JPH03228209A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH03228209A JPH03228209A JP2342590A JP2342590A JPH03228209A JP H03228209 A JPH03228209 A JP H03228209A JP 2342590 A JP2342590 A JP 2342590A JP 2342590 A JP2342590 A JP 2342590A JP H03228209 A JPH03228209 A JP H03228209A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、センダスト等の金属磁性体薄膜をコアに使用
し・た薄膜磁気ヘッド二こ(以下、薄膜ヘッドと称する
)間する。
し・た薄膜磁気ヘッド二こ(以下、薄膜ヘッドと称する
)間する。
大型コンピュータや近年では、パーソナルコンピュータ
にも用いられるようになって来たハードディスクドライ
ブ装置は、磁気記録媒体が塗布されたディスクが300
0rpm〜3600 r pmの高速で回転するため、
スライダと一体化された磁λノ\ソトかディスク面から
僅かに浮上し・た状態で情報の読み書きを行うようにな
っている。
にも用いられるようになって来たハードディスクドライ
ブ装置は、磁気記録媒体が塗布されたディスクが300
0rpm〜3600 r pmの高速で回転するため、
スライダと一体化された磁λノ\ソトかディスク面から
僅かに浮上し・た状態で情報の読み書きを行うようにな
っている。
このようなハードディスクドライブ装置の磁lヘッドと
して;ま、第3図に示すコンポジットヘッド101と称
されるものがあった。このコンポジットヘッド101は
、七うミンクスからなるスライダ102に形成された溝
部102a内にさilGヘッド103(メタル・イン・
ギャップ°・ヘッド)を埋め込んで低融点ガラス104
で融着一体化することにより得られる。
して;ま、第3図に示すコンポジットヘッド101と称
されるものがあった。このコンポジットヘッド101は
、七うミンクスからなるスライダ102に形成された溝
部102a内にさilGヘッド103(メタル・イン・
ギャップ°・ヘッド)を埋め込んで低融点ガラス104
で融着一体化することにより得られる。
MIGヘッド103は、第4図に示すように、フェライ
ト等の酸化物磁性体からなる2つのコアチップ103a
の接合面にそれぞれセンダスト等の金属磁性体薄膜10
3bが薄膜形成され、この金属磁性体薄膜103bが形
成された接合面同士をギャップ形成膜103Cを介して
低融点ガラス103dにより融着接合することによって
ギヤング103eが形成されたものである。このMIG
ヘッド103は、81気記録媒体二こ近接するギヤツブ
103e部分のコアに金属磁性体薄膜103bを用いる
二とここより、高抗磁力媒体ミニ十分な飽和記録ができ
るため、線記録’!度を向上させる二とができる二とか
ら、ハードディスクドライブ装置のような高密度の磁気
記録を行う磁気ヘッドに適したものとなる。
ト等の酸化物磁性体からなる2つのコアチップ103a
の接合面にそれぞれセンダスト等の金属磁性体薄膜10
3bが薄膜形成され、この金属磁性体薄膜103bが形
成された接合面同士をギャップ形成膜103Cを介して
低融点ガラス103dにより融着接合することによって
ギヤング103eが形成されたものである。このMIG
ヘッド103は、81気記録媒体二こ近接するギヤツブ
103e部分のコアに金属磁性体薄膜103bを用いる
二とここより、高抗磁力媒体ミニ十分な飽和記録ができ
るため、線記録’!度を向上させる二とができる二とか
ら、ハードディスクドライブ装置のような高密度の磁気
記録を行う磁気ヘッドに適したものとなる。
たたし、このコンポシフト・\ブト101は、スライダ
102の1部102a内にへ41G/\ツト1O3を埋
め込み低融点ガラス104て触着させる作業が容易でな
く、生産性が低いものであった。
102の1部102a内にへ41G/\ツト1O3を埋
め込み低融点ガラス104て触着させる作業が容易でな
く、生産性が低いものであった。
そこで、従来は、第5図に示すように、コアを全てセン
ダスト等の金属磁性体薄膜で形成した薄膜l\ラッドが
使用されていた。この薄膜ヘッド1は、フロントギャッ
プ2a及びバックギャップ2bを介し・て一方のコアを
形成する金属磁性体薄膜3aがスライダ部4を構成する
セラミック製のスライダ部ブロック4aの各接合面間に
挟み込まれるようにして形成されている。また、フロン
トギャップ2a及びハックギャップ2bを介して他方の
コアを形成する金rlL磁性体薄膜3bは、ヘッド部5
を構成するセラミック製のl\ット部ブロノブロック5
a合面間に挟み込まれるよう;こして形成されている。
ダスト等の金属磁性体薄膜で形成した薄膜l\ラッドが
使用されていた。この薄膜ヘッド1は、フロントギャッ
プ2a及びバックギャップ2bを介し・て一方のコアを
形成する金属磁性体薄膜3aがスライダ部4を構成する
セラミック製のスライダ部ブロック4aの各接合面間に
挟み込まれるようにして形成されている。また、フロン
トギャップ2a及びハックギャップ2bを介して他方の
コアを形成する金rlL磁性体薄膜3bは、ヘッド部5
を構成するセラミック製のl\ット部ブロノブロック5
a合面間に挟み込まれるよう;こして形成されている。
このl\・ソト部5は、ギャップ形成膜(図示し・ない
)を介してスライダ部4に接合されていて、このヘッド
部5の接合面に形成された巻線溝6の上下ミニ上記フロ
ントギャップ2aとバックキャップ21〕とが形成され
る二とになる。そし・で、この・′\ノド部5の巻線溝
6を通して巻線7か施されることにより薄膜ヘッド1が
磁気ヘッドとして機能する。
)を介してスライダ部4に接合されていて、このヘッド
部5の接合面に形成された巻線溝6の上下ミニ上記フロ
ントギャップ2aとバックキャップ21〕とが形成され
る二とになる。そし・で、この・′\ノド部5の巻線溝
6を通して巻線7か施されることにより薄膜ヘッド1が
磁気ヘッドとして機能する。
上記第5図の薄膜ヘッド1の製造は、通常次のようにし
て行われる。なお、ここでは簡単のために薄膜ヘッド1
がIWAだけの場合について示す。
て行われる。なお、ここでは簡単のために薄膜ヘッド1
がIWAだけの場合について示す。
まず第6図(イ)に示すようにセラミック板を2分割し
て分割ブロック40を得る。一方の分割ブロック40は
、第6図(ロ)に示すように、分割面にセンダスト等か
らなる金属磁性体薄膜3が薄膜形成される。そして、こ
れら分割ブロック40をそれぞれの分割面を接合面とし
て再び接合一体1ヒし、第6図(ハ)の分割ブロック接
合体41を得る。次に、この分割ブロック接合体41を
一端部分て前記分割方向とは直交する方向に切断し、第
6図(ニ)′、こ示すように、スライダ部ブロック4a
及び金属磁性体薄膜3aからなるスライダ部4と、ヘッ
ド部ブロック5a及び金属磁性体′JIll13bから
なるl\フット5とに分割する。また、このヘッド部5
は、金属磁性体薄膜3bを中心にし。
て分割ブロック40を得る。一方の分割ブロック40は
、第6図(ロ)に示すように、分割面にセンダスト等か
らなる金属磁性体薄膜3が薄膜形成される。そして、こ
れら分割ブロック40をそれぞれの分割面を接合面とし
て再び接合一体1ヒし、第6図(ハ)の分割ブロック接
合体41を得る。次に、この分割ブロック接合体41を
一端部分て前記分割方向とは直交する方向に切断し、第
6図(ニ)′、こ示すように、スライダ部ブロック4a
及び金属磁性体薄膜3aからなるスライダ部4と、ヘッ
ド部ブロック5a及び金属磁性体′JIll13bから
なるl\フット5とに分割する。また、このヘッド部5
は、金属磁性体薄膜3bを中心にし。
てl\ット部ブロノブロック5aを切り落とし・てO1
2■〜O−3nv程度の厚さとなるようにすると共に、
分割面に巻線溝6を形成する。そして、第6図(ホ)!
こ示すようにスライダ部4とヘッド部5の分割面を接合
面として再びこれらを接合一体化する。ただし、このス
ライダ部4とヘッド部5の接合面の何れかには、接合前
に非磁性体、例えばガラスのギャップ形成膜(図示しな
い)を薄膜形成しておく。すると、このスライダ部4と
ヘッド部5の上下の接合面に金属磁性体薄膜3 a、
3 bのフロントギャップ2a及びバックギャップ2
bが形成され、巻線溝6を通し・て巻線7を施すことミ
ニより15図に示す薄膜ヘッド1が完成する。
2■〜O−3nv程度の厚さとなるようにすると共に、
分割面に巻線溝6を形成する。そして、第6図(ホ)!
こ示すようにスライダ部4とヘッド部5の分割面を接合
面として再びこれらを接合一体化する。ただし、このス
ライダ部4とヘッド部5の接合面の何れかには、接合前
に非磁性体、例えばガラスのギャップ形成膜(図示しな
い)を薄膜形成しておく。すると、このスライダ部4と
ヘッド部5の上下の接合面に金属磁性体薄膜3 a、
3 bのフロントギャップ2a及びバックギャップ2
bが形成され、巻線溝6を通し・て巻線7を施すことミ
ニより15図に示す薄膜ヘッド1が完成する。
この薄膜ヘラF’ 1の場合も、コア全体がセンダスト
等の金属磁性体薄膜3a、3bからなるので、摺動ノイ
ズがなくなり高周波特性が向上することから、ハードデ
ィスクドライブ装置のような高密度の磁気記録を行う磁
気l\フット適したものとなる。また、磁気記録媒体と
近接するフロントギャップ2aのトラック幅が金属磁性
体薄膜3a、3bの膜厚によって定まるので、製造の際
のこのトラック幅の高精度な管理が容易になり、−これ
によっても高密度の磁気記録を行う磁気ヘッドに適した
ものとなる。しかも、コンポジットヘッド101のよう
に、スライダ102の溝部102a内にMIGヘッド1
03を埋め込み低融点ガラス104て融着するような作
業がなくなるので、生産性が向上する。
等の金属磁性体薄膜3a、3bからなるので、摺動ノイ
ズがなくなり高周波特性が向上することから、ハードデ
ィスクドライブ装置のような高密度の磁気記録を行う磁
気l\フット適したものとなる。また、磁気記録媒体と
近接するフロントギャップ2aのトラック幅が金属磁性
体薄膜3a、3bの膜厚によって定まるので、製造の際
のこのトラック幅の高精度な管理が容易になり、−これ
によっても高密度の磁気記録を行う磁気ヘッドに適した
ものとなる。しかも、コンポジットヘッド101のよう
に、スライダ102の溝部102a内にMIGヘッド1
03を埋め込み低融点ガラス104て融着するような作
業がなくなるので、生産性が向上する。
ところが、上記第5図の薄膜ヘッド1て;よ、コア全体
が金属磁性体1膜3a、3bの膜厚(24μm〜12μ
m以下)分の厚ざしかないため、第6図(ホ)でスライ
ダ部4にヘッド部5を再度接合する際に、金属磁性体薄
膜3aと金属磁性体薄膜3bとの中心位置をフロントギ
ャップ2a側とハックギヤツブ2h側との両方で正確:
こ合わせるための作業が困難なもの;こなる。また、コ
ア全体の厚さが薄いため、磁路の磁気抵抗が大きくなる
。
が金属磁性体1膜3a、3bの膜厚(24μm〜12μ
m以下)分の厚ざしかないため、第6図(ホ)でスライ
ダ部4にヘッド部5を再度接合する際に、金属磁性体薄
膜3aと金属磁性体薄膜3bとの中心位置をフロントギ
ャップ2a側とハックギヤツブ2h側との両方で正確:
こ合わせるための作業が困難なもの;こなる。また、コ
ア全体の厚さが薄いため、磁路の磁気抵抗が大きくなる
。
このため、従来は、高精度の薄膜ヘッド1を高い歩留ま
りで効率よく製造することが容易でなく、また、8iy
Cヘツトとしての再生効率も低下するという問題が生じ
ていた。
りで効率よく製造することが容易でなく、また、8iy
Cヘツトとしての再生効率も低下するという問題が生じ
ていた。
上記問題を解決するために、本発明は、スライダ部が金
属磁性体薄膜を介して非磁性体が接合された少なくとも
一対のスライダ部ブロックからなると共に、このスライ
ダ部にギャップ形成膜を介し・て巻線溝の上下の接合面
で接合されたヘッド部が金属磁性体1膜を介して非磁性
体が接合された少なくとも一対のヘッド祁ブロックから
なり、これらスライダ部とヘッド部の金属磁性体薄膜が
ヘッド部のスライダ部への接合面における巻線溝の上下
のフロントギャップとパックギャツブとについて上記キ
ャップ形成膜を介し・た磁路を形成したハードディスク
ドライブ装置用の薄膜ヘッドにおいて、上記スライダ部
ブロックとl\フットフロックにおけるフロントキャッ
プ側部分が非磁性体70ツクによって構成されると共に
、このスライダ部ブロックとヘッド部ブロックにおCす
るバックギャップ側部分が酸化物磁性体フロックによっ
て構成されたことを特徴としている。
属磁性体薄膜を介して非磁性体が接合された少なくとも
一対のスライダ部ブロックからなると共に、このスライ
ダ部にギャップ形成膜を介し・て巻線溝の上下の接合面
で接合されたヘッド部が金属磁性体1膜を介して非磁性
体が接合された少なくとも一対のヘッド祁ブロックから
なり、これらスライダ部とヘッド部の金属磁性体薄膜が
ヘッド部のスライダ部への接合面における巻線溝の上下
のフロントギャップとパックギャツブとについて上記キ
ャップ形成膜を介し・た磁路を形成したハードディスク
ドライブ装置用の薄膜ヘッドにおいて、上記スライダ部
ブロックとl\フットフロックにおけるフロントキャッ
プ側部分が非磁性体70ツクによって構成されると共に
、このスライダ部ブロックとヘッド部ブロックにおCす
るバックギャップ側部分が酸化物磁性体フロックによっ
て構成されたことを特徴としている。
上記構成により、薄膜ヘッドのフロントギャップ側では
、金属磁性体薄膜がスライダ部ブロック及びヘッド部ブ
ロックの非磁性体ブロックによって両側を挟まれるので
、磁路がこの金属磁性体薄膜部分だけとなる。このため
、磁気記録媒体に近接するフロントギャップは、従来と
同様に金属磁性体薄膜の膜厚分のトラック幅を有するこ
とになる。また、パックギャップ側では、金属磁性体薄
膜がスライダ部ブロック及びヘッド部ブロックの酸化物
磁性体ブロックによって両側を挟まれるので、磁路がこ
れら酸化物磁性体ブロック部分にまで広がる。このため
、パックキャップでは、ギヤツブ形成膜を介した磁路の
接合面積が広くなり、磁気抵抗も小さくなる。
、金属磁性体薄膜がスライダ部ブロック及びヘッド部ブ
ロックの非磁性体ブロックによって両側を挟まれるので
、磁路がこの金属磁性体薄膜部分だけとなる。このため
、磁気記録媒体に近接するフロントギャップは、従来と
同様に金属磁性体薄膜の膜厚分のトラック幅を有するこ
とになる。また、パックギャップ側では、金属磁性体薄
膜がスライダ部ブロック及びヘッド部ブロックの酸化物
磁性体ブロックによって両側を挟まれるので、磁路がこ
れら酸化物磁性体ブロック部分にまで広がる。このため
、パックキャップでは、ギヤツブ形成膜を介した磁路の
接合面積が広くなり、磁気抵抗も小さくなる。
このため、スライダ部とヘッド部とを接合して薄膜ヘッ
ドを製造する際に、スライダ部とヘッド部の金属磁性体
薄膜の中心位置をフロントギャップ側で確実に合わせさ
えすれば、バックギャップ側では多少のずれがあっても
支障は生しない。また、ハックギャップ側での磁気抵抗
が小さくなることから、薄膜ヘッドとしての再生効率の
向上も其月1寺で き る。
ドを製造する際に、スライダ部とヘッド部の金属磁性体
薄膜の中心位置をフロントギャップ側で確実に合わせさ
えすれば、バックギャップ側では多少のずれがあっても
支障は生しない。また、ハックギャップ側での磁気抵抗
が小さくなることから、薄膜ヘッドとしての再生効率の
向上も其月1寺で き る。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施例を詳述する
。
。
第1図は、本発明の一実施例に係る薄膜ヘッドの斜視図
である。
である。
この薄膜ヘッド1は、スライダ部4と2個のヘッド部5
とから構成されている。スライダ部4は、互いに接合さ
れた3個のスライダ部ブロック4aとこれらの接合面間
に形成された金属磁性体薄膜3aとからなり、高速回転
するディスク面上で浮上するための空寛層を得るように
方形の広い板状をし・でいる。このスライダ部ブロック
4aは、下層部がセラミックからなる非磁性体ブロック
50aによって構成され、上層部がフェライトからなる
酸化物磁性体ブロック50bによって構成されている。
とから構成されている。スライダ部4は、互いに接合さ
れた3個のスライダ部ブロック4aとこれらの接合面間
に形成された金属磁性体薄膜3aとからなり、高速回転
するディスク面上で浮上するための空寛層を得るように
方形の広い板状をし・でいる。このスライダ部ブロック
4aは、下層部がセラミックからなる非磁性体ブロック
50aによって構成され、上層部がフェライトからなる
酸化物磁性体ブロック50bによって構成されている。
ヘッド部5は、互いに接合された一対のノ\ット部フロ
ック5aとこの接合面間に形成された金属磁性体薄膜3
bとからなり、接合−面に巻線溝6を形成したコの字形
状をしている。ヘッド部ブロック5aは、上記スライダ
部ブロック4aと同様に、下層部がセラミックからなる
非磁性体ブロック50aによフて構成され、上層部がフ
ェライトからなる酸化物磁性体ブロック50bによフて
構成されている。そして、このヘッド部5は、スライダ
部4の金属磁性体薄膜3aが露出する側面に、接合面が
ギャップ形成膜(図示しない)を介して接合されている
。このため、ヘッド部5における巻線溝6の下方で金m
磁性体薄膜3aと金属磁性体薄膜3bとがギャップ形成
膜を介して接合される部分がフロントギャップ2aを構
成し、巻線溝6の上方で金属磁性体薄膜3aと金属磁性
体1膜3bとがギャップ形成膜を介して接合される部分
がパックギャツブ2bを構成することになる。また、こ
のヘッド部5の巻線m6には、巻線7が施されている。
ック5aとこの接合面間に形成された金属磁性体薄膜3
bとからなり、接合−面に巻線溝6を形成したコの字形
状をしている。ヘッド部ブロック5aは、上記スライダ
部ブロック4aと同様に、下層部がセラミックからなる
非磁性体ブロック50aによフて構成され、上層部がフ
ェライトからなる酸化物磁性体ブロック50bによフて
構成されている。そして、このヘッド部5は、スライダ
部4の金属磁性体薄膜3aが露出する側面に、接合面が
ギャップ形成膜(図示しない)を介して接合されている
。このため、ヘッド部5における巻線溝6の下方で金m
磁性体薄膜3aと金属磁性体薄膜3bとがギャップ形成
膜を介して接合される部分がフロントギャップ2aを構
成し、巻線溝6の上方で金属磁性体薄膜3aと金属磁性
体1膜3bとがギャップ形成膜を介して接合される部分
がパックギャツブ2bを構成することになる。また、こ
のヘッド部5の巻線m6には、巻線7が施されている。
上記第1図の薄膜ヘッドlの製造は、次のように行われ
る。なお、二こでは説明を容易にするために薄膜ヘッド
lが1個だけの場合について示す。
る。なお、二こでは説明を容易にするために薄膜ヘッド
lが1個だけの場合について示す。
まず第2図(イ)に示す板状の非磁性体ブロック50a
上に板状の酸化物磁性体ブロック50bが積層されて、
第2図(ロ)に示すブロック積層体50を得る。非磁性
体ブロック50aは、セラミックス等の非磁性体からな
り、ここではチタン酸カルシウム(CaTiO=)又は
アルミナチタンカーバイト(A1203 T iC)等
のセラミックスが用いられている。酸化物磁性体ブロッ
ク50bは、フェライト等の酸化物磁性体からなり、こ
二てはうず電流損を低減するためにNi−Znフェライ
トが用いられている。
上に板状の酸化物磁性体ブロック50bが積層されて、
第2図(ロ)に示すブロック積層体50を得る。非磁性
体ブロック50aは、セラミックス等の非磁性体からな
り、ここではチタン酸カルシウム(CaTiO=)又は
アルミナチタンカーバイト(A1203 T iC)等
のセラミックスが用いられている。酸化物磁性体ブロッ
ク50bは、フェライト等の酸化物磁性体からなり、こ
二てはうず電流損を低減するためにNi−Znフェライ
トが用いられている。
ブロック積層体50は、第2図(ハ)に示すように積層
面;こ直交する方向に2分割されて分割ブロック積層体
51aを得る。そして、一方の分割ブロック積1体51
aの分割面には、第2図(ニ)に示すように金@磁性体
渾M3が、例えば、スパッタリング技術を用いて薄膜形
成される。金属磁性体重M3;よ、七ンダスト等の金属
磁性体からなり、ユニでは七ンダスト又;よCo−Zr
−Niアモルファス等からなる金属磁性体をスパッタリ
ング等により24μm−12μm程度の厚さの薄膜状に
形成したものを用いている。なお、この金属磁性体薄膜
3は、例えば0.1μm程度の絶縁層を介して6μmず
つの2層構造に形成すれば、うず電流損をほぼ完全にな
くすことができ高周波特性をさらに向上させることがで
きる。他方の分割ブロック積層体51aの分割面には、
スパッタリングにより低融点ガラス(図示しない)の薄
膜が形成される。そして、これらの分割ブロック積層体
51aの分割面を接合面として再び重ね合わせ、加圧し
ながら650℃〜750℃程度に加熱し、上記低融点ガ
ラスによって融着させる二とにより第2図(ホ)に示す
分割ブロック接合体δlを得る。
面;こ直交する方向に2分割されて分割ブロック積層体
51aを得る。そして、一方の分割ブロック積1体51
aの分割面には、第2図(ニ)に示すように金@磁性体
渾M3が、例えば、スパッタリング技術を用いて薄膜形
成される。金属磁性体重M3;よ、七ンダスト等の金属
磁性体からなり、ユニでは七ンダスト又;よCo−Zr
−Niアモルファス等からなる金属磁性体をスパッタリ
ング等により24μm−12μm程度の厚さの薄膜状に
形成したものを用いている。なお、この金属磁性体薄膜
3は、例えば0.1μm程度の絶縁層を介して6μmず
つの2層構造に形成すれば、うず電流損をほぼ完全にな
くすことができ高周波特性をさらに向上させることがで
きる。他方の分割ブロック積層体51aの分割面には、
スパッタリングにより低融点ガラス(図示しない)の薄
膜が形成される。そして、これらの分割ブロック積層体
51aの分割面を接合面として再び重ね合わせ、加圧し
ながら650℃〜750℃程度に加熱し、上記低融点ガ
ラスによって融着させる二とにより第2図(ホ)に示す
分割ブロック接合体δlを得る。
この分割ブロック接合体51は、一端部分で前記分割方
向とは直交する方向に切断され、第2図(へ)に示すよ
うに、スライダ部ブロック4a及び金属磁性体JllI
3aからなるスライダ部4と、ヘッド部ブロック5a及
び金rlIk磁性体薄膜3bからなるヘンド部5とに分
割される。また、このヘッド部5は、金属磁性体1膜3
bを中心にしてヘッド部ブロック5aの両側を切り落と
して0. 2mm〜0. 3mm程度の厚さどなるよう
にすると共に、分割面に巻線a6を形成する。そして、
第2図(ト)に示すようにスライダ部4とヘッド部5の
分割面を接合面として再びこれらを低融点ガラスによっ
て接合一体止する。たたし、このスライダ部4とヘッド
部5の接合面の何れかには、接合前にギャップ形成膜(
図示しない)を薄膜形成しておく。すると、このスライ
ダ部4とヘッド部5の上下の接合面に金属磁性体薄膜3
a、3bのフロントギャップ2a及びバンクギャップ2
bが形成され、巻線溝6を通し・て巻線7を施す二とに
より第1図に示す薄膜ヘッド1が完成する。
向とは直交する方向に切断され、第2図(へ)に示すよ
うに、スライダ部ブロック4a及び金属磁性体JllI
3aからなるスライダ部4と、ヘッド部ブロック5a及
び金rlIk磁性体薄膜3bからなるヘンド部5とに分
割される。また、このヘッド部5は、金属磁性体1膜3
bを中心にしてヘッド部ブロック5aの両側を切り落と
して0. 2mm〜0. 3mm程度の厚さどなるよう
にすると共に、分割面に巻線a6を形成する。そして、
第2図(ト)に示すようにスライダ部4とヘッド部5の
分割面を接合面として再びこれらを低融点ガラスによっ
て接合一体止する。たたし、このスライダ部4とヘッド
部5の接合面の何れかには、接合前にギャップ形成膜(
図示しない)を薄膜形成しておく。すると、このスライ
ダ部4とヘッド部5の上下の接合面に金属磁性体薄膜3
a、3bのフロントギャップ2a及びバンクギャップ2
bが形成され、巻線溝6を通し・て巻線7を施す二とに
より第1図に示す薄膜ヘッド1が完成する。
上記構成により本実施例の薄膜l\ツF’ 1は、フロ
ントギャップ2a側において金属磁性体薄膜3a、3b
がスライダ部ブロック4a及びヘッド部ブロック5aの
下層の非磁性体70ツク50aによって両側を挟まれる
ので、磁路がこの金属磁性体重膜3 at 3 b部
分だけとなる。このため、磁気記録媒体に近接するフロ
ントギャップ2aは、従来と同様に金属磁性体薄膜3a
、3bの膜厚く24μm〜12μm以下)分のトラック
幅を有することになる。また、パックギャップ2b側で
は、金属磁性体薄膜3 at 3 bがスライダ部ブ
ロンク4a及びヘッド部ブロック5aの上層の酸化物磁
性体ブロック50bによって両側を挟まれるので、磁路
がこれら酸化物磁性体ブロック50b部分にまで広がる
。このため、パックギャップ2bでは、ギャップ形成膜
を介し・た磁路の接合面積が広くなり、磁気抵抗も小さ
くなる。
ントギャップ2a側において金属磁性体薄膜3a、3b
がスライダ部ブロック4a及びヘッド部ブロック5aの
下層の非磁性体70ツク50aによって両側を挟まれる
ので、磁路がこの金属磁性体重膜3 at 3 b部
分だけとなる。このため、磁気記録媒体に近接するフロ
ントギャップ2aは、従来と同様に金属磁性体薄膜3a
、3bの膜厚く24μm〜12μm以下)分のトラック
幅を有することになる。また、パックギャップ2b側で
は、金属磁性体薄膜3 at 3 bがスライダ部ブ
ロンク4a及びヘッド部ブロック5aの上層の酸化物磁
性体ブロック50bによって両側を挟まれるので、磁路
がこれら酸化物磁性体ブロック50b部分にまで広がる
。このため、パックギャップ2bでは、ギャップ形成膜
を介し・た磁路の接合面積が広くなり、磁気抵抗も小さ
くなる。
以上の説明から明かなようここ、本発明の薄膜磁気ノ\
ソトによれば、バックギャップ側における金属磁性体薄
膜の両側に酸化物磁性体ブロックが配置されるので、ス
ライダ部とヘッド部とを接合する際に、フロントキャッ
プ側での金@磁性I4:薄膜の中心位IO′)みな正確
ミニ合わせるたけてよく、製造が容易となり生産性の向
上を図る二とができる。
ソトによれば、バックギャップ側における金属磁性体薄
膜の両側に酸化物磁性体ブロックが配置されるので、ス
ライダ部とヘッド部とを接合する際に、フロントキャッ
プ側での金@磁性I4:薄膜の中心位IO′)みな正確
ミニ合わせるたけてよく、製造が容易となり生産性の向
上を図る二とができる。
また、このパックギャップ側での酸化物磁性体ブロック
によりコアの磁気抵抗が十分小さくてきることから、薄
膜磁気ヘッドとしての再生効率が向上する。
によりコアの磁気抵抗が十分小さくてきることから、薄
膜磁気ヘッドとしての再生効率が向上する。
第1図は本発明の一実施例に係る薄膜磁気ヘッドの斜視
図、第2図(イ)〜(ト)はいずれもこの薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を工程順に示す説明図、13図はコンポジ
ットヘッドの斜視図、第4図はMIGヘッドの縦断面図
、第5図は従来の薄膜磁気ヘッドの斜視図、第6図(イ
)〜(ホ)はいずれもこの薄膜磁気ヘッドの製造方法を
工程順に示す説明図である。 1 ・・・薄膜磁気へ ッ ト、 2a・・・フロントギャップ、 2b・・・バンクギャップ、 3.3a、3b・・・金属磁性体薄膜、J・・・スライ
ダ部、 4a・・・スライダ部フロック、 5・・・・\ット部、 5a・・・ヘッド部ブロック、 6・・・巻線溝、 50a・・・非磁性体ブロック、 50b・・・酸化物磁性体ブロック。 特 許 出 願 人 関西日本電気株式会社 第 図 第2図 簗2図 策2図 0 第3図 第4図 03c へ− 03e 第6図
図、第2図(イ)〜(ト)はいずれもこの薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を工程順に示す説明図、13図はコンポジ
ットヘッドの斜視図、第4図はMIGヘッドの縦断面図
、第5図は従来の薄膜磁気ヘッドの斜視図、第6図(イ
)〜(ホ)はいずれもこの薄膜磁気ヘッドの製造方法を
工程順に示す説明図である。 1 ・・・薄膜磁気へ ッ ト、 2a・・・フロントギャップ、 2b・・・バンクギャップ、 3.3a、3b・・・金属磁性体薄膜、J・・・スライ
ダ部、 4a・・・スライダ部フロック、 5・・・・\ット部、 5a・・・ヘッド部ブロック、 6・・・巻線溝、 50a・・・非磁性体ブロック、 50b・・・酸化物磁性体ブロック。 特 許 出 願 人 関西日本電気株式会社 第 図 第2図 簗2図 策2図 0 第3図 第4図 03c へ− 03e 第6図
Claims (1)
- (1)スライダ部が金属磁性体薄膜を介して非磁性体が
接合された少なくとも一対のスライダ部ブロックからな
ると共に、このスライダ部にギャップ形成膜を介し巻線
溝の上下の接合面で接合されたヘッド部が金属磁性体薄
膜を介して非磁性体が接合された少なくとも一対のヘッ
ド部ブロックからなり、これらスライダ部とヘッド部の
金属磁性体薄膜がヘッド部のスライダ部への接合面にお
ける巻線溝の上下のフロントギャップとバックギャップ
とについて、上記ギャップ形成膜を介した磁路を形成し
たハードディスクドライブ装置用の薄膜磁気ヘッドにお
いて、 上記スライダ部ブロックとヘッド部ブロックにおけるフ
ロントギャップ側部分が、非磁性体ブロックによって構
成されると共に、このスライダ部ブロックとヘッド部ブ
ロックにおけるバックギャップ側部分が、酸化物磁性体
ブロックによって構成されたことを特徴とする薄膜磁気
ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2342590A JPH03228209A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2342590A JPH03228209A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03228209A true JPH03228209A (ja) | 1991-10-09 |
Family
ID=12110152
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2342590A Pending JPH03228209A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03228209A (ja) |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2342590A patent/JPH03228209A/ja active Pending
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