JPH03265592A - β―BaB↓2O↓4単結晶の製造方法 - Google Patents
β―BaB↓2O↓4単結晶の製造方法Info
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- JPH03265592A JPH03265592A JP6594290A JP6594290A JPH03265592A JP H03265592 A JPH03265592 A JP H03265592A JP 6594290 A JP6594290 A JP 6594290A JP 6594290 A JP6594290 A JP 6594290A JP H03265592 A JPH03265592 A JP H03265592A
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、非線形光学結晶であるβ−BaB20゜(ベ
ータバリウムボレイト)単結晶の製造方法に関し、更に
詳しくは、高品質のβ−BaBtO’*単結晶の製造方
法に関する。
ータバリウムボレイト)単結晶の製造方法に関し、更に
詳しくは、高品質のβ−BaBtO’*単結晶の製造方
法に関する。
BaBzO+は、BaO−8,032元系の中間化合物
として存在し、その内の低温β−相がβ−BaB20<
である。さらに、BaO−8,0,2元系(セルフ−フ
ラックス系)におけるβ−BaB204が安定して析出
する温度範囲が非常に狭いため、BaO−820,2元
系からは大きな単結晶を成長させることが難しいことが
知られている( E、 M、レビン(Levin)ら、
J、 Res。
として存在し、その内の低温β−相がβ−BaB20<
である。さらに、BaO−8,0,2元系(セルフ−フ
ラックス系)におけるβ−BaB204が安定して析出
する温度範囲が非常に狭いため、BaO−820,2元
系からは大きな単結晶を成長させることが難しいことが
知られている( E、 M、レビン(Levin)ら、
J、 Res。
Nath、Bur、Std、(US) 42 (194
!J) 131)。
!J) 131)。
そこで、BaO−820sに添加してβ−BaB20<
単結晶を育成させるのに適したフラックスが種々検討さ
れ、Na2Oが最も好ましいフラックスの1つであるこ
とが最近報告されている(チェノ(Cheng)ら(1
98B):JCG 89p553−559、ファイゲル
ソン(Feigelson)ら(1989) :JC
G 97、p352−365、タン(Tang)ら(1
989):ICCG 9) 。これまでの報告ではBa
B2O+ −NatO系でNa2Oが16〜30モル%
の範囲でβ−BaBzO1単結晶を育成することにより
、大型かつ透明なものを得ている。
単結晶を育成させるのに適したフラックスが種々検討さ
れ、Na2Oが最も好ましいフラックスの1つであるこ
とが最近報告されている(チェノ(Cheng)ら(1
98B):JCG 89p553−559、ファイゲル
ソン(Feigelson)ら(1989) :JC
G 97、p352−365、タン(Tang)ら(1
989):ICCG 9) 。これまでの報告ではBa
B2O+ −NatO系でNa2Oが16〜30モル%
の範囲でβ−BaBzO1単結晶を育成することにより
、大型かつ透明なものを得ている。
ところが、Na2Oをフラックスとして用いたβ−Ba
B204単結晶の中には光学的品質が必ずしも充分でな
いもの又は部分があり、得られた単結晶から光学的品質
が良好で実用可能な箇所を選ぶと、歩留り率が非常に低
い(約20%以下)という問題があった。この光学的品
質の欠陥は、単結晶の光透過率の低下及び光損傷の発生
となって現われる。
B204単結晶の中には光学的品質が必ずしも充分でな
いもの又は部分があり、得られた単結晶から光学的品質
が良好で実用可能な箇所を選ぶと、歩留り率が非常に低
い(約20%以下)という問題があった。この光学的品
質の欠陥は、単結晶の光透過率の低下及び光損傷の発生
となって現われる。
光学的品質の欠陥の原因は、Na2Oが単結晶中に不純
物として取り込まれ、10〜100μmオーダーのイン
クルージヨンとして存在すること及びさらに小さいサイ
ズの光散乱体を形成することである。このインクルージ
ヨンは肉眼観察が可能である。又、光散乱体は、結晶に
曇り感を与え、顕著な場合、レーザー光を通過させると
チンダル現象によって通過の道すじを観察することで確
認できる。
物として取り込まれ、10〜100μmオーダーのイン
クルージヨンとして存在すること及びさらに小さいサイ
ズの光散乱体を形成することである。このインクルージ
ヨンは肉眼観察が可能である。又、光散乱体は、結晶に
曇り感を与え、顕著な場合、レーザー光を通過させると
チンダル現象によって通過の道すじを観察することで確
認できる。
本発明の目的は、上述のインクルージヨン及び光散乱体
が存在しないか、又は少ない比較的大型のβ−BaBz
O4単結晶の製造方法を提供することにある。
が存在しないか、又は少ない比較的大型のβ−BaBz
O4単結晶の製造方法を提供することにある。
本発明は、実質的に50〜60モル%のBaO133〜
47モル%のB2O3及び3〜7モル%のNa2Oから
なる溶融物から、β−BaB2O.単結晶の引上げ軸を
この単結晶の特異面に対して実質的に垂直に保ち、かつ
β−BaB2O4単結晶と上記溶融物との接触界面を実
質的に平坦に保ちつつ、β−BaBt04単結晶を引上
げて育成することを特徴とするβ−BaB2O.単結晶
の製造方法に関する。
47モル%のB2O3及び3〜7モル%のNa2Oから
なる溶融物から、β−BaB2O.単結晶の引上げ軸を
この単結晶の特異面に対して実質的に垂直に保ち、かつ
β−BaB2O4単結晶と上記溶融物との接触界面を実
質的に平坦に保ちつつ、β−BaBt04単結晶を引上
げて育成することを特徴とするβ−BaB2O.単結晶
の製造方法に関する。
本発明の製造方法は、基本的には従来から公知のTSS
G法(Top 5eeded 5olution Gr
owth)を応用することにより行うことができる。即
ち、実質的にBaO、B2O.及びNa、Oから溶融物
を、例えば、炭酸バリウム、ホウ酸ナトリウム及びホウ
酸を混合し、相図から定まる液相線以上の温度に加熱し
て均一化することにより作成する。
G法(Top 5eeded 5olution Gr
owth)を応用することにより行うことができる。即
ち、実質的にBaO、B2O.及びNa、Oから溶融物
を、例えば、炭酸バリウム、ホウ酸ナトリウム及びホウ
酸を混合し、相図から定まる液相線以上の温度に加熱し
て均一化することにより作成する。
本発明のBa0−B2O4−Na2O系溶融物において
、BaOを50〜60モル%、B2O3を33〜47モ
ル%、Na、Oを3〜7モル%の範囲にする理由は、こ
の範囲の外では、溶融物の粘性が高く、β−BaB20
゜単結晶の成長に不適切であったり、他の結晶相が析出
したり、あるいはNa、O含有量が多いために大型の単
結晶は得られるが低品質であったりするためである。さ
らに、溶融物のNa、Oの含有率を3〜7モル%の範囲
にするのは、Na2O含有率が3モル%未満になると溶
融物の粘性が増して、多結晶化しやすくなり、一方7モ
ル%を超えると、得られるβ−BaBxOt単結晶中の
光散乱体及びインクルージヨンが多(なるので好ましく
ないからである。
、BaOを50〜60モル%、B2O3を33〜47モ
ル%、Na、Oを3〜7モル%の範囲にする理由は、こ
の範囲の外では、溶融物の粘性が高く、β−BaB20
゜単結晶の成長に不適切であったり、他の結晶相が析出
したり、あるいはNa、O含有量が多いために大型の単
結晶は得られるが低品質であったりするためである。さ
らに、溶融物のNa、Oの含有率を3〜7モル%の範囲
にするのは、Na2O含有率が3モル%未満になると溶
融物の粘性が増して、多結晶化しやすくなり、一方7モ
ル%を超えると、得られるβ−BaBxOt単結晶中の
光散乱体及びインクルージヨンが多(なるので好ましく
ないからである。
即ち、上記範囲にすることにより、はじめて、光散乱体
及びインクルージヨンが少ない単結晶を得ることができ
る。
及びインクルージヨンが少ない単結晶を得ることができ
る。
次に、上記溶融物の温度を液相線直上の温度にまで降下
させ、種結晶の種付けを行う。種付は後、溶融物を例え
ば0.3〜b 例えば0.3〜2關/日の速さで引上げながら、結晶を
成長させる。
させ、種結晶の種付けを行う。種付は後、溶融物を例え
ば0.3〜b 例えば0.3〜2關/日の速さで引上げながら、結晶を
成長させる。
尚、本発明で用いる溶融物の液相線は910〜970℃
の範囲である。
の範囲である。
本発明では、β−BaB204単結晶の引上げ軸が、こ
の単結晶の特異面に対して実質的に垂直になるように種
付けし、かつ引上げる。β−BaB20<単結晶の特異
面は、複数存在するが、例えばa軸に垂直な面であるa
面を挙げることができる。尚、単結晶の引上げ軸は、常
法により特異面に対して垂直に設定することができる。
の単結晶の特異面に対して実質的に垂直になるように種
付けし、かつ引上げる。β−BaB20<単結晶の特異
面は、複数存在するが、例えばa軸に垂直な面であるa
面を挙げることができる。尚、単結晶の引上げ軸は、常
法により特異面に対して垂直に設定することができる。
引上げ軸を特異面に垂直に保つことにより、インクルー
ジヨンを減少させることができる。
ジヨンを減少させることができる。
さらに本発明では、β−BaBt04単結晶と上記組成
の溶融物との接触界面を実質的に平坦に保ちつつ単結晶
を引上げる。接触界面を平坦に保ちつつ単結晶を育成す
ることによりインクルージヨンの少ないβ−BaBt0
4単結晶を得ることができる。
の溶融物との接触界面を実質的に平坦に保ちつつ単結晶
を引上げる。接触界面を平坦に保ちつつ単結晶を育成す
ることによりインクルージヨンの少ないβ−BaBt0
4単結晶を得ることができる。
上記接触界面は、成長させる単結晶の回転数(ω)を、
Na、O含有率及び単結晶の径とるつぼの径の比(d)
を考慮して適宜調節することにより、平坦に保つことが
できる。例えば、Na、Oが5モル%の場合、dが約0
.05から0.5の範囲でωを約13から6の範囲にす
ることにより、上記接触界面を平坦に保つことができる
。一般的傾向として、NazO含有率及びdを一定にし
た場合、ωが大きくなると接触界面は結晶側が凹状にな
り、逆にωが小さくなると接触界面は結晶側が凸状にな
る。又、Na2O含有率及びωを一定にした場合、dが
大きくなると接触界面は、結晶側が凹状になり、逆にd
が小さくなると接触界面は結晶側が凸状になる。
Na、O含有率及び単結晶の径とるつぼの径の比(d)
を考慮して適宜調節することにより、平坦に保つことが
できる。例えば、Na、Oが5モル%の場合、dが約0
.05から0.5の範囲でωを約13から6の範囲にす
ることにより、上記接触界面を平坦に保つことができる
。一般的傾向として、NazO含有率及びdを一定にし
た場合、ωが大きくなると接触界面は結晶側が凹状にな
り、逆にωが小さくなると接触界面は結晶側が凸状にな
る。又、Na2O含有率及びωを一定にした場合、dが
大きくなると接触界面は、結晶側が凹状になり、逆にd
が小さくなると接触界面は結晶側が凸状になる。
この様子を第1図に示す。第1図の実線上にd及びωを
設定することにより、接触界面を平坦に保つことができ
る。
設定することにより、接触界面を平坦に保つことができ
る。
本発明の方法により得られるβ−BaB2O.は、非線
型光学材料として、可視光及び紫外線の領域で用いるこ
とができる。
型光学材料として、可視光及び紫外線の領域で用いるこ
とができる。
以下、本発明を実施例に基いてさらに説明する。
実施例1
結晶育成には高周波加熱方式による結晶引き上げ装置(
■アスカル製2060)を用いた。この装置の炉内の構
成は、高周波コイル内にアルミナ製の円筒状耐火物を設
置し、その内部に高さ80闘、内径77mmの白金製ル
ツボをセットしたもので、結晶引き上げ軸にはアルミナ
管を使用している。このアルミナ管の先端には白金型の
シードホルダーを取り付は結晶方位を決定した種結晶を
セットした。
■アスカル製2060)を用いた。この装置の炉内の構
成は、高周波コイル内にアルミナ製の円筒状耐火物を設
置し、その内部に高さ80闘、内径77mmの白金製ル
ツボをセットしたもので、結晶引き上げ軸にはアルミナ
管を使用している。このアルミナ管の先端には白金型の
シードホルダーを取り付は結晶方位を決定した種結晶を
セットした。
炭酸バリウム(フルウチ化学製、99.99%BaC0
5)、ホウ酸ナトリウム(高純度化学製、99、999
%NaBOx)及びホウ酸(高純度化学製、99、99
%B*Os)を、Ba055モル%、BtOi40モル
%、Na2O5モル%の混合比率となるように調合し、
メノウ乳ばちを用いて混合した。
5)、ホウ酸ナトリウム(高純度化学製、99、999
%NaBOx)及びホウ酸(高純度化学製、99、99
%B*Os)を、Ba055モル%、BtOi40モル
%、Na2O5モル%の混合比率となるように調合し、
メノウ乳ばちを用いて混合した。
この混合物を入れたルツボを、上記装置内にセットし、
炉を昇温して相図でさだまる液相線以上の温度(115
0°C)で約10時間保持し混合物を溶融し、均質化さ
せた。その後液相線直上の温度(950°C)まで降下
させ、この時点で種付けを行った。種結晶は直径4醒、
厚み7mmのものを用いた。そして更に降温し、徐冷し
ながら結晶を回転させながら引き上げた。結晶は、特異
面(a面)と垂直になるa軸方向に引上げ、引上げ速度
は1mm/日、結晶回転数は3.5 rpm 、溶融物
の冷却速度は0.3〜1’C/日とした。結晶と溶融物
との接触界面は平坦であった。結晶の育成開始14日後
に、直径35鵬、厚み7叩のβ−BaB2O4単結晶を
得た。
炉を昇温して相図でさだまる液相線以上の温度(115
0°C)で約10時間保持し混合物を溶融し、均質化さ
せた。その後液相線直上の温度(950°C)まで降下
させ、この時点で種付けを行った。種結晶は直径4醒、
厚み7mmのものを用いた。そして更に降温し、徐冷し
ながら結晶を回転させながら引き上げた。結晶は、特異
面(a面)と垂直になるa軸方向に引上げ、引上げ速度
は1mm/日、結晶回転数は3.5 rpm 、溶融物
の冷却速度は0.3〜1’C/日とした。結晶と溶融物
との接触界面は平坦であった。結晶の育成開始14日後
に、直径35鵬、厚み7叩のβ−BaB2O4単結晶を
得た。
得られた単結晶は、インクルージヨンが少なく、かつレ
ーザー光を通過させたときの光散乱のないものであった
。この単結晶から、光学的品質良好な部分を選び出した
結果その歩留率は約40%であった。
ーザー光を通過させたときの光散乱のないものであった
。この単結晶から、光学的品質良好な部分を選び出した
結果その歩留率は約40%であった。
なお得られた結晶を定方位にカットし、非線形光学定数
、変換効率損傷しきい値、光透過率をそれぞれ測定した
が、いずれも応用上満足のゆく値であった。
、変換効率損傷しきい値、光透過率をそれぞれ測定した
が、いずれも応用上満足のゆく値であった。
実施例2
溶融物の組成がBaO55モル%、8.0139モル%
、Na2O6モル%となるようにした以外は実施lと同
様の操作を行った。その結果、実施例1と同様に、径が
35mm、厚さ7IIIIOのインクルージヨンが少な
く光散乱のないβ−BaB2O4単結晶が得られた。
、Na2O6モル%となるようにした以外は実施lと同
様の操作を行った。その結果、実施例1と同様に、径が
35mm、厚さ7IIIIOのインクルージヨンが少な
く光散乱のないβ−BaB2O4単結晶が得られた。
実施例3
溶融物の組成がBa056モル%、820540モル%
、Na2O4モル%となるようにした以外は実施例1と
同様の操作を行った。その結果、実施例1と同様に、径
が35mm厚さ6.5Mのインクルージヨンが少なく光
散乱のないβ−BaB2O4単結晶が得られた。
、Na2O4モル%となるようにした以外は実施例1と
同様の操作を行った。その結果、実施例1と同様に、径
が35mm厚さ6.5Mのインクルージヨンが少なく光
散乱のないβ−BaB2O4単結晶が得られた。
比較例1 (セルフ−フラックス系)
溶融物の組成がBa061モル%、B2O.39モル%
となるようにした以外は実施例1と同様の操作を行った
。しかし、種付けを行うと結晶が急速に放射状に広がっ
てしまい、単結晶として成長せず、多結晶の固化物しか
得られなかった。
となるようにした以外は実施例1と同様の操作を行った
。しかし、種付けを行うと結晶が急速に放射状に広がっ
てしまい、単結晶として成長せず、多結晶の固化物しか
得られなかった。
比較例2
溶融物の組成がBa037モル%、BzOi46モル%
、NatO17モル%となるようにし、種結晶をC軸と
垂直にセットし、引上げ速度2mn7日、結晶回転数8
rpm 、溶融物の冷却速度を0.3℃/時間、育成
日数を7日間とした以外は実施例1と同様にして直径4
5+nm、厚み10口のβ−BaBtO4単結晶を得た
。その結果、結晶育成時の結晶と接触する溶融物の界面
は凹状になり、得られた単結晶の成長面は凸状であった
。この単結晶は全体に渡ってインクルージヨンが多く、
白濁箇所が存在した。
、NatO17モル%となるようにし、種結晶をC軸と
垂直にセットし、引上げ速度2mn7日、結晶回転数8
rpm 、溶融物の冷却速度を0.3℃/時間、育成
日数を7日間とした以外は実施例1と同様にして直径4
5+nm、厚み10口のβ−BaBtO4単結晶を得た
。その結果、結晶育成時の結晶と接触する溶融物の界面
は凹状になり、得られた単結晶の成長面は凸状であった
。この単結晶は全体に渡ってインクルージヨンが多く、
白濁箇所が存在した。
比較例3
溶融物の組成は比較例2と同様にし、引上げ速度を1.
2mm/日、種結晶をC軸と垂直にセットし、結晶回転
数を13.8 rpm 、冷却速度を0.043°C/
時間、育成日数を13日間とした以外は実施例1と同様
にして直径40mm、厚み6Mのβ−BaB、O。
2mm/日、種結晶をC軸と垂直にセットし、結晶回転
数を13.8 rpm 、冷却速度を0.043°C/
時間、育成日数を13日間とした以外は実施例1と同様
にして直径40mm、厚み6Mのβ−BaB、O。
単結晶を得た。結晶育成時の結晶と接触する溶融物の界
面は凸状になり、得られた単結晶の成長面は凸状であっ
た。この単結晶は表面が荒(、全体に渡ってインクルー
ジヨンが存在した。
面は凸状になり、得られた単結晶の成長面は凸状であっ
た。この単結晶は表面が荒(、全体に渡ってインクルー
ジヨンが存在した。
比較例2及び3の単結晶から光学的品質が良好な部分を
選び出した結果、歩留り率は20%以下であった。
選び出した結果、歩留り率は20%以下であった。
本発明によれば、インクルージヨンが少なく、かつ光散
乱体をほとんど含まないβ−BaB2O4単結晶を製造
することができ、この単結晶を用いることにより、高い
歩留り率で光学製品を製造することができる。
乱体をほとんど含まないβ−BaB2O4単結晶を製造
することができ、この単結晶を用いることにより、高い
歩留り率で光学製品を製造することができる。
第1図は、Na、O含有率5%の溶融物を用いた場合の
結晶回転数(ω)と結晶径/るつぼ径(d)と結晶−溶
融物接触界面の形状との関係を示す。
結晶回転数(ω)と結晶径/るつぼ径(d)と結晶−溶
融物接触界面の形状との関係を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 実質的に50〜60モル%のBaO、33〜47モル
%のB_2O_3及び3〜7モル%のNa_2Oからな
る溶融物から、 β−BaB_2O_4単結晶の引上げ軸をこの単結晶の
特異面に対して実質的に垂直に保ち、かつ β−BaB_2O_4単結晶と上記溶融物との接触界面
を実質的に平坦に保ちつつ、 β−BaB_2O_4単結晶を引上げて育成することを
特徴とするβ−BaB_2O_4単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6594290A JPH0825829B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | β―BaB▲下2▼O▲下4▼単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6594290A JPH0825829B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | β―BaB▲下2▼O▲下4▼単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03265592A true JPH03265592A (ja) | 1991-11-26 |
JPH0825829B2 JPH0825829B2 (ja) | 1996-03-13 |
Family
ID=13301529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6594290A Expired - Lifetime JPH0825829B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | β―BaB▲下2▼O▲下4▼単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0825829B2 (ja) |
-
1990
- 1990-03-16 JP JP6594290A patent/JPH0825829B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0825829B2 (ja) | 1996-03-13 |
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