JPS6225248B2 - - Google Patents
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- JPS6225248B2 JPS6225248B2 JP55143215A JP14321580A JPS6225248B2 JP S6225248 B2 JPS6225248 B2 JP S6225248B2 JP 55143215 A JP55143215 A JP 55143215A JP 14321580 A JP14321580 A JP 14321580A JP S6225248 B2 JPS6225248 B2 JP S6225248B2
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Description
この発明は、電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム箔の製造方法に関する。 電解コンデンサ用のアルミニウム電極箔は、そ
の実効表面積を拡大して単位体積当りの静電容量
を増大するため、一般に電気的或いは化学的エツ
チング処理が施されている。そして、この拡面率
をあげるために、従来からエツチング孔をなるべ
く多くする研究がなされてきた。ところが、従来
の電解エツチング技術では、一般的にエツチング
孔を多くしようとすると、アルミニウム箔の表面
の溶解も同時に進行して腐食減量が増大し、機械
的強度が損われるという問題があつた。このた
め、拡面率はエツチング後の機械的強度に制限さ
れて、これを顕著に拡大せしめることが困難であ
つた。 この発明は、かかる問題点を解決し、拡面率を
増大して静電容量を大幅に向上し、しかも機械的
強度はこれを損うことのないコンデンサ電極用ア
ルミニウム箔の製造方法を提供しようとするもの
である。 而して、この発明はアルミニウム純度が99.9％
以上でありかつ鉛およびビスマスの少なくともい
ずれか一方の元素を0.05ppm〜30ppm含有するア
ルミニウム合金箔を用い、該アルミニウム合金箔
を、塩素イオン２〜15％と、硫酸、蓚酸、クロム
酸、およびリン酸からなる多孔質皮膜生成酸のう
ちの少なくとも１種１〜35％とを含む50〜100℃
の水溶液中で、電流密度５〜40A／ｄm2の直流を
用いて前段エツチング処理した後、次いでこれ
を、塩素イオン２〜15％と、蓚酸、リン酸、クロ
ム酸、ホウ酸、酒石酸、コハク酸、マレイン酸お
よびクエン酸からなる表面溶解抑制酸のうちの少
なくとも１種0.03〜３％とを含む50〜100℃の水
溶液中で、電流密度0.5〜7A／ｄm2の直流を用い
て後段エツチング処理することを特徴とする電解
コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法を要
旨とするものである。 以下、これを更に詳しく説明する。 〔アルミニウム合金箔組成〕 この発明に用いるアルミニウム合金箔に含有さ
れる微量の鉛またはビスマスは、箔の静電容量を
増大させる点において均等物であり、これらの１
種または２種がアルミニウムに添加される、しか
しその箔中の含有量が0.05ppm（0.000005wt％）
未満では静電容量を増大する効果がなく、
30ppm（0.003wt％）を超えると、腐食減量が大
となり箔の強度保持の点で好ましくない。従つ
て、この含有量は0.05〜30ppmの範囲内で選ぶべ
きであるが、特に0.5〜5.0ppmの範囲が好まし
い。このような鉛またはビスマスの含有が箔の静
電容量を増大させるのは、次の理由によるものと
考えられる。即ち、静電容量の多少は、エツチン
グによる箔の実効表面積の拡大効率に依存する
が、鉛またはビスマスの少なくともいずれかを含
有した箔は、含有しない通常の高純度アルミニウ
ム箔に較べてエツチング孔の密度が増大し、拡面
率が高くなるためと考えられる。しかしながら、
その含有量が30ppmを超えると、エツチング孔
の密度が大になる反面、箔の表面も溶解するの
で、結果的には静電容量が低下し、強度が弱くな
る。 一方、コンデンサ電極用アルミニウム箔とし
て、アルミニウムの純度が99.9〜％以上要求され
ることは周知のとおりであり、いうまでもなく純
度99.99％以上のものの方が好ましい。 〔前段エツチング工程〕 前段エツチング工程に於けるエツチング液中の
塩素イオン濃度は、これが２％未満であると所期
するエツチング効果が得られず、15％を超えると
アルミニウム箔表面の全面的な溶解が進行する。
従つて、上記範囲内で、特に好ましくは５〜８％
程度とするのが良い。 塩素イオンを含む水溶液に添加する多孔質皮膜
生成酸は、アノード分極により酸化膜を生成する
酸のうちでも可及的多孔質の酸化膜を生成しうる
種類のものに限定される。即ち該多孔質皮膜生成
酸としては、硫酸、蓚酸、リン酸、クロム酸のう
ちの少なくとも１種に限定されるものである。こ
れらの種類の酸は、アノード分極により多孔質の
酸化皮膜を生成しうるものである点で均等物であ
るが、なかでも、特に硫酸は、他のものに較べ単
位面積当りに特に多数個のエツチング孔を緻密に
形成しうる点で好ましい。上記多孔質皮膜生成酸
の好適な添加量は酸の種類によつて異なるが、い
ずれの場合においても１％未満の場合にはエツチ
ング核となる孔を全面的に均一かつ高密度にもつ
た多孔質皮膜の生成が不充分なものとなり、結果
的に静電容量の充分な向上をはかることができな
い。反対に上記酸の添加量が35％を超える場合に
は箔表面の全面溶解が起こり、強度維持に悪影響
を及ぼす。従つて上記酸の添加量は１〜35％の範
囲内とすべきであり、特に好ましくは10〜20％の
範囲が良い。このような範囲での上記多孔質皮膜
生成酸の添加により好結果が得られるのは、該酸
を含む液中でアルミニウム箔をアノード分極させ
ることにより箔表面に１mm2当り１億個以上もの孔
を均一かつ高密度にもつた多孔質酸化膜を生成
し、その孔を塩素イオンが侵食し、孔以外の部分
は酸化膜で覆われているために箔表面の溶解が抑
制され、結果として塩素イオンのみによるエツチ
ングに比べて、エツチング孔が非常に多くなり、
かつ深くなるためと考えられる。 前段エツチングでのエツチング液の温度も効果
に重要な影響を及ぼす。これが50℃未満の場合は
エツチング効果が少なく、100℃を超えると表面
の全面溶解が起こる。従つて50〜100℃の範囲内
で、特に好適には70〜90℃の範囲で処理するのが
良い。 一方、電流密度は、これが5A／ｄm2未満の場
合はやはりエツチング効果に乏しく、反対に
40A／ｄm2を超えると全面溶解が起こる。従つて
この範囲内で、特に好ましくは10〜25A／ｄm2と
すべきである。 また、前段エツチングの電気量は、500〜3000
クーロン／ｄm2の範囲が良好であり、特に1500〜
2000クーロン／ｄm2の範囲が最適である。即ち、
500クーロン／ｄm2未満の場合はエツチング効果
が少なく、3000クーロン／ｄm2を超えると全面溶
解が進行する。 前段エツチング工程は、上記のようにエツチン
グ液への硫酸、蓚酸、リン酸、あるいはクロム酸
の比較的高濃度の添加、および通常の電解処理条
件に較べると比較的高液温、かつ高電流密度の条
件下において行うものである。従つてかかるエツ
チングは非常に苛酷なものであり、このためエツ
チングが進行するにつれてエツチング孔内は発生
ガスや溶解したアルミニウムイオンなどによつて
電気抵抗が高くなり、エツチング孔内でのエツチ
ングが停止してしまい、表面の溶解が進行する。
従つて、この発明は、エツチング孔内でのエツチ
ングが停止した時点で前段エツチングを終了し、
次に前段エツチングにより、表面溶解を抑制しな
がら、エツチング孔を更に深く、太くすることに
より所期する目的を達成するものである。 〔後段エツチング工程〕 後段エツチング工程におけるエツチング液中の
塩素イオン濃度は、前段エツチングの場合と同様
の理由から２〜15％の範囲が良好であり、特に５
〜８％の範囲が最適である。 この塩素イオンを含む水溶液に添加する表面溶
解抑制酸は、アノード分極によりアルミニウム表
面に酸化皮膜を生成して該表面の溶解を抑制する
作用を果たすものである。従つて、該酸は、アル
ミニウムに対して比較的溶解性の少ない酸化性酸
が好適に用いられるものであり、本発明において
は該酸の種類として、具体的には蓚酸、リン酸、
クロム酸、ホウ酸、酒石酸、コハク酸、マレイン
酸およびクエン酸に限定され、これらのうちの少
なくとも１種以上がエツチング液に添加される。
上記の各種の酸は、本発明が所期する作用の面に
おいて相互に均等物である。ただ後段エツチング
は、アルミニウム箔表面の溶解を抑制しながら、
エツチング孔内でのエツチングを進めるものであ
るから、上記の酸の高濃度の添加はエツチング孔
を太くする効果に乏しいものとなるため好ましく
ない。これは、上記酸の高濃度の添加により、エ
ツチング孔内にも酸化膜が形成され、該孔内のエ
ツチングを抑制してしまうためと考えられる。ま
た、アノード分極により酸化膜を生成する酸のう
ちでも、本発明において限定される前記の種類の
酸以外の酸、特に例えば硫酸の如きは、その添加
によつて溶解性が非常に強くなり、エツチング孔
内の発生ガスのために孔内エツチングの進行が妨
げられると共に、表面溶解を併発して拡面率を低
下せしめるため不適である。上記の酸の好適な添
加量は酸の種類によつて異なるが0.03〜３％の低
濃度の範囲に限定され、最も好ましくは0.1〜１
％の範囲である。この添加量が0.03％未満である
と、アルミニウム表面の溶解を抑制する効果が少
なく、逆に３％を超えるとアルミニウム箔表面の
全面溶解が起こる。 後段エツチングにおけるエツチング液の温度
は、これが低すぎると、前段エツチングで形成し
たエツチング孔を太くする効果に乏しく、逆に高
すぎる場合は全面溶解が起こる。従つて好適な温
度範囲は50〜100℃であり、特に60〜70℃の範囲
が最適である。 電流密度について一般的にいえることは、後段
エツチングは、発生ガスなどによりエツチング孔
内でのエツチングが停止しないようになる必要が
あるため、相対的に低い電流密度でエツチングし
なければならない。しかし電流密度が0.5A／ｄ
m2未満と低すぎる場合は、電気化学反応の中に占
める化学反応の割合が高くなりすぎ、エツチング
孔を深くする効果に乏しく全面溶解につながる。
逆に7A／ｄm2を超える高い電流密度とした場合
にも、アルミニウム箔の全面溶解が起こり、好ま
しくない。従つて、0.5〜7A／ｄm2の範囲で処理
すべきであり、特に２〜5A／ｄm2の範囲が最適
である。 一方、後段エツチングの電気量の範囲は、1000
クーロン／ｄm2未満ではエツチング孔を深く太く
する効果が少なく、4000クーロン／ｄm2を超える
と全面溶解が起こるため、このような範囲内で、
特に好ましくは2000〜3000クーロン／ｄm2の範囲
で処理するのが良い。 尚、上記の前段および後段の各エツチングは必
ずしも単一工程で実施する場合のみに限らず、そ
の個々を２段階で実施する場合、即ち全体として
エツチング処理を３段階以上で実施する場合もこ
の発明の範囲に包含される。 この発明は上述のように、鉛またはビスマスの
少なくともいずれかを含有する高純度アルミニウ
ム箔を用いて、これを先ず、前段エツチングによ
つて表面に専ら多数個のエツチングを高密度にし
かも比較的深く形成し、次いで後段エツチングに
より該エツチング孔内を集中的エツチングしてこ
れを更に太くかつ深くするものであり、結果にお
いて拡面率を顕著に増大して静電容量を大幅に向
上せしめることができ、電解コンデンサの一層の
小型化、軽量化を可能にするのはもとより、拡面
率の増大によつて機械的強度が損われる欠点がな
く、エツチング、化成、組込みなどの一連の工程
においてアルミニウム箔の切断等の危険性が少な
く、その生産能率の向上をはかることができるも
のである。 以下、この発明の実施例を比較例と共に示す。 供試料 Ａ：純度99.99％、厚さ0.1mmの焼鈍アルミニウ
ム箔 Ｂ：純度99.99％、鉛含有量1.5ppm、厚さ0.1
mmの焼鈍アルミニウム合金箔 Ｃ：純度99.99％、鉛含有量6ppm、厚さ0.1mm
の焼鈍アルミニウム合金箔 Ｄ：純度99.99％、ビスマス含有量3ppm、厚さ
0.1mmの焼鈍アルミニウム合金箔 上記各種の箔を供試料とし、これを先ず第１表
に示す各種電解条件でエツチング処理した。
ム箔の製造方法に関する。 電解コンデンサ用のアルミニウム電極箔は、そ
の実効表面積を拡大して単位体積当りの静電容量
を増大するため、一般に電気的或いは化学的エツ
チング処理が施されている。そして、この拡面率
をあげるために、従来からエツチング孔をなるべ
く多くする研究がなされてきた。ところが、従来
の電解エツチング技術では、一般的にエツチング
孔を多くしようとすると、アルミニウム箔の表面
の溶解も同時に進行して腐食減量が増大し、機械
的強度が損われるという問題があつた。このた
め、拡面率はエツチング後の機械的強度に制限さ
れて、これを顕著に拡大せしめることが困難であ
つた。 この発明は、かかる問題点を解決し、拡面率を
増大して静電容量を大幅に向上し、しかも機械的
強度はこれを損うことのないコンデンサ電極用ア
ルミニウム箔の製造方法を提供しようとするもの
である。 而して、この発明はアルミニウム純度が99.9％
以上でありかつ鉛およびビスマスの少なくともい
ずれか一方の元素を0.05ppm〜30ppm含有するア
ルミニウム合金箔を用い、該アルミニウム合金箔
を、塩素イオン２〜15％と、硫酸、蓚酸、クロム
酸、およびリン酸からなる多孔質皮膜生成酸のう
ちの少なくとも１種１〜35％とを含む50〜100℃
の水溶液中で、電流密度５〜40A／ｄm2の直流を
用いて前段エツチング処理した後、次いでこれ
を、塩素イオン２〜15％と、蓚酸、リン酸、クロ
ム酸、ホウ酸、酒石酸、コハク酸、マレイン酸お
よびクエン酸からなる表面溶解抑制酸のうちの少
なくとも１種0.03〜３％とを含む50〜100℃の水
溶液中で、電流密度0.5〜7A／ｄm2の直流を用い
て後段エツチング処理することを特徴とする電解
コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法を要
旨とするものである。 以下、これを更に詳しく説明する。 〔アルミニウム合金箔組成〕 この発明に用いるアルミニウム合金箔に含有さ
れる微量の鉛またはビスマスは、箔の静電容量を
増大させる点において均等物であり、これらの１
種または２種がアルミニウムに添加される、しか
しその箔中の含有量が0.05ppm（0.000005wt％）
未満では静電容量を増大する効果がなく、
30ppm（0.003wt％）を超えると、腐食減量が大
となり箔の強度保持の点で好ましくない。従つ
て、この含有量は0.05〜30ppmの範囲内で選ぶべ
きであるが、特に0.5〜5.0ppmの範囲が好まし
い。このような鉛またはビスマスの含有が箔の静
電容量を増大させるのは、次の理由によるものと
考えられる。即ち、静電容量の多少は、エツチン
グによる箔の実効表面積の拡大効率に依存する
が、鉛またはビスマスの少なくともいずれかを含
有した箔は、含有しない通常の高純度アルミニウ
ム箔に較べてエツチング孔の密度が増大し、拡面
率が高くなるためと考えられる。しかしながら、
その含有量が30ppmを超えると、エツチング孔
の密度が大になる反面、箔の表面も溶解するの
で、結果的には静電容量が低下し、強度が弱くな
る。 一方、コンデンサ電極用アルミニウム箔とし
て、アルミニウムの純度が99.9〜％以上要求され
ることは周知のとおりであり、いうまでもなく純
度99.99％以上のものの方が好ましい。 〔前段エツチング工程〕 前段エツチング工程に於けるエツチング液中の
塩素イオン濃度は、これが２％未満であると所期
するエツチング効果が得られず、15％を超えると
アルミニウム箔表面の全面的な溶解が進行する。
従つて、上記範囲内で、特に好ましくは５〜８％
程度とするのが良い。 塩素イオンを含む水溶液に添加する多孔質皮膜
生成酸は、アノード分極により酸化膜を生成する
酸のうちでも可及的多孔質の酸化膜を生成しうる
種類のものに限定される。即ち該多孔質皮膜生成
酸としては、硫酸、蓚酸、リン酸、クロム酸のう
ちの少なくとも１種に限定されるものである。こ
れらの種類の酸は、アノード分極により多孔質の
酸化皮膜を生成しうるものである点で均等物であ
るが、なかでも、特に硫酸は、他のものに較べ単
位面積当りに特に多数個のエツチング孔を緻密に
形成しうる点で好ましい。上記多孔質皮膜生成酸
の好適な添加量は酸の種類によつて異なるが、い
ずれの場合においても１％未満の場合にはエツチ
ング核となる孔を全面的に均一かつ高密度にもつ
た多孔質皮膜の生成が不充分なものとなり、結果
的に静電容量の充分な向上をはかることができな
い。反対に上記酸の添加量が35％を超える場合に
は箔表面の全面溶解が起こり、強度維持に悪影響
を及ぼす。従つて上記酸の添加量は１〜35％の範
囲内とすべきであり、特に好ましくは10〜20％の
範囲が良い。このような範囲での上記多孔質皮膜
生成酸の添加により好結果が得られるのは、該酸
を含む液中でアルミニウム箔をアノード分極させ
ることにより箔表面に１mm2当り１億個以上もの孔
を均一かつ高密度にもつた多孔質酸化膜を生成
し、その孔を塩素イオンが侵食し、孔以外の部分
は酸化膜で覆われているために箔表面の溶解が抑
制され、結果として塩素イオンのみによるエツチ
ングに比べて、エツチング孔が非常に多くなり、
かつ深くなるためと考えられる。 前段エツチングでのエツチング液の温度も効果
に重要な影響を及ぼす。これが50℃未満の場合は
エツチング効果が少なく、100℃を超えると表面
の全面溶解が起こる。従つて50〜100℃の範囲内
で、特に好適には70〜90℃の範囲で処理するのが
良い。 一方、電流密度は、これが5A／ｄm2未満の場
合はやはりエツチング効果に乏しく、反対に
40A／ｄm2を超えると全面溶解が起こる。従つて
この範囲内で、特に好ましくは10〜25A／ｄm2と
すべきである。 また、前段エツチングの電気量は、500〜3000
クーロン／ｄm2の範囲が良好であり、特に1500〜
2000クーロン／ｄm2の範囲が最適である。即ち、
500クーロン／ｄm2未満の場合はエツチング効果
が少なく、3000クーロン／ｄm2を超えると全面溶
解が進行する。 前段エツチング工程は、上記のようにエツチン
グ液への硫酸、蓚酸、リン酸、あるいはクロム酸
の比較的高濃度の添加、および通常の電解処理条
件に較べると比較的高液温、かつ高電流密度の条
件下において行うものである。従つてかかるエツ
チングは非常に苛酷なものであり、このためエツ
チングが進行するにつれてエツチング孔内は発生
ガスや溶解したアルミニウムイオンなどによつて
電気抵抗が高くなり、エツチング孔内でのエツチ
ングが停止してしまい、表面の溶解が進行する。
従つて、この発明は、エツチング孔内でのエツチ
ングが停止した時点で前段エツチングを終了し、
次に前段エツチングにより、表面溶解を抑制しな
がら、エツチング孔を更に深く、太くすることに
より所期する目的を達成するものである。 〔後段エツチング工程〕 後段エツチング工程におけるエツチング液中の
塩素イオン濃度は、前段エツチングの場合と同様
の理由から２〜15％の範囲が良好であり、特に５
〜８％の範囲が最適である。 この塩素イオンを含む水溶液に添加する表面溶
解抑制酸は、アノード分極によりアルミニウム表
面に酸化皮膜を生成して該表面の溶解を抑制する
作用を果たすものである。従つて、該酸は、アル
ミニウムに対して比較的溶解性の少ない酸化性酸
が好適に用いられるものであり、本発明において
は該酸の種類として、具体的には蓚酸、リン酸、
クロム酸、ホウ酸、酒石酸、コハク酸、マレイン
酸およびクエン酸に限定され、これらのうちの少
なくとも１種以上がエツチング液に添加される。
上記の各種の酸は、本発明が所期する作用の面に
おいて相互に均等物である。ただ後段エツチング
は、アルミニウム箔表面の溶解を抑制しながら、
エツチング孔内でのエツチングを進めるものであ
るから、上記の酸の高濃度の添加はエツチング孔
を太くする効果に乏しいものとなるため好ましく
ない。これは、上記酸の高濃度の添加により、エ
ツチング孔内にも酸化膜が形成され、該孔内のエ
ツチングを抑制してしまうためと考えられる。ま
た、アノード分極により酸化膜を生成する酸のう
ちでも、本発明において限定される前記の種類の
酸以外の酸、特に例えば硫酸の如きは、その添加
によつて溶解性が非常に強くなり、エツチング孔
内の発生ガスのために孔内エツチングの進行が妨
げられると共に、表面溶解を併発して拡面率を低
下せしめるため不適である。上記の酸の好適な添
加量は酸の種類によつて異なるが0.03〜３％の低
濃度の範囲に限定され、最も好ましくは0.1〜１
％の範囲である。この添加量が0.03％未満である
と、アルミニウム表面の溶解を抑制する効果が少
なく、逆に３％を超えるとアルミニウム箔表面の
全面溶解が起こる。 後段エツチングにおけるエツチング液の温度
は、これが低すぎると、前段エツチングで形成し
たエツチング孔を太くする効果に乏しく、逆に高
すぎる場合は全面溶解が起こる。従つて好適な温
度範囲は50〜100℃であり、特に60〜70℃の範囲
が最適である。 電流密度について一般的にいえることは、後段
エツチングは、発生ガスなどによりエツチング孔
内でのエツチングが停止しないようになる必要が
あるため、相対的に低い電流密度でエツチングし
なければならない。しかし電流密度が0.5A／ｄ
m2未満と低すぎる場合は、電気化学反応の中に占
める化学反応の割合が高くなりすぎ、エツチング
孔を深くする効果に乏しく全面溶解につながる。
逆に7A／ｄm2を超える高い電流密度とした場合
にも、アルミニウム箔の全面溶解が起こり、好ま
しくない。従つて、0.5〜7A／ｄm2の範囲で処理
すべきであり、特に２〜5A／ｄm2の範囲が最適
である。 一方、後段エツチングの電気量の範囲は、1000
クーロン／ｄm2未満ではエツチング孔を深く太く
する効果が少なく、4000クーロン／ｄm2を超える
と全面溶解が起こるため、このような範囲内で、
特に好ましくは2000〜3000クーロン／ｄm2の範囲
で処理するのが良い。 尚、上記の前段および後段の各エツチングは必
ずしも単一工程で実施する場合のみに限らず、そ
の個々を２段階で実施する場合、即ち全体として
エツチング処理を３段階以上で実施する場合もこ
の発明の範囲に包含される。 この発明は上述のように、鉛またはビスマスの
少なくともいずれかを含有する高純度アルミニウ
ム箔を用いて、これを先ず、前段エツチングによ
つて表面に専ら多数個のエツチングを高密度にし
かも比較的深く形成し、次いで後段エツチングに
より該エツチング孔内を集中的エツチングしてこ
れを更に太くかつ深くするものであり、結果にお
いて拡面率を顕著に増大して静電容量を大幅に向
上せしめることができ、電解コンデンサの一層の
小型化、軽量化を可能にするのはもとより、拡面
率の増大によつて機械的強度が損われる欠点がな
く、エツチング、化成、組込みなどの一連の工程
においてアルミニウム箔の切断等の危険性が少な
く、その生産能率の向上をはかることができるも
のである。 以下、この発明の実施例を比較例と共に示す。 供試料 Ａ：純度99.99％、厚さ0.1mmの焼鈍アルミニウ
ム箔 Ｂ：純度99.99％、鉛含有量1.5ppm、厚さ0.1
mmの焼鈍アルミニウム合金箔 Ｃ：純度99.99％、鉛含有量6ppm、厚さ0.1mm
の焼鈍アルミニウム合金箔 Ｄ：純度99.99％、ビスマス含有量3ppm、厚さ
0.1mmの焼鈍アルミニウム合金箔 上記各種の箔を供試料とし、これを先ず第１表
に示す各種電解条件でエツチング処理した。
【表】
【表】
次いで、上記前段エツチングにより得られた各
アルミニウム箔につき、第２表に示す各種電解条
件でそれぞれ後段エツチングを施した。
アルミニウム箔につき、第２表に示す各種電解条
件でそれぞれ後段エツチングを施した。
【表】
【表】
上記により得られた各エツチング箔を、硼酸溶
液中で380Vに化成したのち、各試料についてエ
ツチング溶解量、静電容量、引張り強さを測定し
た。その結果を第３表に示す。
液中で380Vに化成したのち、各試料についてエ
ツチング溶解量、静電容量、引張り強さを測定し
た。その結果を第３表に示す。
【表】
【表】
この発明は、上表に示した結果からも明らかな
ように、鉛またはビスマスを含有する高純度アル
ミニウムを用いて、しかもこれを特定条件下で前
段エツチングと後段エツチングの２段階のエツチ
ング処理を施すことにより、極めて高い拡面率を
得て静電容量の大幅な増大をはかりつつ、機械的
強度、特に引張り強度においても優れたアルミニ
ウム電極箔を得ることができるものである。
ように、鉛またはビスマスを含有する高純度アル
ミニウムを用いて、しかもこれを特定条件下で前
段エツチングと後段エツチングの２段階のエツチ
ング処理を施すことにより、極めて高い拡面率を
得て静電容量の大幅な増大をはかりつつ、機械的
強度、特に引張り強度においても優れたアルミニ
ウム電極箔を得ることができるものである。
Claims (1)
- １ アルミニウム純度が99.9％以上でありかつ鉛
およびビスマスの少なくともいずれか一方の元素
を0.05ppm〜30ppm含有するアルミニウム合金箔
を用い、該アルミニウム合金箔を、塩素イオン２
〜15％と、硫酸、蓚酸、クロム酸、およびリン酸
からなる多孔質皮膜生成酸のうちの少なくとも１
種１〜35％とを含む50〜100℃の水溶液中で、電
流密度５〜40A／ｄm2の直流を用いて前段エツチ
ング処理した後、次いでこれを、塩素イオン２〜
15％と、蓚酸、リン酸、クロム酸、ホウ酸、酒石
酸、コハク酸、マレイン酸およびクエン酸からな
る表面溶解抑制酸のうちの少なくとも１種0.03〜
３％とを含む50〜100℃の水溶液中で、電流密度
0.5〜7A／ｄm2の直流を用いて後段エツチング処
理することを特徴とする電解コンデンサ電極用ア
ルミニウム箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14321580A JPS5766616A (en) | 1980-10-13 | 1980-10-13 | Method of producing alumihum foil for electrolytic condenser electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14321580A JPS5766616A (en) | 1980-10-13 | 1980-10-13 | Method of producing alumihum foil for electrolytic condenser electrode |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5766616A JPS5766616A (en) | 1982-04-22 |
| JPS6225248B2 true JPS6225248B2 (ja) | 1987-06-02 |
Family
ID=15333561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14321580A Granted JPS5766616A (en) | 1980-10-13 | 1980-10-13 | Method of producing alumihum foil for electrolytic condenser electrode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5766616A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4474657A (en) * | 1983-12-20 | 1984-10-02 | North American Philips Corporation | Single step electro chemical etch process for high volt aluminum anode foil |
| US4525249A (en) * | 1984-07-16 | 1985-06-25 | North American Philips Corporation | Two step electro chemical and chemical etch process for high volt aluminum anode foil |
| US4518471A (en) * | 1984-08-29 | 1985-05-21 | North American Philips Corporation | Two step electrochemical etch process for high volt aluminum anode foil |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53114059A (en) * | 1977-03-16 | 1978-10-05 | Showa Aluminium Co Ltd | Aluminum alloy foil for electrolytic capacitor |
| JPS5576098A (en) * | 1978-12-05 | 1980-06-07 | Fujitsu Ltd | Production of electrode for aluminum electrolytic capacitor |
| JPS5576099A (en) * | 1978-12-05 | 1980-06-07 | Fujitsu Ltd | Production of electrode for aluminum electrolytic capacitor |
| JPS5576100A (en) * | 1978-12-05 | 1980-06-07 | Fujitsu Ltd | Production of electrode for aluminum electrolytic capacitor |
-
1980
- 1980-10-13 JP JP14321580A patent/JPS5766616A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53114059A (en) * | 1977-03-16 | 1978-10-05 | Showa Aluminium Co Ltd | Aluminum alloy foil for electrolytic capacitor |
| JPS5576098A (en) * | 1978-12-05 | 1980-06-07 | Fujitsu Ltd | Production of electrode for aluminum electrolytic capacitor |
| JPS5576099A (en) * | 1978-12-05 | 1980-06-07 | Fujitsu Ltd | Production of electrode for aluminum electrolytic capacitor |
| JPS5576100A (en) * | 1978-12-05 | 1980-06-07 | Fujitsu Ltd | Production of electrode for aluminum electrolytic capacitor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5766616A (en) | 1982-04-22 |
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