JPH03227977A - ５―置換―２，４―ジフェニルピリミジン誘導体、その製造法、それを有効成分とする除草剤およびその製造中間体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は新規な５−置換−２，４−ジフェニルピリミジ
ン誘導体、その製造法、それを有効成分とする除草剤お
よびその製造中間体に関するものである。

（５） 〈従来の技術および発明が解決しようとする課題〉従来
から数多くの除草剤が使用されているが、それらは除草
効力が不充分であったり、作物・雑草間の選択性が劣っ
たりすることがあり必ずしも満足すべきものとは言い難
い。

これまでＪ、　Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ　　Ｃｈｅｍ
、、　２８　　７７（１９８６）に２，４−ジフェニル
−５−メタンスルホニルピリミジン等が記載されている
が、化合物の生理活性については記載されていない。さ
らに、本発明の５−置換−２，４−ジフェニルピリミジ
ン誘導体についてはその化学構造、生理活性ともに全く
記載されていない。

く課題を解決するための手段〉 リミジン誘導体が優れた除草活性を有し、かつ、作物と
雑草間に優れた選択性を示す化合物であることを見出し
本発明に至った。

すなわち、本発明は一般伐ＣＩ］ （６） 〔式中　Ｒ１はオルト位あるいはメタ位の水素原子、ハ
ロゲン原子、低級アルキル基、低級ノ１０アルキル基、
低級アルコキシ基、低級アルケニルオキシ基、低級アル
キニルオキシ基（ただし、低級アルコキシ基、低級アル
ケニルオキシ基、低級アルキニルオキシ基は低級アルコ
キシ基で置換されていても良い。）、低級アルキルチオ
基、低級ハロアルコキシ基、低級ハロアルケニルオキシ
基、低級ハロアルキニルオキシ基、低級ハロアルキルチ
オ基、フェノキシ基、ａ級アルキルカルボキシ基、低級
ハロアルキルカルボキシ基、低級アルキルスルホニルオ
キシ基、シアン基、低級アルコキシカルボニル基、ヒド
ロキシカルボニル基、ア芝ツメチル基、ヒドロキシメチ
ル基、または低級ハロアルキルスルホニルオキシ基を表
わす。Ｒ２およびＲ８は同一あるいは相異なりハロゲン
原子または低級ハロアルキル基を表わす（ただし　Ｒ２
、Ｒ８が共にピリミジン環に対してオルト位であること
はない。〕。

Ｒ４は低級アルキル基を表わす。〕で示される５−置換
−２，４−ジフヱニルビリミジン誘導体（以下、本発明
化合物と記す。）、その製造法、それを有効成分とする
除草剤およびその製造中間体を提供するものである。

本発明化合物の製造法について以下に説明する。

（製法１） 本発明化合物は、−殺伐園 〔式中、ＲｌＲおよびＲは前記と同じ意味を表わす。〕 で示される化合物と、−殺伐園 ＲＯＭ　　　　　　　　　［］ｆｌ Ｃ式中、Ｒ４は前記と同じ意味を表わし、Ｍは金属原子
を表わす。〕 で示される金属アルコキシドとを反応させることにより
製造される。

該反応は、通常溶媒中で行われ、反応温度の範囲は２０
〜１００℃、反応時間の範囲は０．５〜５時間が標準的
であり、反応に供される試剤の量は一般式（４）で示さ
れる化合物１当量に対して、−殺伐圓で示される金属ア
ルコキシドは通常１〜１０当量である。

反応に用いられる溶媒としてはヘキサン、ヘプタン、リ
グロイン、石油エーテル等の脂肪族炭化水素類、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、クロロ
ベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類
、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジオキ
サン、テトラヒドロフラン、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル等のエーテル類、メタノール、エタノール
、イソプロパツール等のアルコール類、酢酸エチル、（
９〕 酢酸ブチル等のエステル類、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、アセトアミド等の酸アミド類、ジメチルスルホキ
シド等の硫黄化合物などあるいはそれらの混合物があげ
られる。

また、−殺伐圓で示される金属アルコキシドとしてはナ
トリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド等のアルカ
リ金属アルコキシドがあげられる。

反応終了後の反応液は、有機溶媒抽出および濃縮等の通
常の後処理を行うことにより目的の本発明化合物〔υが
得られる。また、必要により、クロマトグラフィー、再
結晶等の操作を行うこともできる。

（製法２〕 一般式〔Ｉ−１，１ （１０） ｃ式中、Ｒはオルト位あるいはメタ位の低級アルコキシ
基または低級ハロアルコキシ基を表わし、Ｒ２、Ｒ８お
よびＲ４は前記と同じ意味を表わす。〕で示される化合
物は、−殺伐（ＩＶＩ ｃ式中　Ｒ２、Ｒ８およびＲ４は前記と同じ意味を表わ
す。〕 で示される化合物と、ハロゲンで置換されていても良い
低級オレフィンとを反応させることにより製造される。

この反応は、通常、溶媒中、塩基の存在下で行い、反応
温度の範囲は８０〜１５０℃、反応時間の範囲は１〜１
００時間であり、反応に供される試剤の量は、−殺伐［
ＩＶ）で示される化合物１当量に対してハロゲンで置換
されていても良い低級オレフィンが５〜８０当量、塩基
は１〜１０当量である。

溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、リグロイン、石油
エーテル等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族炭化水素類、クロロベンゼン、ジク
ロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、ジエチルエー
テル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサン、テトラヒ
ドロフラン、ジエチレングリコールジメチルエーテル等
のエーテル類、アセトニトリル、インブチロニトリル等
のニトリル類、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセト
アミド等の酸アミド、水等あるいは、それらの混合物が
あげられる。

塩基としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸
ナトリウム、炭酸カリウム、水素化ナトリウム等の無機
塩基があげられる。

反応終了後の反応液は、有機溶媒抽出および濃縮等の通
常の後処理を行い、必要ならば、クロマトグラフィー、
蒸留、再結晶等の操作によって精製することにより、目
的化合物［：ｌ−１３を得ることができる。

（製法８） 本発明化合物のうち一般式［ｌ−２） 〔式中　Ｒ６はオルト位あるいはメタ位の低級アルキル
スルホニルオキシ基または低級ハロアルキルスルホニル
オキシ基を表わし、Ｒ２、Ｒ８およびＲ４は前記と同じ
意味を表わす。〕 で示される化合物は、−殺伐［ＩＶ）で示される化合物
と、−殺伐凹 Ｒ７−Ｃ４１Ｖｌ 〔式中、Ｒは低級アルキルスルホニル基または低級ハロ
アルキルスルホニル基を表ワス。〕で示される化合物と
を反応させることにより製造される。

この反応は、通常、無溶媒または溶媒中、塩基の存在下
で行い、反応温度の範囲は０〜５０℃、（１８） 反応時間の範囲は０．５〜５時間であり、反応に供され
る試剤の量は、−殺伐［ＩＶ］で示される化合物１当量
に対して一般伐凹で示される化合物は１〜２当量、塩基
は１〜５当量である。

溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、リグロイン、石油
エーテル等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族炭化水素類、クロロホルム、四塩化
炭素、ジクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベン
ゼン等のハロゲン化炭化水素類、ジエチルエーテル、ジ
イソプロピルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテ
ル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルケトン、イソホロン、シクロヘキサノン等のケトン類
、蟻酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、炭酸ジエチル
等のエステル類、ピリジン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、アセトアミド等の酸アミド、あるいは、それらの
混合物があげられる。塩基としてはピリジン等の有機塩
基があげられる。

（１４〕 反応終了後の反応液は、有機溶媒抽出および濃縮等の通
常の後処理を行い、必要ならば、クロマトグラフィー、
蒸留、再結晶等の操作によって精製することにより、目
的化合物ＣＩ−２）を得ることができる。

（製法４） 本発明化合物のうち、−殺伐Ｃｌ−８）〔式中　Ｒ８は
オルト位あるいはメタ位の低級アルコキシ基、低級アル
ケニルオキシ基または低級アルキニルオキシ基を表わし
　Ｒ２、Ｒ８およびＲ４は前記と同じ意味を表わす。〕 で示される化合物は、−殺伐〔■〕で示される化合物と
一般式〔■〕 Ｒ−Ｘ　　　　　　　［ＶＩ） 〔式中　Ｒ９は低級アルキル基、低級アルケニル基また
は低級アルキニル基を表わし、Ｘはハロゲン原子を表わ
す。〕 で示される化合物とを反応させることにより製造される
。

この反応は、通常、溶媒中、塩基の存在下で行い、反応
温度の範囲は２０〜１５０℃、反応時間の範囲は０．５
〜５０時間であり、反応に供される試剤の量は、−殺伐
［ＩＶ）で示される化合物１当量に対して一般式［ＶＩ
）で示される化合物は１〜２０当量、塩基は１〜２０当
量である。

溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、リグロイン、石油
エーテル等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、ジ
イソプロピルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテ
ル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、蟻酸エチル
、酢酸エチル、酢酸ブチル、炭酸ジエチル等のエステル
類、アセトニトリル、イソブチロニトリル等のニトリル
類、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド等の
酸アミド、水等があげられる。

塩基としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸
ナトリウム、炭酸カリウム、水素化ナトリウム等の無機
塩基があげられる。

反応終了後の反応液は、有機溶媒抽出および濃縮等の通
常の後処理を行い、必要ならば、クロマトグラフィー、
蒸留、再結晶等の操作によって精製することにより、目
的の本発明化合物Ｃｌ−８）を得ることができる。

（製法５） 本発明化合物のうち、−殺伐［Ｉ−４］〔式中、Ｒ１０
は低級アシル基を表わし　Ｒ２、Ｒ８およびＲは前記と
同じ意味を表わす。〕 で示される化合物は、−殺伐［ＩＶ〕で示される化合（
１７） 物と一般式〔■〕 Ｏ Ｒ−０−Ｒ”　　　　　　［■］ 〔式中、Ｒ１０は前記と同じ意味を表わす。〕で示され
る化合物とを反応させることにより製造される。

この反応は、通常、無溶媒または溶媒中、酸触媒の存在
下で行い、反応温度の範囲は０〜１００℃、反応時間の
範囲は０．５〜８０時間であり、反応に供される試剤の
量は、−殺伐［ＩＶ）で示される化合物１当量に対して
一般式〔■〕で示される化合物は１〜８当量である。

溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、リグロイン、石油
エーテル等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族炭化水素類、クロロホルム、四塩化
炭素、ジクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベン
ゼン等のハロゲン化炭化水累類、ジエチルエーテル、ジ
イソプロピルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテ
〔１８〕 ル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルケトン、イソホロン、シクロヘキサノン等のケトン類
、ホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセ
トアミド等の酸アミド、水等あるいはそれらの混合物が
あげられる。酸触媒としては、塩酸、硫酸等の鉱酸、酢
酸等の有機酸があげられる。

反応終了後の反応液は、有機溶媒抽出および濃縮等の通
常の後処理を行い、必要ならば、クロマトグラフィー、
蒸留、再結晶等の操作によって精製することにより、目
的化合物〔Ｉ−４〕を得ることができる。

上記の製法で製造できる一般伐ＣＩ）で示される本発明
化合物の一部を第１表にあげる。

第 表 （２１） （２２） （２５〕 （２６） 本発明化合物を製造する際の原料化合物である一般伐園
で示される化合物は、一般式〔■〕〔式中、Ｒは前記と
同じ意味を表わす。〕で示される化合物と一般式［［ 〔式中、Ｒ２およびＲ８は前記と同じ意味を表わす。

で示される化合物とを反応させることにより製造される
。

該反応は、通常溶媒中で行われ、反応温度の範囲は２０
〜１００℃、反応時間の範囲は０．５〜５時間が標準的
であり、反応に供される試剤の量は、一般式〔■〕で示
される化合物１当量に対して一般式［ＩＸ）で示される
化合物は通常１．１〜１．２当量で（２９） 〕 ある。

反応に用いられる溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、
リグロイン、石油エーテル等の脂肪族炭化水素類、ベン
ゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、クロ
ロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素
類、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジオ
キサン、テトラヒドロフラン、ジエチレングリコールジ
メチルエーテル等のエーテル類、メタノール、エタノー
ル、イソプロパツール等のアルコール類、Ｎ、Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、アセトアミド等の酸アミド類、ジメ
チルスルホキシド、スルホラン等の硫黄化合物などある
いはそれらの混合物があげられる。

また、上記反応では一般式［ＩＸ］で示される化合物と
して該化合物の酸付加体（例えば塩酸塩）を用いても良
く、その際に炭酸カリウム等の無機塩、ナトリウムメト
キシド、ナトリウムエトキシド等のアルカリ金属アルコ
キシド等の塩基が使用される。

（８０） 反応後の反応液は、有機溶媒抽出および濃縮等の通常の
後処理を行い、必要によりクロマトグラフィー、再結晶
等の操作を行う。

尚、−殺伐〔■〕で示される化合物は、−殺伐■〕〔式
中、Ｒは前記と同じ意味を表わす。〕で示される化合物
とＮ、Ｎ−ジメチルホルムア（ドジメチルアセクールと
を無溶媒または溶媒中、通常２０〜１５０℃で０．５〜
１０時間反応させることにより製造される。

反応に供される試剤の量は、−殺伐囚で示される化合物
１当量に対してＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチル
アセタールは通常１．０〜１．５当量であり、使用され
る溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、リグロイン、石
油エーテル等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン
、キシレン等の芳香族炭化水素類、クロロホルム、四塩
化炭素、ジクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベ
ンゼン等のハロゲン化炭化水素類、ジエチルエーテル亀
ジイソプロピルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフ
ラン、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエー
テル類、メタノール、エタノール、インプロパツール、
ｔ−ブタノール、オクタツール、シクロヘキサノール、
メチルセロソルブ、ジエチレングリコール、グリセリン
等のアルコール類、ニトロエタン、ニトロベンゼン等の
ニトロ化合物、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセト
アミド等の酸アミド類、ジメチルスルホキシド、スルホ
ラン等の硫黄化合物等あるいはそれらの混合物があげら
れる。

また、−殺伐［ＩＶ）で示される化合物は、−殺伐〔ニ
ー５〕 〔式中、Ｒ１１はオルト位あるいはメタ位のメトキシメ
トキシ基を表わし　Ｒ２、Ｒ８およびＲ４は前記と同じ
意味を表わす。〕 で示される化合物を酸と反応させることにより製造され
る。

この反応は、通常、溶媒中で行なわれ、反応温度の範囲
は２０〜１００℃、反応時間の範囲は１〜５時間であり
、反応に供される試剤の量は、化合物［ｌ−５）１当量
に対して酸は１〜１０当量である。

溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、リグロイン、石油
エーテル等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族炭化水素類、ジクロロベンゼン等の
ハロゲン化炭化水素類、ジエチルエーテル、ジイソプロ
ピルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエ
チレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、ア
セトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン
、イソホロン、シクロヘキサノン等のケトン類、メタノ
ール、エタノール、イソプロパツール等のアルコール類
、水等あるいはそれらの混合物があげ（８Ｂ） られる。

酸としては、酢酸等の有機酸、塩酸、硫酸等の鉱酸、フ
ルオロボランエーテル錯体等のルイス酸等があげられる
。

反応終了後の反応液は、有機溶媒抽出および濃縮等の通
常の後処理を行い、必要ならば、クロマトグラフィー、
蒸留、再結晶等の操作によって精製することにより、目
的化合物を得ることができる。

本発明化合物は、優れた除草効力を有し、かつ作物・雑
草間に優れた選択性を示す。すなわち本発明化合物は、
畑地の茎葉処理および土壌処理において、問題となる種
々の雑草、たとえばスベリヒュ、ハコベ、シロザ、アオ
ゲイトウ、ダイコン、ノハラガラシ、ナズナ、アメリカ
ツノクサネム、エビスグサ、イチビ、アメリカキンゴジ
カ、フィールドパンジー、ヤエムグラ、アメリカアサガ
オ、マルバアサガオ、セイヨウヒルガオ、ヒメオドリコ
ソウ、ホトケノザ、シロバナチ璽つセンアサガオ、イヌ
ホオズキ、オオイヌノフグリ、オナモミ、（８４） ヒマワリ、イヌカミツレ、コーンマリーゴールド等の広
葉雑草、ヒエ、イヌビエ、エノコログサ、メヒシバ、ス
ズメノカタビラ、ノスズメノテッポウ、エンバク、カラ
スムギ、セイバンモロコシ、ウマノチャヒキ等のイネ科
雑草等に対して除草効力を有し、しかも本発明化合物は
、トウモロコシ、コムギ、イネ等の主要作物に対して問
題となるような薬害を示さない。

また、本発明化合物は、水田の湛水処理において問題と
なる種々の雑草、たとえば、タイヌビエ等のイネ科雑草
、アゼナ、キカシグサ、ミゾハコベ等の広葉雑草等に対
して除草効力を有し、しかもイネに対しては問題となる
ような薬害を示さないＯ 本発明化合物を除草剤の有効成分として用いる場合は、
通常固体担体、液体担体、界面活性剤、その他の製剤用
補助剤と混合して、乳剤、水和剤、懸濁剤、粒剤等に製
剤して用いる。

これらの製剤には、有効成分として本発明化合物を、重
量比で１〜８０％、好ましくは２〜７０％含有する。

固体担体としては、たとえばカオリンクレーアッタパル
ジャイトクレー、ベントナイト、酸性白土、パイロフィ
ライト、タルク、珪藻土、方解石、クルミ殻粉、尿素、
硫酸アンモニウム、合成含水酸化珪素等の微粉末あるい
は粒状物があげられ、液体担体としては、たとえばキシ
レン、メチルナフタレン等の芳香族炭化水素類、インプ
ロパツール、エチレングリコール、セロソルブ等のアル
コール類、アセトン、シクロヘキサノン、イソホロン等
のケトン類、大豆油、綿実油等の植物油、ジメチルスル
ホキシド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトニト
リル、水等があげられる。

乳化、分散、湿炭等のために用いられる界面活性剤とし
ては、たとえばアルキル硫酸エステル塩、アルキルスル
ホン酸塩、アルキルアリールスルホン酸塩、ジアルキル
スルホコハク酸塩、ポリオキシエチレンアルキルアリー
ルエーテルリン酸エステル塩等の陰イオン界面活性剤、
ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチ
レンアルキルアリールエーテル、ポリオキシエチレンポ
リオキシプロピレンブロックコボリマー　ソルビタン脂
肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エ
ステル等の非イオン界面活性剤等があげられる。

その他の製剤用補助剤としては、たとえばリグニンスル
ホン酸塩、アルギン酸塩、ポリビニルアルコール、アラ
ビアガム、ＣＭＣ（カルボキシメチルセルロース）、Ｐ
ＡＰ（酸性リン酸イソプロピル〕等があげられる。

本発明化合物は、通常製剤化して雑草の出芽前または出
芽後に土壌処理、茎葉処理または湛水処理される。土壌
処理には、土壌表面処理、土壌混和処理等があり、茎葉
処理には、植物体の上方からの処理のほか、作物に付着
しないよう雑草に限って処理する易部処理等がある。

また他の除草剤と混合して用いることにより、除草効力
の増強を期待できる。さらに、殺虫剤、殺ダニ剤、殺線
虫剤、殺菌剤、植物生長調節剤、肥料、土壌改良剤等と
混合して用いることもでき（８７） る。

なお、本発明化合物は、水田、畑地、果樹園、牧草地、
芝生地、森林あるいは非農耕地の有効成分として用いる
ことができる。

本発明化合物を除草剤の有効成分として用いる場合、そ
の処理量は、気象条件、製剤形態、処理時期、方法、場
所、対象雑草、対象作物等によっても異なるが、通常１
ヘクタールあたり１２〜８０００ｆ１好ましくは、５９
〜２０００Ｆであり、乳剤、水和剤、懸濁剤等は、通常
その所定量を１ヘクタールあたり１００リツトル〜１０
００リツトルの（必要ならば、展着剤等の補助剤を添加
した）水で希釈して処理し、粒剤等は、通常なんら希釈
することなくそのまま処理する。

展着剤としては、前記の界面活性剤のほか、ポリオキシ
エチレン樹脂酸（エステル）、リグニンスルホン酸塩、
アビエチン酸塩、ジナフチルメタンジスルホン酸塩、パ
ラフィン等があげられる。

〈実施例〉 次に、製造例、製剤例および試験例をあげ、本（８８） 発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施
例に限定されるものではない。

まず、本発明化合物〔ηの製造例を示す。

製造例１〔本発明化合物（４）の製造〕２−（２，４−
ジフルオロフェニル〕−４−（８−トリフルオロメチル
フェニル）−５−メタンスルホニルピリミジン２．１１
とナトリウムメトキシド０．８２とをエチレングリコー
ルジメチルエーテル２０ｍ１に加え、５時間加熱還流し
た。減圧下に溶媒を留去して得た残渣を水洗し、乾燥し
て２−（２，４−ジフルオロフェニル）−４−（８−ト
リフルオロメチルフェニル）−５−メトキシピリミジン
１．５５Ｆを得た。

上記の製造例に準じて製造された本発明化合物のいくつ
かを第２表に示す。

（８９） 第 表 ＊溶媒：　ＣＤＣＪｇ＋ＤＭｓＯ−ｄｅ（４０） 次に一般式（３）で示される化合物の製造例を示す。

製造例２〔化合物（４）の製造〕 １−（８−トリフルオロメチルベンゾイル〕−１−メタ
ンスルホニル−２−（Ｎ　、Ｎ−ジメチルアミノ〕エテ
ン６ｆと２，４−ジフルオロベンズアミジン塩酸塩４．
６２とを室温でメタノール８０−に溶解し、ナトリウム
メトキシド１．２２を加え１時間加熱還流した。減圧下
に溶媒を留去して得た残渣を水洗し、乾燥して２−（２
，４−ジフルオロフェニル）−４−（８−）リフルオロ
メチルフェニル）−５−メタンスルホニルピリミジン６
Ｖを得た。

上記の製造例２に準じて製造された一般式（３）で示さ
れる化合物のいくつかを第８表に示す。

（４１） 第 表 ＊＊溶媒：　ＣＤＣｚ　ｓ＋ＤＭｓｏ−ｄ　ａ（４２） 次に製剤例を示す。なお、本発明化合物は第２表の化合
物番号で示す。部は重量部である。

製剤例１ 本発明化合物（２）　５０部、リグニンスルホン酸カル
シウム８部、ラウリル硫酸ナトリウム２部および合成含
水酸化珪素４５部をよく粉砕混合して水和剤を得る。

製剤例２ 本発明化合物（１）または（２）　１０部、ポリオキシ
エチレンスチリルフェニルエーテル１４部、ドデシルベ
ンゼンスルホン酸カルシウム６部およびキシレン７０部
をよく混合して、各々の乳剤を得る。

製剤例８ 本発明化合物（１）２部、合成含水酸化珪素１部、リグ
ニンスルホン酸カルシウム２部、ベントナイト８０部お
よびカオリンクレー６５部をよく粉砕混合し、水を加え
てよく練り合せた後、造粒乾燥して粒剤を得る。

製剤例４ 本発明化合物（２）２５部、ポリオキシエチレンソルビ
タンモノオレエート８部、ＣＭＣ８部および水６９部を
混合し、粒度が５ミクロン以下になるまで湿式粉砕して
懸濁剤を得る。

次に、本発明化合物が除草剤の有効成分として有用であ
ることを試験例で示す。なお、本発明化合物は第２表の
化合物番号で示し、比較対照に用いた化合物は第４表の
化合物記号で示す。

第　　４　　表 また、除草効力および薬害の評価は、調査時の供試植物
（雑草および作物〕の出芽および生育の状態が無処理の
それと比較して全くないしほとんど違いがないものを「
０」とし、供試植物が完全枯死または出芽もしくは生育
が完全に抑制されているものを「１０」として、θ〜１
０の１１段階に区分し、０．１．２．８．４．５．６．
７．８．９．１０で示す。

試験例１　畑地茎葉処理試験 直径１０ｍ、深さ１０ｔ′Ｉｎの円筒型プラスチックポ
ットに畑地土壌を詰め、ダイコン、イチビおよびアサガ
オを播種し、温室内で１０日間育成した。

その後、製剤例２に準じて得られた供試化合物の乳剤の
所定量を、１アールあたり１０リツトル相当の展着剤を
含む水で希釈し、小型噴霧器で植物体の上方から茎葉処
理した。処理後２０日間温室内で育成し、除草効力を調
査した。その結果を第５表に示す。

（４５） 第 表 試験例２　水田湛水処理試験 直径８ｃｍ　、深さ１２（７）の円筒型プラスチックポ
ットに水田土壌を詰め、タイヌビエ種子を１〜２（４６
〕 （７）の深さに混ぜ込んだ。湛水して水田状態にした後
、温室内で育成した。６日後（各雑草の発生初期〕に製
剤例２に準じて得られた供試化合物の乳剤の所定量を、
５ミリリツトルの水で希釈し、水面に処理した。処理後
２０日間温室内で育成し、と 除草効力除調査した。その結果を第６表に示す。

第　　６　　表 〈発明の効果〉 本発明化合物は、畑地の土壌処理および茎葉処理、さら
に水田の湛水処理において問題となる種々の雑草に対し
て優れた除草効力を有し、主要作物と雑草間に優れた選
択性を示す。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾１はオルト位あるいはメタ位の水素原子、
   ハロゲン原子、低級アルキル基、低級ハロアルキル基、
   低級アルコキシ基、低級アルケニルオキシ基、低級アル
   キニルオキシ基（ただし、低級アルコキシ基、低級アル
   ケニルオキシ基、低級アルキニルオキシ基は低級アルコ
   キシ基で置換されていても良い。）、低級アルキルチオ
   基、低級ハロアルコキシ基、低級ハロアルケニルオキシ
   基、低級ハロアルキニルオキシ基、低級ハロアルキルチ
   オ基、フェノキシ基、低級アルキルカルボキシ基、低級
   ハロアルキルカルボキシ基、低級アルキルスルホニルオ
   キシ基、シアノ基、低級アルコキシカルボニル基、ヒド
   ロキシカルボニル基、アミノメチル基、ヒドロキシメチ
   ル基、または低級ハロアルキルスルホニルオキシ基を表
   わす。Ｒ＾２およびＲ＾３は同一あるいは相異なりハロ
   ゲン原子または低級ハロアルキル基を表わす（ただし、
   Ｒ＾２、Ｒ＾３が共にピリミジン環に対してオルト位で
   あることはない。）。Ｒ＾４は低級アルキル基を表わす
   。〕で示される５−置換−２，４−ジフェニルピリミジ
   ン誘導体。
2. （２）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾１はオルト位あるいはメタ位の水素原子、
   ハロゲン原子、低級アルキル基、低級ハロアルキル基、
   低級アルコキシ基、低級アルケニルオキシ基、低級アル
   キニルオキシ基（ただし、低級アルコキシ基、低級アル
   ケニルオキシ基、低級アルキニルオキシ基は低級アルコ
   キシ基で置換されていても良い。）、低級アルキルチオ
   基、低級ハロアルコキシ基、低級ハロアルケニルオキシ
   基、低級ハロアルキニルオキシ基、低級ハロアルキルチ
   オ基、フェノキシ基、低級アルキルカルボキシ基、低級
   ハロアルキルカルボキシ基、低級アルキルスルホニルオ
   キシ基、シアノ基、低級アルコキシカルボニル基、ヒド
   ロキシカルボニル基、アミノメチル基、ヒドロキシメチ
   ル基、または低級ハロアルキルスルホニルオキシ基を表
   わす。Ｒ＾２およびＲ＾３は同一あるいは相異なりハロ
   ゲン原子または低級ハロアルキル基を表わす（ただし、
   Ｒ＾２、Ｒ＾３が共にピリミジン環に対してオルト位で
   あることはない。）。〕 で示される化合物と、一般式 Ｒ＾４ＯＭ 〔式中、Ｒ＾４は低級アルキル基を表わし、Ｍは金属原
   子を表わす。〕 で示される金属アルコキシドとを反応させることを特徴
   とする請求項１記載の５−置換−２，４−ジフェニルピ
   リミジン誘導体の製造法。
3. （３）請求項１記載の５−置換−２，４−ジフェニルピ
   リミジン誘導体を有効成分として含有することを特徴と
   する除草剤。
4. （４）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾１はオルト位あるいはメタ位の水素原子、
   ハロゲン原子、低級アルキル基、低級ハロアルキル基、
   低級アルコキシ基、低級アルケニルオキシ基、低級アル
   キニルオキシ基（ただし、低級アルコキシ基、低級アル
   ケニルオキシ基、低級アルキニルオキシ基は低級アルコ
   キシ基で置換されていても良い。）、低級アルキルチオ
   基、低級ハロアルコキシ基、低級ハロアルケニルオキシ
   基、低級ハロアルキニルオキシ基、低級ハロアルキルチ
   オ基、フェノキシ基、低級アルキルカルボキシ基、低級
   ハロアルキルカルボキシ基、低級アルキルスルホニルオ
   キシ基、シアノ基、低級アルコキシカルボニル基、ヒド
   ロキシカルボニル基、アミノメチル基、ヒドロキシメチ
   ル基、または低級ハロアルキルスルホニルオキシ基を表
   わす。Ｒ＾２およびＲ＾３は同一あるいは相異なりハロ
   ゲン原子または低級ハロアルキル基を表わす（ただし、
   Ｒ＾２、Ｒ＾３が共にピリミジン環に対してオルト位で
   あることはない。）。〕で示される化合物。