JPH03201479A - 高耐圧半導体装置 - Google Patents
高耐圧半導体装置Info
- Publication number
- JPH03201479A JPH03201479A JP34031889A JP34031889A JPH03201479A JP H03201479 A JPH03201479 A JP H03201479A JP 34031889 A JP34031889 A JP 34031889A JP 34031889 A JP34031889 A JP 34031889A JP H03201479 A JPH03201479 A JP H03201479A
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- Japan
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- concentration
- type
- oxide film
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- Pending
Links
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- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 title abstract description 6
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Landscapes
- Element Separation (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は接合分離型の高耐圧半導体装置に関し、特にそ
の上に横切る配線がある高耐圧半導体装置に関する。
の上に横切る配線がある高耐圧半導体装置に関する。
第３図はこの種の高耐圧半導体装置の従来例を示す縦断
面図である。
面図である。
Ｐ型基板１のとに接合分離のＰ型層２が形成され、Ｐ型
層２間にはＰ型層によって相互に絶縁される複数のＮ型
エピタキシャル層３が形成されている。Ｎ型エピタキシ
ャル層３の上面は中央部に高濃度Ｎ層６が形成され、高
濃度Ｎ層６以外の上面は通常は空乏層となるＮ型エピタ
キシャル層３の延長であるＮ層３７がある。また、上記
の各層２．６．３７の上には絶縁体である酸化膜５が形
成され、酸化膜５の上には低電圧が印加される導体配線
４が施こされＩている。
層２間にはＰ型層によって相互に絶縁される複数のＮ型
エピタキシャル層３が形成されている。Ｎ型エピタキシ
ャル層３の上面は中央部に高濃度Ｎ層６が形成され、高
濃度Ｎ層６以外の上面は通常は空乏層となるＮ型エピタ
キシャル層３の延長であるＮ層３７がある。また、上記
の各層２．６．３７の上には絶縁体である酸化膜５が形
成され、酸化膜５の上には低電圧が印加される導体配線
４が施こされＩている。
導体配ｌ１４がない場合には、空乏層は接合分離のＰ型
層２とＮ型エピタキシャル層３の間でひろがり、Ｐ型層
２と高濃度Ｎ層６との間の絶縁耐圧を維持している。
層２とＮ型エピタキシャル層３の間でひろがり、Ｐ型層
２と高濃度Ｎ層６との間の絶縁耐圧を維持している。
導体配線４のある場合の典型的な電圧印加例としては、
Ｐ型基板１をアースに、高濃度Ｎ層６を＋２５０Ｖに、
導体配線４を＋５Ｖにするものがある。
Ｐ型基板１をアースに、高濃度Ｎ層６を＋２５０Ｖに、
導体配線４を＋５Ｖにするものがある。
上述した従来の高耐圧半導体装置は、導体配線４と低濃
度Ｎ層３７との間の電位差が、酸化膜５の膜がと低濃度
Ｎ層７のドーピング濃度とで決まるしきい値より大きく
なると、Ｎ層３７の表面近傍で空乏層か消失して反転層
が発生し、Ｐ型層２と高濃度Ｎ層６との間の絶縁耐圧を
低下させるという欠点がある。
度Ｎ層３７との間の電位差が、酸化膜５の膜がと低濃度
Ｎ層７のドーピング濃度とで決まるしきい値より大きく
なると、Ｎ層３７の表面近傍で空乏層か消失して反転層
が発生し、Ｐ型層２と高濃度Ｎ層６との間の絶縁耐圧を
低下させるという欠点がある。
本発明は上記の欠点に鑑み、Ｎ層３７に反転層が発生し
ない、より絶縁耐圧の大きい高耐圧半導体装置を提供す
ることを解決すべき課題とする。
ない、より絶縁耐圧の大きい高耐圧半導体装置を提供す
ることを解決すべき課題とする。
（課題を解決するための手段）
本発明の高耐圧半導体層は、
第１の導電型の基板と、
基板上に形成された第２の導電型の複数のエピタキシャ
ル層と、 各エピタキシャル層に挟まれるように基板−ヒに形成さ
れた第１の導電型の複数の分離層と、各エピタキシャル
層および各分離層を覆う酸化膜と、 酸化膜の上に形成された導体配線層と、酸化膜の直下で
、エピタキシャル層のほぼ中央に形成され、第２の導電
型に高濃度にドーピングされた島状部分と、 島状部分と分離層との間で、酸化膜の直下のエピタキシ
ャル層に形成されたもので、導体配線層とエピタキシャ
ル層間に印加された電圧によって発生する反転を防止す
る程度の濃度にドーピングされた第２の導電型の導電層
とを有する。
ル層と、 各エピタキシャル層に挟まれるように基板−ヒに形成さ
れた第１の導電型の複数の分離層と、各エピタキシャル
層および各分離層を覆う酸化膜と、 酸化膜の上に形成された導体配線層と、酸化膜の直下で
、エピタキシャル層のほぼ中央に形成され、第２の導電
型に高濃度にドーピングされた島状部分と、 島状部分と分離層との間で、酸化膜の直下のエピタキシ
ャル層に形成されたもので、導体配線層とエピタキシャ
ル層間に印加された電圧によって発生する反転を防止す
る程度の濃度にドーピングされた第２の導電型の導電層
とを有する。
保護層と導体配線との間に大きな電位差が与えられても
、ドーピング濃度が高められているので、高められてい
る分だけ反転層の発生を防止する。
、ドーピング濃度が高められているので、高められてい
る分だけ反転層の発生を防止する。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の高耐圧半導体装置の第１の実施例を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
本実施例は第３図の従来例と比較すると、Ｎ層３７の代
りにドーピング濃度を上げて中濃度Ｎ層７を形成してい
る点が異なる。
りにドーピング濃度を上げて中濃度Ｎ層７を形成してい
る点が異なる。
導体配線４と、電位差の大きい高電圧の印加された中濃
度Ｎ層７は酸化膜５の近傍で、静電誘導により濃度が下
がる。しかし、不純物濃度が使用される印加電圧におい
て反転しない様に選ばれているため、導電型はＮ型であ
り、空乏層は、この中濃度Ｎ層７と接合分離のＰ型層２
の間でひろがる。このため、Ｐ型層２と高濃度Ｎ層との
間の絶縁耐圧は劣化しない。
度Ｎ層７は酸化膜５の近傍で、静電誘導により濃度が下
がる。しかし、不純物濃度が使用される印加電圧におい
て反転しない様に選ばれているため、導電型はＮ型であ
り、空乏層は、この中濃度Ｎ層７と接合分離のＰ型層２
の間でひろがる。このため、Ｐ型層２と高濃度Ｎ層との
間の絶縁耐圧は劣化しない。
′ｆＪ２図は本発明の第２の実施例を示す縦断面図であ
る。
る。
本実施例は第１図の実施例に比較し、各層の導電型を逆
にしている。印加する電圧の極性が第１図の実施例とは
逆となるが特性的には変らな−い。
にしている。印加する電圧の極性が第１図の実施例とは
逆となるが特性的には変らな−い。
以上説明したように本発明は、接合分離タイプの高耐圧
半導体装置において、素子分離のために逆バイアスされ
た接合の上を配線が通る場合に、その直下の低濃度層に
、その低濃度層の導電型と同じ導電型で少し高濃度の導
電層を形成することにより、導電層が反転せず、絶縁耐
圧の劣化を防ぐことができる効果がある。
半導体装置において、素子分離のために逆バイアスされ
た接合の上を配線が通る場合に、その直下の低濃度層に
、その低濃度層の導電型と同じ導電型で少し高濃度の導
電層を形成することにより、導電層が反転せず、絶縁耐
圧の劣化を防ぐことができる効果がある。
第１図は本発明の高耐圧半導体装置の第１の実施例を示
す縦断面図、第２図は本発明の第２の実施例を示す縦断
面図、第３図は従来例を示す縦断面図である。 １・・・・・・Ｐ型基板、 ２・・・・・・接合分離のＰ型層、 ３・−−−−−Ｎ型エピタキシャル層、４・・・・・・
導体配線、 ５・・・・・・酸化膜、 ６・・・・・・高濃度Ｎ層、 ７・・・・・・中濃度Ｎ層、 １１・・・・・・Ｎ型基板、 Ｉ２・・・・・・接合分離のＮ型層 １３・・・・・・Ｐ型エピタキシャル層、Ｉ６・・・・
・・高濃度Ｐ層、 Ｉ７・・・・・・中濃度Ｐ層。
す縦断面図、第２図は本発明の第２の実施例を示す縦断
面図、第３図は従来例を示す縦断面図である。 １・・・・・・Ｐ型基板、 ２・・・・・・接合分離のＰ型層、 ３・−−−−−Ｎ型エピタキシャル層、４・・・・・・
導体配線、 ５・・・・・・酸化膜、 ６・・・・・・高濃度Ｎ層、 ７・・・・・・中濃度Ｎ層、 １１・・・・・・Ｎ型基板、 Ｉ２・・・・・・接合分離のＮ型層 １３・・・・・・Ｐ型エピタキシャル層、Ｉ６・・・・
・・高濃度Ｐ層、 Ｉ７・・・・・・中濃度Ｐ層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１の導電型の基板と、 基板上に形成された第２の導電型の複数のエピタキシャ
ル層と、 各エピタキシャル層に挟まれるように基板上に形成され
た第１の導電型の複数の分離層と、各エピタキシャル層
および各分離層を覆う酸化膜と、 酸化膜の上に形成された導体配線層と、 酸化膜の直下で、エピタキシャル層のほぼ中央に形成さ
れ、第２の導電型に高濃度にドーピングされた島状部分
と、 島状部分と分離層との間で、酸化膜の直下のエピタキシ
ャル層に形成されたもので、導体配線層とエピタキシャ
ル層間に印加された電圧によって発生する反転を防止す
る程度の濃度にドーピングされた第２の導電型の導電層
とを有する高耐圧半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34031889A JPH03201479A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 高耐圧半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34031889A JPH03201479A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 高耐圧半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03201479A true JPH03201479A (ja) | 1991-09-03 |
Family
ID=18335801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34031889A Pending JPH03201479A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 高耐圧半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03201479A (ja) |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP34031889A patent/JPH03201479A/ja active Pending
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