JPH03248242A - メモリ制御回路 - Google Patents
メモリ制御回路Info
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- JPH03248242A JPH03248242A JP4624690A JP4624690A JPH03248242A JP H03248242 A JPH03248242 A JP H03248242A JP 4624690 A JP4624690 A JP 4624690A JP 4624690 A JP4624690 A JP 4624690A JP H03248242 A JPH03248242 A JP H03248242A
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- Japan
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- data
- memory
- odd
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- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 96
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は、デジタル信号処理装置(DSP)等に搭載さ
れるメモリを動作させるメモリ制御回路に関する。
れるメモリを動作させるメモリ制御回路に関する。
(ロ)従来の技術
従来、DSPにはデータの書き込み及び読み出しが自由
なスタティックRAM等のメモリが搭載され、入力され
るデジタルデータが一旦そのメモリに記憶される。この
ようなメモリに記憶されたデジタルデータは、読み出さ
れて所定の演算に使用された後に再びメモリに記憶され
る。このとき、そのメモリには新しいデジタルデータが
順次入力され、成るアドレスから読み出されたデジタル
データは、そのアドレスの次のアドレスに書き込まれる
ことになる。具体的には、デジタルデータが読み出され
た際のアドレスデータに11.を加算し、デジタルデー
タを書き込むアドレスの指定に用いる。
なスタティックRAM等のメモリが搭載され、入力され
るデジタルデータが一旦そのメモリに記憶される。この
ようなメモリに記憶されたデジタルデータは、読み出さ
れて所定の演算に使用された後に再びメモリに記憶され
る。このとき、そのメモリには新しいデジタルデータが
順次入力され、成るアドレスから読み出されたデジタル
データは、そのアドレスの次のアドレスに書き込まれる
ことになる。具体的には、デジタルデータが読み出され
た際のアドレスデータに11.を加算し、デジタルデー
タを書き込むアドレスの指定に用いる。
第5図は、上述のようなメモリの動作を行うメモリ制御
回路のブロック図であり、第6図はその動作タイミング
図である。
回路のブロック図であり、第6図はその動作タイミング
図である。
データバス(1)に接続されたメモリ(2)には、所定
の周期で変化するNビットのアドレスデータADRが供
給され、このアドレスデータADRに従ってメモリ(2
)のアドレスが順に指定される。
の周期で変化するNビットのアドレスデータADRが供
給され、このアドレスデータADRに従ってメモリ(2
)のアドレスが順に指定される。
また、メモリ(2)にはデータの読み出しを許可するり
一ドイネーブル信号RE及びデータの書き込みを許可す
るライトイネーブル信号WEが供給され、アドレスデー
タADRに従って指定されたアドレスからのデータの読
み出し、及びそのアドレスへのデータの書き込みが制御
される。
一ドイネーブル信号RE及びデータの書き込みを許可す
るライトイネーブル信号WEが供給され、アドレスデー
タADRに従って指定されたアドレスからのデータの読
み出し、及びそのアドレスへのデータの書き込みが制御
される。
一方、データバス(1)は、データホールド機能を有す
る演算回路(3)に接続され、メモリ(2)から読み出
されるデータを演算回路(3)に伝送すると共に演算回
路(3)からメモリ(2)にデータを返送する。
る演算回路(3)に接続され、メモリ(2)から読み出
されるデータを演算回路(3)に伝送すると共に演算回
路(3)からメモリ(2)にデータを返送する。
アドレスデータADRは、一定の周期Tで1アドレスず
つ変化し、メモリ(2)のアドレスを順に指定する。そ
して、アドレスの指定に同期するり一ドイネーブル信号
RE及びライトイネーブル信号WEに従い、期間T1に
所定アドレスからデータが読み出されて演算回路(3〉
に伝送され、次の期間T!に演算回路(3)からデータ
が返送され、データを読み出したアドレスの次のアドレ
スにデータが書き込まれる。即ち、第6図に示すように
、メモリ(2)の成るアドレスからデータが読み出され
た後にアドレスデータADRが1アドレス変化して次の
アドレスが指定され、そのアドレスに演算回路(3)に
ホールドされているデータが書き込まれるように構成さ
れる。これらのり一ドイネープル信号RE及びライトイ
ネーブル信号WEは、共通する基本クロックから作成さ
れるものであり、その基本クロックに従ってアドレスデ
ータADRを変化させることに依り、データの読み出し
及び書き込みをアドレスの指定に同期させることができ
る。
つ変化し、メモリ(2)のアドレスを順に指定する。そ
して、アドレスの指定に同期するり一ドイネーブル信号
RE及びライトイネーブル信号WEに従い、期間T1に
所定アドレスからデータが読み出されて演算回路(3〉
に伝送され、次の期間T!に演算回路(3)からデータ
が返送され、データを読み出したアドレスの次のアドレ
スにデータが書き込まれる。即ち、第6図に示すように
、メモリ(2)の成るアドレスからデータが読み出され
た後にアドレスデータADRが1アドレス変化して次の
アドレスが指定され、そのアドレスに演算回路(3)に
ホールドされているデータが書き込まれるように構成さ
れる。これらのり一ドイネープル信号RE及びライトイ
ネーブル信号WEは、共通する基本クロックから作成さ
れるものであり、その基本クロックに従ってアドレスデ
ータADRを変化させることに依り、データの読み出し
及び書き込みをアドレスの指定に同期させることができ
る。
(ハ)発明が解決しようとする課題
しかしながら、上述の如きメモリ制御回路に於いては、
メモリ(2)の成るアドレスに記憶されているデータを
次のアドレスに移すのに、データの読み出し及びデータ
の書き込みの2つのステップが必要となるために、動作
速度が遅くなり、高速での信号処理には適さないといっ
た問題が生じる。
メモリ(2)の成るアドレスに記憶されているデータを
次のアドレスに移すのに、データの読み出し及びデータ
の書き込みの2つのステップが必要となるために、動作
速度が遅くなり、高速での信号処理には適さないといっ
た問題が生じる。
また、読み出したデータをそのまま次のアドレスに書き
込むことのできるような特殊な構成のメモリを用いるこ
とで、1つのステップでのデータの移送が可能になるが
、回路が複雑になることから、回路規模の増大に伴うコ
ストアップを招くことになり、ざらには複雑な回路での
信号の遅延等を考慮すると、誤動作防止のために動作速
度を十分に速くすることはできない。
込むことのできるような特殊な構成のメモリを用いるこ
とで、1つのステップでのデータの移送が可能になるが
、回路が複雑になることから、回路規模の増大に伴うコ
ストアップを招くことになり、ざらには複雑な回路での
信号の遅延等を考慮すると、誤動作防止のために動作速
度を十分に速くすることはできない。
そこで本発明は、特殊な構成のメモリや複雑な回路を用
いることなく、メモリの成るアドレスに記憶されている
データを1つのステップで異なるアドレスに移すことの
できるメモリ制御回路の提供を目的とする。
いることなく、メモリの成るアドレスに記憶されている
データを1つのステップで異なるアドレスに移すことの
できるメモリ制御回路の提供を目的とする。
(ニ)課題を解決するための手段
本発明は、上述の課題を解決するためになきれたもので
、その特徴は、データの読み出し、書き込み及びアドレ
スの指定が独立し、夫々共通のデータバスに接続された
第1及び第2のメモリと、最下位ビットを除いたアドレ
スデータに従って上記第1及び第2のメモリのアドレス
を同時に指定する手段と、最下位ビットのアドレスデー
タに従って奇数アドレス期間で上記第1のメモリからデ
ータを読み出し、偶数アドレス期間で上記第2のメモリ
からデータを読み出す手段と、奇数アドレス期間に読み
出されるデータを同期間に上記第2のメモリに書き込み
、偶数アドレス期間に読み出されるデータを同期間で上
記第1のメモリに書き込む手段と、を備え、奇数アドレ
ス期間に最下位ビットを除く上記アドレスデータに一定
データを加算し、加算されたアドレスデータに従って上
記第2のメモリのアドレスを指定することにある。
、その特徴は、データの読み出し、書き込み及びアドレ
スの指定が独立し、夫々共通のデータバスに接続された
第1及び第2のメモリと、最下位ビットを除いたアドレ
スデータに従って上記第1及び第2のメモリのアドレス
を同時に指定する手段と、最下位ビットのアドレスデー
タに従って奇数アドレス期間で上記第1のメモリからデ
ータを読み出し、偶数アドレス期間で上記第2のメモリ
からデータを読み出す手段と、奇数アドレス期間に読み
出されるデータを同期間に上記第2のメモリに書き込み
、偶数アドレス期間に読み出されるデータを同期間で上
記第1のメモリに書き込む手段と、を備え、奇数アドレ
ス期間に最下位ビットを除く上記アドレスデータに一定
データを加算し、加算されたアドレスデータに従って上
記第2のメモリのアドレスを指定することにある。
(*)作用
本発明に依れば、奇数アドレス期間では第1のメモリか
ら読み出されたデータがデータバスに出力されると共に
データバスから第2のメモリに書き込まれ、偶数アドレ
ス期間では第2のメモリから読み出されたデータがデー
タバスに出力されると共にデータバスから第1のメモリ
に書き込まれる。そして、第2のメモリのアドレスを奇
数アドレス期間に第1のメモリと1アドレスだけずらし
たことに依り、第1のメモリと第2のメモリとの間でデ
ータの読み出し及び書き込みが繰り返えされて1アドレ
スずつデータが移されることになる。
ら読み出されたデータがデータバスに出力されると共に
データバスから第2のメモリに書き込まれ、偶数アドレ
ス期間では第2のメモリから読み出されたデータがデー
タバスに出力されると共にデータバスから第1のメモリ
に書き込まれる。そして、第2のメモリのアドレスを奇
数アドレス期間に第1のメモリと1アドレスだけずらし
たことに依り、第1のメモリと第2のメモリとの間でデ
ータの読み出し及び書き込みが繰り返えされて1アドレ
スずつデータが移されることになる。
(へ)実施例
本発明の一実施例を図面に従って説明する。
第1図は本発明メモリ制御回路のブロック図であり、第
2図はその動作タイミング図である。
2図はその動作タイミング図である。
ODDメモリ(11)及びEVENメ%1J(12)は
、同一の容量を有しており、共通のデータバス(10)
に接続される。ODDメモリ(11)には、最下位ビッ
トを除いたNビットのアドレスデータA、〜Aヨが供給
され、EVENメモリ(12)には、同じアドレスデー
タA、〜Aヨが加算回路(13)を介して供給される。
、同一の容量を有しており、共通のデータバス(10)
に接続される。ODDメモリ(11)には、最下位ビッ
トを除いたNビットのアドレスデータA、〜Aヨが供給
され、EVENメモリ(12)には、同じアドレスデー
タA、〜Aヨが加算回路(13)を介して供給される。
この加算回路(13)は、奇数アドレス期間ODDにア
ドレスデータA1〜Anに「1」を加算し、偶数アドレ
ス期間EVENにはアドレスデータA、〜A8をそのま
ま出力するように構成きれている。奇数アドレス期間O
DDと偶数アドレス期間EVENとの判別には、最下位
ビットのアドレスデータA、が用いられ、このアドレス
データA、が11」であれば奇数アドレス期間ODD、
’0.であれば偶数アドレス期間EVENであると判別
される。また、アドレスデータA。
ドレスデータA1〜Anに「1」を加算し、偶数アドレ
ス期間EVENにはアドレスデータA、〜A8をそのま
ま出力するように構成きれている。奇数アドレス期間O
DDと偶数アドレス期間EVENとの判別には、最下位
ビットのアドレスデータA、が用いられ、このアドレス
データA、が11」であれば奇数アドレス期間ODD、
’0.であれば偶数アドレス期間EVENであると判別
される。また、アドレスデータA。
は、夫々のメモリ(11)(12)のリードイネーブル
信号REとして用いられ、oDDメモリ(11)にはア
ドレスデータA0がそのまま供給され、EvENメモリ
(12)にはインバータ(14)を介してアドレスデー
タA、が供給される。さらにODDメモリ(11)及び
EVENメモリ(12)には、偶数アドレス期間EVE
Nに書き込みを許可するライトイネーブル信号WE、及
び奇数アドレスODDに書き込みを許可するライトイネ
ーブル信号WE、が夫々供給される。従って、奇数アド
レス期間ODDには、ODDメモリ(11)からデータ
が読み出され、そのデータがEVENメモリ(12)に
書き込まれる。このとき、EVENメモリ(12)のア
ドレスは、加算回路(13)の作用に依りODDメモリ
(11)のアドレスに対して1アドレス先行している。
信号REとして用いられ、oDDメモリ(11)にはア
ドレスデータA0がそのまま供給され、EvENメモリ
(12)にはインバータ(14)を介してアドレスデー
タA、が供給される。さらにODDメモリ(11)及び
EVENメモリ(12)には、偶数アドレス期間EVE
Nに書き込みを許可するライトイネーブル信号WE、及
び奇数アドレスODDに書き込みを許可するライトイネ
ーブル信号WE、が夫々供給される。従って、奇数アド
レス期間ODDには、ODDメモリ(11)からデータ
が読み出され、そのデータがEVENメモリ(12)に
書き込まれる。このとき、EVENメモリ(12)のア
ドレスは、加算回路(13)の作用に依りODDメモリ
(11)のアドレスに対して1アドレス先行している。
方、偶数アドレス期間EVENには、EVENメモリ(
12)からデータが読み出きれ、そのデータがODDメ
モリ(11)に書き込まれる。このときの両メモリ(1
1)(12)のアドレスは一致しており、読み出したア
ドレスと同一のアドレスに書き込まれる。例えば、第3
図に示すようなメモリに於いては、ODDメモリ(11
)のアドレスO□□から読み出されるデータはEVEN
メモリ(12)のアドレスE1.に書き込まれ、次にE
VENメモリ(12)のアドレスE0から読み出されて
ODDメモリ(11)のアドレスO□に書き込まれる。
12)からデータが読み出きれ、そのデータがODDメ
モリ(11)に書き込まれる。このときの両メモリ(1
1)(12)のアドレスは一致しており、読み出したア
ドレスと同一のアドレスに書き込まれる。例えば、第3
図に示すようなメモリに於いては、ODDメモリ(11
)のアドレスO□□から読み出されるデータはEVEN
メモリ(12)のアドレスE1.に書き込まれ、次にE
VENメモリ(12)のアドレスE0から読み出されて
ODDメモリ(11)のアドレスO□に書き込まれる。
以後、1アドレス期間毎に夫々のアドレス0□、E□*
O*1r E at r04□・・・に順にデータが
移される。
O*1r E at r04□・・・に順にデータが
移される。
第4図は、加算回路(13)の−例を示す回路図である
。
。
この加算回路(13)はN個のXORゲート(XOR、
)〜(XORW)とN−1個のANDゲート(ANDI
)〜(ANDo−3)からなり、各XORゲート(XO
R+ )〜(XORW)(’)一方の入力にNビットの
アドレスデータA、〜A7が供給され、各XORゲート
(XORI )〜(XORN)の出力から出力A′、〜
A′9を得るように構成されている。最下位のXORゲ
ート(XOR,)の他方の入力には最下位ビットのアド
レスデータA、が供給され、このXORゲート(XOR
,)の両入力の論理積がANDゲート(ANDI)から
XORゲート(XOR1)(7)他方の入力に供給され
、桁上げ信号を成し、同様にしてXORゲート(XOR
t)(XORs)・・・の両入力の論理積がANDゲー
ト(ANDN )(ANDs )・・・から1桁上位の
XORゲート(XORJ ) (XOR4)・・・の他
方の入力に桁上げ信号として供給される。従って、アド
レスデータA、が「1」のとき(奇数アドレス期間0D
D)には、アドレスデータAI−A、tに「1.が加算
され、その出力A′1〜A′、がEVENメモリ(12
)に与えられ、アドレスデータA、が「0.のとき(偶
数アドレス期間EVEN)にはアドレスデータA、〜A
9がそのままEVENメモリ(12)に与えられる。
)〜(XORW)とN−1個のANDゲート(ANDI
)〜(ANDo−3)からなり、各XORゲート(XO
R+ )〜(XORW)(’)一方の入力にNビットの
アドレスデータA、〜A7が供給され、各XORゲート
(XORI )〜(XORN)の出力から出力A′、〜
A′9を得るように構成されている。最下位のXORゲ
ート(XOR,)の他方の入力には最下位ビットのアド
レスデータA、が供給され、このXORゲート(XOR
,)の両入力の論理積がANDゲート(ANDI)から
XORゲート(XOR1)(7)他方の入力に供給され
、桁上げ信号を成し、同様にしてXORゲート(XOR
t)(XORs)・・・の両入力の論理積がANDゲー
ト(ANDN )(ANDs )・・・から1桁上位の
XORゲート(XORJ ) (XOR4)・・・の他
方の入力に桁上げ信号として供給される。従って、アド
レスデータA、が「1」のとき(奇数アドレス期間0D
D)には、アドレスデータAI−A、tに「1.が加算
され、その出力A′1〜A′、がEVENメモリ(12
)に与えられ、アドレスデータA、が「0.のとき(偶
数アドレス期間EVEN)にはアドレスデータA、〜A
9がそのままEVENメモリ(12)に与えられる。
以上の構成に依れば、ODDメモリ(11)とEVEN
メモリ(12)との間でデータの読み出し及び書き込み
が同時且つ交互に行われ、その読み出し及び書き込みの
度、即ち1アドレス期間毎にデータが順次1アドレスず
つ移されることになる。
メモリ(12)との間でデータの読み出し及び書き込み
が同時且つ交互に行われ、その読み出し及び書き込みの
度、即ち1アドレス期間毎にデータが順次1アドレスず
つ移されることになる。
尚、本実施例に於いては、奇数アドレス期間ODDにE
VENメモリのアドレスを1アドレス先行きせる場合を
例示したが、偶数アドレス期間EVENにODDメモリ
のアドレスを1アドレス先行させるように構成しても良
い。この場合には、加算回路(13)に換えてアドレス
データA r ”’ A wから「1」を差引く減算回
路を設け、偶数アドレス期間EVENにアドレスデータ
A1〜Aアから11」を差引いてF、VENメモリ(1
2)に与えるように構成すれば良い。
VENメモリのアドレスを1アドレス先行きせる場合を
例示したが、偶数アドレス期間EVENにODDメモリ
のアドレスを1アドレス先行させるように構成しても良
い。この場合には、加算回路(13)に換えてアドレス
データA r ”’ A wから「1」を差引く減算回
路を設け、偶数アドレス期間EVENにアドレスデータ
A1〜Aアから11」を差引いてF、VENメモリ(1
2)に与えるように構成すれば良い。
(ト)発明の効果
本発明に依れば、回路規模の大幅な増大を伴うことなく
メモリの成るアドレスに記憶されているデータを1つの
ステップで異なるアドレスに移すことが可能となり、動
作速度の向上が図れる。また、メモリ自体も特に特殊な
構成を必要とせず、少なくとも従来のにの容量を有する
メモリが2つあれば良く、コストアップを伴うことはな
い。
メモリの成るアドレスに記憶されているデータを1つの
ステップで異なるアドレスに移すことが可能となり、動
作速度の向上が図れる。また、メモリ自体も特に特殊な
構成を必要とせず、少なくとも従来のにの容量を有する
メモリが2つあれば良く、コストアップを伴うことはな
い。
従って、安価で高速での信号処理に適したメモリ制御回
路を実現できる。
路を実現できる。
第1図は本発明メモリ制御回路のブロック図、第2図は
第1図の動作タイミング図、第3図はメモリの概略図、
第4図は加算回路の回路図、第5図は従来のメモリ制御
回路のブロック図、第6図は第5図の動作タイミング図
である。 (1)・・・データバス、(2)・・・メモリ、(10
)・・・データバス、 (11)・・・ODDメモリ、
(12)・・・EVENメモリ、 (13)・・・加
算回路、 (14)・・・インバータ、 (XOR,
) 〜(XORN)−X ORゲート、 (AND、)
〜(ANDN−I)・・・ANDゲート。
第1図の動作タイミング図、第3図はメモリの概略図、
第4図は加算回路の回路図、第5図は従来のメモリ制御
回路のブロック図、第6図は第5図の動作タイミング図
である。 (1)・・・データバス、(2)・・・メモリ、(10
)・・・データバス、 (11)・・・ODDメモリ、
(12)・・・EVENメモリ、 (13)・・・加
算回路、 (14)・・・インバータ、 (XOR,
) 〜(XORN)−X ORゲート、 (AND、)
〜(ANDN−I)・・・ANDゲート。
Claims (2)
- (1)データの読み出し、書き込み及びアドレスの指定
が独立し、夫々共通のデータバスに接続された第1及び
第2のメモリと、 最下位ビットを除いたアドレスデータに従って上記第1
及び第2のメモリのアドレスを同時に指定する手段と、 最下位ビットのアドレスデータに従って奇数アドレス期
間で上記第1のメモリからデータを読み出し、偶数アド
レス期間で上記第2のメモリからデータを読み出す手段
と、 奇数アドレス期間に読み出されるデータを同期間に上記
第2のメモリに書き込み、偶数アドレス期間に読み出さ
れるデータを同期間で上記第1のメモリに書き込む手段
と、 を備え、奇数アドレス期間に最下位ビットを除く上記ア
ドレスデータに一定データを加算し、加算されたアドレ
スデータに従って上記第2のメモリのアドレスを指定す
ることを特徴とするメモリ制御回路。 - (2)請求項第1項記載のメモリ制御回路に於いて、 偶数アドレス期間に最下位ビットを除く上記アドレスデ
ータから固定データを減算し、減算されたアドレスデー
タに従って上記第2のメモリのアドレスを指定すること
を特徴とするメモリ制御回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2046246A JPH0772876B2 (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | メモリ制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2046246A JPH0772876B2 (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | メモリ制御回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03248242A true JPH03248242A (ja) | 1991-11-06 |
JPH0772876B2 JPH0772876B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=12741796
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2046246A Expired - Fee Related JPH0772876B2 (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | メモリ制御回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0772876B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5537577A (en) * | 1992-05-11 | 1996-07-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Interleaved memory wherein plural memory means comprising plural banks output data simultaneously while a control unit sequences the addresses in ascending and descending directions |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63177236A (ja) * | 1987-01-19 | 1988-07-21 | Jeol Ltd | デユアルメモリアクセス回路 |
-
1990
- 1990-02-27 JP JP2046246A patent/JPH0772876B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63177236A (ja) * | 1987-01-19 | 1988-07-21 | Jeol Ltd | デユアルメモリアクセス回路 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5537577A (en) * | 1992-05-11 | 1996-07-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Interleaved memory wherein plural memory means comprising plural banks output data simultaneously while a control unit sequences the addresses in ascending and descending directions |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0772876B2 (ja) | 1995-08-02 |
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