JPH0321544B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

この発明は、一般式 ［式中、R¹ _bは保護されたアミノ基、R⁵はメル
カプト保護基、R³はカルボキシ基、または保護
されたカルボキシ基、Z¹はアジド基、アミノ基、
ホルムアミド基、またはイソシアノ基を意味す
る］ で示される化合物およびその塩類に関するもので
ある。 この発明の目的化合物（）は、例えば、公知
化合物（−ａ）または（−ｂ）から出発して
下記反応式で示される方法またはその類似方法に
より製造される。 （式中、R¹ _b、R³およびR⁵は前と同じ意味であ
り、R^aはアシルアミノ基から−CONH−基を除
いた残基、Z^aはハロゲンを意味する） （式中、R¹ _b，R³，R⁵およびZ^aは前と同じ意味） （式中、R¹ _b、R³およびR⁵は前と同じ意味） 上記製法ＡおよびＢにおいて、出発原料（−
ａ）および（−ｂ）は公知であり、その代表的
化合物は下記文献に記載されている。

【式】 ジヤーナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカ
ル・ソサイアテイ、第94巻、第1021頁 ジヤーナル・オブ・ザ・ケミカル・ソサイアテ
イ、ケミカル・コミユニケイシヨン、1978年、第
239頁 この発明の目的化合物（）は、例えば一般式 ［式中、R¹ _bは前と同じ意味、Ａは式

【式】

【式】または

【式】 （式中、R³は前と同じ意味、R⁴は水素、ヒド
ロキシ基、またはアシル基を意味する） で示される基を意味する］ で示される、病原微生物、特に真菌に対して優れ
た抗菌活性を示す新規なセフアロスポリン類縁化
合物（）またはその塩類を合成するための原料
として有用である。 このセフアロスポリン類縁化合物（）は次の
方法で製造することができる。 ［式中、R¹ _b、R³およびR⁵は前と同じ意味であ
り、 R⁴ _aはアシル基、 R⁴ _bはモノ（もしくはジもしくはトリ）ハロ（低
級）アルカンスルホニル基、 A¹は式

【式】

【式】または

【式】 （式中、R³ _aは保護されたカルボキシ基を意味
し、R⁴は前と同じ意味） で示される基、 A²は式

【式】

【式】または

【式】 （式中、R⁴は前と同じ意味） で示される基をそれぞれ意味する］ この発明の目的化合物（）および化合物
（）において、分子中に１個以上の不斉炭素原
子を含むことにより、１種またはそれ以上の立体
異性体の組が存在することがあるが、これらの異
性体は何れもこの発明に包含されるものとする。 化合物（）において、骨格となる化学構造
は、この明細書を通じて、下記の構造式と命名法
によつて表わされる。

【式】 ５−チア−１，３−ジアザビシクロ［4.2.0］
オクタン

【式】 ５−チア−１，３−ジアザビシクロ［4.2.0］
オクト−２−エン

【式】 ５−チア−１，３−ジアザビシクロ［4.2.0］
オクト−３−エン 化合物（−１）ないし（−８）および化合
物（）を含めて、目的化合物（）の適当な塩
類としては、医薬上許容される塩類、特に慣用さ
れる非毒性塩が含まれ、ナトリウム塩、カリウム
塩等のアルカリ金属塩、カルシウム塩、マグネシ
ウム塩等のアルカリ土類金属塩のような金属塩、
アンモニウム塩等の無機塩基との塩類、トリメチ
ルアミン塩、トリエチルアミン塩、ピリジン塩、
ピコリン塩、シジクロヘキシルアミン塩、Ｎ，
N′−ジベンジルエチレンジアミン塩、Ｎ−メチ
ルグルカミン塩、ジエタノールアミン塩、トリエ
タノールアミン塩、トリス（ヒドロキシメチルア
ミン）メタン塩等の有機アミン塩のような有機塩
基との塩類、ぎ酸塩、酢酸塩、マレイン酸塩、酒
石酸塩、メタンスルホン酸塩、ベンゼンスルホン
酸塩、トルエンスルホン酸塩等の有機カルボン酸
またはスルホン酸付加塩、塩酸塩、臭化水素酸
塩、硫酸塩、燐酸塩等の無機酸付加塩、およびア
ルギニン塩、アスパラギン酸塩、グルタミン酸塩
等の塩基性または酸性アミノ酸との塩類が含まれ
る。 この明細書中の上記および下記の説明におい
て、種々の定義およびそれに含まれる適当な例に
ついて説明すると、次の通りである。 「低級」の語は、特にことわらない限り、炭素
数１ないし６個の基を包含するものとし、「高級」
の語は、特にことわらない限り炭素数７ないし18
個の基を包含するものとする。 保護されたアミノ基における適当なアミノ保護
基としては、後述のアシル基が含まれ、そのう
ち、フエニル（低級）アルカノイル基およびフエ
ノキシ（低級）アルカノイル基が好ましい。 適当なアシル基、並びにアシルアミノ基におけ
るアシル部分としては、セフアロスポリン化合物
およびペニシリン化合物において、７位または６
位のアミノ基に結合するアシル基として慣用され
るものが含まれ、また適当なアシル基には、脂肪
族アシル基、芳香環を含むアシル基（以下、芳香
族アシル基という）、および複素環を含むアシル
基（以下、複素環式アシルという）が含まれる。 上記アシルの適当な例としては、ホルミル、ア
セチル、サクシニル、ヘキサノイル、ヘプタノイ
ル、ステアロイル等の低級または高級アルカノイ
ル基、メトキシカルボニル、エトキシカルボニ
ル、第３級ブトキシカルボニル、第３級ペンチル
オキシカルボニル、ヘプチルオキシカルボニル等
の低級または高級アルコキシカルボニル基、メタ
ンスルホニル、エタンスルホニル等の低級または
高級アルカンスルホニル基のような脂肪族アシル
基、ベンゾイル、トルオイル、ナフトイル等のア
ロイル基、フエニルアセチル、フエニルプロピオ
ニル等のフエニル（低級）アルカノイル等のアル
（低級）アルカノイル基、フエノキシカルボニル、
ナフチルオキシカルボニル等のアリールオキシカ
ルボニル基、フエノキシアセチル、フエノキシプ
ロピオニル等のフエノキシ（低級）アルカノイル
等のアリールオキシ（低級）アルカノイル基、フ
エニルグリオキシロイル、ナフチルグリオキシロ
イル等のアリールグリオキシロイル基、ベンゼン
スルホニル、ｐ−トルエンスルホニル等のアレー
ンスルホニル基のような芳香族アシル基、テノイ
ル、フロイル、ニコチノイル等の複素環カルボニ
ル基、チエニルアセチル、チアゾリルアセチル、
テトラゾリルアセチル等の複素環（低級）アルカ
ノイル基、チアゾリルグリオキシロイル、チエニ
ルグリオキシロイル等の複素環グリオキシロイル
基のような複素環式アシル基が含まれ、上記複素
環カルボニル基、複素環（低級）アルカノイル
基、および複素環グリオキシロイル基における複
素環部分としては、例えば酸素、硫黄、窒素等の
複素原子を少なくとも１個有する飽和または不飽
和、単環または多環複素環式基が含まれる。その
うち、特に好ましい複素環式基としては、例えば
ピロリル、ピロリニル、イミダゾリル、ピラゾリ
ル、ピリジルおよびそのＮ−オキサイド、ジヒド
ロピリジル、ピリミジニル、ピラジニル、ピリダ
ジニル、例えば4H−１，２，４−トリアゾリル、
1H−１，２，３−トリアゾリル、2H−１，２，
３，−トリアゾリルのようなトリアゾリル、例え
ば1H−テトラゾリル、2H−テトラゾリルのよう
なテトラゾリル等の１ないし４個の窒素原子を含
む不飽和３ないし８員（好ましくは５または６
員）単環複素環式基、ピロリジニル、イミダゾリ
ジニル、ピペリジノ、ピペラジニル等の１ないし
４個の窒素原子を含む飽和３ないし８員（好まし
くは５または６員）単環複素環式基、インドリ
ル、イソインドリル、インドリジニル、ベンズイ
ミダゾリル、キノリル、イソキノリル、インダゾ
リル、ベンゾトリアゾリル等の１ないし４個の窒
素原子を含む不飽和縮合複素環式基、オキサゾリ
ル、イソオキサゾリル、例えば１，２，４−オキ
サジアゾリル、１，３，４−オキサジアゾリル、
１，２，５−オキサジアゾリルのようなオキサジ
アゾリル等の１ないし２個の酸素原子と１ないし
３個の窒素原子とを含む不飽和３ないし８員）
（好ましくは５または６員）単環複素環式基、モ
ルホリニル、シドノニル等の１ないし２個の酸素
原子と１ないし３個の窒素原子とを含む飽和３な
いし８員（好ましくは５または６員）単環複素環
式基、ベンズオキサゾリル、ベンズオキサジアゾ
リル等の１ないし２個の酸素原子と１ないし３個
の窒素原子とを含む不飽和縮合複素環式基、チア
ゾリル、イソチアゾリル、例えば１，２，３−チ
アジアゾリル、１，２，４−チアジアゾリル、
１，３，４−チアジアゾリル、１，２，５−チア
ジアゾリルのようなチアジアゾリル、ジヒドロチ
アジニル等の１ないし２個の硫黄原子と１ないし
３個の窒素原子とを含む不飽和３ないし８員（好
ましくは５または６員）単環複素環式基、チアゾ
リジニル等の１ないし２個の硫黄原子と１ないし
３個の窒素原子とを含む飽和３ないし８員（好ま
しくは５または６員）単環複素環式基、チエニ
ル、ジヒドロジチイニル等の１ないし２個の硫黄
原子を含む不飽和３ないし８員（好ましくは５ま
たは６員）単環複素環式基、ベンゾチアゾリル、
ベンゾチアジアゾリル等の１ないし２個の硫黄原
子と１ないし３個の窒素原子とを含む不飽和縮合
複素環式基、フリル等の酸素原子を含む不飽和３
ないし８員（好ましくは５ないし６員）単環複素
環式基、ジヒドロオキサチイニル等の酸素原子と
１ないし２個の硫黄原子とを含む不飽和３ないし
８員（好ましくは５ないし６員）単環複素環式
基、ベンゾチエニル、ベンゾジチイニル等の１な
いし２個の硫黄原子を含む不飽和縮合複素環式
基、ベンゾオキサチイニル等の酸素原子と１ない
し２個の硫黄原子とを含む不飽和縮合複素環式基
等が含まれる。 上に述べたアシル部分は、所望により、１ない
し10個の同一または異なる適当な置換基を有して
いてもよい。置換基としては、例えばメチル、エ
チル等の低級アルキル基、メトキシ、エトキシ、
プロポキシ等の低級アルコキシ基、メチルチオ、
エチルチオ等の低級アルキルチオ基、メチルアミ
ノ等の低級アルキルアミノ基、シクロペンチル、
シクロヘキシル等のシクロ（低級）アルキル基、
シクロヘキセニル、シクロヘキサジエニル等のシ
クロ（低級）アルケニル基、ヒドロキシ基、クロ
ロ、ブロモ等のハロゲン、アミノ基、保護された
アミノ基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、
後述の保護されたカルボキシ基、スルホ基、スル
フアモイル基、イミノ基、オキソ基、アミノメチ
ル、アミノエチル等のアミノ（低級）アルキル
基、式 ＝Ｎ−OR⁸ ［式中、R⁸は水素、前述の低級アルキル基、
ビニル、アリル、２−ブテニル等の低級アルケニ
ル基、エチニル、２−プロピニル等の低級アルキ
ニル基、ベンジル、フエネチル等のフエニル（低
級）アルキルのようなアル（低級）アルキル基、
メチルチオメチル、メチルチオエチル等の低級ア
ルキルチオ（低級）アルキル基、カルボキシメチ
ル、カルボキシエチル等のカルボキシ（低級）ア
ルキル基、または後述の保護されたカルボキシで
置換されたメチル、エチル等の低級アルキル基を
意味する］ で示される基が含まれる。 R³およびR⁴ _aの好ましいアシル基としては、ホ
ルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イ
ソブチリル、バレリル、イソバレリル、ヘキサノ
イル等の低級アルカノイル基、およびクロロメタ
ンスルホニル、ジクロロメタンスルホニル、トリ
フルオロメタンスルホニル、トリフルオロエタン
スルホニル、トリクロロエタンスルホニル等のモ
ノ（もしくはジもしくはトリ）ハロ（低級）アル
カンスルホニル基が含まれる。 適当なモノ（もしくはジもしくはトリ）ハロ
（低級）アルカンスルホニル基としては、前述の
ものが含まれる。 適当なメルカプト保護基としては、前述のアシ
ル基、およびベンジル、ベンズヒドリル、トリチ
ル、４−ニトロベンジル等の所望によりニトロで
置換されていてもよいモノ（もしくはジもしくは
トリ）フエニル（低級）アルキルのようなアル
（低級）アルキル基等が含まれ、そのうちアシル
基としては、低級アルカノイル、低級アルコキシ
カルボニル、モノ（もしくはジもしくはトリ）ハ
ロ（低級）アルコキシカルボニルが好ましく、ト
リハロ（低級）アルコキシカルボニルがさらに好
ましく、２，２，２−トリクロロエトキシカルボ
ニルが最も好ましい。 保護されたカルボキシ基における適当なカルボ
キシ保護基としては、セフアロスポリン化合物お
よびペニシリン化合物において、４位または３位
のカルボキシ基の保護基として慣用されるものが
含まれる。 上記エステルの適当な例としては、メチルエス
テル、エチルエステル、プロピルエステル、イソ
プロピルエステル、ブチルエステル、イソブチル
エステル、第３級ブチルエステル、ペンチルエス
テル、第３級ペンチルエステル、ヘキシルエステ
ル等の低級アルキルエステル、１−シクロプロピ
ルエチルエステル等の低級シクロアルキル（低
級）アルキルエステル、ビニルエステル、アリル
エステル等の低級アルケニルエステル、エチニル
エステル、プロピニルエステル等の低級アルキニ
ルエステル、メトキシメチルエステル、エトキシ
メチルエステル、イソプロポキシメチルエステ
ル、１−メトキシエチルエステル、１−エトキシ
エチルエステル等の低級アルコキシアルキルエス
テル、メチルチオメチルエステル、エチルチオメ
チルエステル、エチルチオエチルエステル、イソ
プロピルチオメチルエステル等の低級アルキルチ
オアルキルエステル、２−ヨードエチルエステ
ル、２，２，２−トリクロロエチルエステル等の
モノ（もしくはジもしくはトリ）ハロ（低級）ア
ルキルエステル、アセトキシメチルエステル、プ
ロピオニルオキシメチルエステル、ブチリルオキ
シメチルエステル、バレリルオキシメチルエステ
ル、ピバロイルオキシメチルエステル、ヘキサノ
イルオキシメチルエステル、２−アセトキシエチ
ルエステル、２−プロピオニルオキシエチルエス
テル等の低級アルカノイルオキシ（低級）アルキ
ルエステル、メシルメチルエステル、２−メシル
エチルエステル等の低級アルカンスルホニル（低
級）アルキルエステル、ベンジルエステル、４−
メトキシベンジルエステル、４−ニトロベンジル
エステル、フエネチルエステル、トリチルエステ
ル、ジフエニルメチルエステル、ビス（メトキシ
フエニル）メチルエステル、３，４−ジメトキシ
ベンジルエステル、４−ヒドロキシ−３，５−ジ
第３級ブチルベンジルエステル等の所望によりニ
トロ、ヒドロキシ、低級アルコキシ等の１個また
はそれ以上の適当な置換基を有していてもよいア
ル（低級）アルキルエステル（例えばフエニル
（低級）アルキルエステル）、フエニルエステル、
トリルエステル、第３級ブチルフエニルエステ
ル、キシリルエステル、メシチルエステル、クメ
ニルエステル、４−クロロフエニルエステル、４
−メトキシフエニルエステル等の所望により１個
またはそれ以上の適当な置換基を有していてもよ
いアリールエステル（例えば所望によりハロゲ
ン、低級アルコキシ等で置換されていてもよいア
ルキル置換または非置換フエニルエステル）、ト
リ（低級）アルキルシリルエステル等が含まれ
る。 カルボキシ保護基の好ましい例としては、低級
アルコキシ（低級）アルキルエステル、所望によ
りニトロで置換されていてもよいフエニル（低
級）アルキルエステル、および低級アルカノイル
オキシ（低級）アルキルエステルが含まれる。 セフアロスポリン類縁化合物（）の製造法を
詳しく説明すると次の通りである。 (1) 方法１ 化合物（−１）またはその塩類は、化合物
（）′またはその塩類を閉環反応に付すことによ
り製造される。 この閉環反応は、化合物（）′のメルカプト
保護基を除去することにより行なわれる。 この反応によると、化合物（）′のメルカプ
ト保護基が一度除かれ、生成する遊離メルカプト
基を有する化合物が直ちに閉環して化合物（−
１）を生成する。 この除去反応の適当な方法としては、還元、加
水分解、銀塩を用いる方法等が含まれる。上記の
方法で用いる適当な試薬を例示すると次の通りで
ある。 (i) 加水分解 加水分解は、好ましくは酸の存在下に行なわれ
る。 適当な酸としては、塩酸、臭化水素酸、硫酸等
の無機酸、ぎ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、プロ
ピオン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンス
ルホン酸等の有機酸、酸性イオン交換樹脂等が含
まれ、そのうち酢酸等の弱酸が好ましい。 加水分解は、通常、水、メタノール、エタノー
ル、プロパノール、テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド、ジオキサン等のこの反
応に悪影響を与えない慣用溶媒またはこれらの混
合物中で行なわれる。 加水分解の反応温度は特に限定されないが、通
常冷却下ないし室温で行なわれる。 (ii) 還元 還元は、化学還元および接触還元等の常法によ
り行なわれる。 化学還元に用いる適当な還元剤としては、金属
（例えば錫、亜鉛、鉄等）または金属化合物（例
えば塩化クロム、酢酸クロム等）と有機または無
機酸（例えばぎ酸、酢酸、プロピオン酸、トリフ
ルオロ酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸、塩酸、臭
化水素酸等）との組合せが含まれる。 接触還元に用いる適当な触媒としては、白金触
媒（例えば白金板、白金海綿、白金黒、コロイド
白金、酸化白金、白金線等）、パラジウム触媒
（例えばパラジウム海綿、パラジウム黒、酸化パ
ラジウム、パラジウム・炭酸、コロイドパラジウ
ム、パラジウム・硫酸バリウム、パラジウム・炭
酸バリウム等）、ニツケル触媒（例えば還元ニツ
ケル、酸化ニツケル、ラネーニツケル等）、コバ
ルト触媒（例えば還元コバルト、ラネーコバルト
等）、鉄触媒（例えば還元鉄、ラネ−鉄等）、銅触
媒（例えば還元銅、ラネ−銅、ウルマン銅等）が
含まれる。 還元反応は、通常水、メタノール、エタノー
ル、プロパノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド等のこの反応に悪影響を与えない慣用溶媒、ま
たはこれらの混合物中で行なわれる。上記化学還
元に用いる酸が液体の場合、溶媒を兼ねて用いる
ことができる。接触還元に用いる適当な溶媒とし
ては、上記の溶媒のほか、ジエチルエーテル、ジ
オキサン、テトラヒドロフラン等の慣用溶媒、お
よびそれらの混合物が含まれる。 還元の反応温度は特に限定されないが、通常冷
却下ないし室温で行なわれる。 (iii) 酸の銀塩を用いる方法 適当な酸の銀塩としては、フルオロほう酸銀、
過塩素酸銀等が含まれる。 この反応は、酸性条件下に行なうのが好まし
い。 (2) 方法２ 化合物（−２）またはその塩類は、化合物
（−１）またはその塩類を還元することにより
製造される。 この還元は、Ｃ＝Ｎ−基をCH−NH−基
に還元し得る常法、例えば方法１で述べた還元
剤、水素化ほう素アルカリ金属（例えば水素化ほ
う素ナトリウム、水素化シアノほう素ナトリウム
等）、水素化アルミニウム、水素化ジイソプロピ
ルアルミニウム、金属アマルガム（例えばアルミ
ニウムアマルガム等）、ボランとアミン（例えば
第３級ブチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリ
ン、ルチジン、モルホリン、Ｎ−フエニルモルホ
リン、トリエチルアミン等）とのコンプレツク
ス、ボランとエーテル（例えばテトラヒドロフラ
ン等）とのコンプレツクス、ジボラン等を用いる
方法により行なわれる。 還元反応は、通常水、メタノール、エタノー
ル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラヒド
ロフラン等のこの反応に悪影響を与えない慣用溶
媒、またはこれらの混合物中で行なわれる。 還元の反応温度は特に限定されないが、通常冷
却下ないし室温で行なわれる。 (3) 方法３ 化合物（−３）またはその塩類は、化合物
（−２）またはその塩類にアシル化剤を反応さ
せることにより製造される。 この反応に用いるアシル化剤としては、有機カ
ルボン酸もしくはスルホン酸またはこれらの反応
性誘導体が含まれる。 アシル化剤における適当な反応性誘導体として
は、例えば酸ハライド、酸無水物、活性アミド、
活性エステル等が含まれ、そのうち好ましいもの
としては、酸クロライド、酸ブロマイド等の酸ハ
ライド、置換燐酸（例えばジアルキル燐酸、フエ
ニル燐酸、ジフエニル燐酸、ジベンジル燐酸、ハ
ロゲン化燐酸）混合無水物、ジアルキル亜燐酸混
合無水物、亜硫酸混合無水物、チオ硫酸混合無水
物、硫酸混合無水物、アルキル炭酸（例えばメチ
ル炭酸、エチル炭酸、プロピル炭酸）混合無水
物、脂肪族カルボン酸（例えばピバリン酸、ペン
タン酸、イソペンタン酸、２−エチルブタン酸、
トリクロロ酢酸）混合無水物、芳香族カルボン酸
（例えば安息香酸）混合無水物等の混合酸無水物、
対称型酸無水物、イミダゾール、４−置換イミダ
ゾール、ジメチルピラゾール、トリアゾール、テ
トラゾール等のイミノ基含有複素環化合物との活
性アミド、ｐ−ニトロフエニルエステル、２，４
−ジニトロフエニルエステル、トリクロロフエニ
ルエステル、ペンタクロロフエニルエステル、メ
シルフエニルエステル、フエニルアゾフエニルエ
ステル、フエニルチオエステル、ｐ−ニトロフエ
ニルチオエステル、ｐ−クレジルチオエステル、
カルボキシメチルチオエステル、ピリジルエステ
ル、ピペリジルエステル、８−キノリルチオエス
テル、Ｎ−ヒドロキシ化合物（例えばＮ，Ｎ−ジ
メチルヒドロキシルアミン、１−ヒドロキシ−２
（1H）−ピリドン、Ｎ−ヒドロキシサクシンイミ
ド、Ｎ−ヒドロキシフタルイミド、１−ヒドロキ
シベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシ−６−ク
ロロベンゾトリアゾール等）とのエステル等の活
性エステル等が含まれる。適当な反応性誘導体
は、実際に用いる化合物（−２）の種類に応じ
て適宜選択される。 アシル化反応は、好ましくはリチウム、ナトリ
ウム、カリウム等のアルカリ金属、カルシウム、
マグネシウム等のアルカリ土類金属、水素化ナト
リウム等の水素化アルカリ金属、水素化カルシウ
ム等の水素化アルカリ土類金属、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属、炭
酸ナトリウム、炭酸カリウム等の炭酸アルカリ金
属、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等の
炭酸水素アルカリ金属、ナトリウムメトキサイ
ド、ナトリウムエトキサイド、カリウム第３級ブ
トキサイド等のアルカリ金属アルコキサイド、ト
リエチルアミン等のトリアルキルアミン、ピリジ
ン、ルチジン、ピコリン等のピリジン化合物、キ
ノリン等のような有機または無機塩基の存在下に
行なわれる。 この反応は、通常水、アセトン、ジオキサン、
アセトニトリル、クロロホルム、ベンゼン、メチ
レンクロライド、エチレンクロライド、テトラヒ
ドロフラン、酢酸エチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、ピリジン、ヘキサメチルホスホルアミ
ド等のこの反応に悪影響を与えない慣用溶媒、ま
たはこれらの混合物中で行なわれる。これらの溶
媒中、親水性溶媒は水と混合して用いることがで
きる。反応は、通常冷却下に行なわれる。 この反応において、アシル化剤を遊離酸または
その塩の状態で使用する際は、例えば、Ｎ，
N′−ジシクロヘキシルカルボジイミド、Ｎ−シ
クロヘキシル−N′−モルホリノエチルカルボジ
イミド、Ｎ−シクロヘキシル−N′−（４−ジエチ
ルアミノシクロヘキシル）カルボジイミド、Ｎ，
N′−ジエチルカルボジイミド、Ｎ，N′−ジイソ
プロピルカルボジイミド、Ｎ−エチル−N′−（３
−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド等の
カルボジイミド化合物、Ｎ，N′−カルボニルビ
ス（２−メチルイミダゾール）、ペンタメチレン
ケテン−Ｎ−シクロヘキシルイミン、ジフエニル
ケテン−Ｎ−シクロヘキシルイミン等のケテンイ
ミン化合物、エトキシアセチレン、β−クロロビ
ニルエチルエーテル等のオレフインもしくはアセ
チレンエーテル化合物、１−（４−クロロベンゼ
ンスルホニルオキシ）−６−クロロ−1H−ベンゾ
トリアゾール等のＮ−ヒドロキシベンゾトリアゾ
ール化合物スルホン酸エステル、トリアルキルホ
スフアイトもしくはトリフエニルホスフアイトと
４塩化炭素、ジスルフイドもしくはジアザカルボ
キシレートとの組合せ、ポリ燐酸エチル、ポリ燐
酸イソプロピル、塩化ホスホリル、５塩化燐等の
燐化合物、塩化チオニル、塩化オキサリル、Ｎ−
エチルベンズイソキサゾリウム塩、２−エチル−
５（ｍ−スルホフエニル）イソキサゾリウムヒド
ロキサイド分子内塩、ジメチルホルムアミド、ジ
エチルアセトアミド、Ｎ−メチルホルムアミド等
のアミド化合物と塩化チオニル、塩化ホスホリ
ル、ホスゲン等のハロゲン化合物との反応で得ら
れるいわゆるビルマイヤー試薬等の縮合剤の存在
下に行なうのが好ましい。 反応温度は特に限定されないが、通常冷却下な
いし室温で行なわれる。 (4) 方法４ 化合物（−４）またはその塩類は、化合物
（−２）またはその塩類を酸化することにより
製造される。 この反応で用いる酸化剤としては、硫酸第２
銅、塩化第２銅等の銅化合物、塩化第２鉄、フエ
リシアン化カリウム等の鉄化合物、テトラクロロ
−１，４−ベンゾキノン、テトラクロロ−１，２
−ベンゾキノン、２，３−ジクロロ−５，６−ジ
シアノ−１，４−ベンゾキノン等のベンゾキノン
化合物、上記第２銅化合物および塩化第１銅等の
第１銅化合物のような銅化合物と酸素との組合せ
等の、アミノ基をヒドロキシアミノ基に酸化し得
る慣用酸化剤が含まれる。 この反応は、通常水、酢酸、ベンゼン等のこの
反応に悪影響を与えない慣用溶媒、またはこれら
の混合物中で行なわれる。 反応温度は特に限定されないが、室温で行なわ
れる。 (5) 方法５ 化合物（Ｉ−６）またはそ塩類は、化合物（
−５）またはその塩類をＣ＝Ｎ結合の生成反応に
付すことにより製造される。 この反応は、塩基の存在下に行なわれる。塩基
としては、水素化ナトリウム、水素化カリウム等
の水素化アルカリ金属、水素化カルシウム等の水
素化アルカリ土類金属のような無機塩基、トリエ
チルアミン、ジイソプロピルエチルアミン等のト
リアルキルアミン、１，５−ジアザビシクロ
［3.4.0］ノン−５−エン、１，５−ジアザビシク
ロ［5.4.0］ウンデス−５−エン、１，４−ジア
ザビシクロ［2.2.2］オクタン等のジアザビシク
ロ化合物のような有機塩基、ナトリウムトリフエ
ニルメチド、リチウムトリフエニルメチド、カリ
ウムトリフエニルメチド等のアルカリ金属トリフ
エニルメチドのような金属トリフエニルメチド、
リチウムジイソプロピルアミド、リチウムイソプ
ロピルシクロヘキシルアミド等のリチウムジアル
キルもしくはアルキルシクロアルキルアミド等が
含まれる。 この反応は、メチレンクロライド、クロロホル
ム、４塩化炭素、テトラヒドロフラン等のこの反
応に悪影響を与えない慣用溶媒、またはこれらの
混合物中で、好ましくは無水条件下に行なわれ
る。 反応温度は特に限定されないが、通常冷却下な
いし室温で行なわれる。 (6) 方法６ 化合物（−８）またはその塩類は、化合物
（−７）またはその塩類をカルボキシ保護基の
脱離反応に付すことにより製造される。 この反応は、加水分解、還元、ルイス酸を使用
する方法等の慣用される方法により行なわれる。 加水分解および還元の方法および反応条件（例
えば反応温度、溶媒等）は、方法１において化合
物（）′のメルカプト保護基の脱離反応として
説明したのと実質的に同様なので、上記の説明を
援用する。 ルイス酸を用いる方法は、置換または非置換ア
ル（低級）アルキルエステルの脱離に用いるのが
好ましく、化合物（−７）またはその塩類を、
３塩化ほう素、３ふつ化ほう素等の３ハロゲン化
ほう素、４塩化チタン、４臭化チタン等の４ハロ
ゲン化チタン、４塩化錫、４臭化錫等の４ハロゲ
ン化錫、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム等
のハロゲン化アルミニウムものようなルイス酸と
反応させることにより行なわれる。 この脱離反応は、例えばアニソール、フエノー
ル等のカチオン捕促剤の存在下に行なうのが好ま
しく、通常ニトロメタン、ニトロエタン等のニト
ロアルカン、メチレンクロライド、エチレンクロ
ライド等のアルキレンクロライド、ジエチルエー
テル、２硫化炭素、またはその他のこの反応に悪
影響を与えない溶媒中で行なわれる。これらの溶
媒は、混合して用いることができる。反応温度は
特に限定されないが、通常冷却下、室温ないしは
加温下に行なわれる。 上記方法１ないし６により得られる化合物
（）は、単離せずにそのまま次の工程に用いる
ことができる。 次に、この発明の目的化合物（）の製造法を
詳しく説明すると次の通りである。 (A) 製法Ａ １ 製法 化合物（−１）は、化合物（−ａ）に式
R³−CHO（式中、R³は前と同じ意味）で示され
る化合物を、常法で反応させることにより製造さ
れる。 この反応は、無水条件下に行なうのが好まし
い。また、反応は前述したトリアルキルアミン等
の塩基、または前述したルイス酸等の酸の存在下
に行なうことができる。 この反応は、通常ベンゼン、キシレン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド等のこの反応に悪影響を
与えない慣用溶媒中で行なわれ、反応温度は特に
限定されないが、通常室温ないし加熱下に行なわ
れる。 ２ 製法 化合物（−２）は、化合物（−１）を常法
によつてハロゲン化することにより製造される。 この反応で用いるハロゲン化剤としては、３塩
化燐、３臭化燐、５塩化燐、オキシ塩化燐等の燐
ハロゲン化合物、塩化チオニル、ホスゲン等のよ
うなヒドロキシ基をハロゲン化し得るものが含ま
れる。 この反応は、通常方法３について述べた塩基の
存在下に、メチレンクロライド、クロロホルム等
のこの反応に悪影響を与えない慣用溶媒中で行な
われ、反応温度は特に限定されないが、通常冷却
下ないし室温で行なわれる。 ３ 製法 化合物（−３）は、化合物（−２）を常法
によつてアジド化することにより製造される。 この反応で用いるアジド化剤としては、アジ化
水素およびその塩類（例えばアジ化ナトリウム、
アジ化テトラメチルグアニジニウム等）が含まれ
る。 この反応は、通常メチレンクロライド、クロロ
ホルム、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のこの
反応に悪影響を与えない慣用溶媒中で行なわれ、
反応温度は特に限定されないが、通常冷却下ない
し室温で行なわれる。 ４ 製法 化合物（−４）は、化合物（−３）に酸の
銀塩を常法で反応させることにより製造される。 この反応で用いる銀塩としては、フルオロほう
酸銀、過塩素酸銀等が含まれる。 この反応は、方法１について述べた酸の存在下
に行なうのが好ましい。 この反応は、通常水、テトラヒドロフラン等の
この反応に悪影響を与えない慣用溶媒中で行なわ
れ、反応温度は特に限定されないが、通常冷却下
ないし室温で行なわれる。 ５ 製法 化合物（−５）は、化合物（−４）に常法
によつてメルカプト保護基を導入することにより
製造される。 この反応は、また、化合物（−４）を硫化水
素により遊離メルカプト基を有する化合物に導
き、次いでメルカプト保護基を導入することによ
り行なうこともでき、この方法もこの製法に含ま
れる。 この反応は、方法３における化合物（−２）
のアシル化反応として説明した反応と実質的に同
一であるから、上記の説明を援用する。 (B) 製法Ｂ １ 製法 化合物（−６）は、化合物（−ｂ）に常法
によつてメルカプト保護基を導入することにより
製造される。 この反応は、方法３における化合物（−２）
アシル化反応として説明した反応と実質的に同一
であるから、上記の説明を援用する。 ２ 製法 化合物（−７）は、化合物（−６）に塩基
を常法で反応させることにより製造される。 この反応で用いる塩基としては、方法３で述べ
たものが含まれる。 この反応は、通常ベンゼン、トルエン等のこの
反応に悪影響を与えない慣用溶媒中で行なわれ、
反応温度は特に限定されないが、通常室温で行な
われる。 ３ 製法 化合物（−８）は、化合物（−７）に常法
によつてオゾンを反応させ、生成するオゾニドを
分解することにより製造される。 化合物（−７）とオゾンと反応で生成するオ
ゾニドは、通常ジメチルスルフイド、トリメチル
ホスフアイト、亜硫酸水素ナトリウム、亜硫酸ナ
トリウム等により還元される。 この反応、通常酢酸エチル等のこの反応に悪影
響を与えない慣用溶媒中で行なわれ、反応温度は
特に限定されないが、通常冷却下に行なわれる。 ４ 製法 化合物（−９）は、化合物（−８）を常法
によつて還元することにより製造される。 この反応で用いる還元剤としては、水素化ほう
素ナトリウム、水素化シアノほう素ナトリウム等
の水素化ほう素アルカリ金属、方法２で述べたボ
ランコンプレツクス、ジボラン、アルミニウムア
マルガム等のオキソ基をヒドロキシ基に還元し得
る慣用還元剤が含まれる。 この反応は、通常テトラヒドロフラン等のこの
の反応に悪影響を与えない慣用溶媒中で行なわ
れ、反応温度は特に限定されないが、通常冷却下
に行なわれる。 ５ 製法 化合物（−10）は、化合物（−９）を常法
によつてハロゲン化することにより製造される。 こ反応は、製法Ａ−で説明した反応と実質的
に同一なので、ハロゲン化剤および反応条件（溶
媒、反応温度等）については上記の説明を援用す
る。 ６ 製法 化合物（−５）は、化合物（−10）を常法
によつてアジド化することにより製造される。 この反応は、製法Ａ−で説明したのと実質的
に同一なので、アジド化剤および反応条件（溶
媒、反応温度等）については上記の説明を援用す
る。 Ｃ 製法Ｃ １ 製法 化合物（−11）は、化合物（−５）を常法
によつて還元することにより製造される。 この反応の還元方法は、方法１について説明し
た還元方法と実質的に同一なので、還元剤および
反応条件（溶媒、反応温度等）については上記の
説明を援用する。また、還元剤としては、方法３
で説明した塩基の存在下に硫化水素を用いること
が含まれる。 ２ 製法 化合物（−12）は、化合物（−11）を常法
によつてホルミル化することにより製造される。 この反応は、方法３で説明したのと実質的に同
一なので、反応条光（溶媒、反応温度等）につい
ては上記の説明を援用する。 ３ 製法 化合物（）′は、化合物（−12）に脱水剤
を常法によつて反応させることにより製造され
る。 この反応で用いる脱水剤としては、３塩化燐、
３臭化燐、オキシ塩化燐、５塩化燐等の燐ハロゲ
ン化物、トリフエニルホスフインジブロマイド、
５酸化燐、ホスゲン、塩化チオニル、クロロぎ酸
トリクロロメチル、イソシアヌール酸クロライ
ド、ベンゼンスルホニルクロライド、トルエンス
ルホニルクロライド等ののスルホニルハライドの
ような慣用脱水剤が含まれる。 この反応は、方法３で述べた塩基の存在下に行
なうのが好ましい。 また、この反応は通常メチレンクロライド、ク
ロロホルム等のこの反応に悪影響を与えない慣用
溶媒中で行なわれ、反応温度は特に限定されない
が、通常冷却下ないし室温で行なわれる。 上記方法１ないし６および製法ＡないしＣにお
いて、化合物が光学および／または幾何異性を有
する場合、反応中および／または後処理中に他の
光学および／または幾何異性体に変換される場合
があるが、この場合もこの発明に含まれるものと
する。 また、セフアロスポリン類縁化合物（）が２
位に遊離カルボキシ基を有する場合、常法により
これらを医薬上許容される塩類に導くことができ
る。この化合物（）およびその塩類は、新規で
あり、高い抗菌力示し、広範囲の病原微生物、特
に真菌の生育を阻害する。 例えば、７−フエノキシアセトアミド−８−オ
キソ−５−チア−１，３−ジアザビシクロ
［4.2.0］オクト−３−エン−２−カルボン酸ナト
リウムは、キヤンジダ・アルビカンスYu−1200
およびトリコフイートン・アステロイデスに対し
て抗菌性示し、７−フエノキシアセトアミド−８
−オキソ−３−ヒドロキシ−５−チア−１，３−
ジアザヒシクロ［4.2.0］オクタン−２−カルボ
ン酸は、上記真菌に加えて、スタフイロコツカ
ス・アウレウス20P・JC−１に対して抗菌性示
す。 さらに、化合物（）は、上記化合物のような
抗菌性物質を製造する中間体としても有用であ
る。 次に、この発明を製造例、実施例および参考例
により詳細に説明する。 ［目的化合物の製造］ 製造例 １ モレキユーラーシーブ3A（商標名、半井化学社
製）を充填したデイーンスターク冷却器を500ml
容のフラスコに付設し、これに３−フエノキシメ
チル−６−オキソ−２−チア−４，７−ジアザビ
シクロ［3.2.0］ヘプト−３−エン（995mg）、グ
ルオキシル酸ベンジルエステル（6.2ｇ）および
ベンゼン（80ml）を仕込む。混合物を3.5時間加
熱還流する。ベンゼン（40ml）を留去し、残留液
を室温に冷却し、これに25％亜硫酸水素ナトリウ
ム水溶液（150ml）を加える。混合物を半時間撹
拌し、沈殿を濾過し、ベンゼンで洗浄する。有機
層を分取し、水（50ml）で２回、塩化ナトリウム
水溶液（150ml）で２回洗浄する。硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、溶媒を留去すると、油状の７−
（１−ベンジルオキシカルボニル−１−ヒドロキ
シメチル）−３−フエノキシメチル−６−オキソ
−２−チア−４，７−ジアザビシクロ［3.2.0］
ヘプト−３−エン（8.7ｇ）を得る。 I.R.（CH₂Cl₂）：1780，1645cm^-1 製造例 ２ ７−（１−ベンジルオキシカルボニル−１−ヒ
ドロキシメチル）−３−フエノキシメチル−６−
オキソ−２−チア−４，７−ジアザビシクロ
［3.2.0］ヘプト−３−エン（8.3ｇ）および２，６
−ルチジン（6.95ml）をメチレンクロライド（60
ml）に溶かした溶液に、塩化チオニル（3.40ml）
を−20℃で５分間要して滴下し、混合物を同温度
で20分間撹拌し、放置して室温まで昇温させる。
20分間撹拌後、混合物を冷希塩酸中に注入し、酢
酸エチル（150ml）で抽出する。抽出液を希塩酸、
水、希塩化ナトリウム水溶液および飽和塩化ナト
リウム水溶液で順次洗浄する。硫酸マグネシウム
で乾燥し、濾過し、溶媒を留去すると、褐色油状
のの７−（１−ベンジルオキシカルボニル−１ク
ロロメチル）−３−フエノキシメチル−６−オキ
ソ−２−チア−４，７−ジアザビシクロ［3.2.0］
ヘプト−３−エン（8.8ｇ）を得る。 この生成物を、無水クロロホルム450ml）に溶
かし、０℃に冷却する。溶液にアジ化テトラメチ
ルグアニジウム（7.6ｇ）を一度に加え、室温で
30分間撹拌する。得られる溶液を冷希塩酸中に注
入し、酢酸エチル（300ml）で抽出する。抽出液
を希塩化ナトリウム水溶液（50ml×２）、飽和塩
化ナトリウム水溶液、希炭酸水素ナトリウム水溶
液および飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄す
る。硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去する
と、褐色油状物（8.0ｇ）が残留する。これを、
シリカゲル（250ｇ）を用いたベンゼン：アセト
ン（容積比95：５）混合溶媒を溶離液としてクロ
マトグラフイーに付すと、７−（１−ベンジルオ
キシカルボニル−１−アジドメチル）−３−フエ
ノキシメチル−６−オキソ−２−チア−４，７−
ジアザビシクロ［３，２，０］ヘプト−３−エン
（3.70ｇ）を得る。 I.R.（CH₂Cl₂）：2130，1785，1755cm^-1 N.M.R.δppm（CDCl₃）：4.5−5.0（2H，ｍ）， 5.16（ｓ）， 5.43（ｓ） 5.20（ｓ） （2H），5.52（ｓ） 1H， 5.68（1H，ｍ），5.98（1H，ｍ），6.7−7.5（10H，
ｍ） 製造例 ３ ７−（１−ベンジルオキシカルボニル−１−ア
ジドメチル）−３−フエノキシメチル−６−オキ
ソ−２−チア−４，７−ジアザビシクロ［3.2.0］
ヘプト−３−エン（3.0ｇ）をテロラヒドロフラ
ン（48ml）に溶かし冷却した溶液に、テトラフル
オロほう酸銀（2.05ｇ）を加え、次いでｐ−トル
エンスルホン酸（145.8mg）を水（8.1ml）に溶か
した溶液を加える。得られる混合物を０℃で９時
間撹拌し、10mlまで濃縮する。濃縮物にメタノー
ル（５ml）および水（10ml）の混合物を加え、沈
殿をすりつぶし、濾過し、水（３回）、メタノー
ル（５ml）・水（10ml）混液（数回）、メタノー
ル、ジエチルエーテルおよびヘキサンで順次洗浄
すると、２−アジド−２−（３−フエノキシアセ
トアミド−４−メルカプト−２−オキソ−１−ア
ゼチジニル）酢酸ベンジルエステルのメルカプト
基における銀塩（3.75ｇ）を得る。 I.R.（ヌジヨール）：2120，1780，1750，1660（ブ
ロード）cm^-1 実施例 １ ２−アジド−２−（３−フエノキシアセトアミ
ド−４−メルカプト−２−オキソ−１−アゼチジ
ニル）酢酸ベンジルエステルのメルカプト基にお
ける銀塩（3.08ｇ）をヘキサメチルホスホルアミ
ド（12ml）に溶かし、冷却した溶液に、クロロぎ
酸２，２，２−トリクロロエチルエステル（1.15
ml）を３分間要して加え、得られる混合物を室温
で撹拌する。22時間拌幻後、混合物をベンゼン
（15ml）で希釈し、セライト層を通して濾過する。
濾液を冷水中に注入し、酢酸エチル（100ml）で
抽出する。抽出液を水、希炭酸水素ナトリウム水
溶液、水および塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄
する。乾燥後溶媒を留去すると、油状物（3.40
ｇ）が残留する。これを、シリカゲル（60ｇ）を
用いメチレンクロライド：酢酸エチル（容積比
20：１）混合溶媒を溶離液としてクロマトグラフ
イーに付すと、２−アジド−２−［３−フエノキ
シアセトアミド−４−（２，２，２−トリクロロ
エトキシカルボニルチオ）−２−オキソ−１−ア
ゼチジニル］酢酸ベンジルエステル（2.20ｇ）を
得る。別のフラクシヨンから、さらに上と同一化
合物（160mg）が得られる。 I.R.（CH₂Cl₂）：3395，2120，1790，1750，1752，
1695cm^-1 製造例 ４ ３−メチル−２−（３−フエノキシアセトアミ
ド−４−メルカプト−２−オキソ−１−アゼチジ
ニル）−３−ブテン酸ベンジルエステル（2.945
ｇ）に、メチレンクロライド（25ml）およびクロ
ロぎ酸２，２，２−トリクロロエチルエステル
（1.11ml）を、−78℃で撹拌下に加える。得られる
混合物に、ピリジン（0.18ml）を５分間を要して
滴下し、放置して70分間を要して０℃まで昇温さ
せ、０℃を保ちながら45分間撹拌する。反応混合
物を濃縮し、濃縮物を酢酸エチルと氷水との間で
分配させる。有機層を分取し、希塩酸、水、炭酸
水素ナトリウム・塩化ナトリウム水溶液および飽
和塩化ナトリウム水溶液で洗浄する。硫酸マグネ
シウムで乾燥し、溶媒を留去すると、油状の３−
メチル−２−［３−フエノキシアセトアミド−４
−（２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル
チオ）−２−オキソ−１−アゼチジニル］−３−ブ
テン酸ベンジルエステル（4.60ｇ）を得る。 I.R.（CH₂Cl₂）：3390，1775，1730，1690cm^-1 N.M.R.δppm（CDCl₃）：1.92（3H，ｓ），4.65
（2H，ｓ），4.72（2H，ｓ），4.8−5.2（3H，ｍ），
5.21（2H，ｓ），5.47（1H，ｄ，ｄ，Ｊ＝８，４
Hz），6.00（1H，ｄ，Ｊ＝４Hz），6.8−7.6
（10H，ｍ） 製造例 ５ ３−メチル−２−［３−フエノキシアセトアミ
ド−４−（２，２，２−トリクロロエトキシカル
ボニルチオ）−２−オキソ−１−アゼチジニル］−
３−ブテン酸ベンジルエステル（4.60ｇ）および
トリエチルアミン（1.13ml）をベンゼン（45ml）
に溶かした溶液を、室温で1.5時間撹拌する。こ
の混合物を、ベンゼン（40ml）で希釈し、希塩
酸、水および塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄す
る。硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去する
と、油状の３−メチル−２−［３−フエノキシア
セトアミド−４−（２，２，２−トリクロロエト
キシカルボニルチオ）−２−オキソ−１−アゼチ
ジニル］−２−ブテン酸ベンジルエステル（4.29
ｇ）を得る。 I.R.（CH₂Cl₂）：3400，1775，1720，1690cm^-1 N.M.R.δppm（CDCl₃）：2.14（3H，ｓ），2.28
（3H，ｓ），4.57（2H，ｓ），4.00（2H，ｓ），
5.19（1H，ｄ，ｄ，Ｊ＝８，5.5Hz），5.23（2H，
ｓ），5.96（1H，ｄ，Ｊ＝5.5Hz），6.8−7.6
（10H，ｍ） 製造例 ６ ３−メチル−２−［３−フエノキシアセトアミ
ド−４−（２，２，２−トリクロロエトキシカル
ボニルチオ）−２−オキソ−１−アゼチジニル］−
２−ブテン酸ベンジルエステル（4.49ｇ）を酢酸
エチル（60ml）に溶かした溶液に、オゾンと酸素
の混合ガスを−78℃でオゾンの色が消失しなくな
るまで吹込む。反応混合物に窒素ガスを吹込んで
過剰のオゾンを除き、放置して−30℃まで昇温さ
せた後、亜硫酸水素ナトリウム（10ｇ、亜硫酸ナ
トリウム（6.3ｇ）および水（100ml）の溶液中へ
注入する。混合物を振とうし、有機層を分取し、
希塩化ナトリウム水溶液および飽和塩化ナトリウ
ム水溶液で洗浄する。硫酸マグネシウムで乾燥
し、溶媒を留去すると、結晶性残留物を得る。こ
れにジエチルエーテル（20ml）を加え、濾過する
と、mp152.0℃（分解）の［３−フエノキシアセ
トアミド−４−（２，２，２−トリクロロエトキ
シカルボニルチオ）−２−オキソ−１−アゼチジ
ニル］グリオキシル酸ベンジルエステルの結晶
（3.32ｇ）を得る。 I.R.（ヌジヨール）：3330，1820，1735，1710，
1660cm^-1 N.M.R.δppm（DMSO−d₆）：4.68（2H，ｓ），5.12
（2H，ｓ），5.36（2H，ｓ），5.52（1H，ブロKg
ドｔ，Ｊ＝７Hz），6.15（1H，ｄ，Ｊ＝6.5Hz），
6.8−7.6（10H，ｍ），9.15（1H，ｄ，Ｊ＝7.5Hz） 製造例 ７ ［３−フエノキシアセトアミド−４−（２，２，
２−トリクロロエトキシカルボニルチオ）−２−
オキソ−１−アゼチジニル］グリオキシル酸ベン
ジルエステル（7.5ｇ）および酢酸（2.28ml）を
テトラヒドロフラン（30ml）に溶かした溶液に、
水素化ほう素ナトリウム（480mg）を０℃で半時
間を要して少しずつ加える。10分間撹拌後、反応
混合物をメチレンクロライド（50ml）で希釈し、
炭酸水素ナトリウム（6.0ｇ）を水（80ml）に溶
かした溶液と、飽和塩化ナトリウム水溶液（20
ml）の混合物中に注入し、メチレンクロライド
（100ml）で抽出する。抽出液を飽和塩化ナトリウ
ム水溶液が洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、
セライト層を通して濾過する。溶媒を留去する
と、無定形固体の２−［３−フエノキシアセトア
ミド−４−（２，２，２−トリクロロエトキシカ
ルボニルチオ）−２−オキソ−１−アゼチジニル］
−２−ヒドロキシ酢酸ベンジルエステル（7.60
ｇ）を得る。 I.R.（CH₂Cl₂）：1785，1735，1720，1695cm^-1 製造例 ８ 製造例７と同一原料化合物（500mg）とシアノ
水素化ほう素ナトリウム（80mg）とを製造例７と
実質的に同様に反応させると、製造例７と同一目
的化合物（50mg）を得る。 製造例 ９ ２−［３−フエノキシアセトアミド−４−（２，
２，２−トリクロロエトキシカルボニルチオ）−
２−オキソ−１−アゼチジニル］−２−ヒドロキ
シ酢酸ベンジルエステル（3.8ｇ）をメチレンク
ロライド（25ml）に溶かした溶液に、２，６−ル
チジン（1.12ml）および塩化チオニル（0.70ml）
を−35℃で加える。混合物を放置して30分間を要
して０℃まで昇温させ、同温度で30分間撹拌す
る。混合物をメチレンクロライドで希釈し、氷水
および塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグ
ネシウムで乾燥する。濾過し、溶媒を留去する
と、無定形固体の２−［３−フエノキシアセトア
ミド−４−（２，２，２−トリクロロエトキシカ
ルボニルチオ）−２−オキソ−１−アゼチジニル］
−２−クロロ酢酸ベンジルエステル（3.80ｇ）を
得る。 I.R.（CH₂Cl₂）：1795，1750，1720，1695cm^-1 実施例 ２ ２−［３−フエノキシアセトアミド−４−（２，
２，２−トリクロロエトキシカルボニルチオ）−
２−オキソ−１−アゼチジニル］−２−クロロ酢
酸ベンジルエステル（3.60ｇ）をＮ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド（６ml）に溶かした溶液に、アジ
化ナトリウム（384mg）を０℃で加え、混合物を
０℃で50分間撹拌する。反応混合物を氷水中に注
入し、酢酸エチルで抽出する。抽出液を水で２回
および塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、溶媒を留去すると油状物
（3.60ｇ）を得る。これを、シリカゲル（36ｇ）
を用いクロロホルムを溶離液としてクロマトグラ
フイーに付すと、油状の２−［３−フエノキシア
セトアミド−４−（２，２，２−トリクロロエト
キシカルボニルチオ）−２−オキソ−１−アゼチ
ジニル］−２−アジド酢酸ベンジルエステル
（1.71ｇ）を得る。 I.R.（CH₂Cl₂）：2120，1790，1750，1720，1695cm
^-1 N.M.R.δppm（CDCl₃）：4.53（2H，ｓ），4.72
（2H，ｓ），5.2−5.9（5H，ｍ），6.8−7.6（10H，
ｍ） 実施例 ３ ２−［３−フエノキシアセトアミド−４−（２，
２，２−トリクロロエトキシカルボニルチオ）−
２−オキソ−１−アゼチジニル］−２−アジド酢
酸ベンジルエステル（2.856ｇ）、10％−パラジウ
ム・炭素（600mg）およびぎ酸（27ml）の混合物
を、水素ガス中室温で撹拌する。１時間撹拌後、
混合物に５％パラジウム炭素（600mg）とぎ酸
（８ml）を加え、さらに水素ガス中2.5時間撹拌す
る。得られる混合物をセライト層を通して濾過
し、濾塊をメチレンクロライドで洗浄する。濾液
と洗液を合わせ、15mlまで減圧濃縮する。濃縮物
の一部を乾固させると、２−［３−フエノキシア
セトアミド−４−（２，２，２−トリクロロエト
キシカルボニルチオ）−２−オキソ−１−アゼチ
ジニル］−２−アミノ酢酸ベンジルエステルを得
る。 I.R.（CH₂Cl₂）：3450（シヨルダー），3400，1780，
1740，1720，1695cm^-1 上記濃縮物の残りを０℃に冷却し、無水酢酸２
部とぎ酸１部とから製造した酢酸・ぎ酸混合無水
物（15ml）を加える。得られる混合物を０℃で１
時間撹拌し、減圧下に濃縮乾固する。残留物を酢
酸エチルに溶かし、冷希炭酸水素ナトリウム水溶
液および塩化ナトリウム水溶液で洗浄する。硫酸
マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去すると、油状
物（2.75ｇ）を得る。これを、シリカゲル（30
ｇ）を用いメチレンクロライド、次いでメチレン
クロライド・酢酸エチル混液を溶離液としてクロ
マトグラフイーに付すと、無定形固体の２−［３
−フエノキシアセトアミド−４−（２，２，２−
トリクロロエトキシカルボニルチオ）−２−オキ
ソ−１−アゼチジニル］−２−ホルムアミド酢酸
ベンジルエステル（2.19ｇ）を得る。 I.R.（CH₂Cl₂）：3390，1785，1745，1720，（シヨ
ルダー），1700（シヨルダー），1695cm^-1 N.M.R.δppm（CDCl₃）：4.56（2H，ｓ），4.71
（ｓ），4.80（ブロード，ｓ）（2H），5.26（ｓ），
5.30（ｓ）（2H），5.4−5.9（2H，ｍ），6.00（ｄ，
Ｊ＝８Hz）6.13（ｄ，Ｊ＝８Hz）（1H），6.8−
7.8（10H，ｍ），8.22（ｓ）8.27（ｓ）（1H） 実施例 ４ ２−［３−フエノキシアセトアミド−４−（２，
２，２−トリクロロエトキシカルボニルチオ）−
２−オキソ−１−アゼチジニル］−２−ホルムア
ミド酢酸ベンジルエステル（2.70ｇ）および２，
６−ルチジン（11.4ml）をメチレンクロライド
（16ml）に溶かした溶液に、オキシ塩化燐（1.12
ml）を０℃で滴下する。同温度で4.8時間撹拌後、
混合物をベンゼン：酢酸エチル（容積比６：４）
混液（120ml）で希釈し、冷希塩化ナトリウム水
溶液、10％燐酸（75ml）・飽和塩化ナトリウム水
溶液混液、希塩化ナトリウム水溶液、氷水および
飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄する。硫酸
マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去すると、油状
物（2.5ｇ）を得る。これを、シリカゲル（30ｇ）
を用いベンゼン：酢酸エチル（容積比５：１）混
合溶媒を溶離液としてクロマトグラフイーに付す
と、無定形固体の２−［３−フエノキシアセトア
ミド−４−（２，２，２−トリクロロエトキシカ
ルボニルチオ）−２オキソ−１−アゼチジニル］−
２−イソシアノ酢酸ベンジルエステルを得る。 I.R.（CH₂Cl₂）：3390，2140，1795，1760，1720，
1695cm^-1 N.M.R.δppm（アセトン−d₆）：4.64（2H，ｓ），
4.96（2H，ｓ），5.26（ABq）5.34（ABq）（2H），
5.59（ｄ，ｄ，Ｊ＝５，８Hz）5.65（ｄ，ｄ，Ｊ
＝５，８Hz（1H），5.98（ｄ，Ｊ＝５Hz）6.02
（ｄ，Ｊ＝５Hz）（1H），6.26（ｓ））6.37（ｓ）
（1H），6.8−7.6（10H，ｍ），8.59（1H，ｄ，Ｊ
＝８Hz） 実施例 ５ 実施例４と同一原料化合物（100mg）とオキシ
塩化燐（30μl）とを、２，６−ルチジンの代りに
ピリジン（0.2ml）の存在下に実施例４と実質的
に同様に反応させると、実施例４と同一目的化合
物（33mg）を得る。 ［セフアロスポリン類縁化合物の製造］ 参考例 １ ２−［３−フエノキシアセトアミド−４−（２，
２，２−トリクロロエトキシカルボニルチオ）−
２−オキソ−１−アゼチジニル］−２−イソシア
ノ酢酸ベンジルエステル（2.20ｇ）をＮ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド（15ml）に溶かした溶液に、
亜鉛末（3.30mg）を０℃で加え、混合物を同温度
で10分間撹拌する。これに酢酸（2.0ml）を３分
間を要して加え、混合物を０℃で25分間撹拌す
る。反応混合物を酢酸エチル（50ml）で希釈し、
セライト層を通して濾過する。濾液に酢酸エチル
（50ml）を加え、混合物を５−６％炭酸水素ナト
リウム水溶液（60ml）、飽和塩化ナトリウム水溶
液（30ml）、希塩化ナトリウム水溶液（30ml×
２）、水（50ml）および飽和塩化ナトリウム水溶
液で洗浄する。乾燥後溶媒を留去すると、無定形
固体（1.51ｇ）が残留する。これを、シリカゲル
（15ｇ）を用いメチレンクロライド：酢酸エチル
（容積比５：１）混合溶媒を溶離液としてクロマ
トグラフイーに付し、ジエチルエーテルから再結
晶すると、mp141.5−143.0℃の７−フエノキシア
セトアミド−８−オキソ−５−チア−１，３−ジ
アザビシクロ［4.2.0］オクト−３−エン−２−
カルボン酸ベンジルエステル（750ml）を得る。 I.R.（CH₂Cl₂）：3390，1785，1745，1690，1600cm
^-1 N.M.R.δppm（CDCl₃）：4.56（2H，ｓ），5.25
（2H，ｓ），5.32（1H，ｄ，Ｊ＝４Hz），5.73
（1H，dd，Ｊ＝４，９Hz），6.00（1H，ｄ，Ｊ
＝２Hz），6.8−7.6（10H，ｍ），8.28（1H，ｄ，
Ｊ＝２Hz） 参考例 ２ (1) ７−フエノキシアセトアミド−８−オキソ−
チア−１，３−ジアザビシクロ［4.2.0］オク
ト−３−エン−２−カルボン酸ベンジルエステ
ル（3.0ｇ）をテトラヒドロフラン（22ml）に
溶かした溶液に、アルミニウム末（1.8ｇ）お
よび0.5％塩化第二水銀（４ml）から製造した
アルミニウムアマルガムを４℃で加え、水
（0.75ml）を滴下する。混合物を窒素ガス中10
℃で75分間撹拌した後、酢酸エチル（50ml）で
希釈し、セライト層を濾過する。濾塊を酢酸エ
チルで洗浄し、濾液と洗液を合わせ、塩化ナト
リウム水溶液で２回洗浄し、硫酸マグネシウム
で乾燥し、濃縮すると、油状物（2.7ｇ）を得
る。これを、シリカゲル（15ｇ）を用いメチレ
ンクロライド：酢酸エチル（容積比５：１）混
合溶媒を溶離液としてカラムクロマトグラフイ
ーに付すと、無定形固体の７−フエノキシアセ
トアミド−８−オキソ−５−チア−１，３−ジ
アザビシクロ［4.2.0］オクタン−２−カルボ
ン酸ベンジルエステル（2.64ｇ）を得る。 I.R.（CH₂Cl₂）：3390，3325，1775，1745，1690cm
^-1 N.M.R，δppm（CDCl₃）：2.10（1H，ブロート
ｓ），4.27（2H，ABq，Ｊ＝14Hz），4.50（2H，
ｓ），5.20（2H，ｓ），5.38（1H，ｓ），5.42（1H，
ｄ，J5Hz），5.75（1H，dd，Ｊ＝9.5，５Hz），
6.8−7.7（10H，ｍ） (2) 参考例２−(1)と同一原料化合物（85mg）を酢
酸（72μl）、メチレンクロライド（２ml）およ
びテトラヒドロフラン（１ml）中水素化ほう素
ナトリウム（24mg）を用いて参考例２−(1)と実
質的に同様に還元すると、参考例２−(1)と同一
目的化合物（30mg）を得る。 参考例 ３ (1) ７−フエノキシアセトアミド−８−オキソ−
５−チア−１，３−ジアザビシクロ［4.2.0］
オクタン−２−カルボン酸ベンジルエステル
（5.86ｇ）および２，６−ルチジン（3.20ml）
をメチレンクロライド（29ml）に溶かした溶液
に、トリフルオロメタンスルホン酸無水物
（2.44ml）を−78℃で３分間を要して加える。
得られる溶液を放置して75分間を要して０℃ま
で昇温させ、さらに10分間０℃に保つ。反応混
合物を冷希燐酸中に注入し、酢酸エチル（150
ml）で抽出する。抽出液を希燐酸、希塩化ナト
リウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液、希塩化ナトリウム水溶液および飽和塩化ナ
トリウム水溶液で順次洗浄する。乾燥後溶媒を
留去すると、無定形固体（7.2ｇ）が残留する。
これを、シリカゲル（14ｇ）を用い酢酸エチ
ル：メチレンクロライド（容量２−25％）混合
溶媒を溶離液としてクロマトグラフイーに付す
と、７−フエノキシアセトアミド−８−オキソ
−３−トリフルオロメタンスルホニル−５−チ
ア−１，３−ジアザビシクロ［4.2.0］オクタ
ン−２−カルボン酸ベンジルエステル（4.49
ｇ）を得る。 I.R.（CH₂Cl₂）：3390，1795，1750，1695cm^-1 N.M.R.δppm（CDCl₃）：4.48（2H，ｓ），4.82
（2H，ｓ），5.23（2H，ｓ），5.32（1H，ｄ，Ｊ
＝５Hz），5.84（1H，dd，Ｊ＝９，５Hz）6.18
（1H，ｓ），6.8−7.5（10H，ｍ） (2) ７−フエノキシアセトアミド−８−オキソ−
５−チア−１，３−ジアザビシクロ［4.2.0］
オクタン−２−カルボン酸ベンジルエステル
（670mg）にアセチルクロライド（0.16ml）を参
考例３−(1)と実質的に同様に反応させると、７
−フエノキシアセトアミド−８−オキソ−３−
アセチル−５−チア−１，３−ジアザビシクロ
［4.2.0］オクタン−２−カルボン酸ベンジルエ
ステル（580mg）を得る。 I.R.（CH₂Cl₂）3390，1785，1745，1690cm^-1 N.M.R.δppm（DMSO−d₆）：2.16（3H，ｓ），4.57
（2H，ｓ），4.96（2H，ABq，Ｊ＝15Hz），5.22
（3H，ｓ），5.42（1H，ｄ，４Hz），5.56（1H，
dd，Ｊ＝８，４Hz），6.5−7.6（10H，ｍ），9.16
（1H，ｄ，Ｊ＝８Hz） 参考例 ４ (1) ７−フエノキシアセトアミド−８−オキソ−
３−トリフルオロメタンスルホニル−５−チア
−１，３−ジアザビシクロ［4.2.0］オクタン
−２−カルボン酸ベンジルエステル（88mg）を
メチレンクロライド（２ml）に溶かした溶液
に、１，５−ジアザビシクロ［5.4.0］ウンデ
ス−５−エン（24mg）をメチレンクロライド
（0.5ml）に溶かした溶液を、−20℃で加える。
同温度で45分間撹拌後、混合物を冷燐酸緩衝液
（PH７）中に注入し、酢酸エチルで抽出する。
抽出液を、水および塩化ナトリウム水溶液で洗
浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去
すると、油状物（69mg）を得る。これを、シリ
カゲル（２ｇ）を用いベンゼン：酢酸エチル
（容積比５：１）混合溶媒を溶離液としてクロ
マトグラフイーに付すと、油状の７−フエノキ
シアセトアミド−８−オキソ−５−チア−１，
３−ジアザビシクロ［4.2.0］オクト−２−エ
ン−２−カルボン酸ベンジルエステル（33mg）
を得る。 N.M.R.δppm（CDCl₃）：4.57（2H，ｓ），4.88
（2H，ABq，Ｊ＝９Hz），5.10（1H，ｄ，Ｊ＝
６Hz），5.38（2H，ｓ），6.05（1H，dd，Ｊ＝10，
６Hz），6.8−7.7（10H，ｍ） (2) ７−フエノキシアセトアミド−８−オキソ−
３−トリフルオロメタンスルホニル−５−チア
−１，３−ジアザビシクロ［4.2.0］オクタン
−２−カルボン酸４−ニトロベンジルエステル
（120mg）と、塩基として１，５−ジアザビシク
ロ［5.4.0］ウンデス−５−エン（30mg）とを
参考例４−(1)と実質的に同様に反応させると、
７−フエノキシアセトアミド−８−オキソ−５
−チア−１，３−ジアザビシクロ［4.2.0］オ
クト−２−エン−２−カルボン酸４−ニトロベ
ンジルエステル（70mg）を得る。 I.R.（CH₂Cl₂）：3390，1810，1750，1695，1640cm
^-1 N.M.R，δppm（CDCl₃）：4.57（2H，ｓ），4.90
（2H，ｄ，Ｊ＝４Hz），5.40（1H，ｄ，Ｊ＝5.5
Hz），5.44（2H，ｓ），6.07（1H，dd，Ｊ＝９お
よび5.5Hz），6.8−7.8（6H，ｍ），7.59（2H，ｄ，
Ｊ＝８Hz），8.22（2H，ｄ，Ｊ＝８Hz） 参考例 ５ (1) ７−フエノキシアセトアミド−８−オキソ−
３−トリフルオロメタンスルホニル−５−チア
−１，３−ジアザビシクロ［4.2.0］オクタン
−２−カルボン酸ベンジルエステル（2.19ｇ）
およびアニソール（6.3ml）をメチレンクロラ
イド（20ml）に溶かした溶液に、３塩化アルミ
ニウム（2.6ｇ）をニトロメタン（10ml）に溶
かした溶液を５分間を要して加える。得られる
濃赤色の溶液を０℃で30分間撹拌する。反応混
合物を氷と酢酸エチル（120ml）の混合物中へ
注入し、3N塩酸でPH１による。有機層を分取
し、塩化ナトリウム水溶液で２回、および塩酸
で洗浄し、冷希炭酸水素ナトリウム水溶液（50
ml１回、30ml２回）で抽出する。抽出液を合わ
せ、3N塩酸でPH１にし、塩化ナトリウムを飽
和し、クロロホルムで３回抽出する。硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、溶媒を留去すると、無定形
固体の７−フエノキシアセトアミド−８−オキ
ソ−３−トリフルオロメタンスルホニル−５−
チア−１，３−ジアザビシクロ［4.2.0］オク
タン−２−カルボン酸（1.75ｇ）を得る。 I.R.（CH₂Cl₂）：3390，1800，1770，1750，1730cm
^-1 N.M.R.δppm（CDCl₃）：4.60（2H，ｓ），4.95
（2H，ｓ），5.46（1H，ｄ，Ｊ＝５Hz），5.89
（1H，dd，Ｊ＝10，５Hz），6.24（1H，ｓ），6.8
−7.8（6H，ｍ） (2) ７−フエノキシアセトアミド−８−オキソ−
３−アセチル−５−チア−１，３−ジアザビシ
クロ［4.2.0］オクタン−２−カルボン酸ベン
ジルエステル（300mg）をテトラヒドロフラン
（９ml）に溶かし冷却した溶液に、炭酸ナトリ
ウム（107mg）水溶液（８ml）を加える。混合
物を０℃で75分間撹拌し、さらに室温で30分間
撹拌する。テトラヒドロフランを留去し、残留
する水層を酢酸エチルで洗浄し、1N塩酸でPH
２にし、メチレンクロライドで３回抽出する。
硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒を留去すると、
無定形固体の７−フエノキシアセトアミド−８
−オキソ−３−アセチル−５−チア−１，３−
ジアザビシクロ［4.2.0］オクタン−２−カル
ボン酸（235mg）得る。 I.R.（CH₂Cl₂）：1785，1760（シヨルダー），1740
（シヨルダー），1690cm^-1 N.M.R.δppm（CD₂OD）：2.20（ｓ）2.40（ｓ）
（3H）4.1−5.2（4H，ｍ）5.3−5.8（3H，ｍ），
6.7−7.4（5H，ｍ） (3) ７−フエノキシアセトアミド−８−オキソ−
３−ヒドロキシ−５−チア−１，３−ジアザビ
シクロ［4.2.0］オクタン−２−カルボン酸ベ
ンジルエステル（288mg）に炭酸ナトリウム
（131mg）参考例５−(2)と実質的に同様に反応さ
せて加水分解すると、mp129−135℃（分解）
の７−フエノキシアセトアミド−８−オキソ−
３−ヒドロキシ−５−チア−１，３−ジアザビ
シクロ［4.2.0］オクタン−２−カルボン酸
（160mg）を得る。 I.R.（CHCl₃）：3390，1780，1740（シヨルダー），
1695cm^-1 N.M.R.δppm（アセトン−d₆）：3.95（1H，ブロー
ド，ｓ），4.62（2H，ABq，Ｊ＝14Hz），4.67
（2H，ｓ），5.50（1H，ｄ，Ｊ＝４Hz），5.68
（1H，ｓ），5.76（1H，dd，Ｊ＝９，４Hz），6.9
−7.6（5H，ｍ），8.22（1H，ｄ，Ｊ＝９Hz） (4) ７−フエノキシアセトアミド−８−オキソ−
５−チア−１，３−ジアザビシクロ［4.2.0］
オクト−３−エン−２−カルボン酸ベンジルエ
ステル（400mg）をテトラヒドロフラン（12ml）
に溶かした溶液に、炭酸カリウム（195mg）を
水（12ml）に溶かした溶液を０℃で加える。混
合物を同温度で１時間撹拌し、さらに室温で
1.8時間撹拌した後、陽イオン交換樹脂（商標
名アンバーライトIRC−50、ロームアンドハー
ス社製）でPH７にし、濾過する。濾液を濃縮
し、凍結乾燥すると、粉末状の７−フエノキシ
アセトアミド−８−オキソ−５−チア−１，３
−ジアザビシクロ［4.2.0］オクト−３−エン
−２−カルボン酸カリウム（388mg）を得る。 I.R.（KBr）：1765，1675，1632，1550cm^-1 N.M.R.δppm（DMSO−d₆＋CD₃OD）：4.64（2H，
ｓ），5.34（1H，ｄ，Ｊ＝５Hz），5.47（1H，ｄ，
Ｊ＝５Hz），5.58（1H，ｄ，Ｊ＝2.5Hz），6.7−
7.5（2H，ｍ），8.22（1H，ｄ，Ｊ＝2.5Hz） (5) ７−フエノキシアセトアミド−８−オキソ−
５−チア−１，３−ジアザビシクロ［4.2.0］
オクト−３−エン−２−カルボン酸ベンジルエ
ステルに炭酸ナトリウムを参考例５−(4)と実質
的に同様に反応させて加水分解すると、７−フ
エノキシアセトアミド−８−オキソ−５−チア
−１，３−ジアザビシクロ［4.2.0］オクト−
３−エン−２−カルボン酸ナトリウムを得る。 I.R.（ヌジヨール）：1760，1640（ブロード）cm^-1 N.M.R.δppm（DMSO−d₆）：4.60（2H，ｓ），5.25
−5.5（3H，ｍ），6.7−7.6（5H，ｍ），8.22（1H，
ｄ，Ｊ＝２Hz） 参考例 ６ ７−フエノキシアセトアミド−８−オキソ−５
−チア−１，３−ジアザビシクロ［4.2.0］オク
タン−２−カルボン酸ベンジルエステル（635
mg）、硫酸第２銅５水化物（75mg）および酢酸
（４ml）・水（0.4ml）混液の混合物を、室温で撹
拌する。100分間撹拌後、硫酸第２銅５水化物
（300mg）を加え、さらに1.5時間撹拌する。反応
混合物を10℃に冷却し、水硫化ナトリウム（86
ｇ）を加える。得られる混合物をセライト層を通
して濾過し、濾液を濃縮する。残留物を酢酸エチ
ルに溶かし、希炭酸水素ナトリウム水溶液および
塩化ナトリウム水溶液で洗浄した後、硫酸マグネ
シウムで乾燥し、溶媒を留去すると、残留物
（648mg）を得る。これを、シリカゲル（20ｇ）を
用いベンゼン：酢酸エチル（容積比５：１−２：
１）混合溶媒を溶離液としてクロマトグラフイー
に付すと、油状物（307mg）を得る。これをジエ
チルエーテルから再結晶すると、mp184−186℃
の７−フエノキシアセトアミド−８−オキソ−３
−ヒドロキシ−５−チア−１，３−ジアザビシク
ロ［4.2.0］オクタン−２−カルボン酸ベンジル
エステル（300mg）を得る。 I.R.（CH₂Cl₂）：3390，1775，1740，1690cm^-1 N.M.R.（CDCl₃）：3.73（1H，ブロードｓ），4.03
（1H，ｄ，Ｊ＝14Hz），4.56（2H，ｓ），4.82
（1H，ｄ，Ｊ＝14Hz）），5.04（2H，ｓ），5.41
（1H，ｄ，Ｊ＝５Hz），5.64（1H，ｓ），5.80
（1H，ｄ，ｄ，Ｊ＝10，５Hz），6.8−7.7（11H，
ｍ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 一般式 ［式中、R¹ _bは保護されたアミノ基、R⁵はメル
   カプト保護基、 R³はカルボキシ基、または保護されたカルボ
   キシ基、Z¹はアジド基、アミノ基、ホルムアミド
   基またはイソシアノ基を意味する］ で示される化合物およびその塩類。