JPS6225247B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6225247B2 JPS6225247B2 JP55143219A JP14321980A JPS6225247B2 JP S6225247 B2 JPS6225247 B2 JP S6225247B2 JP 55143219 A JP55143219 A JP 55143219A JP 14321980 A JP14321980 A JP 14321980A JP S6225247 B2 JPS6225247 B2 JP S6225247B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- acid
- stage
- range
- chlorine ions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 75
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 26
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 13
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 9
- -1 chlorine ions Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 8
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 6
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 claims description 5
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 4
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 3
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims description 3
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 3
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
この発明は、電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム箔の製造方法に関する。 電解コンデンサ用のアルミニウム電極箔は、そ
の実効表面積を拡大して単位面積当りの静電容量
を増大するため、一般に電気的或いは化学的エツ
チング処理が施されている。そして、この拡面率
をあげるために、従来からエツチング孔をなるべ
く多くする研究がなされてきた。ところが、従来
の電解エツチング技術では、一般的にエツチング
孔を多くしようとすると、アルミニウム箔の表面
の溶解も同時に進行して腐食減量が増大し、機械
的強度が損われるという問題があつた。このた
め、拡面率はエツチング後の機械的強度に制限さ
れて、これを顕著に拡大せしめることが困難であ
つた。 この発明は、かかる問題点を解決し、拡面率を
増大して静電容量を大幅に向上し、かつ機械的強
度にも優れたアルミニウム電極箔を得ることがで
きる電解エツチング方法を提供しようとするもの
である。 そこで、この発明はエツチング処理を前段エツ
チングと後段エツチングとの少なくとも２段階に
分けて行うものとし、塩素イオン２〜15％と、硫
酸、蓚酸、クロム酸およびリン酸からなる多孔質
皮膜生成酸のうちの少なくとも１種１〜35％とを
含む50〜100℃の水溶液中で、電流密度５〜40A
〜ｄm2の直流を用いて電解エツチングし、後段エ
ツチングは、塩素イオン２〜15％と、蓚酸、リン
酸、クロム酸、ホウ酸、酒石酸、コハク酸、およ
びマレイン酸からなる表面溶解抑制後のうちの少
なくとも１種0.03〜３％とを含む50〜100℃の水
溶液中で、化学エツチングすることを特徴とする
ものである。 エツチング処理を前段エツチングと後段エツチ
ングとの２段階に分けて行うのは、前段エツチン
グにより多孔質の酸化皮膜を生成して、エツチン
グ孔が高密度に存在するエツチング表面を形成
し、次いで後段エツチングにより、そのエツチン
グ孔の部分を集中的にアタツクして該孔を更に深
くかつ太くして高い拡面率を得んとするがためで
ある。従つて、これらの前段および後段の各エツ
チングは必ずしも単一工程で実施する場合のみに
限らず、その個々を２段階で実施する場合、即ち
全体としてエツチング処理を３段階以上で実施す
る場合もこの発明の範囲に包含される。 次に、上記前段および後段の各エツチング処理
工程につき更に詳しく説明する。 〔前段エツチング工程〕 前段エツチング工程に於けるエツチング液中の
塩素イオン濃度は、これが２％未満であると所期
するエツチング効果が得られず、15％を超えると
アルミニウム箔表面の全面的な溶解が進行する。
従つて、上記範囲内で、特に好ましくは５〜８％
程度とするのが良い。 塩素イオンを含む水溶液に添加する多孔質皮膜
生成酸は、アノード分極により酸化膜を生成する
酸のうちでも可及的多孔質の酸化皮膜を生成しう
る種類のものに限定される。即ち該酸としては、
硫酸、蓚酸、リン酸、およびクロム酸のうちの少
なくとも１種に限定されるものである。これらの
種類の酸は、アノード分極により多孔質の酸化皮
膜を生成しうるものである点で均等物であるが、
なかでも、特に硫酸は、他のものに較べ単位面積
当りに特に多数個のエツチング孔を緻密に形成し
うる点で好ましい。上記多孔質皮膜生成酸の好適
な添加量は酸の種類によつて異なるが、いずれの
場合においても１％未満の場合にはエツチング核
となる孔を全面的に均一かつ高密度にもつた多孔
質酸化皮膜の生成が不充分なものとなり、結果的
に静電容量の充分な向上をはかることができな
い。反対に上記酸の添加量が35％を超える場合に
は、箔表面の全面溶解が起こり、強度維持に悪影
響を及ぼす。従つて、上記酸の添加量は１〜35％
の範囲内とすべきであり、特に好ましくは10〜20
％の範囲が良い。このような範囲での上記多孔質
皮膜生成酸の添加により好結果が得られるのは、
該酸を含む液中でアルミニウム箔をアノード分極
させることにより箔表面に１mm2当り１億個以上も
の孔を均一かつ高密度にもつた多孔質酸化膜を生
成し、その孔を塩素イオンが侵食し、孔以外の部
分は酸化膜で覆われているために箔表面の溶解が
抑制され、結果として塩素イオンのみによるエツ
チングに比べて、エツチング孔が非常に多くな
り、かつ深くなるためと考えられる。 前段エツチングでのエツチング液の温度も効果
に重要な影響を及ぼす。これが50℃未満の場合は
エツチング効果が少なく、100℃を超えると表面
の全面溶解が起こる。従つて50〜100℃の範囲内
で、特に好適には70〜90℃の範囲で処理するのが
良い。 一方、電流密度は、これが5A／ｄm3未満の場
合はやはりエツチング効果に乏しく、反対に
40A／ｄm2を超えると全面溶解が起こる。従つて
この範位内で、特に好ましくは10〜25A／ｄm2と
すべきである。 また、前段エツチングの電気量は、500〜3000
クーロン／ｄm2の範囲が良好であり、特に1500〜
2000クーロン／ｄm2の範囲が最適である。即ち、
500クーロン／ｄm2未満の場合はエツチング効果
が少なく、3000クーロン／ｄm2を超えると全面溶
解が進行する。 前段エツチング工程は、上記のようにエツチン
グ液への硫酸、蓚酸、リン酸あるいはクロム酸の
比較的高濃度の添加、および通常の電解処理条件
に較べると比較的高液温かつ高電流密度の条件下
において行うものである。従つてかかるエツチン
グは非常に苛酷なものであり、このためエツチン
グが進行するにつれてエツチング孔内は発生ガス
や溶解したアルミニウムイオンなどによつて電気
抵抗が高くなり、エツチング孔内でのエツチング
が停止してしまい、表面の溶解が進行する。従つ
て、この発明は、エツチング孔内でのエツチング
が停止してした時点で前段エツチングを終了し、
次に後段エツチングにより、表面溶解を抑制しな
がら、エツチング孔を更に深く、太くすることに
より所期する目的を達成するものである。 〔後段エツチング工程〕 後段エツチング工程におけるエツチング液中の
塩素イオン濃度は、前段エツチングの場合と同様
の理由から２〜15％の範囲が良好であり、特に５
〜８％の範囲が最適である。 この塩素イオンを含む水溶液に添加する表面溶
解抑制酸は、アノード分極によりアルミニウム表
面に陽極酸化皮膜を生成して該表面の溶解を抑制
する作用を果すものである。従つて、該酸は、ア
ルミニウムに対して比較的溶解性の少ない酸化性
酸が好適に用いられるものであり、本発明におい
ては該酸の種類として、具体的には蓚酸、リン
酸、クロム酸、ホウ酸、酒石酸、コハク酸、およ
びマイレンに限定され、これらの中の少なくとも
１種以上がエツチング液に添加される。上記の各
種の酸は、本発明が所期する作用の面において相
互に実質的に均等物である。ただ後段エツチング
は、アルミニウム箔表面の溶解を抑制しながら、
エツチング孔内でのエツチングを進めるものであ
るから、上記の酸の高濃度の添加はエツチング孔
を太くする効果に乏しいものとなるため好ましく
ない。これは、上記酸の高濃度の添加によりエツ
チング孔内にも酸化膜が形成され、該孔内のエツ
チングを抑制してしまうためと考えられる。ま
た、アノード分極により酸化膜を生成する酸のう
ちでも、本発明において限定される前記の種類の
酸以外の酸、特に例えば硫酸の如きは、その添加
によつて溶解性が非常に強くなり、エツチング孔
内の発生ガスのために孔内エツチングの進行が妨
げられると共に、表面溶解を併発して拡面率を低
下せしめるため不適である。上記の酸の好適な添
加量は酸の種類によつて異なるが、0.03〜３％の
低濃度の範囲に限定され、最も好ましくは0.1〜
１％の範囲である。この添加量が0.03％未満であ
ると、アルミニウム表面の溶解を抑制する効果が
少なく、逆に３％を超えるとエツチング孔を太く
する効果に乏しい。 後段エツチングにおけるエツチング液の温度
は、これが低すぎると、前段エツチングで形成し
たエツチング孔を太くする効果に乏しく、逆に高
すぎる場合は全面溶解が起こる。従つて好適な温
度範囲は50〜100℃であり、特に70〜90℃の範囲
が最適である。 化学エツチングのエツチング時間の好適範囲は
15〜35分であり、この範囲を逸脱すると前記同様
所期効果を達成し難いものとなりまた全面溶解が
起こる。最も好適な範囲は概ね20〜30分である。 発明によれば、前述のような諸条件によつてア
ルミニウム箔のエツチングを行うものであるか
ら、前段の電解エツチングによつてアルミニウム
箔の表面に専ら多数個のエツチング孔を高密度に
しかも比較的深く形成し、次いで後段のエツチン
グにより該エツチング孔内を集中的にエツチング
して更に太くかつ深くするものであり、結果にお
いて拡面率を顕著に増大して静電容量を大幅に向
上せしめ、電解コンデンサの一層の小型化、軽量
化を可能にするのはもとより、拡面率の増大によ
つて機械的強度が損われる欠点がなく、エツチン
グ、化成、組込みなどの一連の工程においてアル
ミニウム箔の切断等の危険性が少なく、その生産
能率の向上をはかることができる。 以下、この発明の実施例を比較例と共に示す。
供試料として、純度99.99％、厚さ0.1mmの焼鈍済
アルミニウム箔を用い、前段エツチングとしてこ
れを先ず第１表に示す各種電解条件でエツチング
処理した。
ム箔の製造方法に関する。 電解コンデンサ用のアルミニウム電極箔は、そ
の実効表面積を拡大して単位面積当りの静電容量
を増大するため、一般に電気的或いは化学的エツ
チング処理が施されている。そして、この拡面率
をあげるために、従来からエツチング孔をなるべ
く多くする研究がなされてきた。ところが、従来
の電解エツチング技術では、一般的にエツチング
孔を多くしようとすると、アルミニウム箔の表面
の溶解も同時に進行して腐食減量が増大し、機械
的強度が損われるという問題があつた。このた
め、拡面率はエツチング後の機械的強度に制限さ
れて、これを顕著に拡大せしめることが困難であ
つた。 この発明は、かかる問題点を解決し、拡面率を
増大して静電容量を大幅に向上し、かつ機械的強
度にも優れたアルミニウム電極箔を得ることがで
きる電解エツチング方法を提供しようとするもの
である。 そこで、この発明はエツチング処理を前段エツ
チングと後段エツチングとの少なくとも２段階に
分けて行うものとし、塩素イオン２〜15％と、硫
酸、蓚酸、クロム酸およびリン酸からなる多孔質
皮膜生成酸のうちの少なくとも１種１〜35％とを
含む50〜100℃の水溶液中で、電流密度５〜40A
〜ｄm2の直流を用いて電解エツチングし、後段エ
ツチングは、塩素イオン２〜15％と、蓚酸、リン
酸、クロム酸、ホウ酸、酒石酸、コハク酸、およ
びマレイン酸からなる表面溶解抑制後のうちの少
なくとも１種0.03〜３％とを含む50〜100℃の水
溶液中で、化学エツチングすることを特徴とする
ものである。 エツチング処理を前段エツチングと後段エツチ
ングとの２段階に分けて行うのは、前段エツチン
グにより多孔質の酸化皮膜を生成して、エツチン
グ孔が高密度に存在するエツチング表面を形成
し、次いで後段エツチングにより、そのエツチン
グ孔の部分を集中的にアタツクして該孔を更に深
くかつ太くして高い拡面率を得んとするがためで
ある。従つて、これらの前段および後段の各エツ
チングは必ずしも単一工程で実施する場合のみに
限らず、その個々を２段階で実施する場合、即ち
全体としてエツチング処理を３段階以上で実施す
る場合もこの発明の範囲に包含される。 次に、上記前段および後段の各エツチング処理
工程につき更に詳しく説明する。 〔前段エツチング工程〕 前段エツチング工程に於けるエツチング液中の
塩素イオン濃度は、これが２％未満であると所期
するエツチング効果が得られず、15％を超えると
アルミニウム箔表面の全面的な溶解が進行する。
従つて、上記範囲内で、特に好ましくは５〜８％
程度とするのが良い。 塩素イオンを含む水溶液に添加する多孔質皮膜
生成酸は、アノード分極により酸化膜を生成する
酸のうちでも可及的多孔質の酸化皮膜を生成しう
る種類のものに限定される。即ち該酸としては、
硫酸、蓚酸、リン酸、およびクロム酸のうちの少
なくとも１種に限定されるものである。これらの
種類の酸は、アノード分極により多孔質の酸化皮
膜を生成しうるものである点で均等物であるが、
なかでも、特に硫酸は、他のものに較べ単位面積
当りに特に多数個のエツチング孔を緻密に形成し
うる点で好ましい。上記多孔質皮膜生成酸の好適
な添加量は酸の種類によつて異なるが、いずれの
場合においても１％未満の場合にはエツチング核
となる孔を全面的に均一かつ高密度にもつた多孔
質酸化皮膜の生成が不充分なものとなり、結果的
に静電容量の充分な向上をはかることができな
い。反対に上記酸の添加量が35％を超える場合に
は、箔表面の全面溶解が起こり、強度維持に悪影
響を及ぼす。従つて、上記酸の添加量は１〜35％
の範囲内とすべきであり、特に好ましくは10〜20
％の範囲が良い。このような範囲での上記多孔質
皮膜生成酸の添加により好結果が得られるのは、
該酸を含む液中でアルミニウム箔をアノード分極
させることにより箔表面に１mm2当り１億個以上も
の孔を均一かつ高密度にもつた多孔質酸化膜を生
成し、その孔を塩素イオンが侵食し、孔以外の部
分は酸化膜で覆われているために箔表面の溶解が
抑制され、結果として塩素イオンのみによるエツ
チングに比べて、エツチング孔が非常に多くな
り、かつ深くなるためと考えられる。 前段エツチングでのエツチング液の温度も効果
に重要な影響を及ぼす。これが50℃未満の場合は
エツチング効果が少なく、100℃を超えると表面
の全面溶解が起こる。従つて50〜100℃の範囲内
で、特に好適には70〜90℃の範囲で処理するのが
良い。 一方、電流密度は、これが5A／ｄm3未満の場
合はやはりエツチング効果に乏しく、反対に
40A／ｄm2を超えると全面溶解が起こる。従つて
この範位内で、特に好ましくは10〜25A／ｄm2と
すべきである。 また、前段エツチングの電気量は、500〜3000
クーロン／ｄm2の範囲が良好であり、特に1500〜
2000クーロン／ｄm2の範囲が最適である。即ち、
500クーロン／ｄm2未満の場合はエツチング効果
が少なく、3000クーロン／ｄm2を超えると全面溶
解が進行する。 前段エツチング工程は、上記のようにエツチン
グ液への硫酸、蓚酸、リン酸あるいはクロム酸の
比較的高濃度の添加、および通常の電解処理条件
に較べると比較的高液温かつ高電流密度の条件下
において行うものである。従つてかかるエツチン
グは非常に苛酷なものであり、このためエツチン
グが進行するにつれてエツチング孔内は発生ガス
や溶解したアルミニウムイオンなどによつて電気
抵抗が高くなり、エツチング孔内でのエツチング
が停止してしまい、表面の溶解が進行する。従つ
て、この発明は、エツチング孔内でのエツチング
が停止してした時点で前段エツチングを終了し、
次に後段エツチングにより、表面溶解を抑制しな
がら、エツチング孔を更に深く、太くすることに
より所期する目的を達成するものである。 〔後段エツチング工程〕 後段エツチング工程におけるエツチング液中の
塩素イオン濃度は、前段エツチングの場合と同様
の理由から２〜15％の範囲が良好であり、特に５
〜８％の範囲が最適である。 この塩素イオンを含む水溶液に添加する表面溶
解抑制酸は、アノード分極によりアルミニウム表
面に陽極酸化皮膜を生成して該表面の溶解を抑制
する作用を果すものである。従つて、該酸は、ア
ルミニウムに対して比較的溶解性の少ない酸化性
酸が好適に用いられるものであり、本発明におい
ては該酸の種類として、具体的には蓚酸、リン
酸、クロム酸、ホウ酸、酒石酸、コハク酸、およ
びマイレンに限定され、これらの中の少なくとも
１種以上がエツチング液に添加される。上記の各
種の酸は、本発明が所期する作用の面において相
互に実質的に均等物である。ただ後段エツチング
は、アルミニウム箔表面の溶解を抑制しながら、
エツチング孔内でのエツチングを進めるものであ
るから、上記の酸の高濃度の添加はエツチング孔
を太くする効果に乏しいものとなるため好ましく
ない。これは、上記酸の高濃度の添加によりエツ
チング孔内にも酸化膜が形成され、該孔内のエツ
チングを抑制してしまうためと考えられる。ま
た、アノード分極により酸化膜を生成する酸のう
ちでも、本発明において限定される前記の種類の
酸以外の酸、特に例えば硫酸の如きは、その添加
によつて溶解性が非常に強くなり、エツチング孔
内の発生ガスのために孔内エツチングの進行が妨
げられると共に、表面溶解を併発して拡面率を低
下せしめるため不適である。上記の酸の好適な添
加量は酸の種類によつて異なるが、0.03〜３％の
低濃度の範囲に限定され、最も好ましくは0.1〜
１％の範囲である。この添加量が0.03％未満であ
ると、アルミニウム表面の溶解を抑制する効果が
少なく、逆に３％を超えるとエツチング孔を太く
する効果に乏しい。 後段エツチングにおけるエツチング液の温度
は、これが低すぎると、前段エツチングで形成し
たエツチング孔を太くする効果に乏しく、逆に高
すぎる場合は全面溶解が起こる。従つて好適な温
度範囲は50〜100℃であり、特に70〜90℃の範囲
が最適である。 化学エツチングのエツチング時間の好適範囲は
15〜35分であり、この範囲を逸脱すると前記同様
所期効果を達成し難いものとなりまた全面溶解が
起こる。最も好適な範囲は概ね20〜30分である。 発明によれば、前述のような諸条件によつてア
ルミニウム箔のエツチングを行うものであるか
ら、前段の電解エツチングによつてアルミニウム
箔の表面に専ら多数個のエツチング孔を高密度に
しかも比較的深く形成し、次いで後段のエツチン
グにより該エツチング孔内を集中的にエツチング
して更に太くかつ深くするものであり、結果にお
いて拡面率を顕著に増大して静電容量を大幅に向
上せしめ、電解コンデンサの一層の小型化、軽量
化を可能にするのはもとより、拡面率の増大によ
つて機械的強度が損われる欠点がなく、エツチン
グ、化成、組込みなどの一連の工程においてアル
ミニウム箔の切断等の危険性が少なく、その生産
能率の向上をはかることができる。 以下、この発明の実施例を比較例と共に示す。
供試料として、純度99.99％、厚さ0.1mmの焼鈍済
アルミニウム箔を用い、前段エツチングとしてこ
れを先ず第１表に示す各種電解条件でエツチング
処理した。
【表】
【表】
次いで、上記前段エツチングにより得られた各
アルミニウム箔につき、第２表に示す組成及び温
度のエツチング液中で、それぞれ後段の化学エツ
チング処理を施した。
アルミニウム箔につき、第２表に示す組成及び温
度のエツチング液中で、それぞれ後段の化学エツ
チング処理を施した。
【表】
【表】
上記により得られた各エツチング箔を、硼酸溶
液中で380Vに化成したのち、各試料についてエ
ツチング溶解量、静電容量、引張り強さを測定し
た。その結果を第３表に示す。
液中で380Vに化成したのち、各試料についてエ
ツチング溶解量、静電容量、引張り強さを測定し
た。その結果を第３表に示す。
【表】
上表から明らかなように、本発明の実施によれ
ば、強度が優れており、しかも静電容量の大きい
電気特性に優れたコンデンサ電極用アルミニウム
箔を得ることができる。
ば、強度が優れており、しかも静電容量の大きい
電気特性に優れたコンデンサ電極用アルミニウム
箔を得ることができる。
Claims (1)
- １ エツチング処理を前段エツチングと後段エツ
チングとの少なくとも２段階に分けて行うものと
し、塩素イオン２〜15％と、硫酸、蓚酸、クロム
酸およびリン酸からなる多孔質皮膜生成酸のうち
の少なくとも１種１〜35％とを含む50〜100℃の
水溶液中で、電流密度５〜40A／ｄm2の直流を用
いて電解エツチングし、後段エツチングは、塩素
イオン２〜15％と、蓚酸、リン酸、クロム酸、ホ
ウ酸、酒石酸、コハク酸、およびマイレン酸から
なる表面溶解抑制酸のうちの少なくとも１種0.03
〜３％とを含む50〜100℃の水溶液中で、化学エ
ツチングすることを特徴とする、電解コンデンサ
電極用アルミニウム箔のエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14321980A JPS5766620A (en) | 1980-10-13 | 1980-10-13 | Method of etching aluminum foil for electrolytic conddnser electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14321980A JPS5766620A (en) | 1980-10-13 | 1980-10-13 | Method of etching aluminum foil for electrolytic conddnser electrode |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5766620A JPS5766620A (en) | 1982-04-22 |
| JPS6225247B2 true JPS6225247B2 (ja) | 1987-06-02 |
Family
ID=15333655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14321980A Granted JPS5766620A (en) | 1980-10-13 | 1980-10-13 | Method of etching aluminum foil for electrolytic conddnser electrode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5766620A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107313108A (zh) * | 2017-06-16 | 2017-11-03 | 李晓天 | 一种铝电解电容器用高压超薄电极箔及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5576098A (en) * | 1978-12-05 | 1980-06-07 | Fujitsu Ltd | Production of electrode for aluminum electrolytic capacitor |
| JPS5576099A (en) * | 1978-12-05 | 1980-06-07 | Fujitsu Ltd | Production of electrode for aluminum electrolytic capacitor |
| JPS5576100A (en) * | 1978-12-05 | 1980-06-07 | Fujitsu Ltd | Production of electrode for aluminum electrolytic capacitor |
-
1980
- 1980-10-13 JP JP14321980A patent/JPS5766620A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5576098A (en) * | 1978-12-05 | 1980-06-07 | Fujitsu Ltd | Production of electrode for aluminum electrolytic capacitor |
| JPS5576099A (en) * | 1978-12-05 | 1980-06-07 | Fujitsu Ltd | Production of electrode for aluminum electrolytic capacitor |
| JPS5576100A (en) * | 1978-12-05 | 1980-06-07 | Fujitsu Ltd | Production of electrode for aluminum electrolytic capacitor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5766620A (en) | 1982-04-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0235443B2 (ja) | ||
| WO1999065043A1 (fr) | Feuille electrode pour condensateur electrolytique solide, son procede de fabrication, et condensateur electrolytique solide | |
| JP2907718B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔のエッチング方法 | |
| JPH0317209B2 (ja) | ||
| JPS636639B2 (ja) | ||
| JPS6225247B2 (ja) | ||
| JPH08264391A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 | |
| JPS6225248B2 (ja) | ||
| JP2000068159A (ja) | 固体電解コンデンサ用電極箔、その製造方法及び固体電解コンデンサ | |
| JP2692108B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JPS6038861B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の電解エッチング方法 | |
| US4381231A (en) | DC Etching of aluminum electrolytic capacitor foil | |
| JPH0315816B2 (ja) | ||
| JP2638038B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JP3537127B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JP2696882B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JP3498349B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| CN110983422A (zh) | 一种方波电化学蚀刻制备多孔铜箔的方法 | |
| JPH0462823A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JP2745575B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JPH0369168B2 (ja) | ||
| JP2763136B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔のエッチング核形成方法 | |
| US2855350A (en) | Process for electrolytically producing oxide coating on aluminum and aluminum alloys | |
| JP2002246274A (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔およびその製造方法 | |
| JP2692107B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |