JPH03235320A - Ｘ線マスク作製方法 - Google Patents
Ｘ線マスク作製方法Info
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- JPH03235320A JPH03235320A JP2029644A JP2964490A JPH03235320A JP H03235320 A JPH03235320 A JP H03235320A JP 2029644 A JP2029644 A JP 2029644A JP 2964490 A JP2964490 A JP 2964490A JP H03235320 A JPH03235320 A JP H03235320A
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- ray mask
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Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、電子ビームによるＸ線マスク作製方法に関す
るものである。
るものである。
［従来の技術］
従来、Ｘ線マスクを作製する場合には、第４図（ａ）〜
（ｄ）に示す工程によって行われている。すなわち、第
４図（ａ）では、シリコン基板４１上に、Ｘ線マスクメ
ンブレンとして、プラズマＣＶＤ法等により厚ざ２００
ｎｍ程度のシリコン窒化’４ｍ４２を形成し、ざらに
Ｘ線吸収体として、厚さ２００ｎｍ程度のタングステン
薄膜４３をスパッタ法により形成し、ざらにＰＭＭＡの
ような電子ビームレジスト４４を塗布形成する。
（ｄ）に示す工程によって行われている。すなわち、第
４図（ａ）では、シリコン基板４１上に、Ｘ線マスクメ
ンブレンとして、プラズマＣＶＤ法等により厚ざ２００
ｎｍ程度のシリコン窒化’４ｍ４２を形成し、ざらに
Ｘ線吸収体として、厚さ２００ｎｍ程度のタングステン
薄膜４３をスパッタ法により形成し、ざらにＰＭＭＡの
ような電子ビームレジスト４４を塗布形成する。
つぎに、第４図（ｂ）に示すように、電子ヒーム４５に
より、レジスト４４をパターニングする。その後、第４
図（Ｃ）に示すように、パターニングされたレジスト４
４をマスクとして、ＳＦ６イオンエツチングにより、タ
ングステン薄膜４３をパターニングする。最後に、第４
図（ｄ）に示すように、酸素プラズマエツチングにより
レジスト４４を灰化・除去する。
より、レジスト４４をパターニングする。その後、第４
図（Ｃ）に示すように、パターニングされたレジスト４
４をマスクとして、ＳＦ６イオンエツチングにより、タ
ングステン薄膜４３をパターニングする。最後に、第４
図（ｄ）に示すように、酸素プラズマエツチングにより
レジスト４４を灰化・除去する。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、上記のような従来の方法によるときには、Ｘ
線マスクを作製するのに要する工程に長時間を要し、ざ
らに、電子ビーム露光、ＳＦ６イオンエツチングと数工
程を用いているため、高精度のマスクパターン形成が困
難であった。
線マスクを作製するのに要する工程に長時間を要し、ざ
らに、電子ビーム露光、ＳＦ６イオンエツチングと数工
程を用いているため、高精度のマスクパターン形成が困
難であった。
本発明の目的は、工程が短く、しかも高精度のＸ線露光
用マスクを作製する方法を提供することにある。
用マスクを作製する方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、メンブレン薄膜か形成されたＸ線マスク基板
の所定部分に、Ｘ線マスク吸収体元素を含むガス雰囲気
中で収束された電子ビームを照射し、Ｘ線マスク吸収体
パターンを直接パターン形成することを特徴とするＸ線
マスク形成方法である。
の所定部分に、Ｘ線マスク吸収体元素を含むガス雰囲気
中で収束された電子ビームを照射し、Ｘ線マスク吸収体
パターンを直接パターン形成することを特徴とするＸ線
マスク形成方法である。
［作用］
日本電気（株）の松材等によってジャーナル・オブ・バ
キューム・サイエンス・アンド・テクノロジー、Ｂ第４
巻、第１号、第２９９ページ（ＪＶａｃ、 Ｓｃｉ、
＆ Ｔｅｃｈ、 ［３ｖｏｌ、 ４． Ｎｏ、 １．
２９９゜１９８６）に、電子ビームデポジションが提
案された。
キューム・サイエンス・アンド・テクノロジー、Ｂ第４
巻、第１号、第２９９ページ（ＪＶａｃ、 Ｓｃｉ、
＆ Ｔｅｃｈ、 ［３ｖｏｌ、 ４． Ｎｏ、 １．
２９９゜１９８６）に、電子ビームデポジションが提
案された。
これは、ＷＦ６の雰囲気中に８１基板を置き、電子ビー
ム照射をすると、照射位置てＷＦ６が分解してタングス
テン（Ｗ＞となり、基板上にデポジションされるという
ものである。
ム照射をすると、照射位置てＷＦ６が分解してタングス
テン（Ｗ＞となり、基板上にデポジションされるという
ものである。
本発明は、上記の松材等によって見い出された電子ヒー
ムデポジション効果を微細加工技術に適用し、Ｘ線マス
クの電子ビーム直接描画作製方法を提供するものである
。
ムデポジション効果を微細加工技術に適用し、Ｘ線マス
クの電子ビーム直接描画作製方法を提供するものである
。
［実施例］
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第１図（ａ＞ 、（ｂ）は、本発明の方法を示している
。第１図（ａ）において、Ｘ線マスク基板であるシリコ
ン基板１１上に、ＣＶＤ法により厚さ２００ｎｍ程度の
シリコン窒化薄１１ｉ１２を形成する。次に、第１図（
ｂ）に示すように、ＷＦ６ガス雰囲気中で、集束された
電子ヒーム１３を所望の部分に照射することにより、タ
ングステンパターン１４を直接デポジションし、Ｘ線マ
スクパターンを作製する。
。第１図（ａ）において、Ｘ線マスク基板であるシリコ
ン基板１１上に、ＣＶＤ法により厚さ２００ｎｍ程度の
シリコン窒化薄１１ｉ１２を形成する。次に、第１図（
ｂ）に示すように、ＷＦ６ガス雰囲気中で、集束された
電子ヒーム１３を所望の部分に照射することにより、タ
ングステンパターン１４を直接デポジションし、Ｘ線マ
スクパターンを作製する。
第２図は、第１図（ｂ）の工程で用いられる電子ビーム
デポジション装置の一例の構成図である。
デポジション装置の一例の構成図である。
本装置は主に電子ビーム照射系２０７． ２０８． ２
０９、試料室２０６、および反応ガス材料収納室２０１
とから構成されている。本実施例においてはＷＦ６を反
応ガスとして用い、集束された電子ビーム照射によりシ
リコン窒化薄膜が表面に形成されたＸ線マスク基板２０
５の上にＷパターンを電子ビームデポジションにより直
接形成した。
０９、試料室２０６、および反応ガス材料収納室２０１
とから構成されている。本実施例においてはＷＦ６を反
応ガスとして用い、集束された電子ビーム照射によりシ
リコン窒化薄膜が表面に形成されたＸ線マスク基板２０
５の上にＷパターンを電子ビームデポジションにより直
接形成した。
ＷＦ６２０２を反応ガス材料収納室２０１に入れ、Ｘ線
マスク基板２０４を試料台２０４にセットする。
マスク基板２０４を試料台２０４にセットする。
電子ビーム照射系２０７〜２０９と試料室２０６を１０
−５王ｏｒｒ程度以上の高真空に排気する。試料室２０
Ｂと反応ガス材料収納室２０１とは配管２０３によって
接続されてあり、試料室２０６を真空排気することによ
り、試料室内部および反応ガス材料収納室２０１の内部
か真空排気される。反応ガス材料＼へ’Ｆ６は大気中で
は固体であるか、真空に引くことにより、容易に昇華し
、配管？０３を通り、試料室２０Ｂ内部か反応ガスであ
るＷＦ６で充満される。ＷＦ６のガス流量は、マスフロ
ーメータ２１１により調整される。集束された電子ビー
ムがＸ線マスク基板２０５に照射され、照射された場所
に＼１■パターンが形成される。
−５王ｏｒｒ程度以上の高真空に排気する。試料室２０
Ｂと反応ガス材料収納室２０１とは配管２０３によって
接続されてあり、試料室２０６を真空排気することによ
り、試料室内部および反応ガス材料収納室２０１の内部
か真空排気される。反応ガス材料＼へ’Ｆ６は大気中で
は固体であるか、真空に引くことにより、容易に昇華し
、配管？０３を通り、試料室２０Ｂ内部か反応ガスであ
るＷＦ６で充満される。ＷＦ６のガス流量は、マスフロ
ーメータ２１１により調整される。集束された電子ビー
ムがＸ線マスク基板２０５に照射され、照射された場所
に＼１■パターンが形成される。
第３図は、ＷＦ６ガス圧５ ｍＴｏｒｒにおける、電子
ヒーム照射量とタングステン厚さとの関係を示している
。Ｘ線露光用タングステンパターンの膜厚は、約２００
ｎｍであるので、２ Ｘ １０−” Ｃ／ ｃｍ２の
照射量でＸ線マスクが高精度にパターニングされる。こ
の照射量はＰＭＭＡレジストの電子ビーム露光にあける
感度と同程度である。なお、本実施例では、タングステ
ン薄膜パターンのデポジションガスとしてＷＦ６を用い
たが、Ｗ（Ｃｏ）６等のガスを用いてもよい。
ヒーム照射量とタングステン厚さとの関係を示している
。Ｘ線露光用タングステンパターンの膜厚は、約２００
ｎｍであるので、２ Ｘ １０−” Ｃ／ ｃｍ２の
照射量でＸ線マスクが高精度にパターニングされる。こ
の照射量はＰＭＭＡレジストの電子ビーム露光にあける
感度と同程度である。なお、本実施例では、タングステ
ン薄膜パターンのデポジションガスとしてＷＦ６を用い
たが、Ｗ（Ｃｏ）６等のガスを用いてもよい。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば電子ビームデポジ
ションによりＸ線マスクパターンか直接デポジションさ
れるため、工程をきわめて簡略化でき、かつ高精度パタ
ーニングできるという効果を有する。
ションによりＸ線マスクパターンか直接デポジションさ
れるため、工程をきわめて簡略化でき、かつ高精度パタ
ーニングできるという効果を有する。
第１図は本発明の方法を工程順に示す工程図、第２図は
本発明の方法に用いられる電子ビームデポジション装置
の一例の構成図、第３図は電子ビーム照射量とＷデポジ
ション厚さとの関係を示す図、第４図は従来のＸ線露光
用マスクの作製方法を工程順に示す工程図である。 １１、４１・・・シリコン基板 １２．４２・・・シリコン窒化薄膜 １３、４５．２１０・・・電子ビーム １４・・・タングステンパターン ４３・・・タングステン薄膜 ４４・・・レジスト ２０１・・・反応ガス材料収納室 ２０２・・・Ｗ Ｆ ６ ２０３・・・配管 ２０４・・・試料台 ２０５・・・基板 ２０６・・・試料室 ２０７ 、２０８ 、２０９・・・電子ビーム前側系２
１１・・・マスフローメータ
本発明の方法に用いられる電子ビームデポジション装置
の一例の構成図、第３図は電子ビーム照射量とＷデポジ
ション厚さとの関係を示す図、第４図は従来のＸ線露光
用マスクの作製方法を工程順に示す工程図である。 １１、４１・・・シリコン基板 １２．４２・・・シリコン窒化薄膜 １３、４５．２１０・・・電子ビーム １４・・・タングステンパターン ４３・・・タングステン薄膜 ４４・・・レジスト ２０１・・・反応ガス材料収納室 ２０２・・・Ｗ Ｆ ６ ２０３・・・配管 ２０４・・・試料台 ２０５・・・基板 ２０６・・・試料室 ２０７ 、２０８ 、２０９・・・電子ビーム前側系２
１１・・・マスフローメータ
Claims (1)
- （１）メンブレン薄膜が形成されたＸ線マスク基板の所
定部分に、Ｘ線マスク吸収体元素を含むガス雰囲気中で
収束された電子ビームを照射し、Ｘ線マスク吸収体パタ
ーンを直接パターン形成することを特徴とするＸ線マス
ク形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2029644A JPH03235320A (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | Ｘ線マスク作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2029644A JPH03235320A (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | Ｘ線マスク作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03235320A true JPH03235320A (ja) | 1991-10-21 |
Family
ID=12281804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2029644A Pending JPH03235320A (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | Ｘ線マスク作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03235320A (ja) |
-
1990
- 1990-02-13 JP JP2029644A patent/JPH03235320A/ja active Pending
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