JPH0324687B2 - - Google Patents

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JPH0324687B2
JPH0324687B2 JP55501994A JP50199480A JPH0324687B2 JP H0324687 B2 JPH0324687 B2 JP H0324687B2 JP 55501994 A JP55501994 A JP 55501994A JP 50199480 A JP50199480 A JP 50199480A JP H0324687 B2 JPH0324687 B2 JP H0324687B2
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JP
Japan
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voltage
circuit
transistor
resistor
output
Prior art date
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Application number
JP55501994A
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English (en)
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JPS57500173A (ja
Inventor
Maikeru Jozefu Karusoo
Debitsudo Burauningu Hirudeburando
Karu Bii Oori
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CTU of Delaware Inc
Original Assignee
Mostek Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mostek Corp filed Critical Mostek Corp
Publication of JPS57500173A publication Critical patent/JPS57500173A/ja
Publication of JPH0324687B2 publication Critical patent/JPH0324687B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/30—Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Description

請求の範囲 １ 集積回路基板に形成された、共通のコレクタ
を有する第１および第２のバイポーラトランジス
タ； 前記第１のバイポーラトランジスタのエミツタ
とアース電位供給源との間に接続された第１の抵
抗器； 前記第２のバイポーラトランジスタのエミツタ
と第１の基準回路点との間に接続された第２の抵
抗器； 前記第１の基準回路点と前記アース電位供給源
との間に接続された第３の抵抗器；および、 前記第１の基準回路点に接続された正の入力
端、前記第１のバイポーラトランジスタのエミツ
タに接続された負の入力端、および、前記第１お
よび第２のバイポーラトランジスタのベースに接
続された出力端を有し、該出力端を介して最終出
力端から温度安定化された基準電位を発生するよ
うにされた差動増幅器； を備えてなる、CMOS集積回路と共に使用する
ためのバンドギヤツプ電圧基準回路において： 前記差動増幅器の出力端にそのベースが接続さ
れた第３のバイポーラトランジスタ； 第２の基準回路点と前記最終出力端との間に接
続された第４の抵抗器；および、 前記第２の基準回路点と前記アース電位供給源
との間に接続された第５の抵抗器； を更に備えていて、 前記第３のバイポーラトランジスタのコレクタ
は前記第１および第２のバイポーラトランジスタ
のコレクタと共通にされ、前記第３のバイポーラ
トランジスタのエミツタは前記最終出力端に接続
されており、 前記第２の基準回路点は前記第１および第２の
バイポーラトランジスタのベースに接続されてい
る、 CMOS集積回路と共に使用するためのバンド
ギヤツプ電圧基準回路。
発明の背景 本発明は、集積回路で用いられる電圧基準回
路、特にCMOS集積回路で有用な真のバンドギ
ヤツプ（禁止帯幅）電圧基準回路に関する。
本出願人が知つている限りにおいて本発明に関
連すると考えられる参照文献には次のような刊行
物がある。
R.J.Widlor著の「New Developments in IC
Voltage Regulators」IEEE Journal of Solid
State Circuits、SC−６巻２−７頁、1971年２
月； K.E.Kuijk著の「Ａ Precision Reference
Voltage Sonree」IEEE Journal of Solid
State Circuits、SC−８巻、222−226頁、1973年
６月； A.P.Brokaw著の「Ａ Simple Therr
Terminal IC Bandgap Reference」IEEE
Journal of Solid State Circuits、SC−９巻、
388−393頁、1974年12月； E.A.Vittoz他著の「Ａ Low Voltage CMOS
Bandgap Reference」IEEE Journal of Solid
State Circuits、SC−14巻、573−577頁、1979年
６月；および G.Tzanateas他著の「Ａ CMOS Bandgap
Voltage Refernce」IEEE Journal of Solid
State Circuits、SC−14巻、655−657頁、1979年
６月。
上記刊行物のうち最初から３つの刊行物には、
バンドギヤツツプ（禁止帯幅）電圧基準回路の基
本的概念ならびにこのような精密回路の必要性に
関する教示がある。これら刊行物に開示されてい
る特定の回路の各々は、絶縁分離されたトランジ
スタが利用可能である典型的なバイポーラ集積回
路として製作するのに非常に適している。各回路
は、１つのトランジスタのベース−エミツタ電圧
VBEと、異なつた電流密度で動作する２つのトラ
ンジスタのベース−エミツタ電圧VBEの差とを適
当に結合することにより、広い温度範囲にわたつ
て安定である基準電圧を得ることができると言う
原理に基いている。VBE項の正の温度係数を適当
に選択することにより、VBE項自体の負の温度係
数が平衡化される。Widlarの教示による回路で
は、この原理に基ずいて安定な電圧基準が与えら
れるが、しかしながら出力電圧がバンドギヤツプ
電圧自体よりも大きくならないと言う限界があ
る。
Brokawの文献に教示されている回路では、ト
ランジスタの帰還ループに抵抗分圧回路が設けら
れておつて、実際の出力電圧が本質的に基本バン
ドギヤツプ電圧のスケーラとなるように基準電圧
を設定している。
Kuijkの文献には、BrokawおよびWidlarのデ
バイスに原理的に類似している他のバンドギヤツ
プ電源が教示されているが、しかしながらこのデ
バイスにおいては２つのダイオードで接続された
トランジスタが用いられている。この回路の出力
電圧は一般にバンドギヤツプ電圧または複数の電
圧基準回路を重ね接続することにより達成するこ
とができる整数倍の電圧に限定される。
これら３つの文献の各々に教示されている回路
は、一般に標準バイポーラ積分回路での使用にの
み適している非常に良好な基準電圧が得られる。
またMOS型集積回路において正確な電圧基準を
得ることが望まれている。しかしながら最初から
３つの文献に記述されている回路は、慣用の
MOS法には適していない。と言うのは絶縁分離
されたコレクタを有するバイポーラ・トランジス
タの使用が要求されるからである。このようなト
ランジスタは付加的な処理段階を経てのみMOS
回路に設けることができる訳であつて、したがつ
て全体的なプロセスは慣用のMOSまたはCMOS
法とは見做すことができなくなる。
最後に掲げた２つの文献では、付加的なプロセ
ス段階を用いる必要なく、CMOS集積回路に良
好な電圧基準を与えると言う問題が取扱われてい
る。
最後の２つの文献に記述されている回路は、双
方共に、CMOS集積回路に形成されている単一
のバイポーラ・トランジスタのベース−エミツタ
降下と結合された出力を発生するMOSトランジ
スタだけから構成された絶対温度比例回路として
知られている回路を用いている。この構成は概念
的には満足なものではあるが、MOSデバイスは
表面デバイスであるので、表面トラツプのような
表面効果および汚染を受け易い。さらに絶対温度
比例MOS回路は問題となる温度範囲にわたり、
MOSデバイスの弱い動作反転領域に依拠してお
り、したがつて動作条件の念入りな制御が必要と
される。Tzanateas他の回路構成によれば、出力
は一般にバンドギヤツプ電圧に限定され、異なつ
た基準電位を得るための回路のスタツク（積重
ね）は困難となる。なぜならば出力電圧の負の端
子が浮動状態にあるからである。Vittozb他の提
案による回路は低い入力電圧および低い電流需要
で動作するが、抵抗比に対して敏感であり、
MOSデバイスの寸法割合が大きく、バイアス点
が室温度においてさえも漏洩電流によつて偏移し
てしまう。いずれの場合にも、Vittozの文献の最
後の文章に述べられているように、CMOSチツ
プに設けられる電圧基準は、真のバイポーラ・バ
ンドギヤツプ基準ほどに精密ではなく、この品質
低減は、CMOS回路における追加の処理段階を
回避するための妥協として受容されている。
発明の梗概 よつて本発明の目的は、CMOS集積回路に製
作するのに適している真のバイポーラ・バンドギ
ヤツプ電圧基準回路を提供することにある。
本発明の他の目的は、慣用のCMOSプロセス
を用いて製作することができる精密なバンドギヤ
ツプ電圧基準回路を提供することにある。
本発明によるバンドギヤツプ電圧基準回路は、
集積回路基板に形成された共通のコレクタを有す
る第１および第２のバイポーラ・トランジスタ
と、第１、第２および第３の抵抗器と作動増幅器
とを有している。第１の抵抗器は第１のトランジ
スタのエミツタとアースとの間に接続される。第
２の抵抗器は第２のトランジスタのエミツタと基
準回路点との間に接続される。第３の抵抗器は基
準回路点とアースとの間に接続される。差動増幅
器の負の入力端は第１のトランジスタのエミツタ
に接続され、正の入力端は基準回路点に接続さ
れ、そしてその出力端は第１および第２のトラン
ジスタ双方のベースに接続され、そして差動増幅
器の出力はまた基準電位出力として用いられる。
この回路によれば、２つのトランジスタに異なつ
た電流密度が生じ、第１のトランジスタのベース
−エミツタ電圧と第１および第２のトランジスタ
のベース−エミツタ電圧における差とを適当に結
合して、温度安定可されたバンドギヤツプ出力が
得られる。増幅器出力から２つのトランジスタの
ベースへの帰還結合、即ちフイードバツクは抵抗
型分圧回路を介して行なうことができ、それによ
り基本バンドギヤツプ電圧の所望のスケーラで基
準電位を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
本発明は添付図面を参照しての好ましい実施例
に関する以下の詳細な記述を読むことにより一層
良く理解されるであろう。図面中、 第１図は本発明によるCMOSに適合するバン
ドギヤツプ電圧基準回路の回路略図、 第２図は第１図の回路で用いられる好ましい差
動増幅器の回路略図、 第３図は第２図の回路で用いられるクロツク制
御されるスイツチの回路略図、そして 第４図は第２図の回路において用いられるイン
バータの回路略図である。
好ましい具体例の記述 さて第１図を参照するに、この図には本発明の
１つの好ましい具体例が簡略な回路図で示されて
いる。この回路は、それぞれ正電源VCCに接続さ
れているコレクタを有する第１および第２のトラ
ンジスタ１０および１２を備えている。正の給電
線路１４は回路の基板に慣用のCMOSプロセス
で形成されており、トランジスタ１０および１２
のコレクタはこの基板に形成されている。第１の
抵抗器１６は、トランジスタ１０のエミツタが接
続されている回路点18とアース電位にある回路点
20との間に接続されている。第２の抵抗器２２
は、トランジスタ１２のエミツタおよび第３の抵
抗器２６との接続点24間に接続されている。なお
第３の抵抗器２６の他方の端はアース電位の回路
終点20に接続されている。差動増幅器２８は回路
点18に接続された負もしくは反転入力端および回
路点24に接続された正もしくは非反転入力端を有
している。増幅器２８の出力端３０は第３のトラ
ンジスタ３２のベースに接続されている。該トラ
ンジスタ３２のエミツタは電圧基準回路の出力端
子３４に接続されている。抵抗器３６および３８
の直列接続からなる抵抗分圧回路が出力端子３４
からアース電位回路点20に接続されておつて、タ
ツプ回路点40を有している。タツプ回路点40はト
ランジスタ１０のベースに接続されると共に抵抗
器４２を介してトランジスタ１２のベースに接続
されている。
ここで述べている好ましい具体例においては、
トランジスタ１０のベース−エミツタ領域はトラ
ンジスタ１２の反応の領域よりも小さい。回路の
動作は、補償抵抗器４２を無視して、トランジス
タ１０および１２のベースに対する帰還もしくは
フイード・バツク電圧である回路点40に現われる
電圧の２つの可能な状態を考察することによつて
理解される。フイード・バツク線路もしくは帰還
線路４０の電圧が所望の電圧よりも低い場合に
は、トランジスタ１２の大きな接合領域で、該ト
ランジスタ１２はトランジスタ１０よりも比例的
に大きい電流を導通する。抵抗器１６における電
流と比べて格別に大きい抵抗器２６の電流で、増
幅器２８の正の入力端はその負の入力端はその負
の入力端よりも高レベルにされる。その結果増幅
器２８の出力端３０の電圧は増加し、この電圧増
加分は回路点もしくは線路４０、従つてまたトラ
ンジスタ１０および１２のベースに結合される。
他方線路４０の電圧が所望の電圧よりも高い場合
には、抵抗器２２における電圧降下が大きくなつ
て、トランジスタ１２を流れる電流を制限し、そ
の結果該電流はトランジスタ１０を流れる電流よ
りも比例的に小さくなる。この不平衡の結果とし
て、増幅器２８の反転入力端は正の入力端よりも
高い電圧レベルに駆動され、増幅器２８の出力30
は低い電圧に駆動される。この出力電圧も線路４
０を介してトランジスタ１０および１２のベース
に結合されて、上記のように電流を減少せしめ
る。このようにして回路点もしくは線路４０に
は、回路点18および24における電圧が等しく、か
つ出力端子３４に安定な電圧が生ずる中間レベル
の電圧が発生されることになる。
第１図の回路の動作は、先に掲げた最初から３
つの刊行物に教示されているようなバンドギヤツ
プ（禁止帯幅）電圧基準の点から説明することも
可能である。概略的に述べると、これら刊行物に
は、バイポーラ・トランジスタのベース−エミツ
タ降下を比例的に、異なつた電流密度で動作して
いる２つのバイポーラ・トランジスタのベース−
エミツタ降下における差電圧と加算し、それによ
つて得られる比例和が近似的にバンドギヤツプ
（禁止帯幅）電圧に等しくなるようにすることに
よつて温度に対して安定な基準電位を発生できる
ことが教示してある。図面中VBEで示すトランジ
スタ１０のベース−エミツタ降下がこの基準のた
めの基本的ベース−エミツタ電圧となる。VBE電
圧は抵抗器２２に現われて、トランジスタ１０お
よび１２のベース−エミツタ降下における差に等
しい。増幅器２８は回路点18および24を本質的に
等しい電位に維持することは理解されるであろ
う。抵抗器４２および加算ループ電圧の効果を無
視すれば、トランジスタ１０および１２のベース
−エミツタ間の電位差は抵抗器２２に現われるこ
とが判る。抵抗器２６は抵抗器２２と直列に接続
されているので、抵抗器２２の抵抗値に対する抵
抗器２６の抵抗値の比にVBEを乗じたものに等し
い電圧が抵抗器２６に現われることが判る。従つ
てこの同じ電圧が抵抗器１６に現われる。トラン
ジスタ１０のベースに接続されている回路点40の
電圧は従つて、トランジスタ１０のベース−エミ
ツタ降下にスケーラを加え、それにトランジスタ
１０および１２のベース−エミツタ降下の差を乗
じたものに等しくなる。回路点もしくは線路４０
の電圧が特定の半導体材料のバンドギヤツブ（禁
止帯幅）電圧に設定されると、温度安定電位が達
成される。明らかなように、増幅器２８の出力端
３０は、バンドギヤツプ電圧に等しい基準電位が
所望の場合かつ出力28が充分な電流容量を有する
場合には、回路点もしくは線路４０に直接接続す
ることができる。トランジスタ３２は増幅器２８
の出力30を緩衝する作用のなすと共に、出力端子
３４を駆動するのに充分な電流容量を与える働き
をなす。抵抗器３６および３８は出力端子３４の
電圧を分圧して、出力電圧が基本バンドギヤツプ
基準電位の所望のスケーラとなるようにする働き
をなす。
回路点もしくは線路４０とトランジスタ１２の
ベースとの間に直列に挿入された抵抗器４２は、
トランジスタ１０および１２に流れるベース電流
の結果としてトランジスタ３６に生ずる電圧降下
に対し出力電圧を補償するためのものである。従
つて一般には、出力端子３４の電圧は、プロセス
および温度に対して依存性を有するトランジスタ
１０および１２の利得による影響を受けると言え
る。抵抗器４２を適当に選択することにより、こ
の様な可変要因を大きな近似で補償することがで
きる。抵抗器３６および３８は、基本バンドギヤ
ツプ電圧よりも大きい出力電圧が所望される場合
にのみ必要とされるものであり、従つて抵抗器４
２もバンドギヤツプ電圧を越える電位が所望され
る場合にのみ必要とされるものである。
第１図の回路の適正な動作のためには、いくつ
かの前提条件が課せられる。第１に、増幅器２８
の入力に流入する電流は零に等しくなければなら
ない、第２に演算増幅器２８の入力オフセツト電
圧は温度に対して 不変であり、零に等価でなければならない、最
後にトランジスタ１０および１２のアルフア
（alpha）が等価でなければならない。ここで述
べている好ましい具体例においては増幅器２８は
第２図、第３図および第４図を参照して述べるチ
ヨツパ安定化増幅器であり、上記の入力電流およ
び入力オフセツト電圧に関する前提条件は確実に
満され得る。第３の前提条件に関しては、集積回
路配列においてトランジスタ１０および１２の適
切な配位および密接な離間関係によつて稠密に整
合することができる。
本具体例で用いられている抵抗器は集積回路に
拡散抵抗器として内部に形成されたものである。
この様な拡散抵抗器の不均等性および非線形性は
回路性能に対し或る程度影響を与える。余分のス
ペースが利用可能である場合、あるいはまた外部
デバイスを用いて薄膜抵抗器を回路に用いること
により、より良好な性能を達成し得るであろうこ
とは言う迄もない。しかしながら抵抗器の不均等
性は単位抵抗のセントロイド状の配列ならびに集
積段階形態によつて最小限度に抑えられる。さら
に抵抗器の非線形性は或る程度次のような事実に
よつて補償される。即ち出力電圧を実際に決定す
るのはいろいろな抵抗器の抵抗値の比だけである
と言う事実である。拡散抵抗器が用いられる場合
には、不均等な逆ゲート・バイアスおよび抵抗器
形態の効果も考慮すべきである。
以上に述べた回路は慣用のCMOS集積回路処
理と充分に両立し得ることが判る。即ち全てのバ
イポーラ・トランジスタ１０，１２および３２は
コレクタを基板と共通にして形成されている。後
述するように、演算増幅器２８はMOSトランジ
スタだけからなるチヨツパ安定化増幅器とするの
が好ましい。標準のCMOSプロセスと充分に両
立はするが、基準電位回路は、実際の基準電位を
設定するに当つてMOSトランジスタに依存する
ものではない。従つて慣用のバイポーラ回路で用
いられている基準回路程度の性能は、付加的な処
理ステツプもしくは段階を必要とすることなく、
CMOS集積回路で達成される。
次に第２図を参照するに、この図には参照数字
２８で全体的に表わした本発明の好ましいチヨツ
パ安定化増幅器の回路図が示されている。増幅器
２８は負もしくは反転入力端１８、正または非反
転入力端２４および出力端３０を備えている。入
力端１８および２４は、２相クロツクの交互の位
相によつて制御される１対のMOSスイツチ４６
により交互に入力コンデンサ４４に接続される。
コンデンサ４４は入力信号を、別のMOSスイツ
チ５０を有する第１のインバータ４８の入力端に
結合する。インバータ４８の出力端は第２のイン
バータ５２の入力端に接続されており、該インバ
ータ５２の出力端は第２のコンデンサ５４の１側
に接続されている。該コンデンサ５４の他側は第
３のインバータ５５の入力端に接続されており、
このインバータ５５も別のMOSスイツチ５６に
より側路されている。MOSスイツチ５０および
５６は２相クロツクの同じ位相によつて制御され
る。インバータ５５の出力は、２相クロツクの内
の一方によつてトリガされるフリツプ・フロツプ
５８のＤ入力端に結合されている。フリツプ・フ
ロツプ５８のＱ出力60は２つの切換可能な電流源
６２および６４の動作を制御する。出力60は、回
路点66からアース電位へと電流を引し込む電源６
２を制御する。回路点もしくは線路６０は、イン
バータ６８を介して、正の給電側から回路点もし
くは線路６６に電流を供給する電源６４を制御す
るように結合されている。この構成によれば、任
意の時点において電源６２および６４のうちの１
つだけが回路点66に電流を供給するかまたは該回
路点66から電流を取り込むように動作することが
理解されるであろう。回路点66とアース電位との
間には、積分コンデンサ６９が接続されており、
このコンデンサ６９は回路点66に供給される全電
流の積分値に対応する電圧を発生する。典型的に
はソース・ホロワとすることができるバツフア増
幅器７０の入力側は回路点66に結合されており、
そしてその低インピーダンス出力端は増幅器２８
の出力端３０に接続されている。
第３図を参照するに、この図には第２図に示し
たスイツチ４６，５０または５６としての用いる
のに適しているMOSスイツチが略示されている。
第３図に示したスイツチは入力端７２を有してお
り、この入力端７２はクロツク入力76の制御下
で、出力端７４に選択的に短絡される。ｎチヤン
ネル・トランジスタ７８およびｐチヤンネル・ト
ランジスタ８０が入力端７２と出力端７４との間
に並列に接続されている。トランジンスタ７８の
ゲートは入力端76に直接接続され、他方トランジ
スタ８０のゲートはインバータ８２によつてクロ
ツク入力端７６に接続されている。このスイツチ
構成によれば、利用可能な全動作電圧範囲にわた
つて入力72を出力74側に短絡することが保証され
る。
第４図を参照するに、この図には第２図のイン
バータ４８および５５のようなスイツチ・バイパ
ス（側路）インバータの例が示されている。この
インバータの正の電源VCCから出力端子８６に接
続された第１のMOSトランジスタ８４を備えて
いる。第２のトランジスタ８８が出力端子８６と
アースとの間に接続されている。トランジスタ８
４のゲートはインバータの入力端９０に接続され
ている。トランジスタ８８のゲートはデバイスの
出力端子８６に接続されている。図示のようにイ
ンバータの入力端９０と出力端８６との間には
MOSスイツチ９２が接続されており、このスイ
ツチ９２は第３図に示したスイツチと同じものと
することができる。スイツチ９２を除けば、第４
図の回路は第２図のインバータ５２として有利に
使用することができよう。
一般に第２図に示したチヨツパ安定化増幅器の
動作は、２つの入力電圧の逐次標本化および入力
の相対電圧に応答して出力端３０に生ずるランプ
電圧の制御とみることができよう。従つて各クロ
ツク周期の補数部分においては、反転入力端１８
は入力コンデンサ４４に接続される。クロツク周
期が充分に長いものとすると、入力電流は零レベ
ルに達し、入力18の電圧は安定化する。この補数
クロツク相中は、スイツチ５０および５６が閉ざ
されて、それによりインバータ４８および５５
は、入力および出力が論理「０」または「１」レ
ベルになるようにバイアスされるのではなく、中
間の電圧レベルになるようにバイパスされる。補
数クロツク相が零になり、主クロツク相が「１」
レベルに立ち上ると、正の入力端２４がコンデン
サ４４に接続され、スイツチ５０および５６が開
かれる。この時点における入力端２４の電圧が入
力端１８の安定化電圧よりも高い場合には、イン
バータ４８に対する入力が増大し、その出力は
「０」レベルに駆動される。次いでリンバータ５
２が駆動されてコンデンサ５４は「１」レベルに
なり、その結果インバータ５４は「０」レベル出
力に駆動される。この正のクロツク相でＤフリツ
ク・フロツプ５８がトリガされて、そのＤ入力端
に受けた論理レベルを記憶する。従つて次のクロ
ツク周期中、フリツプ・フロツプ５８のＱ出力端
６０には論理「０」レベルが現われる。このクロ
ツク周期中、電源６２は作動されず、電源６４が
インバータ６８によつて作動されて、回路点66に
定常電流で供給し、その結果コンデンサ６９およ
び出力端３０の電圧は上方向に立ち上る。同様に
して、次の標本化期間においては、正の入力端２
４は負の入力端１８よりも低い電位となり、電源
６２および６４の状態が反転されて、出力30は立
ち下り始める。従つて相互的に見れば、増幅器２
８はほとんど排他的にデイジタル・デバイスを用
いて本質的にアナログな出力を供給することが判
る。また増幅器２８は極めて単純であつて、
CMOS集積回路として容易に製作し得ることは
理解されるであろう。ほとんどの事例において、
コンデンサ６９は相当に大きく、従つて外部要素
として設けるのが望ましい。
第１図に示した電圧基準回路の素子の特定値の
選択に当つては、いくつかのフアクタを考察する
必要がある。△VBE電圧は主としてトランジスタ
１０および１２における電流密度の差の関数であ
る。一般には△VBE項は７０ｍＶないし１００ｍ
Ｖの範囲内とすべきである。電流密度における差
は、トランジスタ１０および１２に異なつたベー
ス−エミツタ接合領域を付与するか、またはトラ
ンジスタ１０および１２を抵抗器１６および２６
によつて定められる異なつた電流レベルでバイア
スすることにより達成できる。本発明の好ましい
形態においては異なつた領域（面積）および異な
つたバイアス電流双方が用いられている。従つて
この具体例においてはトランジスタ１０は２平方
ミル（１ミル＝0.001インチ）の接合面積を有し、
他方トランジスタ１２は16平方ミルの面積を有し
ている。抵抗器１６は4.48kΩの値を有し、他方
抵抗器２６は8.96kΩの値を有している。抵抗器
１６および２６をこの様な値にすることにより、
トランジスタ１０には128μAのバイアス電流が得
られ、そしてトランジスタ１２には64μAのバイ
アス電流が与えられる。この様に異なつた接合面
積とバイアス電流の総合効果として、トランジス
タ１０はトランジスタ１２よりも16倍高い電流密
度を有する。抵抗器２２は1.１２ｋΩの値を有し
ており、従つて抵抗器２６と相俟つて、VBE項
は、トランジスタ１０のVBEと組み合せることに
より８の係数を乗ぜられることになる。トランジ
スタ１２の設計電流密度においてVBEは72ｍＶに
等しくすべきである。抵抗器３６および３８は、
端子３４に2.5Vの出力電圧を与えかつ抵抗器を
介してトランジスタ１０および１２のベース電流
よりも少くとも１桁大きいバイアス電流を供給し
て、これらベース電流の出力電圧に対する作用を
軽減するように選択されている。即ち抵抗器３６
は2.55kΩの値を有するように選択され、他方抵
抗器３８に2.４４ｋΩの値が与えられる。
既述の抵抗器４２は、抵抗器３６を経て流れる
トランジスタ１０および１２のベース電流から生
ずる出力電圧の増加を補償するために設けられて
おり、この実施例においては、抵抗器４２は、
VBE項を、抵抗器３６を経て流れるベース電流に
起因する電圧増加と同量だけ回路点40の電圧を減
少するのに充分な大きさだけ減少するように選択
された375Ωの値を有している。既に述べたよう
に、この具体例の上記のような特定値は25Vの出
力電圧を得るためのものであつて、いくつかの実
験的な試験を経て確定されたものである。この回
路は、ミリタリー（military）温度範囲にわたり
約50ppmの温度安定性を示し、これはCMOS集
積回路で用いらている他の電圧基準と比べてはる
かに良好であると確信する。他の基準電圧が所望
の場合には、回路において他の抵抗値を用いる必
要がある。いろいろな要素の安定性およびバイア
ス点を改良するためには、他の変更および素子の
値が必要とされる場合があろう。また既に述べた
ように、薄膜または良好な温度係数を有する離散
的な抵抗器を使用すれば、回路の性能はさらに改
善され、より良好な温度安定性が得られる。
以上本発明を特定の装置および動作と関連して
図示し説明したが、本発明の請求範囲内で他の変
更および変形が可能であろうことは明らかであ
る。
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