JPH03228381A - 超電導素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は酸化物高温超電導体を利用した電子デバイスに
係り、特に低消費電力性と動作の高速性に優れ、大規模
な集積回路の構成への使用に好適な超電導素子に関する
。

【従来の技術】

従来、酸化物高温超電導体を利用した超電導デバイスは
、例えば特開昭６３−２２２０６８号に記載されている
通り公知である。 ［発明が解決しようとする課題１ 従来の酸化物高温超電導体を用いた超電導素子では、上
記従来技術に記載されている通り、素子を構成する超電
導薄膜の結晶性に関して特別の注意は払われていなかっ
た。しかし、この酸化物高温超電導体は、それに流すこ
とのできる超電導電流の大きさが材料の結晶学的なの方
向に強く依存しており、この点に留意せずに酸化物高温
超電導体を用いて超電導素子を用いて回路を構成すると
、超電導配線部分に十分な超電導電流を流すことができ
ず、また別の場合には超電導素子自身に流せる超電導電
流が安定な回路動作を実現するためには小さすぎるとい
った問題があり、大規模な集積回路を実現することが困
難であることが明らかになった。 本発明の第１の目的は、従来技術の持つ問題点を解決し
、十分な電流信号を流しあるいは処理して、安定に動作
する超電導素子を提供することにある。本発明の第２の
目的は、従来技術の持つ問題点を解決し、回路動作に十
分な電流信号を流しあるいは処理して、安定に動作する
超電導回路を構成することのできる超電導素子を提供す
ることにある。本発明の第３の目的は、電界に応答し論
理信号の処理機能を有する新規な超電導回路を提供する
ことにある。

【課題を解決するための手段］ 上記の本発明の第１の目的は、一対の超電導電極と常伝
導体とを少なくとも具備して構成され。 上記の超電導電極の間に上記常伝導体を介して超電導電
流を流すことのできる超電導素子において。 上記の超電導電極のうち一方は単結晶状薄膜、他方は多
結晶状薄膜によって構成することによって達成される。 上記の本発明の第２の目的は、一対の超電導電極と常伝
導体と曲折部分のある超電導配線によって構成されたイ
ンダクタンスとを少なくとも具備して構成され、上記の
超電導電極の間に上記常伝導体を介して超電導電流を流
すことのできる超電導素子において、上記の超電導電極
のうち一方は単結晶状薄膜によって、他方は多結晶状薄
膜よって構成されており、かつ上記の曲折部分のある超
電導配線は上記の多結晶状薄膜によって構成することに
よって実現される。 また、本発明の第３の目的は、前記常伝導体から電気的
にＭ！縁された電界効果型の制御電極を具備して構成さ
れ、前記の常伝導体を介して流すことのできる超電導電
流を上記の制御電極に加えた電圧によって制御すること
によって達することができる。 【作用】 一対の超電導電極と常伝導体とを少なくとも具備して構
成され、上記の超電導電極の間に上記常伝導体を介して
超電導電流を流すことのできる超電導素子において、素
子そのものに流すことのできる超電導電流は、上記の超
電導電極の両方が単結晶状薄膜の場合に最も大きくなる
。これは酸化物高温超電導体において、それに流すこと
のできる超電導電流大きさが材料の結晶学的な方向に強
く依存しているためであって、これは常伝導体を介して
超電導近接効果によって超電導電流を流す超電導素子に
ついてもあてはまる。上記の超電導電極の両方が単結晶
状薄膜の場合の問題点は、この超電導電極をそのまま配
線として使用した場合に、配線の曲折部分において配線
に流すことのできる超電導電流の大きさが、前述の超電
導電流の大きさが材料の結晶学的な方向に強く依存する
ために著しく小さくなり、回路動作に支障をきたすこと
である。 この問題は上記の超電導電極の一方は単結晶状薄膜によ
って構成し、他方は多結晶状薄膜によって構成し、しか
も上記の曲折部分のある超電導配線は上記の多結晶状薄
膜によって構成することによって解決することができる
。すなわち、超電導電極の一方を単結晶状薄膜によって
構成することによって、常伝導体中を近接効果によって
流れる超電導電流を回路動作に必要なだけ大きな値にす
ることができる。超電導電極の他方は多結晶状薄膜によ
って構成し、しかも上記の曲折部分のある超電導配線は
上記の多結晶状薄膜によって構成すれば、配線部分に流
すことのできる超電導電流の値は回路動作に必要なだけ
大きな値にすることができる。従って従来技術の問題点
を解決して、十分な電流信号を流しあるいは処理して、
安定に動作する超電導素子を提供することができ、回路
動作に十分な電流信号を流しあるいは処理して、安定に
動作する超電導回路を構成することのできる超電導素子
を提供することができ、電界に応答し論理信号の処理機
能を有する超電導回路を新規に提供することができるも
のである。 本発明の常伝導体として半導体を用いる場合においては
、上記の半導体はＳｉ、Ｇｅ、ＩｎＡｓ。 ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＳｂの材料の群より選ばれた
一つまたは複数の材料によって構成することができ、こ
れらは超電導電流の電界効果による制御を容易に行い得
る材料として、本発明の目的を達するために推奨される
ものである。一方、超電導体の材料としては、従来の金
属系超電導材料に加えて、酸化物のセラミクス材料を用
いることもデバイスの高温動作の観点から望ましく、こ
の際には前記の常伝導体の主たる構成元素は前記の超電
導体を構成する酸化物のセラミクス材料の主たる構成元
素と同一である様に選ぶことによって、材料相互の元素
の拡散によるデバイス特性の劣化を防止できる。 本発明の超電導素子は以上に述べたごとく、電圧の信号
入力によって動作するが、これと同じく超電導体を用い
たトンネル型ジョセフソン接合素子とを組合で超電導回
路を構成することは、回路の高機能化と信号処理の高速
化を実現できる利点が有り、従来技術では実現できない
高度の情報処理が可能に成る観点から、極めて望ましい
本発明の一形態である。 すでに速入たように高温動作が可能なように、本発明に
用いる単結晶の超電導薄膜を構成する材料としては、酸
化物の高温超電導材料を用いる。 多結晶体の超電導材料としては、金属系の材料、例えば
Ｎｂ、Ｐｂ、あるいはＰｂの合金やＮｂの金属間化合物
、例えばＮｂＮ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｎｂ、Ｇｅ。 Ｎｂ５ＡＱ、Ｎｂ、Ｓｉなどを用いても良いことは言う
までもない。さらに酸化物の超電導体を用いることは、
デバイスの高温動作の点から望ましい。 その材料の例としてはｐ−導電型の超電導体であるＹ系
の酸化物超電導体やＬａ系の酸化物超電導体、Ｂｉ系の
酸化物超電導体、ＴＱ系の酸化物超電導体を用いても本
発明の目的を十分に達することのできることは言うまで
もない。またｎ−導電型の超電導体としてＮｄ、ｘＣｅ
ｘ　　ＣａＯアなる組成の酸化物セラミクス超電導体を
用いることも望ましく、これに換えて上記組成のＮｄの
部分をＰｒ。 Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｅｒの群より選ばれた少なく
とも１つの元素によって置き換えたもの、あるいはＣｅ
の部分をＴｈ、ＴＱ、Ｐｂ、Ｂｉの群より選ばれた少な
くとも１つの元素によって置き換えたものであっても良
いことは言うまでもない。 ［実施例］ 以下に本発明を実施例を用いて詳細に説明する。 第１図を用いて本発明の第１の実施例を説明する。第１
図は本発明の第１の実施例による超電導素子と配線を含
んだ回路配線の一部分の上面を示す図である。図中には
示されていないが、（１１０）方位の５ｒＴｉ○、単結
晶よりなる基板１の表面に、イオン注入層よりなる常伝
導体３を形成した。次に、反応性スパッタリング法によ
って厚さ約２００ｎｍの酸化物高温超電導体ＹＢａ２Ｃ
ｕ３０７−ｙの薄膜を形成し、これをホトレジストをマ
スクとしてＡｒイオンエツチングによって加工し単結晶
状超電導薄膜４とした。さらに、厚さ約１１００ｎのＮ
ｂの薄膜を超高真空中で蒸着した。この超電導薄膜の厚
さは１次に行う微細加工に適し、しかも材料の超電導性
を損なわない範囲に選定すれば良く、ここでは約１１０
０ｎとしたが約１μｍから約１０ｎｍの範囲、より望ま
しくは約１１００ｎから約１０ｎｍの範囲とするのが良
い。引き続いて、厚さ約２００ｎｍの電子線レジストを
用いてパターンを形成し、上記のＮｂの薄膜を反応性イ
オンエツチング法によって加工し、幅が約０，０５μｍ
の制御電極３と多結晶状超電導薄膜５とを形成した。尚
、各回において、各部分の縮尺は必ずしも同一ではない
ので注意を要する。以上によって本発明の超電導素子を
作製することができる。 次に第２図を用いて本発明の第２の実施例を説明する。 第２図は本発明の第２の実施例による超電導素子の一部
分を示す上面図である。本実施例において、素子の作製
方法は第１の実施例と同様で良いが、制御電極３は設け
ていない。単結晶状超電導薄膜４と多結晶状超電導薄膜
５０間に常伝導体３が積層状に設けである点に特徴があ
る。 次に第３図を用いて本発明の第３の実施例を説明する。 第３図は本発明の第３の実施例による超電導素子の一部
分を示す上面図である。本実施例においても、素子の作
製方法は第１の実施例と同様で良いが、多結晶状超電導
薄膜５はそのまま延長されてインダクタンスを構成して
おり、超電導のインダクタンスループに一つの超電導素
子を含んで構成された、いわゆるｒｆ−５ＱＵＩＤであ
る。本実施例においてはｒｆ−５ＱＵＩＤのインダクタ
ンスは全て多結晶状超電導薄膜５によって構成したので
、配線が曲折部分を含んでいても回路動作に十分な超電
導電流を得ることができる。 第４図は本発明の第３の実施例による超電導素子の等価
回路を示す図である。超電導のインダクタンスループ１
１に、特性をコントロールするための制御電極３を持っ
た一つの超電導素子１０を含んで構成された、いわゆる
ｒｆ−８ＱＵＩＤである。電源線１５から電流を給電し
、超電導のインダクタンスループを貫く磁束を検出する
ことができる。１６は接地線である。 次に第５図を用いて本発明の第４の実施例を説明する。 第５図は本発明の第４の実施例による超電導素子の一部
分を示す上面図である。本実施例においても、素子の作
製方法は第３の実施例と同様で良いが、制御電極３は設
けていない。単結晶状超電導薄膜４と多結晶状超電導薄
膜５の間に常伝導体３が積層状に設けである点に特徴が
ある。 多結晶状超電導薄膜５はそのまま延長されてインダクタ
ンスを構成しており、超電導のインダクタンスループに
一つの超電導素子を含んで構成された、いわゆるｒ　ｆ
　−Ｓ　Ｑ　Ｕ　Ｉ　Ｄである。本実施例においてはｒ
　ｆ　−Ｓ　Ｑ　ｔＪ　Ｉ　Ｄのインダクタンスは全て
多結晶状超電導薄膜５によって構成したので。 配線が曲折部分を含んでいても回路動作に十分な超電導
電流を得ることができる。 第６図は本発明の第４の実施例による超電導素子の等価
回路を示す図である。超電導のインダクタンスループ１
１に、一つの超電導素子１０を含んで構成された、いわ
ゆるｒｆ−８ＱＵＩＤである。電源線１５から電流を給
電し、超電導のインダクタンスループを貫く磁束を検出
することができる。１６は接地線である。 次に第７図を用いて本発明の第５の実施例を説明する。 第８図は本発明の第５の実施例による超電導素子の一部
分を示す上面図である。本実施例においても、素子の作
製方法は第３の実施例と同様で良いが、制御電極３は設
けていない。単結晶状超電導薄膜４と多結晶状超電導薄
膜５の間に常伝導体３が積層状に設けである点に特徴が
ある。 第３の実施例と同様に多結晶状超電導薄膜５はそのまま
延長されてインダクタンスを構成しているが、超電導の
インダクタンスループに２つの超電導素子を含んで構成
されている点が上述の実施例とは異なり、いわゆるｄ　
ｃ　−Ｓ　Ｑ　Ｕ　Ｉ　Ｄになっている点が異なる。本
実施例においてはｄｃ−５ＱＵＩＤのインダクタンスは
全て多結晶状超電導薄膜５によって構成したので、配線
が曲折部分を含んでいても回路動作に十分な超電導電流
を得ることができる。 第６図は本発明の第５の実施例による超電導素子の等価
回路を示す図である。多結晶超電導薄膜の配線で構成し
たインダクタンス２１，２２゜２３．２４に２つの超電
導素子２０を含んで構成された、いわゆるｄｃ−’５Ｑ
ＵＩＤである。電源線１５から電流を給電し、超電導の
インダクタンスループを貫く磁束を検出することができ
る。 １６は接地線である。従って、これまでに述べた実施例
においても同様で図には示されていないが。 超電導のインダクタンスループに磁束を印加するための
手段を設けて、スイッチング動作を実現することができ
る。 次に第９図を用いて本発明の第６の実施例を説明する。 第９図は本発明の第６の実施例による超電導素子の一部
分を示す上面図である。本実施例においても、素子の作
製方法は第３の実施例と同様で良いが、制御電極３は設
けていない。単結晶状超電導薄膜４と多結晶状超電導薄
膜５の間に常伝導体３が積層状に設けである点に特徴が
ある。 第３の実施例と同様に多結晶状超電導薄膜５はそのまま
延長されて、インダクタンスを構成しているが、超電導
のインダクタンスループに２つの超電導素子を含んで構
成されている点が上述の実施例とは異なり、いわゆるｄ
　ｃ　−Ｓ　Ｑ　Ｕ　Ｉ　Ｄになっている点が異なる。 本実施例においてはｄｃ−５ＱＵＩＤのインダクタンス
は全て多結晶状超電導薄膜５によって構成したので、配
線が曲折部分を含んでいても回路動作に十分な超電導電
流を得ることができる。 第１０図は本発明の第６の実施例による超電導素子の等
価回路を示す図である。多結晶超電導薄膜の配線で構成
したインダクタンス１１に２つの超電導素子１０を含ん
で構成された、いわゆるｄｃ−５ＱＵＩＤである。電源
線１５から電流を給電し、超電導のインダクタンスルー
プを貫く磁束を検出することができる。１６は接地線で
ある。 従って、これまでに述べた実施例においても同様で図に
は示されていないが、超電導のインダクタンスループに
磁束を印加するための手段を設けて、スイッチング動作
を実現することができる。 次に第１１図を用いて本発明の第７の実施例を説明する
。第１１図は本発明の第７の実施例による超電導素子の
一部分を示す上面図である。本実施例においても、素子
の作製方法は第３の実施例と同様で良いが、制御電極３
は設けていない。単結晶状超電導薄膜４と多結晶状超電
導薄膜５の間に常伝導体３が積層状に設けてあり、さら
に眉間絶縁膜６によって常伝導体３の端部が露出し、素
子の特性が劣化するのを防止している点に特徴がある。 多結晶状超電導薄膜５はそのまま延長されてインダクタ
ンスを構成しており、超電導のインダクタンスループに
一つの超電導素子を含んで構成された、いわゆるｒ　ｆ
　−Ｓ　Ｑ　Ｕ　Ｉ　Ｄである。本実施例においてはｒ
　ｆ　−Ｓ　Ｑ　Ｕ　Ｉ　Ｄのインダクタンスは全て多
結晶状超電導薄膜５によって構成したので、配線が曲折
部分を含んでいても回路動作に十分な超電導電流を得る
ことができる。 第１２図は第１１図に上面図を示した本発明の第７の実
施例による超電導素子のＡＡ断面図である。眉間絶縁膜
６によって常伝導体３の端部が露出し、素子の特性が劣
化するのを防止しているのがわかる。 以上の実施例においては第一の超電導体であるｐ−導電
型の超電導体としてＹ系の酸化物超電導体を用いたが、
これに換えてＬａ系の酸化物超電導体、Ｂｉ系の酸化物
超電導体、ＴＱ系の酸化物超電導体を用いても本発明の
目的を十分に達することのできることは言うまでもない
。また本実施例においては第二の超電導体であるｎ−導
電型の超電導体としてＮｄｏ、３Ｃｅ１．、ＣｕＯ４な
る組成の酸化物セラミクス超電導体を用いたが、これに
換えてＮ　ｄ２−Ｘ　Ｃｅｘ　　Ｃｕ　Ｏ４なる組成の
酸化物セラミクス超電導体であって上記組成のＮｄの部
分をＰｒ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｅｒの群より選ば
れた少なくとも１つの元素によって置き換えたもの、あ
るいはＣｅの部分をＴｈ、ＴＱ、Ｐｂ。 Ｂｉの群より選ばれた少なくとも１つの元素によって置
き換えたものであっても良いことは言うまでもない。ｎ
−導電型の超電導体としてＮｄ４−ｘＣｅｘ　　ＣｕＯ
４なる組成の酸化物セラミクス超電導体に換えて、Ａ　
２−　ｘ　Ｎ　Ｘ　　Ｃｕ　Ｏｙなる組成であって、Ａ
はＳｒ及びＣａより選ばれた少なくとも１者、Ｎは基本
結晶構造が保たれ、２＋価よりも大きい酸化数を取りう
る元素であって良く、例えばＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、
Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｄ＋ＴＱ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｙ、Ｉｎよりな
る群より選ばれた少なくとも一者より成ることを特徴と
する酸化物セラミクス超電導体を用いても本発明の目的
を達することができる。 さらにｎ−導電型の超電導体としてＡ　１−　ｘ　Ｎ　
’　ＸＣｕ　Ｏｙなる組成であって、ＡはＳｒ及びＣａ
より選ばれた少なくとも１者、Ｎは基本結晶構造が保た
れ、２＋価よりも大きい酸化数を取りうる元素であって
良く、例えばＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ。 Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｄ、ＴＱ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｙ、Ｉｎよりな
る群より選ばれた少なくとも一者より成ることを特徴と
する酸化物セラミクス超電導体を用いても本発明の目的
を達することができる。超電導体として金属系の材料、
例えばＮｂ、Ｐｂ、あるいはＰｂの合金やＮｂの金属間
化合物、例えばＮ　ｂ　Ｎ、　Ｎｂ、　Ｓｎ、　Ｎｂ、
Ｇｅ、　Ｎｂ５Ａ　ｆｌ　、　Ｎｂ、Ｓｉなどを用いて
も良いことは言うまでもない。 また以上の実施例では、半導体としてはＳｉを用いたが
、これに代えてＧｅ、ＩｎＡｓ、ＧａＡｓ。 ＧａＳｂ、ＩｎＳｂの材料の群より選ばれた一つまたは
複数の材料によってしても良いことは言うまでもない。

【発明の効果】

以上述べた様に本発明によれば、従来技術の持つ問題点
を解決し、十分な電流信号を流しあるいは処理して、安
定に動作する超電導素子を提供することができる利点が
ある。さらに、回路動作に十分な電流信号を流しあるい
は処理して、安定に動作する超電導回路を構成すること
のできる超電導素子を提供できる。従って、消費電力が
小さく、かつ高速動作に適した超電導素子が実現できる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例による超電導素子の一部
分を示す上面図、第２図は本発明の第２の実施例による
超電導素子の一部分を示す上面図、第３図は本発明の第
３の実施例による超電導素子の一部分を示す上面図、第
４図は本発明の第３の実施例による超電導素子の等価回
路を示す上面図、第５図は本発明の第４の実施例による
超電導素子の一部分を示す上面図、第６図は本発明の第
４の実施例による超電導素子の等価回路を示す図、第７
図は本発明の第５の実施例による超電導素子の一部分を
示す上面図、第８図は本発明の第５の実施例による超電
導素子の等価回路を示す図、第９図は本発明の第６の実
施例による超電導素子の一部分を示す上面図、第１０図
は本発明の第６の実施例による超電導素子の等価回路を
示す図、第１１図は本発明の第７の実施例による超電導
素子の一部分を示す上面図、第１２図は本発明の第１１
図におけるＡＡ断面図である。 符号の説明 １・・・基板、２・・常伝導体、３・・・制御電極、４
・・・単結晶状超電導薄膜、５・・・多結晶状超電導薄
膜、６・・・層間絶縁膜、１０．２０・・・超電導弱結
合素子。 １１゜ ２１゜ ２２゜ ２３゜ ２４・・・インダク タンス、 １５・・・電源線、 １６・・・接地線。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一対の超電導電極と常伝導体とを少なくとも具備し
   て構成され、上記超電導電極の間に上記常伝導体を介し
   て超電導電流を流すことのできる超電導素子において、
   上記超電導電極のうちの一方は単結晶状薄膜によって構
   成され、他方は多結晶状薄膜によって構成されているこ
   とを特徴とする超電導素子。 ２、請求項１に記載の超電導素子において、上記常伝導
   体から電気的に絶縁された電界効果型の制御電極をさら
   に具備して構成され、上記常伝導体を介して流すことの
   できる超電導電流を上記制御電極に加えた電圧によって
   制御して動作することを特徴とする超電導素子。 ３、請求項１または２に記載の超電導素子において、上
   記超電導電極を構成する単結晶状薄膜は、超電導電極か
   ら延在する曲折部分の無い直線状の配線のみに用いられ
   ることを特徴とする超電導素子。 ４、請求項１ないし３のいずれかに記載の超電導素子に
   おいて、上記常伝導体は半導体であることを特徴とする
   超電導素子。 ５、請求項１ないし４のいずれかに記載の超電導素子に
   おいて、上記常伝導体を介して流すことのできる超電導
   電流は、常伝導体への超電導近接効果によって流れるこ
   とを特徴とする超電導素子。 ６、請求項１ないし５のいずれかに記載の超電導素子に
   おいて、上記超電導電極を構成する単結晶状薄膜には、
   酸化物超電導材料を用いたことを特徴とする超電導素子
   。 ７、請求項６に記載の超電導素子において、上記超電導
   電極を構成する多結晶状薄膜には、金属系超電導材料を
   用いたことを特徴とする超電導素子。 ８、請求項７に記載の超電導素子において、上記金属系
   超電導材料としてＰｂあるいはその合金、またはＮｂあ
   るいはその金属間化合物を用いたことを特徴とする超電
   導素子。 ９、一対の超電導電極と常伝導体と曲折部分のある超電
   導配線によって構成されたインダクタンスとを少なくと
   も具備して構成され、上記超電導電極の間に上記常伝導
   体を介して超電導電流を流すことのできる超電導素子に
   おいて、上記超電導電極のうちの一方は単結晶状薄膜に
   よって構成され、他方は多結晶状薄膜よって構成されて
   おり、かつ上記の曲折部分のある超電導配線は上記の多
   結晶状薄膜によって構成されていることを特徴とする超
   電導素子。 １０、請求項９に記載の超電導素子において、上記常伝
   導体から電気的に絶縁された電界効果型の制御電極を具
   備して構成され、上記常伝導体を介して流すことのでき
   る超電導電流を上記制御電極に加えた電圧によって制御
   して動作することを特徴とする超電導素子。 １１、請求項９または１０に記載の超電導素子において
   、上記超電導電極を構成する単結晶状薄膜は、超電導電
   極から延在する曲折部分の無い部分の直線状の配線のみ
   に用いられることを特徴とする超電導素子。 １２、請求項９ないし１１のいずれかに記載の超電導素
   子において、上記常伝導体は半導体であることを特徴と
   する超電導素子。 １３、請求項９ないし１２のいずれかに記載の超電導素
   子において、上記常伝導体を介して流すことのできる超
   電導電流は、常伝導体への超電導近接効果によって流れ
   ることを特徴とする超電導素子。 １４、請求項９ないし１３のいずれかに記載の超電導素
   子において、上記超電導電極を構成する単結晶状薄膜に
   は、酸化物超電導材料を用いたことを特徴とする超電導
   素子。 １５、請求項１４に記載の超電導素子において、上記超
   電導電極を構成する多結晶状薄膜には、金属系超電導材
   料を用いたことを特徴とする超電導素子。 １６、請求項１５に記載の超電導素子において、上記金
   属系超電導材料としてＰｂあるいはその合金、またはＮ
   ｂあるいはその金属間化合物を用いたことを特徴とする
   超電導素子。