記Ｘは、本発明方法では、０．５〜２．０位
とすることが可能であることが、実験の結果、明らかと
なった。
とすることが可能であることが、実験の結果、明らかと
なった。
尚、前述の複合酸化物ＣｕｘＭｎ３−ｘＯ４の製造方法
として、スパッタリング処理を説明したが、このスパッ
タリング処理に限ることなく、例えば、従来から周知の
固相合成法や共沈法などの液相合成法によって、スピネ
ル相単相を得た場合も、前述と全く同等の作用効果を得
ることができるものである。また、本発明による電極材
料の定電流放電特性は、第５図に示すように、極めて安
定した特性を維持できることが明らかである。
として、スパッタリング処理を説明したが、このスパッ
タリング処理に限ることなく、例えば、従来から周知の
固相合成法や共沈法などの液相合成法によって、スピネ
ル相単相を得た場合も、前述と全く同等の作用効果を得
ることができるものである。また、本発明による電極材
料の定電流放電特性は、第５図に示すように、極めて安
定した特性を維持できることが明らかである。
本発明による電極材料は、以上のように構成されている
ため、次のような効果を得ることができる。
ため、次のような効果を得ることができる。
（１）電極材料が、（：ｕｘＭｎ３−ｘＯ４の組成を有
するスピネル型酸化物で構成されているため、安価で且
つ毒性が皆無であり、リチウム電池等のカソード材料と
して用いた場合には、安全で公害のない電池を得ること
ができる。
するスピネル型酸化物で構成されているため、安価で且
つ毒性が皆無であり、リチウム電池等のカソード材料と
して用いた場合には、安全で公害のない電池を得ること
ができる。
（２）また、前述のＣｕｘＭｎ３−ｘＯ＋の複合酸化物
を、スパッタリング処理によって製造した場合には、基
板温度によって導電率の異なるものが得られると共に、
ＣｕとＭｎに投入する投入電力を変えることにより、Ｃ
ｕとＭｎの成分比を変えることができ、極めて簡単に種
々の使用目的に応じた特性の電極材料を得ることができ
る。
を、スパッタリング処理によって製造した場合には、基
板温度によって導電率の異なるものが得られると共に、
ＣｕとＭｎに投入する投入電力を変えることにより、Ｃ
ｕとＭｎの成分比を変えることができ、極めて簡単に種
々の使用目的に応じた特性の電極材料を得ることができ
る。
第１図から第５国道は、本発明による電極材料を示すた
めのもので、第１図はスパッタリング装置のチャンバー
を示す概略構成図、第２図及び第３図はターゲットの構
造を示す平面図、第４図は結晶化度を示すＸ線回折パタ
ーン、第５図は定電流放電特性を示す特性図である。 ２．２ａはターゲット、３．３ａはＭ ｒ＋ツタ−ット
、４．４ａはＣｕターゲットである。 代 理 人 曽 我 道 照 、立勾第１
図 第４図 ＩＣｕｘ Ｍｎ４−ｘ ０４のＸ線口子斤ＩＮ’ターン
）（口折角度２θ、ｄｅｇｌ
めのもので、第１図はスパッタリング装置のチャンバー
を示す概略構成図、第２図及び第３図はターゲットの構
造を示す平面図、第４図は結晶化度を示すＸ線回折パタ
ーン、第５図は定電流放電特性を示す特性図である。 ２．２ａはターゲット、３．３ａはＭ ｒ＋ツタ−ット
、４．４ａはＣｕターゲットである。 代 理 人 曽 我 道 照 、立勾第１
図 第４図 ＩＣｕｘ Ｍｎ４−ｘ ０４のＸ線口子斤ＩＮ’ターン
）（口折角度２θ、ｄｅｇｌ
Claims (1)
- （１）Ｃｕ及びＭｎを主成分とする二種の金属よりなる
Ｃｕ＿ｘＭｎ＿３＿−ｘＯ＿４（但しｘの値が０．５〜
２．０）の組成で構成されたことを特徴とする電極材料
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2068309A JPH03271365A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 電極材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2068309A JPH03271365A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 電極材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03271365A true JPH03271365A (ja) | 1991-12-03 |
Family
ID=13370079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2068309A Pending JPH03271365A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 電極材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03271365A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001266883A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-09-28 | Hitachi Maxell Ltd | リチウム電池用正極活物質およびそれを用いたリチウム電池 |
| US6489057B1 (en) * | 1999-10-12 | 2002-12-03 | Hitachi Maxell, Ltd. | Positive electrode-active material and lithium cell comprising the same |
| JP2012508448A (ja) * | 2008-11-07 | 2012-04-05 | イーグルピッチャー テクノロジーズ，エルエルシー | 非結晶性または半結晶性の銅−マンガンの酸化物カソード材料である非水性セル |
| JP2013058479A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Eaglepicher Technologies Llc | リチウム電池用高レートおよび高エネルギーカソード物質 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02267861A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-11-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 非水電解液電池の製造法 |
-
1990
- 1990-03-20 JP JP2068309A patent/JPH03271365A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02267861A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-11-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 非水電解液電池の製造法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001266883A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-09-28 | Hitachi Maxell Ltd | リチウム電池用正極活物質およびそれを用いたリチウム電池 |
| US6489057B1 (en) * | 1999-10-12 | 2002-12-03 | Hitachi Maxell, Ltd. | Positive electrode-active material and lithium cell comprising the same |
| JP2012508448A (ja) * | 2008-11-07 | 2012-04-05 | イーグルピッチャー テクノロジーズ，エルエルシー | 非結晶性または半結晶性の銅−マンガンの酸化物カソード材料である非水性セル |
| JP2013058479A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Eaglepicher Technologies Llc | リチウム電池用高レートおよび高エネルギーカソード物質 |
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