JPS6053025A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
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- JPS6053025A JPS6053025A JP16035583A JP16035583A JPS6053025A JP S6053025 A JPS6053025 A JP S6053025A JP 16035583 A JP16035583 A JP 16035583A JP 16035583 A JP16035583 A JP 16035583A JP S6053025 A JPS6053025 A JP S6053025A
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- film
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はドライエツチング方法に関し、詳しくは、Ｓｏ
Ｒ，を励起光源に用いたドライエツチング方法に関する
。
Ｒ，を励起光源に用いたドライエツチング方法に関する
。
従来のドライエツチングとしては、反応ガスのプラズマ
雰囲気中で行なうプラズマエツチング、あるいはプラズ
マイオンを加速でせて行なう反応性イ男ンエソチングが
主に行なわれている。しかし、これらの方法ではＪ−ツ
チングマスクにイ史用しているレジストに十分な耐エツ
チング性が要求される。しかし、１μｍ以下の微細加工
に用いられる電子線レジストやＸ線レジストは十分な耐
トライエツチング性を持つものが非富に少なく、上記の
リソグラフィを用いた場合のドライエツチングが困難で
あった。
雰囲気中で行なうプラズマエツチング、あるいはプラズ
マイオンを加速でせて行なう反応性イ男ンエソチングが
主に行なわれている。しかし、これらの方法ではＪ−ツ
チングマスクにイ史用しているレジストに十分な耐エツ
チング性が要求される。しかし、１μｍ以下の微細加工
に用いられる電子線レジストやＸ線レジストは十分な耐
トライエツチング性を持つものが非富に少なく、上記の
リソグラフィを用いた場合のドライエツチングが困難で
あった。
本発明の目的は上記従来の問題を解決し、優れたドライ
エツチング法を提供することにある。
エツチング法を提供することにある。
従来のドライエツチング方法の問題点はエツチング雰囲
気中の化学種がレジスト膜を物理的にスパッタするため
にレジストの膜減りゃ変質などを起すことにある。そこ
で従来のプラズマ励起にかわって、光によって反応ガス
を活性化し、基板をエツチングすることによりレジスト
へのダメージは著しく低減する。捷だ、基板とマスクを
適度に離し、この間隙に反応ガスを流入することに上り
レジストなしで直接、基板をエツチングすることができ
る。この場合、光源として、Ｓ ＯＲを用いることによ
り、光の波長が短がいだめ、Ｃ十’＜や８１””ｅ等の
毒性が少なく安定なガスを分１’Ｊ’ｒをぜることがで
きること、パワーが犬きく、１冒ｊいエツチング速度が
得られること、また、光の回折やホブが小さいため解像
度が冒い等の利点がある。
気中の化学種がレジスト膜を物理的にスパッタするため
にレジストの膜減りゃ変質などを起すことにある。そこ
で従来のプラズマ励起にかわって、光によって反応ガス
を活性化し、基板をエツチングすることによりレジスト
へのダメージは著しく低減する。捷だ、基板とマスクを
適度に離し、この間隙に反応ガスを流入することに上り
レジストなしで直接、基板をエツチングすることができ
る。この場合、光源として、Ｓ ＯＲを用いることによ
り、光の波長が短がいだめ、Ｃ十’＜や８１””ｅ等の
毒性が少なく安定なガスを分１’Ｊ’ｒをぜることがで
きること、パワーが犬きく、１冒ｊいエツチング速度が
得られること、また、光の回折やホブが小さいため解像
度が冒い等の利点がある。
本発明の実施例（１）を第１図により説明する。被加工
材料Ａｔ膜（２）上にＸ勝しジスト膜（３）を形成し、
Ｘ線露光法によりレジストパターンを形成する（第１図
ａ）。次に、第１図すに示すように当該試料をＢＣＩｓ
、ＣＣｌ２ 等の」為素化合物（４）雰囲気中にさら
し、全面を５ＯＲ（５）で露光する。上記反応ガスの圧
力は独々選定できるが、２〜２０Ｔｏｒｒ付近が適切で
ある。ＳＯＲ露光は／ンクロトロンの電子エイ・ルギー
：ＩＧｅＶ、電流５０ｍＡ、偏向電磁石の磁束密度：Ｂ
＝１．０２Ｔの条件で３０分間行うことにより、厚ｉ
０．５μｍのＡｔをエツチングすることができた。この
場合、反応ガスの圧力が高いため、ＳＯＲにより分解、
励起された活性種の平均自由行程が短かいので、！１１
実上、Ａ、を表ｍ」近傍のみの反応ガスが作用すること
になり、ＳＯＲの直進性を反映した、サイドエツチング
のない、垂直なＡ７パターン形状となる。最後にＡｔ上
のレジストを除去して所望のＡｔパターンを得る。不実
施例によればレジストへのダメージを与えることなしに
サイドエツチングの小きい高精度ドライエツチングを行
える効果がある。
材料Ａｔ膜（２）上にＸ勝しジスト膜（３）を形成し、
Ｘ線露光法によりレジストパターンを形成する（第１図
ａ）。次に、第１図すに示すように当該試料をＢＣＩｓ
、ＣＣｌ２ 等の」為素化合物（４）雰囲気中にさら
し、全面を５ＯＲ（５）で露光する。上記反応ガスの圧
力は独々選定できるが、２〜２０Ｔｏｒｒ付近が適切で
ある。ＳＯＲ露光は／ンクロトロンの電子エイ・ルギー
：ＩＧｅＶ、電流５０ｍＡ、偏向電磁石の磁束密度：Ｂ
＝１．０２Ｔの条件で３０分間行うことにより、厚ｉ
０．５μｍのＡｔをエツチングすることができた。この
場合、反応ガスの圧力が高いため、ＳＯＲにより分解、
励起された活性種の平均自由行程が短かいので、！１１
実上、Ａ、を表ｍ」近傍のみの反応ガスが作用すること
になり、ＳＯＲの直進性を反映した、サイドエツチング
のない、垂直なＡ７パターン形状となる。最後にＡｔ上
のレジストを除去して所望のＡｔパターンを得る。不実
施例によればレジストへのダメージを与えることなしに
サイドエツチングの小きい高精度ドライエツチングを行
える効果がある。
次に実施例（２）を第２図により説明する。波加工材料
ｐｏｌｙ３ｉ６−ヒにＸｍ、リングラフィ用マスク７を
設定する。マスクと被加工拐料面のｔ…隔は２０〜１０
０μｍ８度が適切である。上記試料をＳＦａ、あるいは
、ＣＦ４等のＦ化合物の雰囲気（ガス圧２〜２０ Ｔｏ
ｒｒ）にてらし、全面をＳＯＲ露光する。露光条件は実
施例（１）の場合と同じである。ｇ６ 光時間１５分で
厚さ０．３ ｐ ｍのｐｏｌｙｓ ｉをエツチングする
ことができた。本実施例によれば、レジストを用いるこ
となく、ＳＯＲ露光により１１θ、接−ｐＯｌｙ−８ｉ
膜をエツチング加工できる効果がある。
ｐｏｌｙ３ｉ６−ヒにＸｍ、リングラフィ用マスク７を
設定する。マスクと被加工拐料面のｔ…隔は２０〜１０
０μｍ８度が適切である。上記試料をＳＦａ、あるいは
、ＣＦ４等のＦ化合物の雰囲気（ガス圧２〜２０ Ｔｏ
ｒｒ）にてらし、全面をＳＯＲ露光する。露光条件は実
施例（１）の場合と同じである。ｇ６ 光時間１５分で
厚さ０．３ ｐ ｍのｐｏｌｙｓ ｉをエツチングする
ことができた。本実施例によれば、レジストを用いるこ
となく、ＳＯＲ露光により１１θ、接−ｐＯｌｙ−８ｉ
膜をエツチング加工できる効果がある。
以上の２つの実施例では、Ａ２．および、ｐｏｌｙＳｉ
を被エツチング制料に選んだが、５ｉ０２゜Ｓ １３
Ｎ４． ＶＶなどを含めた、あらゆる種類の半導体製造
用材料にも適用することができる。
を被エツチング制料に選んだが、５ｉ０２゜Ｓ １３
Ｎ４． ＶＶなどを含めた、あらゆる種類の半導体製造
用材料にも適用することができる。
本発明によれば、ＳＯＲを励起光に用いたことにより、
レジストマスクを用いることなしに、あるいはレジスト
マスクを用いた場合でも、レジストマスクにほとんど損
ｉ？４ ’に与えることなしに、半導体製造プロセスに
用いる各棟薄膜材料を、・Ｓ、い寸法横変でドライエツ
チング加工できる。
レジストマスクを用いることなしに、あるいはレジスト
マスクを用いた場合でも、レジストマスクにほとんど損
ｉ？４ ’に与えることなしに、半導体製造プロセスに
用いる各棟薄膜材料を、・Ｓ、い寸法横変でドライエツ
チング加工できる。
第１図は実施例（１）の工程メ図、第２図は実施例（２
）の工程、〆図を示す。 第１図および第２図１Ｉ：１、七ねそれ本発明の異なる
実施例を示す工程図である。 １・・・Ｓｉ基板、２・・Ａｔ、３・・・Ｘ線レジスト
、４・・ＤＣｔ３ガス、５・・・Ｓ ＯＲ，，６・・・
ｐｏｌｙ Ｓ ｉ膜、−Ｑ Ｏ ６雫 − １２３−
）の工程、〆図を示す。 第１図および第２図１Ｉ：１、七ねそれ本発明の異なる
実施例を示す工程図である。 １・・・Ｓｉ基板、２・・Ａｔ、３・・・Ｘ線レジスト
、４・・ＤＣｔ３ガス、５・・・Ｓ ＯＲ，，６・・・
ｐｏｌｙ Ｓ ｉ膜、−Ｑ Ｏ ６雫 − １２３−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １゜半導体材料の加工において、シンクロトロン軌道放
射光（以下、ＳＯＲと記述）を励起光源とし、反応ガス
を活性化して、当該材料をエツチングすることを特徴と
するドライエツチング方法。 ２、 １１￥Ｍ＋ 、請求柁囲第１項記載のドライエツ
チング方法において、当該材料上に所望のパターンを含
むマスクを設け、当該材料をパターンエツチングするこ
とを特徴とするドライエツチング方法。 ３、特許請求範囲第２項記載のドライエツチング方法に
おいて、当該材料上にマスク材料をパターン形成した仮
、ドライエツチングを行うことを特徴とする光励起ドラ
イエツチング方法。 ４ 特許請求範囲第２項記載のドライエツチング方法に
おいて、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ，Ｎ、Ｏ，Ａ７．ｖＳ １等の軽
元素化合物薄膜上に、Ａｕ、ｌ”ｔ。 Ｗ、Ｍｏ、Ｎ２等の重金属の・くターン形成したものを
マスクとし、邑該被加工材料上に、２０〜１００μｍの
間隙をあけて設定し、この間隙に反応ガスを流入させて
行うことを特徴とする光励起ドライエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16035583A JPS6053025A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16035583A JPS6053025A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | ドライエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6053025A true JPS6053025A (ja) | 1985-03-26 |
| JPH0452613B2 JPH0452613B2 (ja) | 1992-08-24 |
Family
ID=15713179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16035583A Granted JPS6053025A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6053025A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63199428A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ドライエツチング装置及び方法 |
| JPH02225680A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光励起エッチング法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53116077A (en) * | 1977-03-22 | 1978-10-11 | Hitachi Ltd | Etching method |
| JPS56147438A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-16 | Fujitsu Ltd | Microplasma treatment apparatus |
-
1983
- 1983-09-02 JP JP16035583A patent/JPS6053025A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53116077A (en) * | 1977-03-22 | 1978-10-11 | Hitachi Ltd | Etching method |
| JPS56147438A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-16 | Fujitsu Ltd | Microplasma treatment apparatus |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63199428A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ドライエツチング装置及び方法 |
| JPH02225680A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光励起エッチング法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0452613B2 (ja) | 1992-08-24 |
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