JPH03259982A - 半導体装置用接着剤組成物 - Google Patents

半導体装置用接着剤組成物

Info

Publication number
JPH03259982A
JPH03259982A JP5970490A JP5970490A JPH03259982A JP H03259982 A JPH03259982 A JP H03259982A JP 5970490 A JP5970490 A JP 5970490A JP 5970490 A JP5970490 A JP 5970490A JP H03259982 A JPH03259982 A JP H03259982A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
resin
group
bis
maleimidophenoxy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5970490A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2904536B2 (ja
Inventor
Masaji Ogata
正次 尾形
Hiroyoshi Kokado
小角　博義
Kuniyuki Eguchi
州志 江口
Masanori Segawa
正則 瀬川
Akio Nishikawa
西川　昭夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP5970490A priority Critical patent/JP2904536B2/ja
Publication of JPH03259982A publication Critical patent/JPH03259982A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2904536B2 publication Critical patent/JP2904536B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]

Landscapes

  • Epoxy Resins (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、耐熱性、耐湿性、接着作業性が優れた接着剤
に係り、特に、半導体素子をリードフレームやプリント
回路板の接着固定に優れた接着剤組成物に関する。
［従来技術］ トランジスタ、ＩＣ，ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等ノ半導体素子
は、一般にプリント配線基板との電気的接続を容易にす
るためリードフレームあるいはパッケージに接着固定さ
れている。このような半導体素子を接着固定する方式に
は共晶やはんだ等の金属、ガラスを用いる方式があるが
、最近はエポキシ樹脂、シリコンゴム、ポリイミド樹脂
等のプラスチック系接着剤が広く用いられている。
［発明が解決しようとする課！％ｉ！］前記のような有
機系接着剤を半導体素子とリードフレームあるいはプリ
ント回路板との接着に用いた場合、接着剤の加熱硬化に
時間がかかるという問題があった。また、接着剤塗布量
が不足すると素子とリードフレームの間に空隙ができ、
そのまま樹脂封止した場合封止品内部に空隙が残り、封
止品の耐湿信頼性や耐クラツク性、はんだ耐熱性等に影
響を及ぼすという問題があった。
また、接着剤には樹脂を有機溶剤に溶解した溶剤型の接
着剤があるが、このような接着剤は塗布後乾燥しようと
すると溶剤の蒸発によって接着剤層にボイドが生じ、こ
れが封止品の耐湿信頼性や耐クラツク性等に影響を及ぼ
すと云う問題があった。
接着剤の塗布量が多すぎる場合には、素子とリードフレ
ームの間から余分の接着剤がはみ出し、これを樹脂封止
した場合、封止材料と接着剤の接着性が劣り、また、接
着剤を加熱硬化あるいは乾燥する際発生する揮発性成分
によって半導体素子あるいはリードフレームの表面が汚
染され、封止樹脂との接着性が低下し、封止品の耐湿信
頼性や耐クラツク性等に影響を及ぼすという問題もあっ
た。さらに、従来の接着剤においては、接着剤の塗布厚
さが不均一になり易く、素子とリードフレームの平行度
が狂い素子特性が変動するという問題があった。
前記課題を解決するため、最近は熱可塑性樹脂をフィル
ム状にした接着剤あるいは熱硬化性樹脂をペレット状に
した接着剤などが開発されているが、熱可塑性樹脂をフ
ィルム状にした接着剤は接着時に高温に加熱し樹脂を溶
融させる必要があり、その際樹脂が熱分解して素子表面
を汚染したり、リードフレームが酸化し封止樹脂との接
着性を低下させる。また、熱硬化性樹脂をペレット状に
した接着剤は溶融粘度が低いために、加熱硬化時に素子
の位置ずれが生じたり、硬化に長時間の加熱が必要であ
るなどの問題があった。
本発明の目的は、半導体素子のリードフレームやパッケ
ージに対する接着が比較的低温で、かつ、短時間で行う
ことができ、封止品の各種信頼性が優れた半導体素子用
接着剤組成物を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的を達成する本発明の要旨は次のとおりである。
一形式ＣＩ） （式中、Ｒ１〜Ｒ４、Ｒ７およびＲ”は水素、低級アル
キル基、低級フルオロアルキル基、低級アルコキシ基、
塩素または臭素を示し、互いに同じであっても異なって
いてもよい。また、Ｒ５およびＲ６は水素、メチル基、
エチル基、トリフルオロメチル基またはトリクロロメチ
ル基を示し、互いに同じであっても異なっていてもよい
。Ｄはエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸
残基を示す。）で表されるポリエーテル化合物と、（式
中、Ｒ９は水素、低級アルキル基、塩素または臭素を示
し、ｎは５〜１５０）で表される長鎖状エポキシ化合物
を含むことを特徴とする半導体装置用接着剤組成物。
前記−形式（１）で示されるポリエーテルイミド化合物
は、例えば、特公昭６３−３７７８６号に記載されてい
るように、骨格にエーテル結合を有するジアミン化合物
と不飽和ジカルボン酸無水物を反応させることによって
得られる化合物であり、例えば、２，２−ビス〔４−（
マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−
ビス〔３−メチル−４−（４−マレイミドフェニキシ）
フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔３−クロロ−４−
（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、２
．２−ビス〔３−ブロモ−４−（４−マレイミドフェノ
キシ）フェニル〕プロパン、２゜２−ビス〔３−エチル
−４−（４−マレイミドフェニキシ）フェニル〕プロパ
ン、２，２−ビス〔３−プロピル−４−（４−マレイミ
ドフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔３
−イソプロピル−４−（４−マレイミドフェノキシ）フ
ェニル〕プロパン、２，２−ビス〔３−ブチル−４−（
４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，
２−ビス（３−ｓｅｅ−ブチル−４−（４−マレイミド
フェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔３−
メトキシ−４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル
〕プロパン、１．１−ビス（４−（４−マレイミドフェ
ノキシ）フェニル〕エタン、１．１−ビス〔３−メチル
−４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕エタン
、１，１−ビス〔３−クロロ−４−（４−マレイミドフ
ェノキシ）フェニル〕エタン、ｌ、ニービス〔３−ブロ
モ−４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕エタ
ン、ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル
コメタン、ビス〔３−メチル−（４−マレイミドフェノ
キシ）フェニルコメタン、ビス〔３−クロロ−４−（４
−マレイミドフェノキシ）フェニルコメタン、ビス〔３
−ブロモ−４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル
コメタン、１，１，１，３，３．３−へキサフルオロ−
２，２，−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フ
ェニル〕プロパン、１，１゜１．３，３．３−ヘキサク
ロロ−２，２，−ビス（４−（４−マレイミドフェノキ
シ）フェニル〕プロパン、３．３−、ビス［４−（４−
マレイミドフェノキシ）フェニル〕ペンタン、１，１゜
ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プ
ロパン、１，１，１，３，３．３−へキサフルオロ−２
，２−ビス〔３，５−ジブロモ−４−（４−マレイミド
フェノキシ）フェニル〕プロパン、ｌ、１，１，３，３
．３−へキサフルオロ−２，２−ビス〔３−メチル−４
−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル）プロパン等
があり、これらの１種以上を用いることができる。
前記ポリエーテルイミド化合物は、加熱によって三次元
架橋するため、優れた耐熱性を付与することができる。
通常の非エーテル型イミド化合物の硬化物は硬くて脆い
といった性質があるが１本発明に用いるポリエーテルイ
ミド化合物の硬化物は、非エーテル型イミド化合物に比
べかなりの強靭性を有し、熱応力等による接着性の低下
が少ない。
また、前記−形式〔■〕で示される長鎖状エポキシ化合
物は、一般にビスフェノールＡとエピクロルヒドリンを
アルカリ性触媒存在下で反応させることによって得られ
る線状高分子である。この樹脂は分子顔中に多数の水酸
基を有するために各種被接着物に対し優れた接着性を示
し、また、硬化した接着剤に強靭性を付与する。
なお、本発明はその目的を損なわない範囲内において、
通常のエポキシ樹脂、例えば、ブタジエンジエポキサイ
ド、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−（３，４
−エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレート、ビニル
シクロヘキサンジオキサイド、４，４′−ジ（ｌ、２−
エポキシエチル）ジフェニルエーテル、２，２−ビス（
３，４−エポキシシクロヘキシル）プロパン、レゾルシ
ンのグリシジルエーテル、フロログルシンのジグリシジ
ルエーテル、メチルプロログルシンのジグリシジルエー
テル、ビス−（２，３−エポキシシクロペンチル）エー
テル、２−　（３，４−エポキシ）シクロヘキサン−５
，５−スピロ（３，４−エポキシ）シクロヘキサン−ｍ
−ジオキサン、ビス−（３゜４−エポキシ−６−メチル
シクロヘキシル）アジペート、Ｎ　、　Ｎ　’　−ｍ−
フェニレンビス（４，５−エポキシ−１，２−シクロヘ
キサン）ジカルボキシジイミドなどの２官能のエポキシ
化合物、パラアミノフェノールのトリグリシジルエーテ
ル、ポリアリルグリシジルエーテル、１，３．５−トリ
（１，２−エポキシ）ベンゼン、２．２’４．４’テト
ラグリシドキシベンゾフエノン、フェノールホルムアル
デヒドノボラック樹脂のポリグルシジルエーテル、グリ
セリンのトリグリシジルエーテル、トリメチロールプロ
パンのトリグリシジルエーテル等の３官能以上のエポキ
シ化合物、また、これらのハロゲン化あるいはヒダント
インエポキシ化合物等を併用することができる。
本発明に用いるポリエーテルイミド化合物および長鎖状
エポキシ化合物は、互いに相溶性に優れ、両者は直接ま
たは有機溶剤を用いて相溶させることができる。また、
加熱硬化時に相分離することが無い。
本発明の接着剤組成物は、長鎖状エポキシ化合物の分子
量を適度に選択すれば接着剤の溶融粘度をかなり高くす
ることができ、接着剤が完全に硬化しなくとも高い接着
力が得られ、接着のための加熱硬化時間を大幅に短縮す
ることが可能である。
この場合接着剤の最終的な加熱硬化は、適用製品が完成
するまでの間の適当な工程において行なえば、実用上は
何ら問題がない。
なお２本発明に用いるポリエーテルイミド化合物は、こ
れを単独で加熱硬化した場合には硬化物の吸湿率が大き
いという欠点を有する。しかし、長鎖状エポキシ化合物
と併用することによって吸湿率を著しく低下することが
できる。これは異種の樹脂成分を混合することによって
硬化物の自由体積が減少するためと考えられる。
本発明において、ポリエーテルイミド化合物と長鎖状エ
ポキシ化合物の配合比は、前者２０〜８０重量部に対し
後者２０〜８０ｆｉ量部がよい。
この範囲外では接着剤の耐熱性が劣るか、充分な接着性
が得られず、また、硬化後の耐湿性が劣ると云う問題が
ある。
なお、該接着剤のポリエーテルイミド化合物の加熱硬化
反応を促進するために有機過酸化物のような硬化触媒を
、また、長鎖状エポキシ化合物の硬化剤としてアミン化
合物、無水酸、フェノール化合物、イソソアネート化合
物、長鎖状エポキシ化合物とこれら硬化剤の橋かけ反応
を促進するためのアミン、イミダゾール、リン系化合物
等の硬化促進剤を目的に応じて配合することができる。
また、本発明の目的を損なわない範囲でゴム、エラスト
マー等の可撓化剤、カップリング剤、着色剤、遥変性付
与剤、難燃性付与剤等を配合することができる。更に、
各種の無機または有機の粒子あるいは繊維状物質を配合
し、接着剤に電気導電性、熱伝導性、低熱膨張性、高弾
性率を付与したり、あるいは接着剤層の厚みを制御する
ためのスペーサーとしての役割を持たせることもできる
。
本発明の接着剤は、各成分を予めアセトン、テトラヒド
ロフラン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン等の各種溶媒に溶解あるいは分散させた後、離型用の
フィルム上に塗布乾燥すればシート状の接着剤として用
いることができ、使用時離型用のフィルムを剥がせば基
材無しの接着材として使用できる。また、前記溶液をガ
ラス布。
アラミド布等に含浸後乾燥することによってシート状接
着剤とすることができる。
一方、予めシート状に成形された熱硬化性または熱可塑
性樹脂からなる基材の片面または両面に塗布乾燥すれば
基材付きのシート状の接着剤が得られる。上記シート状
に成形された熱硬化性または熱可塑性樹脂からなる基材
とは、例えば、ガラス布にエポキシ樹脂を含浸して積層
接着した積層板、ポリイミドやマイラ等のシート（フィ
ルム）を指す、これらの基材は接着剤との接着性を高め
るために表面を物理的あるいは化学的に粗化または活性
化処理を施したものが望ましい１本発明の接着剤をこう
した基材に塗布することによって、接着剤の取扱や接着
剤層の厚みの制御が容易になり、接着剤の熱膨張係数や
誘電率などの特性が調整し易くなる。
次に、本発明の接着剤の半導体装置への使用形態につい
て説明する。
第１図はリードフレーム３のタブ部分３′に本発明のフ
ィルム状接着剤１を用いて半導体素子（チップ）２を接
着した後、樹脂封止したものである。なお、４は金ワイ
ヤ、５は封止樹脂である。
第２図はタブレスリードフレーム上に本発明のフィルム
状接着剤１を用いてチップ２を接着した後樹脂封止した
ものである。本方法によればチップをリードフレーム上
に接着固定するため、第１図（ａ）〜（ｃ）に示すよう
に同一形状のリードフレーム３にサイズが異なるチップ
を搭載することが可能になり、フレームの品種を減らし
たり、樹脂封止の際に用いる金型交換などの作業工程を
減らすことができる。
第３図はリードオンチップ（Ｌｅａｄ　Ｏｎ　Ｃｈｉｐ
　：　ＬＱＣ）構造型パッケージへの応用例であり、チ
ップ２上に本発明の接着剤ｌを用いてリードフレム３を
接着固定した後、樹脂封止したものである。
第４図は本発明の接着剤を用いて作製した二層構造リー
ドフレーム３のタブ部分に１本発明のフィルム状接着剤
１を用いてチップ２を接着した後、樹脂封止したもので
ある。このようなパッケージは現在需要が増えつつある
多ピン化に対応するものである。
第５図はピングリッドアレイ（Ｐｉｎ　Ｇｒｉｄ　Ａｒ
ｒｅｙＰＧＡ）構造型パッケージへの応用例であり、プ
リント回路板７に本発明の接着剤１を用いてチップ２を
接着固定した後、樹脂封止したものである。
第５図において、枠板（ダム）１′はガラスエポキシ基
板の片面に接着剤を塗布した本発明のフィルム状接着剤
を用いたものである。
［実施例コ 次に、本発明の詳細な説明する。
〔実施例１〜４〕 第１表に示すポリエーテル型イミド化合物と長鎖状エポ
キシ化合物（分子量：約３００００．軟化点：　１００
℃）をテトラヒドロフランに溶解し、不揮発分２０重量
％のワニスを調製した。これを離型処理した金型に注入
し、−昼夜風乾した後、５０℃、５ｍｍＨｇで１時間乾
燥し、半硬化状態の厚さ２５μｍのシート状接着剤を得
た。
上記の接着剤を用いてシリコンチップと、４２Ａｌｌｏ
ｙを２００℃で１秒加圧（１ｋ　ｇ　／　ｃ　ｍ”）接
着した後２００℃で更に１０分間加熱した。これを、室
温および２００℃でシリコンチップと４２　Ａ１１ｏｙ
との剪断撥力を測定した結果を第１表に示す。
〔比較例１〜２〕 市販のエポキシおよびポリアミド樹脂系接着剤（いずれ
も銀粉入り）を用いて上記同様の試料を作製した。接着
剤の硬化条件はエポキシ樹脂系接着剤が１５０℃／１０
分＋２７５℃／１０分、ポリアミド樹脂系接着剤が２２
０℃／２時間である。
これらについても同様に剪断接着力を測定した結果を第
１表に示す。第１表より本実施例の接着剤は短時間で接
着が可能な上に特に高温の接着性が優れていることが分
かる。
〔実施例５〜８〕 樹脂成分として第２表に示すポリエーテル型イミド化合
物、各種長鎖状エポキシ化合物、および長鎖状エポキシ
化合物の硬化剤としてアミン化合物、無水酸、フェノー
ル化合物を用いて前記同様に半硬化状態の接着剤を作製
し、シリコンチップと４２　Ａ１１ａｙとの剪断撥力を
測定した。結果を第２表に示す。　第２表から本実施例
の接着剤は短時間で接着が可能な上に特に高温の接着性
が優れていることが分かる。
〔実施例９〜１３および比較例３〜４〕実施例２〜８お
よび比較例１〜２の接着剤を用いて表面にアルミニウム
のジグザグ配線を形成したシリコンチップ（６ｍｍＸ１
５ｍｍ）を、同様の条件で４２Ａ１１ｏｙ製リードフレ
ームに接着、エポキシ樹脂系封止材料で３００ｍ１１幅
のＤ　Ｉ　Ｐ　（ＤｕａｌＩｎｌｉｎｓ　Ｐａｃｋａｇ
ｅ）を封止した。
これについて１２１℃、２気圧下に放置した際のアルミ
ニウム配線の腐食不良発生時間（耐湿性）−５０℃０１
５０℃のヒートサイクル試験を行った際のパッケージの
耐クラツク性を評価した。
結果を第３表に示す。
第３表より本発明の接着剤を用いた封止品は市販の接着
剤を用いた封止品と各種信頼性が遜色ないことが分かる
。
〔実施例１４〜１７〕 フィルム基材として、表面をサンドブラスト処理により
粗化した厚さ１２５μｍの汎用のポリイミドフィルムお
よび低吸湿性のポリイミドフィルムを準備した。また、
エポキシ系並びにフッ素系樹脂の両面銅張り積層板の銅
箔をエツチング除去して１表面に細かい凸凹を有する厚
さ１２５μｍのガラス／エポキシおよびガラス／フッ素
樹脂基材を準備した。
これらの基材に、ポリエーテルイミド化合物として２，
２′−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕
プロパン５０重量部と、長鎖状エポキシ化合物（分子量
：　５００００．軟化点：１００℃）５０重量部とをテ
トラヒドロフランに溶解したワニス（不揮発分２０重量
％）を塗布し、前記と同様の条件で乾燥し、両面に半硬
化状態の接着剤層を有するシート状接着剤を作製した。
次いで、この接着剤を用い、表面にアルミニウムのジグ
ザグ配線を形成したシリコンチップ（６ｍｍＸ１５ｍｍ
）と４２　Ａ１１ｏｙ製リードフレームを第３図に示す
ように接着し、エポキシ樹脂系封止材料でＬ　ＯＧ　（
Ｌｅａｄ　Ｏｎ　Ｃｈｉｐ）構造の３００　ａｉ１幅の
Ｓ　ＯＪ　（Ｓ＋＊ａｌｌ　０ｕｔｌｉｎｅ　Ｊ−ｂｅ
ｎｄｅｄＰａｃｋａｇｅ）を封止した。
これらの封止品を８５℃７８５％ＲＨ下に放置した後、
２１５℃のベーパリフロー（２１５℃７９０秒）を行な
い、パッケージにクラックが発生するまでの吸湿時間（
耐リフロー性）、１２１℃。
２気圧下に放置した際のアルミニウム配線の腐食による
不良発生時間（耐湿性）、および−５０’Ｃ０１５０℃
のヒートサイクル試験を行った際のパッケージの耐クラ
ツク性を評価した。
結果を第４表に示す。
第４表より明らかなように、本発明の接着剤を面実装型
パッケージに適用した場合にも、封止品の各種信頼性に
は問題がないことが分かる。
［発明の効果コ 本発明の接着剤組成物は、半導体素子のリードフレーム
やパッケージに対する接着が比較的低温で、かつ、短時
間で行うことができ、しかも高温で高い接着力が得られ
、封止品の各種信頼性が優れた樹脂封止型半導体装置を
提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第５図は、本発明の接着剤組成物を用いて半導
体素子をリードフレームに接着した半導体装置の断面模
式図である。 １・・・接着剤、１′・・・枠板（ダム）、２・・・チ
ップ、３・・・リードフレーム、３′・・・リードフレ
ームタブ、４・・・金ワイヤ、５・・・封止樹脂、６・
・・プリント回路鋼箔、７・・・プリント回路板、８・
・・リードピン。 第 図 １・・・接着剤 ２・・・チップ ３・・・リードフレーム ３′・・・す〜ドフレ ４・・・金ワイヤ ５・・・封止樹脂 ムタフ 第 ２ 図 第 図 第 図 ８・・・リ ドピン

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＾１〜Ｒ＾４、Ｒ＾７およびＲ＾■は水素、
    低級アルキル基、低級フルオロアルキル基、低級アルコ
    キシ基、塩素または臭素を示し、互いに同じであっても
    異なっていてもよい。また、Ｒ＾５およびＲ＾６は水素
    、メチル基、エチル基、トリフルオロメチル基またはト
    リクロロメチル基を示し、互いに同じであっても異なっ
    ていてもよい。Ｄはエチレン性不飽和二重結合を有する
    ジカルボン酸残基を示す。）で表されるポリエーテル化
    合物と、 一般式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 （式中、Ｒ＾９は水素、低級アルキル基、塩素または臭
    素を示し、ｎは５〜１５０）で表される長鎖状エポキシ
    化合物を含むことを特徴とする半導体装置用接着剤組成
    物。 ２、前記一般式〔 I 〕で示されるポリエーテルイミド
    化合物２０〜８０重量部および前記一般式〔II〕で示さ
    れる長鎖状エポキシ化合物８０〜２０重量部を含むこと
    を特徴とする請求項第１項記載の半導体装置用接着剤組
    成物。
JP5970490A 1990-03-09 1990-03-09 半導体装置用接着剤組成物 Expired - Fee Related JP2904536B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5970490A JP2904536B2 (ja) 1990-03-09 1990-03-09 半導体装置用接着剤組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5970490A JP2904536B2 (ja) 1990-03-09 1990-03-09 半導体装置用接着剤組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03259982A true JPH03259982A (ja) 1991-11-20
JP2904536B2 JP2904536B2 (ja) 1999-06-14

Family

ID=13120870

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5970490A Expired - Fee Related JP2904536B2 (ja) 1990-03-09 1990-03-09 半導体装置用接着剤組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2904536B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002060715A (ja) * 2000-07-07 2002-02-26 Natl Starch & Chem Investment Holding Corp アリル基またはビニル基を有するエポキシ樹脂を含有するダイ結合性接着剤
JP2022045073A (ja) * 2020-09-08 2022-03-18 株式会社東芝 半導体装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002060715A (ja) * 2000-07-07 2002-02-26 Natl Starch & Chem Investment Holding Corp アリル基またはビニル基を有するエポキシ樹脂を含有するダイ結合性接着剤
JP4541599B2 (ja) * 2000-07-07 2010-09-08 ナショナル スターチ アンド ケミカル インベストメント ホールディング コーポレイション アリル基またはビニル基を有するエポキシ樹脂を含有するダイ結合性接着剤
JP2022045073A (ja) * 2020-09-08 2022-03-18 株式会社東芝 半導体装置
US11769714B2 (en) 2020-09-08 2023-09-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device with semiconductor chip mounted on die pad and leads of lead frame

Also Published As

Publication number Publication date
JP2904536B2 (ja) 1999-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI229694B (en) Dual cure B-stageable adhesive for die attach
TWI283263B (en) Adhesive tape composition for electronic components
JP2000109709A (ja) 熱硬化性樹脂材料およびその製造方法
JPH07126591A (ja) 電子部品用接着テープおよび液状接着剤
KR100287239B1 (ko) 전자 부품용 액상 접착제 및 이것을 사용하는 절연 접착층의 형성 방법
JPH07126592A (ja) 電子部品用接着テープおよび液状接着剤
JP4994743B2 (ja) フィルム状接着剤及びそれを使用する半導体パッケージの製造方法
KR0184612B1 (ko) 전자 부품용 접착 테이프
JP2896751B2 (ja) 電子部品用接着テープ
JP4213998B2 (ja) 接着剤樹脂組成物及びそれを用いたフィルム状接着剤
KR101208082B1 (ko) 반도체 공정용 점착테이프 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조방법
US6048576A (en) Method of producing adhesive tape for electronic parts
JP2007284670A (ja) 接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
TW201109406A (en) Lamination method of adhesive tape and lead frame
JPH03105932A (ja) シート状接着剤並びに当該接着剤を用いた半導体装置
US9617451B2 (en) Adhesive composition and adhesive film having same, substrate provided with adhesive composition, and semiconductor device and method for manufacturing same
JP2017082213A (ja) エポキシ樹脂組成物、硬化物、半導体素子、樹脂シート、プリプレグ及び炭素繊維強化複合材料
JP2896755B2 (ja) 電子部品用接着テープ
JPH03259982A (ja) 半導体装置用接着剤組成物
JP5486081B2 (ja) 電子部品用液状接着剤および接着テープ
JP2001291804A (ja) 半導体素子及び半導体装置並びに半導体実装構造
JPH08319461A (ja) 半導体装置
JP2896752B2 (ja) 電子部品用接着テープ
JP2001131501A (ja) 三層接着フィルム、半導体チップ搭載用基板及び半導体装置
JP3118420B2 (ja) 電子部品用液状接着剤および接着テープ

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080326

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090326

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees