JPH07101759B2 - 超電導素子 - Google Patents
超電導素子Info
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- JPH07101759B2 JPH07101759B2 JP2021984A JP2198490A JPH07101759B2 JP H07101759 B2 JPH07101759 B2 JP H07101759B2 JP 2021984 A JP2021984 A JP 2021984A JP 2198490 A JP2198490 A JP 2198490A JP H07101759 B2 JPH07101759 B2 JP H07101759B2
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Description
本発明は酸化物高温超電導体を利用した電子デバイスに
係り、特に低消費電力性と動作の高速性に優れ、大規模
な集積回路の構成への使用に好適な超電導素子に関す
る。
係り、特に低消費電力性と動作の高速性に優れ、大規模
な集積回路の構成への使用に好適な超電導素子に関す
る。
【従来の技術】 従来、酸化物高温超電導体を利用した超電導デバイス
は、例えば特開昭63-222068号に記載されている通り公
知である。
は、例えば特開昭63-222068号に記載されている通り公
知である。
従来の酸化物高温超電導体を用いた超電導素子では、上
記従来技術に記載されている通り、素子を構成する超電
導薄膜の結晶性に関して特別の注意は払われていなかっ
た。しかし、この酸化物高温超電導体は、それに流すこ
とのできる超電導電流の大きさが材料の結晶学的なの方
向に強く依存しており、この点に留意せずに酸化物高温
超電導体を用いて超電導素子を用いて回路を構成する
と、超電導配線部分に十分な超電導電流を流すことがで
きず、また別の場合には超電導素子自身に流せる超電導
電流が安定な回路動作を実現するためには小さすぎると
いった問題があり、大規模な集積回路を実現することが
困難であることが明らかになった。 本発明の第１の目的は、従来技術の持つ問題点を解決
し、十分な電流信号を流しあるいは処理して、安定に動
作する超電導素子を提供することにある。本発明の第２
の目的は、従来技術の持つ問題点を解決し、回路動作に
十分な電流信号を流しあるいは処理して、安定に動作す
る超電導回路を構成することのできる超電導素子を提供
することにある。本発明の第３の目的は、電界に応答し
論理信号の処理機能を有する新規な超電導回路を提供す
ることにある。
記従来技術に記載されている通り、素子を構成する超電
導薄膜の結晶性に関して特別の注意は払われていなかっ
た。しかし、この酸化物高温超電導体は、それに流すこ
とのできる超電導電流の大きさが材料の結晶学的なの方
向に強く依存しており、この点に留意せずに酸化物高温
超電導体を用いて超電導素子を用いて回路を構成する
と、超電導配線部分に十分な超電導電流を流すことがで
きず、また別の場合には超電導素子自身に流せる超電導
電流が安定な回路動作を実現するためには小さすぎると
いった問題があり、大規模な集積回路を実現することが
困難であることが明らかになった。 本発明の第１の目的は、従来技術の持つ問題点を解決
し、十分な電流信号を流しあるいは処理して、安定に動
作する超電導素子を提供することにある。本発明の第２
の目的は、従来技術の持つ問題点を解決し、回路動作に
十分な電流信号を流しあるいは処理して、安定に動作す
る超電導回路を構成することのできる超電導素子を提供
することにある。本発明の第３の目的は、電界に応答し
論理信号の処理機能を有する新規な超電導回路を提供す
ることにある。
上記の本発明の第１の目的は、一対の超電導電極と常伝
導体とを少なくとも具備して構成され、上記の超電導電
極の間に上記常伝導体を介して超電導電流を流すことの
できる超電導素子において、上記の超電導電極のうち一
方は単結晶状薄膜、他方は多結晶状薄膜によって構成す
ることによって達成される。 上記の本発明の第２の目的は、一対の超電導電極と常電
導体と曲折部分のある超電導配線によって構成されたイ
ンダクタンスとを少なくとも具備して構成され、上記の
超電導電極の間に上記常伝導体を介して超伝導電流を流
すことのできる超伝導素子において、上記の超電導電極
のうち一方は単結晶状薄膜によって、他方は多結晶状薄
膜によって構成されており、かつ上記の折曲部分のある
超電導配線は上記の多結晶状薄膜によって構成すること
によって実現される。 また、本発明の第３の目的は、前記常伝導体から電気的
に絶縁された電界効果型の制御電極を具備して構成さ
れ、前記の常伝導体を介して流すことのできる超電導電
流を上記の制御電極に加えた電圧によって制御すること
によって達することができる。
導体とを少なくとも具備して構成され、上記の超電導電
極の間に上記常伝導体を介して超電導電流を流すことの
できる超電導素子において、上記の超電導電極のうち一
方は単結晶状薄膜、他方は多結晶状薄膜によって構成す
ることによって達成される。 上記の本発明の第２の目的は、一対の超電導電極と常電
導体と曲折部分のある超電導配線によって構成されたイ
ンダクタンスとを少なくとも具備して構成され、上記の
超電導電極の間に上記常伝導体を介して超伝導電流を流
すことのできる超伝導素子において、上記の超電導電極
のうち一方は単結晶状薄膜によって、他方は多結晶状薄
膜によって構成されており、かつ上記の折曲部分のある
超電導配線は上記の多結晶状薄膜によって構成すること
によって実現される。 また、本発明の第３の目的は、前記常伝導体から電気的
に絶縁された電界効果型の制御電極を具備して構成さ
れ、前記の常伝導体を介して流すことのできる超電導電
流を上記の制御電極に加えた電圧によって制御すること
によって達することができる。
一対の超電導電極と常伝導体とを少なくとも具備して構
成され、上記の超電導電極の間に上記常伝導体を介して
超伝導電流を流すことのできる超電導素子において、素
子そのものに流すことのできる超電導電流は、上記の超
電導電極の両方が単結晶状薄膜の場合に最も大きくな
る。これは酸化物高温超電導体において、それに流すこ
とのできる超電導電流大きさが材料の結晶学的な方向に
強く依存しているためであって、これは常伝導体を介し
て超電導近接効果によって超電導電流を流す超電導素子
についてもあてはまる。上記の超電導電極の両方が単結
晶状薄膜の場合の問題点は、この超電導電極をそのまま
配線として使用した場合に、配線の曲折部分において配
線に流すことのできる超電導電流の大きさが、前述の超
電導電流の大きさが材料の結晶学的な方向に強く依存す
るために著しく小さくなり、回路動作に支障をきたすこ
とである。 この問題は上記の超電導電極の一方は単結晶状薄膜によ
って構成し、他方は多結晶状薄膜によって構成し、しか
も上記の曲折部分のある超電導配線は上記の多結晶状薄
膜によって構成することによって解決することができ
る。すなわち、超電導電極の一方を単結晶状薄膜によっ
て構成することによって、常伝導体中を近接効果によっ
て流れる超電導電流を回路動作に必要なだけ大きな値に
することができる。超電導電極の他方は多結晶状薄膜に
よって構成し、しかも上記の曲折部分のある超電導配線
は上記の多結晶状薄膜によって構成すれば、配線部分に
流すことのできる超電導電流の値は回路動作に必要なだ
け大きな値にすることができる。従って従来技術の問題
点を解決して、十分な電流信号を流しあるいは処理し
て、安定に動作する超電導素子を提供することができ、
回路動作に十分な電流信号を流しあるいは処理して、安
定に動作する超電導回路を構成することのできる超電導
素子を提供することができ、電界に応答し論理信号の処
理機能を有する超電導回路を新規に提供することができ
るものである。 本発明の常伝導体として半導体を用いる場合において
は、上記の半導体はSi,Ge,InAs,GaAs,GaSb,InSbの材料
の群より選ばれた一つまたは複数の材料によって構成す
ることができ、これらは超電導電流の電界効果による制
御を容易に行い得る材料として、本発明の目的を達する
ために推奨されるものである。一方、超電導体の材料と
しては、従来の金属系超電導材料に加えて、酸化物のセ
ラミクス材料を用いることもデバイスの高温動作の観点
から望ましく、この際には前記の常伝導体の主たる構成
元素は前記の超電導体を構成する酸化物のセラミクス材
料の主たる構成元素と同一である様に選ぶことによっ
て、材料相互の元素の拡散によるデバイス特性の劣化を
防止できる。 本発明の超電導素子は以上に述べたごとく、電圧の信号
入力によって動作するが、これと同じく超電導体を用い
たトンネル型ジョセフソン接合素子とを組合て超電導回
路を構成することは、回路の高機能化と信号処理の高速
化を実現できる利点が有り、従来技術では実現できない
高度の情報処理が可能に成る観点から、極めて望ましい
本発明の一形態である。 すでに述べたように高温動作が可能なように、本発明に
用いる単結晶の超電導薄膜を構成する材料としては、酸
化物の高温超電導材料を用いる。多結晶体の超電導材料
としては、金属系の材料、例えばNb,Pb,あるいはPbの合
金やNbの金属間化合物、例えばNbN,Nb3Sn，Nb3Ge，Nb3A
l，Nb3Siなどを用いても良いことは言うまでもない。さ
らに酸化物の超電導体を用いることは、デバイスの高温
動作の点から望ましい。その材料の例としてはｐ−導電
型の超電導体であるＹ系の酸化物超電導体やLa系の酸化
物超電導体、Bi系の酸化物超電導体、Tl系の酸化物超電
導体を用いても本発明の目的を十分に達することのでき
ることは言うまでもない。またｎ−導電型の超電導体と
してNd2-xCex CuOyなる組成の酸化物セラミクス超電導
体を用いることも望ましく、これに換えて上記組成のNd
の部分をPr,Pm,Sm,Eu,Gd,Erの群より選ばれた少なくと
も１つの元素によって置き換えたもの、あるいはCeの部
分をTh,Tl,Pb,Biの群より選ばれた少なくとも１つの元
素によって置き換えたものであっても良いことは言うま
でもない。
成され、上記の超電導電極の間に上記常伝導体を介して
超伝導電流を流すことのできる超電導素子において、素
子そのものに流すことのできる超電導電流は、上記の超
電導電極の両方が単結晶状薄膜の場合に最も大きくな
る。これは酸化物高温超電導体において、それに流すこ
とのできる超電導電流大きさが材料の結晶学的な方向に
強く依存しているためであって、これは常伝導体を介し
て超電導近接効果によって超電導電流を流す超電導素子
についてもあてはまる。上記の超電導電極の両方が単結
晶状薄膜の場合の問題点は、この超電導電極をそのまま
配線として使用した場合に、配線の曲折部分において配
線に流すことのできる超電導電流の大きさが、前述の超
電導電流の大きさが材料の結晶学的な方向に強く依存す
るために著しく小さくなり、回路動作に支障をきたすこ
とである。 この問題は上記の超電導電極の一方は単結晶状薄膜によ
って構成し、他方は多結晶状薄膜によって構成し、しか
も上記の曲折部分のある超電導配線は上記の多結晶状薄
膜によって構成することによって解決することができ
る。すなわち、超電導電極の一方を単結晶状薄膜によっ
て構成することによって、常伝導体中を近接効果によっ
て流れる超電導電流を回路動作に必要なだけ大きな値に
することができる。超電導電極の他方は多結晶状薄膜に
よって構成し、しかも上記の曲折部分のある超電導配線
は上記の多結晶状薄膜によって構成すれば、配線部分に
流すことのできる超電導電流の値は回路動作に必要なだ
け大きな値にすることができる。従って従来技術の問題
点を解決して、十分な電流信号を流しあるいは処理し
て、安定に動作する超電導素子を提供することができ、
回路動作に十分な電流信号を流しあるいは処理して、安
定に動作する超電導回路を構成することのできる超電導
素子を提供することができ、電界に応答し論理信号の処
理機能を有する超電導回路を新規に提供することができ
るものである。 本発明の常伝導体として半導体を用いる場合において
は、上記の半導体はSi,Ge,InAs,GaAs,GaSb,InSbの材料
の群より選ばれた一つまたは複数の材料によって構成す
ることができ、これらは超電導電流の電界効果による制
御を容易に行い得る材料として、本発明の目的を達する
ために推奨されるものである。一方、超電導体の材料と
しては、従来の金属系超電導材料に加えて、酸化物のセ
ラミクス材料を用いることもデバイスの高温動作の観点
から望ましく、この際には前記の常伝導体の主たる構成
元素は前記の超電導体を構成する酸化物のセラミクス材
料の主たる構成元素と同一である様に選ぶことによっ
て、材料相互の元素の拡散によるデバイス特性の劣化を
防止できる。 本発明の超電導素子は以上に述べたごとく、電圧の信号
入力によって動作するが、これと同じく超電導体を用い
たトンネル型ジョセフソン接合素子とを組合て超電導回
路を構成することは、回路の高機能化と信号処理の高速
化を実現できる利点が有り、従来技術では実現できない
高度の情報処理が可能に成る観点から、極めて望ましい
本発明の一形態である。 すでに述べたように高温動作が可能なように、本発明に
用いる単結晶の超電導薄膜を構成する材料としては、酸
化物の高温超電導材料を用いる。多結晶体の超電導材料
としては、金属系の材料、例えばNb,Pb,あるいはPbの合
金やNbの金属間化合物、例えばNbN,Nb3Sn，Nb3Ge，Nb3A
l，Nb3Siなどを用いても良いことは言うまでもない。さ
らに酸化物の超電導体を用いることは、デバイスの高温
動作の点から望ましい。その材料の例としてはｐ−導電
型の超電導体であるＹ系の酸化物超電導体やLa系の酸化
物超電導体、Bi系の酸化物超電導体、Tl系の酸化物超電
導体を用いても本発明の目的を十分に達することのでき
ることは言うまでもない。またｎ−導電型の超電導体と
してNd2-xCex CuOyなる組成の酸化物セラミクス超電導
体を用いることも望ましく、これに換えて上記組成のNd
の部分をPr,Pm,Sm,Eu,Gd,Erの群より選ばれた少なくと
も１つの元素によって置き換えたもの、あるいはCeの部
分をTh,Tl,Pb,Biの群より選ばれた少なくとも１つの元
素によって置き換えたものであっても良いことは言うま
でもない。
以下に本発明を実施例を用いて詳細に説明する。 第１図を用いて本発明の第１の実施例を説明する。第１
図は本発明の第１の実施例による超電導素子と配線を含
んだ回路配線の一部分の上面を示す図である。図中には
示されていないが、（110）方位のSrTiO3単結晶よりな
る基板１の表面に、イオン注入層よりなる常伝導体３を
形成した。次に、反応性スパッタリング法によって厚さ
約200nmの酸化物高温超電導体YBa2Cu3O7-yの薄膜を形成
し、これをホトレジストをマスクとしてArイオンエッチ
ングによって加工し単結晶状超電導薄膜４とした。さら
に、厚さ約100nmのNbの薄膜を超高真空中で蒸着した。
この超電導薄膜の厚さは、次に行う微細加工に適し、し
かも材料の超電導性を損なわない範囲に選定すれば良
く、ここでは約100nmとしたが約１μｍから約10nmの範
囲、より望ましくは約100nmから約10nmの範囲とするの
が良い。引き続いて、厚さ約200nmの電子線レジストを
用いてパターンを形成し、上記のNbの薄膜を反応性イオ
ンエッチング法によって加工し、幅が約0.05μｍの制御
電極３と多結晶状超電導薄膜５とを形成した。尚、各図
において、各部分の縮尺は必ずしも同一ではいので注意
を要する。以上によって本発明の超電導素子を作製する
ことができる。 次に第２図を用いて本発明の第２の実施例を説明する。
第２図は本発明の第２の実施例による超電導素子の一部
分を示す上面図である。本実施例において、素子の作製
方法は第１の実施例と同様で良いが、制御電極３は設け
ていない。単結晶状超電導薄膜４と多結晶状超電導薄膜
５の間に常伝導体３が積層状に設けてある点に特徴があ
る。 次に第３図を用いて本発明の第３の実施例を説明する。
第３図は本発明の第３の実施例による超電導素子の一部
分を示す上面図である。本実施例においても、素子の作
製方法は第１の実施例と同様で良いが、多結晶状超電導
薄膜５はそのまま延長されてインダクタンスを構成して
おり、超電導のインダクタンスループに一つの超電導素
子を含んで構成された、いわゆるrf-SQUIDである。本実
施例においてはrf-SQUIDのインダクタンスは全て多結晶
状超電導薄膜５によって構成したので、配線が曲折部分
を含んでいても回路動作に十分な超電導電流を得ること
ができる。 第４図は本発明の第３の実施例による超電導素子の等価
回路を示す図である。超電導のインダクタンスループ11
に、特性をコントロールするための制御電極３を持った
一つの超電導素子10を含んで構成された、いわゆるrf-S
QUIDである。電源線15から電流を給電し、超電導のイン
ダクタンスループを貫く磁束を検出することができる。
16は接地線である。 次に第５図を用いて本発明の第４の実施例を説明する。
第５図は本発明の第４の実施例による超電導素子の一部
分を示す上面図である。本実施例においても、素子の作
製方法は第３の実施例と同様で良いが、制御電極３は設
けていない。単結晶状超電導薄膜４と多結晶状超電導薄
膜５の間に常伝導体３が積層状に設けてある点に特徴が
ある。多結晶状超電導薄膜５はそのまま延長されてイン
ダクタンスを構成しており、超電導のインダクタンスル
ープに一つの超電導素子を含んで構成された、いわゆる
rf-SQUIDである。本実施例においてはrf-SQUIDのインダ
クタンスは全て多結晶状超電導薄膜５によって構成した
ので、配線が曲折部分を含んでいても回路動作に十分な
超電導電流を得ることができる。 第６図は本発明の第４の実施例による超電導素子の等価
回路を示す図である。超電導のインダクタンスループ11
に、一つの超電導素子10を含んで構成された、いわゆる
rf-SQUIDである。電源線15から電流を給電し、超電導の
インダクタンスループを貫く磁束を検出することができ
る。16は接地線である。 次に第７図を用いて本発明の第５の実施例を説明する。
第８図は本発明の第５の実施例による超電導素子の一部
分を示す上面図である。本実施例においても、素子の作
製方法は第３の実施例と同様で良いが、制御電極３は設
けていない。単結晶状超電導薄膜４と多結晶状超電導薄
膜５の間に常伝導体３が積層状に設けてある点に特徴が
ある。第３の実施例と同様に多結晶状超電導薄膜５はそ
のまま延長されてインダクタンスを構成しているが、超
電導のインダクタンスループに２つの超電導素子を含ん
で構成されている点が上述の実施例とは異なり、いわゆ
るdc-SQUIDになっている点が異なる。本実施例において
はdc-SQUIDのインダクタンスは全て多結晶状超電導薄膜
５によって構成したので、配線が曲折部分を含んでいて
も回路動作に十分な超電導電流を得ることができる。 第６図は本発明の第５の実施例による超電導素子の等価
回路を示す図である。多結晶超電導薄膜の配線で構成し
たインダクタンス21,22,23,24に２つの超電導素子20を
含んで構成された、いわゆるdc-SQUIDである。電源線15
から電流を給電し、超電導のインダクタンスループを貫
く磁束を検出することができる。16は接地線である。従
って、これまでに述べた実施例においても同様で図には
示されていないが、超電導のインダクタンスループに磁
束を印加するための手段を設けて、スイッチング動作を
実現することができる。 次に第９図を用いて本発明の第６の実施例を説明する。
第９図は本発明の第６の実施例による超電導素子の一部
分を示す上面図である。本実施例においても、素子の作
製方法は第３の実施例と同様で良いが、制御電極３は設
けていない。単結晶状超電導薄膜４と多結晶状超電導薄
膜５の間に常伝導体３が積層状に設けてある点に特徴が
ある。 第３の実施例と同様に多結晶状超電導薄膜５はそのまま
延長されて、インダクタンスを構成しているが、超電導
のインダクタンスループに２つの超電導素子を含んで構
成されている点が上述の実施例とは異なり、いわゆるdc
-SQUIDになっている点が異なる。本実施例においてはdc
-SQUIDのインダクタンスは全て多結晶状超電導薄膜５に
よって構成したので、配線が曲折部分を含んでいても回
路動作に十分な超電導電流を得ることができる。 第10図は本発明の第６の実施例による超電導素子の等価
回路を示す図である。多結晶電導薄膜の配線で構成した
インダクタンス11に２つの超電導素子10を含んで構成さ
れた、いわゆるdc-SQUIDである。電源線15から電流を給
電し、超電導のインダクタンスループを貫く磁束を検出
することができる。16は接地線である。従って、これま
でに述べた実施例においても同様で図には示されていな
いが、超電導のインダクタンスループに磁束を印加する
ための手段を設けて、スイッチング動作を実現すること
ができる。 次に第11図を用いて本発明の第７の実施例を説明する。
第11図は本発明の第７の実施例による超電導素子の一部
分を示す上面図である。本実施例においても、素子の作
製方法は第３の実施例と同様で良いが、制御電極３は設
けていない。単結晶状超電導薄膜４と多結晶状超電導薄
膜５の間に常伝導体３が積層状に設けてあり、さらに層
間絶縁膜６によって常伝導体３の端部が露出し、素子の
特性が劣化するのを防止している点に特徴がある。多結
晶状超電導薄膜５はそのまま延長されてインダクタンス
を構成しており、超電導のインダクタンスループに一つ
の超電導素子を含んで構成された、いわゆるrf-SQUIDで
ある。本実施例においてはrf-SQUIDのインダクタンスは
全て多結晶状超電導薄膜５によって構成したので、配線
が曲折部分を含んでいても回路動作に十分な超電導電流
を得ることができる。 第12図は第11図に上面図を示した本発明の第７の実施例
による超電導素子のAA断面図である。層間絶縁膜６によ
って常伝導体３の端部が露出し、素子の特性が劣化する
のを防止しているのがわかる。 以上の実施例においては第一の超電導体であるｐ−導電
型の超電導体としてＹ系の酸化物超電導体を用いたが、
これに換えてLa系の酸化物超電導体、Bi系の酸化物超電
導体、Tl系の酸化物超電導体を用いても本発明の目的を
十分に達することのできることは言うまでもない。また
本実施例においては第二の超電導体であるｎ−導電型の
超電導体としてNd0.3Ce1.7CuO4なる組成の酸化物セラミ
クス超電導体を用いたが、これに換えてNd2-xCex CuO4
なる組成の酸化物セラミクス超電導体であって上記組成
物のNdの部分をPr,Pm,Sm,Eu,Gd,Erの群より選ばれた少
なくとも１つの元素によって置き換えたもの、あるいは
Ceの部分をTh,Tl,Pb,Biの群より選ばれた少なくとも１
つの元素によって置き換えたものであっても良いことは
言うまでもない。ｎ−導電型の超電導体としてNd2-xCex
CuO4なる組成の酸化物セラミクス超電導体に換えて、
A2-xNx CuOyなる組成であって、ＡはSr及びCaより選ば
れた少なくとも１者、Ｎは基本結晶構造が保たれ、２＋
価よりも大きい酸化数を取りうる元素であって良く、例
えばLa,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,Td,Tl,Pb,Bi,Y,Inよりなる群よ
り選ばれた少なくとも一者より成ることを特徴とする酸
化物セラミクス超電導体を用いても本発明の目的を達す
ることができる。 さらにｎ−導電型の超電導体としてA1-xＮ′x CuOyな
る組成であって、ＡはSr及びCaより選ばれた少なくとも
１者、Ｎは基本結晶構造が保たれ、２＋価よりも大きい
酸化数を取りうる元素であって良く、例えばLa,Ce,Pr,N
d,Sm,Gd,Td,Tl,Pb,Bi,Y,Inよりなる群より選ばれた少な
くとも一者より成ることを特徴とする酸化物セラミクス
超電導体を用いても本発明の目的を達することができ
る。超電導体として金属系の材料、例えばNb,Pb,あるい
はPbの合金やNbの金属間化合物、例えばNbN,Nb3Sn，Nb3
Ge，Nb3Al，Nb3Siなどを用いても良いことは言うまでも
ない。 また以上の実施例では、半導体としてはSiを用いたが、
これに代えてGe,InAs,GaAs,GaSb,InSbの材料の群より選
ばれた一つまたは複数の材料によってしても良いことは
言うまでもない。
図は本発明の第１の実施例による超電導素子と配線を含
んだ回路配線の一部分の上面を示す図である。図中には
示されていないが、（110）方位のSrTiO3単結晶よりな
る基板１の表面に、イオン注入層よりなる常伝導体３を
形成した。次に、反応性スパッタリング法によって厚さ
約200nmの酸化物高温超電導体YBa2Cu3O7-yの薄膜を形成
し、これをホトレジストをマスクとしてArイオンエッチ
ングによって加工し単結晶状超電導薄膜４とした。さら
に、厚さ約100nmのNbの薄膜を超高真空中で蒸着した。
この超電導薄膜の厚さは、次に行う微細加工に適し、し
かも材料の超電導性を損なわない範囲に選定すれば良
く、ここでは約100nmとしたが約１μｍから約10nmの範
囲、より望ましくは約100nmから約10nmの範囲とするの
が良い。引き続いて、厚さ約200nmの電子線レジストを
用いてパターンを形成し、上記のNbの薄膜を反応性イオ
ンエッチング法によって加工し、幅が約0.05μｍの制御
電極３と多結晶状超電導薄膜５とを形成した。尚、各図
において、各部分の縮尺は必ずしも同一ではいので注意
を要する。以上によって本発明の超電導素子を作製する
ことができる。 次に第２図を用いて本発明の第２の実施例を説明する。
第２図は本発明の第２の実施例による超電導素子の一部
分を示す上面図である。本実施例において、素子の作製
方法は第１の実施例と同様で良いが、制御電極３は設け
ていない。単結晶状超電導薄膜４と多結晶状超電導薄膜
５の間に常伝導体３が積層状に設けてある点に特徴があ
る。 次に第３図を用いて本発明の第３の実施例を説明する。
第３図は本発明の第３の実施例による超電導素子の一部
分を示す上面図である。本実施例においても、素子の作
製方法は第１の実施例と同様で良いが、多結晶状超電導
薄膜５はそのまま延長されてインダクタンスを構成して
おり、超電導のインダクタンスループに一つの超電導素
子を含んで構成された、いわゆるrf-SQUIDである。本実
施例においてはrf-SQUIDのインダクタンスは全て多結晶
状超電導薄膜５によって構成したので、配線が曲折部分
を含んでいても回路動作に十分な超電導電流を得ること
ができる。 第４図は本発明の第３の実施例による超電導素子の等価
回路を示す図である。超電導のインダクタンスループ11
に、特性をコントロールするための制御電極３を持った
一つの超電導素子10を含んで構成された、いわゆるrf-S
QUIDである。電源線15から電流を給電し、超電導のイン
ダクタンスループを貫く磁束を検出することができる。
16は接地線である。 次に第５図を用いて本発明の第４の実施例を説明する。
第５図は本発明の第４の実施例による超電導素子の一部
分を示す上面図である。本実施例においても、素子の作
製方法は第３の実施例と同様で良いが、制御電極３は設
けていない。単結晶状超電導薄膜４と多結晶状超電導薄
膜５の間に常伝導体３が積層状に設けてある点に特徴が
ある。多結晶状超電導薄膜５はそのまま延長されてイン
ダクタンスを構成しており、超電導のインダクタンスル
ープに一つの超電導素子を含んで構成された、いわゆる
rf-SQUIDである。本実施例においてはrf-SQUIDのインダ
クタンスは全て多結晶状超電導薄膜５によって構成した
ので、配線が曲折部分を含んでいても回路動作に十分な
超電導電流を得ることができる。 第６図は本発明の第４の実施例による超電導素子の等価
回路を示す図である。超電導のインダクタンスループ11
に、一つの超電導素子10を含んで構成された、いわゆる
rf-SQUIDである。電源線15から電流を給電し、超電導の
インダクタンスループを貫く磁束を検出することができ
る。16は接地線である。 次に第７図を用いて本発明の第５の実施例を説明する。
第８図は本発明の第５の実施例による超電導素子の一部
分を示す上面図である。本実施例においても、素子の作
製方法は第３の実施例と同様で良いが、制御電極３は設
けていない。単結晶状超電導薄膜４と多結晶状超電導薄
膜５の間に常伝導体３が積層状に設けてある点に特徴が
ある。第３の実施例と同様に多結晶状超電導薄膜５はそ
のまま延長されてインダクタンスを構成しているが、超
電導のインダクタンスループに２つの超電導素子を含ん
で構成されている点が上述の実施例とは異なり、いわゆ
るdc-SQUIDになっている点が異なる。本実施例において
はdc-SQUIDのインダクタンスは全て多結晶状超電導薄膜
５によって構成したので、配線が曲折部分を含んでいて
も回路動作に十分な超電導電流を得ることができる。 第６図は本発明の第５の実施例による超電導素子の等価
回路を示す図である。多結晶超電導薄膜の配線で構成し
たインダクタンス21,22,23,24に２つの超電導素子20を
含んで構成された、いわゆるdc-SQUIDである。電源線15
から電流を給電し、超電導のインダクタンスループを貫
く磁束を検出することができる。16は接地線である。従
って、これまでに述べた実施例においても同様で図には
示されていないが、超電導のインダクタンスループに磁
束を印加するための手段を設けて、スイッチング動作を
実現することができる。 次に第９図を用いて本発明の第６の実施例を説明する。
第９図は本発明の第６の実施例による超電導素子の一部
分を示す上面図である。本実施例においても、素子の作
製方法は第３の実施例と同様で良いが、制御電極３は設
けていない。単結晶状超電導薄膜４と多結晶状超電導薄
膜５の間に常伝導体３が積層状に設けてある点に特徴が
ある。 第３の実施例と同様に多結晶状超電導薄膜５はそのまま
延長されて、インダクタンスを構成しているが、超電導
のインダクタンスループに２つの超電導素子を含んで構
成されている点が上述の実施例とは異なり、いわゆるdc
-SQUIDになっている点が異なる。本実施例においてはdc
-SQUIDのインダクタンスは全て多結晶状超電導薄膜５に
よって構成したので、配線が曲折部分を含んでいても回
路動作に十分な超電導電流を得ることができる。 第10図は本発明の第６の実施例による超電導素子の等価
回路を示す図である。多結晶電導薄膜の配線で構成した
インダクタンス11に２つの超電導素子10を含んで構成さ
れた、いわゆるdc-SQUIDである。電源線15から電流を給
電し、超電導のインダクタンスループを貫く磁束を検出
することができる。16は接地線である。従って、これま
でに述べた実施例においても同様で図には示されていな
いが、超電導のインダクタンスループに磁束を印加する
ための手段を設けて、スイッチング動作を実現すること
ができる。 次に第11図を用いて本発明の第７の実施例を説明する。
第11図は本発明の第７の実施例による超電導素子の一部
分を示す上面図である。本実施例においても、素子の作
製方法は第３の実施例と同様で良いが、制御電極３は設
けていない。単結晶状超電導薄膜４と多結晶状超電導薄
膜５の間に常伝導体３が積層状に設けてあり、さらに層
間絶縁膜６によって常伝導体３の端部が露出し、素子の
特性が劣化するのを防止している点に特徴がある。多結
晶状超電導薄膜５はそのまま延長されてインダクタンス
を構成しており、超電導のインダクタンスループに一つ
の超電導素子を含んで構成された、いわゆるrf-SQUIDで
ある。本実施例においてはrf-SQUIDのインダクタンスは
全て多結晶状超電導薄膜５によって構成したので、配線
が曲折部分を含んでいても回路動作に十分な超電導電流
を得ることができる。 第12図は第11図に上面図を示した本発明の第７の実施例
による超電導素子のAA断面図である。層間絶縁膜６によ
って常伝導体３の端部が露出し、素子の特性が劣化する
のを防止しているのがわかる。 以上の実施例においては第一の超電導体であるｐ−導電
型の超電導体としてＹ系の酸化物超電導体を用いたが、
これに換えてLa系の酸化物超電導体、Bi系の酸化物超電
導体、Tl系の酸化物超電導体を用いても本発明の目的を
十分に達することのできることは言うまでもない。また
本実施例においては第二の超電導体であるｎ−導電型の
超電導体としてNd0.3Ce1.7CuO4なる組成の酸化物セラミ
クス超電導体を用いたが、これに換えてNd2-xCex CuO4
なる組成の酸化物セラミクス超電導体であって上記組成
物のNdの部分をPr,Pm,Sm,Eu,Gd,Erの群より選ばれた少
なくとも１つの元素によって置き換えたもの、あるいは
Ceの部分をTh,Tl,Pb,Biの群より選ばれた少なくとも１
つの元素によって置き換えたものであっても良いことは
言うまでもない。ｎ−導電型の超電導体としてNd2-xCex
CuO4なる組成の酸化物セラミクス超電導体に換えて、
A2-xNx CuOyなる組成であって、ＡはSr及びCaより選ば
れた少なくとも１者、Ｎは基本結晶構造が保たれ、２＋
価よりも大きい酸化数を取りうる元素であって良く、例
えばLa,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,Td,Tl,Pb,Bi,Y,Inよりなる群よ
り選ばれた少なくとも一者より成ることを特徴とする酸
化物セラミクス超電導体を用いても本発明の目的を達す
ることができる。 さらにｎ−導電型の超電導体としてA1-xＮ′x CuOyな
る組成であって、ＡはSr及びCaより選ばれた少なくとも
１者、Ｎは基本結晶構造が保たれ、２＋価よりも大きい
酸化数を取りうる元素であって良く、例えばLa,Ce,Pr,N
d,Sm,Gd,Td,Tl,Pb,Bi,Y,Inよりなる群より選ばれた少な
くとも一者より成ることを特徴とする酸化物セラミクス
超電導体を用いても本発明の目的を達することができ
る。超電導体として金属系の材料、例えばNb,Pb,あるい
はPbの合金やNbの金属間化合物、例えばNbN,Nb3Sn，Nb3
Ge，Nb3Al，Nb3Siなどを用いても良いことは言うまでも
ない。 また以上の実施例では、半導体としてはSiを用いたが、
これに代えてGe,InAs,GaAs,GaSb,InSbの材料の群より選
ばれた一つまたは複数の材料によってしても良いことは
言うまでもない。
以上述べた様に本発明によれば、従来技術の持つ問題点
を解決し、十分な電流信号を流しあるいは処理して、安
定に動作るう超電導素子を提供することができる利点が
ある。さらに、回路動作に十分な電流信号を流しあるい
は処理して、安定に動作する超電導回路を構成すること
のできる超電導素子を提供できる。従って、消費電力が
小さく、かつ高速動作に適した超電導素子が実現でき
る。
を解決し、十分な電流信号を流しあるいは処理して、安
定に動作るう超電導素子を提供することができる利点が
ある。さらに、回路動作に十分な電流信号を流しあるい
は処理して、安定に動作する超電導回路を構成すること
のできる超電導素子を提供できる。従って、消費電力が
小さく、かつ高速動作に適した超電導素子が実現でき
る。
第１図は本発明の第１の実施例による超電導素子の一部
分を示す上面図、第２図は本発明の第２の実施例による
超電導素子の一部分を示す上面図、第３図は本発明の第
３の実施例による超電導素子の一部分を示す上面図、第
４図は本発明の第３の実施例による超電導素子の等価回
路を示す上面図、第５図は本発明の第４の実施例による
超電導素子の一部分を示す上面図、第６図は本発明の第
４の実施例による超電導素子の等価回路を示す図、第７
図は本発明の第５の実施例による超電導素子の一部分を
示す上面図、第８図は本発明の第５の実施例による超電
導素子の等価回路を示す図、第９図は本発明の第６の実
施例による超電導素子の一部分を示す上面図、第10図は
本発明の第６の実施例による超電導素子の等価回路を示
す図、第11図は本発明の第７の実施例による超電導素子
の一部分を示す上面図、第12図は本発明の第11図におけ
るAA断面図である。 符号の説明 １……基板、２……常伝導体、３……制御電極、４……
単結晶状超電導薄膜、５……多結晶状超電導薄膜、６…
…層間絶縁膜、10,20……超電導弱結合素子、11,21,22,
23,24……インダクタンス、15……電源線、16……接地
線。
分を示す上面図、第２図は本発明の第２の実施例による
超電導素子の一部分を示す上面図、第３図は本発明の第
３の実施例による超電導素子の一部分を示す上面図、第
４図は本発明の第３の実施例による超電導素子の等価回
路を示す上面図、第５図は本発明の第４の実施例による
超電導素子の一部分を示す上面図、第６図は本発明の第
４の実施例による超電導素子の等価回路を示す図、第７
図は本発明の第５の実施例による超電導素子の一部分を
示す上面図、第８図は本発明の第５の実施例による超電
導素子の等価回路を示す図、第９図は本発明の第６の実
施例による超電導素子の一部分を示す上面図、第10図は
本発明の第６の実施例による超電導素子の等価回路を示
す図、第11図は本発明の第７の実施例による超電導素子
の一部分を示す上面図、第12図は本発明の第11図におけ
るAA断面図である。 符号の説明 １……基板、２……常伝導体、３……制御電極、４……
単結晶状超電導薄膜、５……多結晶状超電導薄膜、６…
…層間絶縁膜、10,20……超電導弱結合素子、11,21,22,
23,24……インダクタンス、15……電源線、16……接地
線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斎藤 真一郎 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 長谷川 晴弘 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭64−779（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−46781（ＪＰ，Ａ)
Claims (16)
- 【請求項１】一対の超電導電極と常伝導体とを少なくと
も具備して構成され、上記超電導電極の間に上記常伝導
体を介して超電導電流を流すことのできる超電導素子に
おいて、上記超電導電極のうちの一方は単結晶状薄膜に
よって構成され、他方は多結晶状薄膜によって構成され
ると共に、上記多結晶状薄膜によって構成された超電導
電極は少なくとも１つの曲折部を含む配線として用いら
れる構成としたことを特徴とする超電導素子。 - 【請求項２】請求項１に記載の超電導素子において、上
記常伝導体から電気的に絶縁された電界効果型の制御電
極をさらに具備して構成され、上記常伝導体を介して流
すことのできる超電導電流を上記制御電極に加えた電圧
によって制御して動作することを特徴とする超電導素
子。 - 【請求項３】請求項１または２に記載の超電導素子にお
いて、上記超電導電極を構成する単結晶状薄膜は、超電
導電極から延在する曲折部分の無い直線状の配線のみに
用いられることを特徴とする超電導素子。 - 【請求項４】請求項１ないし３のいずれか１項に記載の
超電導素子において、上記常伝導体は半導体であること
を特徴とする超電導素子。 - 【請求項５】請求項１ないし４のいずれか１項に記載の
超電導素子において、上記常伝導体を介して流すことの
できる超電導電流は、常伝導体への超電導近接効果によ
って流れることを特徴とする超電導素子。 - 【請求項６】請求項１ないし５のいずれか１項に記載の
超電導素子において、上記超電導電極を構成する単結晶
状薄膜には、酸化物超電導材料を用いたことを特徴とす
る超電導素子。 - 【請求項７】請求項６に記載の超電導素子において、上
記超電導電極を構成する多結晶状薄膜には、金属系超電
導材料を用いたことを特徴とする超電導素子。 - 【請求項８】請求項７に記載の超電導素子において、上
記金属系超電導材料としてPbあるいはその合金、または
Nbあるいはその金属間化合物を用いたことを特徴とする
超電導素子。 - 【請求項９】一対の超電導電極と常伝導体と曲折部分の
ある超電導配線によって構成されたインダクタンスとを
少なくとも具備して構成され、上記超電導電極の間に上
記常伝導体を介して超電導電流を流すことのできる超電
導素子において、上記超電導電極のうちの一方は単結晶
状薄膜によって構成され、他方は多結晶状薄膜によって
構成されており、かつ上記の曲折部分のある超電導配線
は上記の多結晶状薄膜によって構成されていることを特
徴とする超電導素子。 - 【請求項１０】請求項９に記載の超電導素子において、
上記常伝導体から電気的に絶縁された電界効果型の制御
電極を具備して構成され、上記常伝導体を介して流すこ
とのできる超電導電流を上記制御電極に加えた電圧によ
って制御して動作することを特徴とする超電導素子。 - 【請求項１１】請求項９または10に記載の超電導素子に
おいて、上記超電導電極を構成する単結晶状薄膜は、超
電導電極から延在する曲折部分の無い部分の直線状の配
線のみに用いられることを特徴とする超電導素子。 - 【請求項１２】請求項９ないし11のいずれか１項に記載
の超電導素子において、上記常伝導体は半導体であるこ
とを特徴とする超電導素子。 - 【請求項１３】請求項９ないし12のいずれか１項に記載
の超電導素子において、上記常伝導体を介して流すこと
のできる超電導電流は、常伝導体への超電導近接効果に
よって流れることを特徴とする超電導素子。 - 【請求項１４】請求項９ないし13のいずれか１項に記載
の超電導素子において、上記超電導電極を構成する単結
晶状薄膜には、酸化物超電導材料を用いたことを特徴と
する超電導素子。 - 【請求項１５】請求項14に記載の超電導素子において、
上記超電導電極を構成する多結晶状薄膜には、金属系超
電導材料を用いたことを特徴とする超電導素子。 - 【請求項１６】請求項15に記載の超電導素子において、
上記金属系超電導材料としてPbあるいはその合金、また
はNbあるいはその金属間化合物を用いたことを特徴とす
る超電導素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021984A JPH07101759B2 (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 超電導素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021984A JPH07101759B2 (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 超電導素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03228381A JPH03228381A (ja) | 1991-10-09 |
| JPH07101759B2 true JPH07101759B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=12070291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021984A Expired - Fee Related JPH07101759B2 (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 超電導素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07101759B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3123164B2 (ja) * | 1991-01-11 | 2001-01-09 | 株式会社日立製作所 | 超電導デバイス |
| JP2790079B2 (ja) * | 1995-06-16 | 1998-08-27 | 株式会社日立製作所 | 酸化物超電導回路 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0246781A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導量子干渉素子およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-02-02 JP JP2021984A patent/JPH07101759B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03228381A (ja) | 1991-10-09 |
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