JPS62177926A - マスク作製方法 - Google Patents
マスク作製方法Info
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- JPS62177926A JPS62177926A JP1944986A JP1944986A JPS62177926A JP S62177926 A JPS62177926 A JP S62177926A JP 1944986 A JP1944986 A JP 1944986A JP 1944986 A JP1944986 A JP 1944986A JP S62177926 A JPS62177926 A JP S62177926A
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- silicon
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電子ビームによる光露光用シリコンマスク作
製方法に関するものである。
製方法に関するものである。
（従来の技術）
従来、ガラス基板上にシリコン薄膜を形成した光露光用
シリコンマスクを作製する場合には、第４図（ａ）〜（
ｄ）に示す工程によって行なわれている。すなわち、第
４図（ａ）では、ガラス基板４１上に、スパッ４２を形
成し、さらに、厚さ５００ｎｍ程度のＰＭＭＡやＰＧＭ
Ａの様な電子ビームレジスト４３を塗布形成する。
シリコンマスクを作製する場合には、第４図（ａ）〜（
ｄ）に示す工程によって行なわれている。すなわち、第
４図（ａ）では、ガラス基板４１上に、スパッ４２を形
成し、さらに、厚さ５００ｎｍ程度のＰＭＭＡやＰＧＭ
Ａの様な電子ビームレジスト４３を塗布形成する。
次に、第４図（ｂ）に示す様に、電子ビーム４４により
、レジスト１３をパターニングする。その後、第４図（
ｅ）に示す様に、パターニングされたレジスト４３をマ
スクとして、ＣＦ４リアクティブスパッターエツチング
により、シリコン薄膜４２をパターニングする。最後に
、第４図（ｄ）に示す様に、酸素プラズマエツチングに
よりレジスト４３を炭化除去する。
、レジスト１３をパターニングする。その後、第４図（
ｅ）に示す様に、パターニングされたレジスト４３をマ
スクとして、ＣＦ４リアクティブスパッターエツチング
により、シリコン薄膜４２をパターニングする。最後に
、第４図（ｄ）に示す様に、酸素プラズマエツチングに
よりレジスト４３を炭化除去する。
（発明が解決しようとする問題点）
ところが、上記の様な従来の方法によるときには、光露
光用シリコンマスクを作製するのに要する工程に長時間
を要し、さらに、電子ビーム露光、ＣＦ４リアクティブ
スパッターエツチングと複製工程を用いているため、高
精度のマスクパターン形成が困難であった。
光用シリコンマスクを作製するのに要する工程に長時間
を要し、さらに、電子ビーム露光、ＣＦ４リアクティブ
スパッターエツチングと複製工程を用いているため、高
精度のマスクパターン形成が困難であった。
本発明の目的は、工程が短く、しかも高精度の光露光用
シリコンマスク作製方法を提供することにある。
シリコンマスク作製方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、シリコン薄膜が形成されたガラス基板をシリ
コンをエツチングできるガス雰囲気中に置き、集束され
た電子ビームを所望の部分に照射することにより、シリ
コン薄膜を直接エツチングすることを特徴とするマスク
作製方法である。
コンをエツチングできるガス雰囲気中に置き、集束され
た電子ビームを所望の部分に照射することにより、シリ
コン薄膜を直接エツチングすることを特徴とするマスク
作製方法である。
（作用）
ＩＢＭ研究所のリュー・ダブリュー・コバーン（Ｊ、Ｗ
。
。
Ｃｏｂｕｒｎ）等によってジャーナル オブアプライド
フィジックス、第５０巻３１８９頁（Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐ
ｈｙｓ、皿、３１８９゜（１９７９））に、電子ビーム
アシストエツチングが提案された。即ち、ＸｅＦ２の雰
囲気中にＳｉやＳｉ３Ｎ４基板をおき、電子ビーム照射
すると、照射位置でＸｅＦ２と基板とが反応し、基板表
面がエツチングされるというものである。
フィジックス、第５０巻３１８９頁（Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐ
ｈｙｓ、皿、３１８９゜（１９７９））に、電子ビーム
アシストエツチングが提案された。即ち、ＸｅＦ２の雰
囲気中にＳｉやＳｉ３Ｎ４基板をおき、電子ビーム照射
すると、照射位置でＸｅＦ２と基板とが反応し、基板表
面がエツチングされるというものである。
本発明は、上記のコバーン等によって見い出された電子
ビームアシストエツチング効果を微細加工技術に適用し
、光露光用シリコンマスクの電子ビーム直接描画作製方
法を提供するものである。
ビームアシストエツチング効果を微細加工技術に適用し
、光露光用シリコンマスクの電子ビーム直接描画作製方
法を提供するものである。
（実施例）
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。第１図（ａ）、（ｂ）は、本発明のプロセスを示し
ている。第１図（ａ）において、ガラス基板１１上に、
スパッター法等により厚さ］、ＯＯｎｍ程度のシリコン
薄膜１２を形成する。次に、第１図（１））に示す様に
、ＸｅＦ２ガス雰囲気中に置き、集束された電子ビーム
１３を所望の部分に照射することにより、シリコン薄膜
１−２を直接エツチングし、マスクパターンを作製する
。第２図は、第１図（ｂ）で用いる電子ビームアシスト
エツチング装置の構成図である。
る。第１図（ａ）、（ｂ）は、本発明のプロセスを示し
ている。第１図（ａ）において、ガラス基板１１上に、
スパッター法等により厚さ］、ＯＯｎｍ程度のシリコン
薄膜１２を形成する。次に、第１図（１））に示す様に
、ＸｅＦ２ガス雰囲気中に置き、集束された電子ビーム
１３を所望の部分に照射することにより、シリコン薄膜
１−２を直接エツチングし、マスクパターンを作製する
。第２図は、第１図（ｂ）で用いる電子ビームアシスト
エツチング装置の構成図である。
本装置は主に電子ビーム照射系２０７，２０８，２０９
試料室２０６、及び反応ガス材料収納室２０１とから構
成されている。本実施例においてはＸｅＦ２を反応ガス
として用い、集束された電子ビーム照射により８１薄膜
が表面に形成されたガラス基板２０５のＳｉ薄膜を直接
加工した。ＸｅＦ２２０２を反応ガス材料収納室２０１
に入れ、Ｓｉ薄膜を上層に有した基板２０５を試料台２
０４にセットする。電子ビーム照射系２０８と試料室２
０６を１Ｏ−５Ｔｏｒｒ程度以上の高真空に排気する。
試料室２０６、及び反応ガス材料収納室２０１とから構
成されている。本実施例においてはＸｅＦ２を反応ガス
として用い、集束された電子ビーム照射により８１薄膜
が表面に形成されたガラス基板２０５のＳｉ薄膜を直接
加工した。ＸｅＦ２２０２を反応ガス材料収納室２０１
に入れ、Ｓｉ薄膜を上層に有した基板２０５を試料台２
０４にセットする。電子ビーム照射系２０８と試料室２
０６を１Ｏ−５Ｔｏｒｒ程度以上の高真空に排気する。
試料室２０６と反応ガス材料収納室２０１とは配管２０
３によって接続されており、試料室２０６を真空排気す
ることにより、試料室内部及び反応ガス材料収納室２０
１の内部が真空排気される。反応ガス材料ＸｅＦ２は大
気中では固体であるが真空にひくことにより、容易に昇
華し、配管２０３を通り、試料室２０６内部が反応ガス
であるＸｅＦ２で充満される。
３によって接続されており、試料室２０６を真空排気す
ることにより、試料室内部及び反応ガス材料収納室２０
１の内部が真空排気される。反応ガス材料ＸｅＦ２は大
気中では固体であるが真空にひくことにより、容易に昇
華し、配管２０３を通り、試料室２０６内部が反応ガス
であるＸｅＦ２で充満される。
ＸｅＦ２のガス流量はマスクローメーター２１１により
調整される。集束された電子ビームがＳｉ薄膜を上層に
有した基板２０５に照射され、照射された場所のＳｉ薄
膜がエツチングされる。
調整される。集束された電子ビームがＳｉ薄膜を上層に
有した基板２０５に照射され、照射された場所のＳｉ薄
膜がエツチングされる。
第３図は、ＸｅＦ２ガス圧５ｍＴｏｒｒにおける、電子
ビーム照射量とシリコンエツチング深さの関係を示して
いる。光露光用シリコンマスクのシリコン薄膜の膜厚は
約１１００ｎであるので、８Ｘ１０ ’Ｃ／ｃｍ２の照
射量でシリコンマスクが高精度にパターニングされる。
ビーム照射量とシリコンエツチング深さの関係を示して
いる。光露光用シリコンマスクのシリコン薄膜の膜厚は
約１１００ｎであるので、８Ｘ１０ ’Ｃ／ｃｍ２の照
射量でシリコンマスクが高精度にパターニングされる。
この照射量はＰＭＭＡレジストの電子ビーム露光におけ
る感度と同程度である。
る感度と同程度である。
以上、実施例では、シリコン薄膜をエツチングするガス
としてＸｅＦ２を用いたが、Ｆ２．Ｃ１２やＮＦ３゜Ｃ
Ｆ４．ＣＨＦ３等のガスを用いても良い。
としてＸｅＦ２を用いたが、Ｆ２．Ｃ１２やＮＦ３゜Ｃ
Ｆ４．ＣＨＦ３等のガスを用いても良い。
（発明の効果）
以上の様に本発明によれば、従来の方法と異なり、電子
ビームアシストエツチングにより直接エツチングされる
ため、工程をきわめて簡略化でき、高精度パターニング
できる効果を有するものである。
ビームアシストエツチングにより直接エツチングされる
ため、工程をきわめて簡略化でき、高精度パターニング
できる効果を有するものである。
第１図は、本発明の光露光用シリコンマスクを作製する
方法を示した模式図、第２図は、電子ビームアシストエ
ツチング装置の概略を示す構成図、第３図は電子ビーム
照射量とエツチング深さとの関係を示す図。第４図（ａ
）〜（ｄ）は、従来の光露光用シリコンマスクを作製す
る方法を示したものであり、主要工程における基板の断
面を順次水した模式図。
方法を示した模式図、第２図は、電子ビームアシストエ
ツチング装置の概略を示す構成図、第３図は電子ビーム
照射量とエツチング深さとの関係を示す図。第４図（ａ
）〜（ｄ）は、従来の光露光用シリコンマスクを作製す
る方法を示したものであり、主要工程における基板の断
面を順次水した模式図。
Claims (1)
- シリコン薄膜が形成されたガラス基板をシリコンをエ
ッチングできるガス雰囲気中に置き、集束された電子ビ
ームを所望の部分に照射することによりシリコン薄膜を
直接エッチングすることを特徴とするマスク作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1944986A JPS62177926A (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 | マスク作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1944986A JPS62177926A (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 | マスク作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62177926A true JPS62177926A (ja) | 1987-08-04 |
Family
ID=11999616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1944986A Pending JPS62177926A (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 | マスク作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62177926A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6453422A (en) * | 1987-08-24 | 1989-03-01 | Tokyo Electron Ltd | Dry etching device |
-
1986
- 1986-01-30 JP JP1944986A patent/JPS62177926A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6453422A (en) * | 1987-08-24 | 1989-03-01 | Tokyo Electron Ltd | Dry etching device |
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