JPS606912B2 - ホウ酸インジウム単結晶の製造方法 - Google Patents

ホウ酸インジウム単結晶の製造方法

Info

Publication number
JPS606912B2
JPS606912B2 JP14417382A JP14417382A JPS606912B2 JP S606912 B2 JPS606912 B2 JP S606912B2 JP 14417382 A JP14417382 A JP 14417382A JP 14417382 A JP14417382 A JP 14417382A JP S606912 B2 JPS606912 B2 JP S606912B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
single crystal
solvent
indium borate
manufacturing
borate single
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP14417382A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5935095A (ja
Inventor
邦彦 岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Agency of Industrial Science and Technology filed Critical Agency of Industrial Science and Technology
Priority to JP14417382A priority Critical patent/JPS606912B2/ja
Publication of JPS5935095A publication Critical patent/JPS5935095A/ja
Publication of JPS606912B2 publication Critical patent/JPS606912B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、１船０３（ホゥ酸インジウム）の大型単結
晶の製造方法に関するものである。
ｌｎＢ０３は方解石型結晶構造を持った融点が１６１０
℃と高い物質である。
そのため、単結晶を育成するのに溶剤を用いて結晶育成
出発温度を低くするフラックス法が試みられている。し
かしながら現在までのところＢ２０３（酸化ホウ素）を
主剤にＰＯ○（酸化鉛）とＰｂＦ（フッ化鉛）を副剤と
した混合溶剤を用いて１１５０００で８時間一定加熱し
た後、６００ノｈで混合溶剤を降溢させ、５日間という
長い時間を経過した後に３×３×０．１肋という小さい
単結晶を得る方法が報告されているにすぎない。さらに
、この方法では単結晶を溶剤から分離するのには２０％
の熱硝酸液に浸さなければならないという不都合な点も
ある。従って、１服０３については上述のように大型単
結晶の育成には成功していないため、その物理的性質は
良く知られておらず、また、ほとんど応用に供されてい
ないというのが現状である。この発明は、上述の点にか
んがみなされたもので、短時間に大型単結晶が製造でき
「その物理的性質の解明、さらにその応用も期待される
ｌｎ８０３の単結晶の製造方法を提供するものである。
ｌｎＢ０３については現在のところ光学的性質だけが報
告されており、複屈折が０．１という大きな値であるた
め偏光プリズムとして従来の方解石の代替としての利用
が考えられている。また、屈折率が（ａ＝１．８７３，
ｒ＝１．７７３）大きく、硬度も５乃至６なので宝石に
利用することも考えられている。以下、この発明の一実
施例としての１渦０３単結晶の製造方法について図面に
基づいて説明する。図面はｌｎＢ０３単結晶のフラック
ス法の製造装置を示す図である。
この図において、１は出発原料、２は前記出発原料１を
入れる蓋付き白金るつぼ、３は前記蓋付き白金るつぼ２
を入れる蓋付き磁性るつぼ、４はさらに前記蓋付き磁性
るつぼ３を入れる蓋付き磁性るつぼである。５は前記蓋
付き磁性るつぼ４を入れる耐火材からなる耐火箱、６は
電気炉本体、７は発熱体である。
次に製造方法について説明する。
蓋付き白金るつぼ２として直径７仇倣，高さ３５肋，容
量１００ｃｃのものを用い、これにＰＯ０，１山０３，
＆０３，母Ｃ０３をそれぞれ２０４夕，３３夕，３５夕
，２夕混合した粉末をあらかじめ融かして充填しておく
。
蓋付き白金るつぼ２はフラックスの蒸発を抑えるため蓋
付き磁性るつぼ３，４に入れ、さらに耐火箱５に入れて
２重に封印し、マツフル炉に入れる。１３００００にて
２時間一定にして融解させた後、３０℃／ｈの速度で降
温して７０００○付近でマッフル炉から取り出し、溶剤
をこぼして単結晶を得た。
この単結晶は、約３４夕で「色はやや褐色になっており
、面はＣ面である。そして、三角、あるいは平行四辺形
にへき関しやすし、ものであった。以上述べたように、
この発明に係るホウ酸ィンジウム単結晶の製造方法は、
＆０３とＰｂ○と母Ｃ０３を配合してなる溶剤にＩＱ０
３を前記溶剤に対する飽和濃度以上の割合で混合し、高
温度に加熱して全体を溶融せしめたのち、徐々に冷却す
ることにより１泊Ｑ単結晶を溶剤と分離して析出成長さ
せるようにしたので、従来得ることができなかった大型
単結晶を短時間に得ることができ、したがって、１脂０
３単結晶の広い利用を促進できる工業的にきわめて優れ
たものである。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明の実施例に用いる製造装置の一例を示す
構成図である。 図中、１は出発原料、２は蓋付き白金るつぼ、３，４は
蓋付き磁性るつぼ、５は耐火箱、６は電気炉本体、７は
発熱体である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 酸化ホウ素と酸化鉛および炭酸バリウムを配合して
    なる溶剤にホウ酸インジウムを前記溶剤に対する飽和濃
    度以上の割合で混合し、高温度に加熱して全体を溶融せ
    しめたのち、徐々に冷却することによりホウ酸インジウ
    ム単結晶を前記溶剤と分離して析出成長させることを特
    徴とするホウ酸インジウム単結晶の製造方法。
JP14417382A 1982-08-20 1982-08-20 ホウ酸インジウム単結晶の製造方法 Expired JPS606912B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14417382A JPS606912B2 (ja) 1982-08-20 1982-08-20 ホウ酸インジウム単結晶の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14417382A JPS606912B2 (ja) 1982-08-20 1982-08-20 ホウ酸インジウム単結晶の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5935095A JPS5935095A (ja) 1984-02-25
JPS606912B2 true JPS606912B2 (ja) 1985-02-21

Family

ID=15355898

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14417382A Expired JPS606912B2 (ja) 1982-08-20 1982-08-20 ホウ酸インジウム単結晶の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS606912B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020042329A (ko) * 2000-11-30 2002-06-05 신두석 함수소거성 메모펜용 지우개

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5935095A (ja) 1984-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0004974B1 (en) Process for producing a single crystal of ktiopo4 or its analogues
US2957827A (en) Method of making single crystal garnets
JPS606912B2 (ja) ホウ酸インジウム単結晶の製造方法
EP0022193B1 (en) Improved process for growing crystal of ktiopo4 and analogues thereof
US3370963A (en) Growth of divalent metal aluminates
EP0187843B1 (en) Growth of single crystal cadmium-indium-telluride
US3939252A (en) Dilithium heptamolybdotetragadolinate
US4792377A (en) Flux growth of sodium beta" alumina
JP2507910B2 (ja) 酸化物単結晶の製造方法
Wanklyn et al. Control of spontaneous nucleation in flux growth
Ropp Melting behavior of yttrium orthovanadate
JP2881737B2 (ja) 光学用単結晶の製造方法
JPS63215598A (ja) 低温相硼酸バリウム単結晶の育成方法
US2736659A (en) Method for preparation of highly refractive material
US3544480A (en) Cadmium silicate crystals
US3674455A (en) Process for the synthesis of glass and single crystal germanates of identical composition
JP2622165B2 (ja) ゲルマニウム酸ビスマス単結晶の製造方法
Gier et al. Method for flux growth of KTiOPO4 and its analogues
JP2647940B2 (ja) 単結晶育成方法
JP3041326B2 (ja) ＫＴｉＯＰＯ４ 単結晶の製造方法
Quon et al. Growth of orthoferrite single crystals from flux melts
CN1085964A (zh) 非线性光学晶体
GB935390A (en) Improvements in or relating to the manufacture of corundum crystals
JPS63206393A (ja) 単結晶の製造方法
JPH01320294A (ja) ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法