JPH03257913A - 電解コンデンサ用アルミニウム箔 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム箔Info
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- JPH03257913A JPH03257913A JP2058370A JP5837090A JPH03257913A JP H03257913 A JPH03257913 A JP H03257913A JP 2058370 A JP2058370 A JP 2058370A JP 5837090 A JP5837090 A JP 5837090A JP H03257913 A JPH03257913 A JP H03257913A
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- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 28
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 28
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 17
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q triazanium;borate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]B([O-])[O-] WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電解コンデンサ用アルミニウム箔に関する。
電解コンデンサ用アルミニウム箔の電気的特性を向上さ
せるために少量のＰｂ、Ｂｉ、Ｉｎ等を添加することは
よく知られている（例えば、特公昭４４−２９５７７号
、特開昭５３−１１４０５９号、特開昭５７−１１０６
４６号）。
せるために少量のＰｂ、Ｂｉ、Ｉｎ等を添加することは
よく知られている（例えば、特公昭４４−２９５７７号
、特開昭５３−１１４０５９号、特開昭５７−１１０６
４６号）。
Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎは、エツチング時にビットの発生を助
長する作用を持ち、その結果コンデンサ箔の静電容量を
増大させるものであるが、一方では、エツチングにより
ビットが多くなり過ぎてアルミニウム箔の強度を低下さ
せるという問題がある。この問題点を解決するために、
アルミニウム箔の表層部分にＰｂ、、Ｂｉ、Ｉｎを偏在
させ、内層部分にはＰｂ、Ｂｉ、Ｉｎが実質的に存在し
ないようにした電解コンデンサ用アルミニウム箔が開発
されている（特公昭６２−４２３７０号）。
長する作用を持ち、その結果コンデンサ箔の静電容量を
増大させるものであるが、一方では、エツチングにより
ビットが多くなり過ぎてアルミニウム箔の強度を低下さ
せるという問題がある。この問題点を解決するために、
アルミニウム箔の表層部分にＰｂ、、Ｂｉ、Ｉｎを偏在
させ、内層部分にはＰｂ、Ｂｉ、Ｉｎが実質的に存在し
ないようにした電解コンデンサ用アルミニウム箔が開発
されている（特公昭６２−４２３７０号）。
［発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎが最表層にのみ存在す
る場合には、エツチングの初期においてはビットが数多
く形成されるが、その後エツチングが進んでもピントが
箔の厚さ方向に進行せず表面層で止ってしまうため、表
面積拡大が得られ難いという欠点がある。
る場合には、エツチングの初期においてはビットが数多
く形成されるが、その後エツチングが進んでもピントが
箔の厚さ方向に進行せず表面層で止ってしまうため、表
面積拡大が得られ難いという欠点がある。
本発明は、上記欠点を解消し、エッチピントがアルミニ
ウム箔の内部にまでトンネル状に進行する電解コンデン
サ用アルミニウム箔を提供することを目的とする。
ウム箔の内部にまでトンネル状に進行する電解コンデン
サ用アルミニウム箔を提供することを目的とする。
［１［１ｆｆを解決するための手段〕
上記目的を達成するための本発明の電解コンデンサ用ア
ルミニウム箔は、アルミニウム箔の表面から０．１〜０
．２μ深さの層部分においてはＰｂ（鉛）、Ｂｉ（ビス
マス）およびＩｎ（インジウム）のうちの少なくとも１
種を合計で０．００１〜０．１ ｗｔ％含み、該層部分
より内層部分においてはＰｂ（鉛）、Ｂｉ（ビスマス）
およびＩｎ（インジウム）がそれぞれ平均値で０．００
０１ｗｔ％未満であり、前記表面から内層部までの平均
アルミニウム純度が９９゜９６０％以上であることを構
成上の特徴とする。
ルミニウム箔は、アルミニウム箔の表面から０．１〜０
．２μ深さの層部分においてはＰｂ（鉛）、Ｂｉ（ビス
マス）およびＩｎ（インジウム）のうちの少なくとも１
種を合計で０．００１〜０．１ ｗｔ％含み、該層部分
より内層部分においてはＰｂ（鉛）、Ｂｉ（ビスマス）
およびＩｎ（インジウム）がそれぞれ平均値で０．００
０１ｗｔ％未満であり、前記表面から内層部までの平均
アルミニウム純度が９９゜９６０％以上であることを構
成上の特徴とする。
アルミニウム箔の表面から０．１〜０．２即深さの層部
分においてＰｂ、ＢｉおよびＩｎのうちの少なくとも１
種が合計で０．００１ ｗｔ％より少ないと、エツチン
グによるピントの形成量が十分でなく静電容量が向上し
ない。Ｑ、ｌ ｗｔ％を超えるとピント数が過剰になっ
てピット同志が合体するため、表面積が減少し、静電容
量が低くなる。
分においてＰｂ、ＢｉおよびＩｎのうちの少なくとも１
種が合計で０．００１ ｗｔ％より少ないと、エツチン
グによるピントの形成量が十分でなく静電容量が向上し
ない。Ｑ、ｌ ｗｔ％を超えるとピント数が過剰になっ
てピット同志が合体するため、表面積が減少し、静電容
量が低くなる。
０．２−より内層部分においては、１部にＰｂ、Ｂｉ、
Ｉｎの偏在する部分があっても差し支えない。例えば、
０．２〜０．３−の部分において、ｐｂ、Ｂｉあるいは
ＩｎがＯ，０００１ｗｔ％多い場合には０．００１ ｗ
ｔ％を超えることもあるが、０．２ ｎ深さより内層部
分に存在するＰｂ、ＢｉおよびＩｎがそれぞれ平均値で
０−０００１ｗｔ％未満であればよい。０．０００１−
ｔ％以上になると、エツチングによりピット形成が進み
易くなり、トンネル状ピットの折れ曲り等も生しるため
、エツチング後のアルミニウム箔の強度が低下し易くな
るとともに、熔解減量が増え静電容量も小さくなる傾向
がある。
Ｉｎの偏在する部分があっても差し支えない。例えば、
０．２〜０．３−の部分において、ｐｂ、Ｂｉあるいは
ＩｎがＯ，０００１ｗｔ％多い場合には０．００１ ｗ
ｔ％を超えることもあるが、０．２ ｎ深さより内層部
分に存在するＰｂ、ＢｉおよびＩｎがそれぞれ平均値で
０−０００１ｗｔ％未満であればよい。０．０００１−
ｔ％以上になると、エツチングによりピット形成が進み
易くなり、トンネル状ピットの折れ曲り等も生しるため
、エツチング後のアルミニウム箔の強度が低下し易くな
るとともに、熔解減量が増え静電容量も小さくなる傾向
がある。
箔表面から０，１μ深さまでの最表層部に存在するＰｂ
、Ｂｉ、Ｉｎ量については特に規定しないが、エツチン
グにより初期ピットを多く得る点から、０．１〜０．２
−の層部分と同等あるいはそれ以上の貴台まれることが
望ましい。
、Ｂｉ、Ｉｎ量については特に規定しないが、エツチン
グにより初期ピットを多く得る点から、０．１〜０．２
−の層部分と同等あるいはそれ以上の貴台まれることが
望ましい。
平均アルミニウム純度が９９．９６ ｗｔ％未滴の場合
は正常なエツチングが出来難い。
は正常なエツチングが出来難い。
本発明に従えば、エッチピットの形成が表層部で止るこ
となくさらに内部までトンネル状に進行する電解コンデ
ンサ用アルミニウム箔が得られる。
となくさらに内部までトンネル状に進行する電解コンデ
ンサ用アルミニウム箔が得られる。
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例
箔表面から０．１〜０．２−深さの層部分におけるＰｂ
、Ｂｉ、Ｉｎの含有量が異なる厚さ１００−のアルミニ
ウム箔を、９０°Ｃの塩酸（１５０ｍｊ２／ １ ）と
硫酸（１２ｈｌｌ／Ｒ）の混酸中で、電流密度２００ｓ
＋Ａ／ｃ１で２分間電解し、さらに同液中に無電解で８
分間保持する条件で電解エツチングした。
、Ｂｉ、Ｉｎの含有量が異なる厚さ１００−のアルミニ
ウム箔を、９０°Ｃの塩酸（１５０ｍｊ２／ １ ）と
硫酸（１２ｈｌｌ／Ｒ）の混酸中で、電流密度２００ｓ
＋Ａ／ｃ１で２分間電解し、さらに同液中に無電解で８
分間保持する条件で電解エツチングした。
エツチング後のアルミニウム箔を１０ｍ−幅に切り出し
、２００ｇの引張荷重を負荷し、曲げ半径０．５ｍｍの
繰り返し曲げ試験を行ない、ホウ酸アンモニウム溶液中
で３７５ｖに化成し、静電容量を測定した。
、２００ｇの引張荷重を負荷し、曲げ半径０．５ｍｍの
繰り返し曲げ試験を行ない、ホウ酸アンモニウム溶液中
で３７５ｖに化成し、静電容量を測定した。
試験結果を第１表に示す。
第１表から明らかなように、本発明のアル〔ニウム箔は
、７．０μＦ７ｃｍ”を超える静電容量を有し、すぐれ
た曲げ性能を示した。
、７．０μＦ７ｃｍ”を超える静電容量を有し、すぐれ
た曲げ性能を示した。
なお、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎの分析は、０．１μ厚さ７片面
に相当する重量が溶解減少するまでアルミニウム箔を硝
酸溶液中に浸漬した後、再度側の硝酸溶液に浸漬して０
．１ｎ厚さ７片面に相当する重量を減少させ、この溶液
に表面から０．１〜０．２ｎ深さの層部分のアルミニウ
ムが溶解しているとして酸分分析に供した。
に相当する重量が溶解減少するまでアルミニウム箔を硝
酸溶液中に浸漬した後、再度側の硝酸溶液に浸漬して０
．１ｎ厚さ７片面に相当する重量を減少させ、この溶液
に表面から０．１〜０．２ｎ深さの層部分のアルミニウ
ムが溶解しているとして酸分分析に供した。
つぎに、残りのアルミニウム箔を別の硝酸溶液中で溶解
して成分分析し、０．２ｎより内層部分のＰｂ、Ｂｉ、
Ｉｎ量を測定した。
して成分分析し、０．２ｎより内層部分のＰｂ、Ｂｉ、
Ｉｎ量を測定した。
本発明のアルミニウム箔はトンネル状エッチピットの進
行が適度に行なわれ、電気的特性、強度ともに優れたも
のとなる。
行が適度に行なわれ、電気的特性、強度ともに優れたも
のとなる。
Claims (1)
- １．アルミニウム箔の表面から０．１〜０．２μｍ深さ
の層部分においては、Ｐｂ、ＢｉおよびＩｎのうちの少
なくとも１種を合計で０．００１〜０．１ｗｔ％含み、
該層部分より内層部分においてはＰｂ、ＢｉおよびＩｎ
がそれぞれ平均値で０．０００１ｗｔ％未満であり、前
記表面から内層部までの平均アルミニウム純度が９９．
９６ｗｔ％以上であることを特徴とする電解コンデンサ
用アルミニウム箔。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2058370A JP2627456B2 (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
| EP91113380A EP0528057A1 (en) | 1990-03-08 | 1991-08-09 | Aluminium foil for electrolytic capacitors |
| US07/746,700 US5128836A (en) | 1990-03-08 | 1991-08-16 | Aluminum foil for electrolytic capacitors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2058370A JP2627456B2 (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03257913A true JPH03257913A (ja) | 1991-11-18 |
| JP2627456B2 JP2627456B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=13082442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2058370A Expired - Lifetime JP2627456B2 (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5128836A (ja) |
| EP (1) | EP0528057A1 (ja) |
| JP (1) | JP2627456B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001043150A1 (fr) * | 1999-12-08 | 2001-06-14 | Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha | Feuille a gainage en alliage d'aluminium pour anode moyenne et haute tension de condensateur electrolytique |
| US7492090B2 (en) | 2003-09-19 | 2009-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| JP2009270140A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Nippon Light Metal Co Ltd | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
| US8012529B2 (en) | 2003-08-29 | 2011-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and manufacturing method thereof |
| US8759131B2 (en) | 2003-10-20 | 2014-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device |
| CN104835647A (zh) * | 2015-04-28 | 2015-08-12 | 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 | 一种阳极腐蚀箔制造方法及一种铝箔腐蚀电解槽 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5518823A (en) * | 1990-12-11 | 1996-05-21 | Showa Aluminum Kabushiki | Aluminum foil as electrolytic condenser electrodes |
| US6201685B1 (en) | 1998-10-05 | 2001-03-13 | General Electric Company | Ultracapacitor current collector |
| FR2790008B1 (fr) | 1999-02-23 | 2001-04-13 | Pechiney Rhenalu | Feuille en alluminium raffine pour condensateurs electrolytiques |
| EP3522190A4 (en) * | 2016-09-30 | 2019-10-30 | Nippon Chemi-Con Corporation | ELECTRODE SHEET AND ELECTROLYTIC CAPACITOR |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5443563A (en) * | 1977-09-12 | 1979-04-06 | Showa Aluminium Co Ltd | Aluminum arroy foil for electrolyte condenser |
| JPS63288008A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-25 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7410690A (nl) * | 1974-01-25 | 1975-07-29 | Siemens Ag | Gelegeerde aluminiumfoelie voor hoogvolt-elec- trolytcondensatoren. |
-
1990
- 1990-03-08 JP JP2058370A patent/JP2627456B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-08-09 EP EP91113380A patent/EP0528057A1/en not_active Ceased
- 1991-08-16 US US07/746,700 patent/US5128836A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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| JPS5443563A (en) * | 1977-09-12 | 1979-04-06 | Showa Aluminium Co Ltd | Aluminum arroy foil for electrolyte condenser |
| JPS63288008A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-25 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
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| WO2001043150A1 (fr) * | 1999-12-08 | 2001-06-14 | Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha | Feuille a gainage en alliage d'aluminium pour anode moyenne et haute tension de condensateur electrolytique |
| US8012529B2 (en) | 2003-08-29 | 2011-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and manufacturing method thereof |
| US7492090B2 (en) | 2003-09-19 | 2009-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| US8970106B2 (en) | 2003-09-19 | 2015-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| US8759131B2 (en) | 2003-10-20 | 2014-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device |
| US9034675B2 (en) | 2003-10-20 | 2015-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device |
| JP2009270140A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Nippon Light Metal Co Ltd | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
| CN104835647A (zh) * | 2015-04-28 | 2015-08-12 | 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 | 一种阳极腐蚀箔制造方法及一种铝箔腐蚀电解槽 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0528057A1 (en) | 1993-02-24 |
| US5128836A (en) | 1992-07-07 |
| JP2627456B2 (ja) | 1997-07-09 |
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