JPH03200737A - トリフルオロメチル基を有するビフェニル誘導体、液晶組成物及び液晶表示素子 - Google Patents
トリフルオロメチル基を有するビフェニル誘導体、液晶組成物及び液晶表示素子Info
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新規な液晶性化合物、及び液晶材料に係わり
、特に誘電率異方性が負でその絶対値が大きく、二周波
駆動方式、ゲスト・ホスト方式、あるいは強誘電性液晶
表示用として優れた化合物に関するものである。
、特に誘電率異方性が負でその絶対値が大きく、二周波
駆動方式、ゲスト・ホスト方式、あるいは強誘電性液晶
表示用として優れた化合物に関するものである。
液晶表示素子は、そのすぐれた特徴(低電圧作動、低消
費電力、薄型表示が可能、明るい場所でも使用でき目が
疲れない。)によって、広くもちいられている。現在、
最も一般的であるのはTN型表示方式と呼ばれるもので
あって前記の優れた特徴を合わせ持っている。しかし、
この表示方式では、CRTなどの発光型表示方式と比較
すると応答が極めて遅く、カラー化、マルチプレックス
化などには余り適したものとは言えなかった。そのため
、二周波駆動方式、ゲスト・ホスト方式、強誘電性液晶
表示などの新しい表示方式が盛んに検討されている。こ
れらの新しい表示方式に於いては、TN型の表示方式が
誘電率異方性(Δε)が正の液晶材料を用いるのに対し
て、Δεが負の液晶材料を用いることが重要である。
費電力、薄型表示が可能、明るい場所でも使用でき目が
疲れない。)によって、広くもちいられている。現在、
最も一般的であるのはTN型表示方式と呼ばれるもので
あって前記の優れた特徴を合わせ持っている。しかし、
この表示方式では、CRTなどの発光型表示方式と比較
すると応答が極めて遅く、カラー化、マルチプレックス
化などには余り適したものとは言えなかった。そのため
、二周波駆動方式、ゲスト・ホスト方式、強誘電性液晶
表示などの新しい表示方式が盛んに検討されている。こ
れらの新しい表示方式に於いては、TN型の表示方式が
誘電率異方性(Δε)が正の液晶材料を用いるのに対し
て、Δεが負の液晶材料を用いることが重要である。
Δεが負の液晶材料はこれまでにも数多く知られている
。しかしながら、1乃至2個のシアノ基によって置換さ
れた1、4−フェニレン基を有するような化合物では粘
性が大きくなりすぎ、ピリダジン環を有する化合物では
、安定性が悪く弗素置換の1.4−フェニレン基を有す
る化合物ではその絶対値が十分大きくはない等の欠点が
あった。
。しかしながら、1乃至2個のシアノ基によって置換さ
れた1、4−フェニレン基を有するような化合物では粘
性が大きくなりすぎ、ピリダジン環を有する化合物では
、安定性が悪く弗素置換の1.4−フェニレン基を有す
る化合物ではその絶対値が十分大きくはない等の欠点が
あった。
以上のように、従来のΔεが負の液晶化合物は、その絶
対値や粘性及び化学的安定性において不十分であり、さ
らに新しい材料が望まれていた。
対値や粘性及び化学的安定性において不十分であり、さ
らに新しい材料が望まれていた。
本発明が解決しようとする課題は、上記条件を満たすと
共に、強誘電性液晶用材料としても好適な液晶化合物及
びこれを用いた液晶材料を提供することにある。
共に、強誘電性液晶用材料としても好適な液晶化合物及
びこれを用いた液晶材料を提供することにある。
本発明は、上記課題を解決するために、次の一般式(I
)で表されるトリフルオロメチル基を有するビフェニル
誘導体を提供するものである。
)で表されるトリフルオロメチル基を有するビフェニル
誘導体を提供するものである。
1〜16のアルキル基またはアルコキシル基を表キル基
が好ましい。
が好ましい。
本発明の一般式(I)の化合物は以下のようにして製造
できる。
できる。
XがOCOを表わす場合には、下記一般式(If)で表
わされるフェニルフェノール誘導体と、(式中、R1は
一般式(I)と同じ意味を有する)下記一般式(III
)で表わされるカルボン酸とを(式中、R1は炭素数1
−16のアルキル基またはアルコキシル基を表わすが、
炭素数2〜lOの直鎖アルキル基、または直鎖アルコキ
シル基が好味を有する。) ジシクロへキシルカルボシイ逅ド(DCC)等の縮合剤
存在下、反応させるかあるいは上記一般式(III)の
カルボン酸を塩化チオニル等の塩素化剤で酸塩化物とし
て、これをピリジン等の塩基存在下、上記一般式(II
)と反応させることにより得ることができる。
わされるフェニルフェノール誘導体と、(式中、R1は
一般式(I)と同じ意味を有する)下記一般式(III
)で表わされるカルボン酸とを(式中、R1は炭素数1
−16のアルキル基またはアルコキシル基を表わすが、
炭素数2〜lOの直鎖アルキル基、または直鎖アルコキ
シル基が好味を有する。) ジシクロへキシルカルボシイ逅ド(DCC)等の縮合剤
存在下、反応させるかあるいは上記一般式(III)の
カルボン酸を塩化チオニル等の塩素化剤で酸塩化物とし
て、これをピリジン等の塩基存在下、上記一般式(II
)と反応させることにより得ることができる。
XがOCH*を表わす場合には、上記一般式(II)の
フェニルフェノール誘導体と下記一般式(IV)で表わ
される化合物とを、 磁気共鳴スペクトル(NMR) 、赤外吸収スペクトル
(IR)、質量スペクトル(MS)により確認した。
フェニルフェノール誘導体と下記一般式(IV)で表わ
される化合物とを、 磁気共鳴スペクトル(NMR) 、赤外吸収スペクトル
(IR)、質量スペクトル(MS)により確認した。
転移温度は温度調節ステージ付の偏光顕微鏡を用いて行
ったが、その時の測定条件や化合物の純度によって、若
干変動するものである。
ったが、その時の測定条件や化合物の純度によって、若
干変動するものである。
し、Yは塩素、臭素、ヨウ素あるいはトシル基のような
脱離基を表わす。) 塩基存在下、反応させることにより、得ることができる
。
脱離基を表わす。) 塩基存在下、反応させることにより、得ることができる
。
ここで、原料となる上記一般式(n)のフェニルフェノ
ール誘導体は、日本化学会年会予稿集P。
ール誘導体は、日本化学会年会予稿集P。
1971 (I989年)に記載の方法により合成する
ことができる。
ことができる。
斯くして得られた上記一般式(I)の化合物の代表例を
表1に掲げる。なお、化合物の構造は核得られた化合物
は低融点であり、液晶性を示すものが多く、Δεが負の
液晶として有効に利用できる。
表1に掲げる。なお、化合物の構造は核得られた化合物
は低融点であり、液晶性を示すものが多く、Δεが負の
液晶として有効に利用できる。
また、上記一般式(I)の化合物は、スメクチックC相
は示さないが、強誘電性液晶材料、特に母体組成物の成
分として、Δεの調節、粘度の低下等の目的に有効に使
用することもできる。
は示さないが、強誘電性液晶材料、特に母体組成物の成
分として、Δεの調節、粘度の低下等の目的に有効に使
用することもできる。
以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、勿
論、本発明の主旨、及び適用範囲は、これら実施例によ
って制限されるものではない。
論、本発明の主旨、及び適用範囲は、これら実施例によ
って制限されるものではない。
なお、【Rにおける(neat)はi膜による測定を、
(Nujol)は流動パラフィン中の懸濁状態での測定
を表わす。NMRにおける(CDC1、)は溶媒を、S
は1重線、dは2重線、tは3重線、qは4重線、mは
多重線を、broadは幅広い吸収であることを表わし
、ddは2重の2重線を表わす。Jはカップリング定数
を表わす。温度は℃を表わし、組成物中における%はす
べて重量%を表わす。
(Nujol)は流動パラフィン中の懸濁状態での測定
を表わす。NMRにおける(CDC1、)は溶媒を、S
は1重線、dは2重線、tは3重線、qは4重線、mは
多重線を、broadは幅広い吸収であることを表わし
、ddは2重の2重線を表わす。Jはカップリング定数
を表わす。温度は℃を表わし、組成物中における%はす
べて重量%を表わす。
実施例14−ヘキシル安息香酸3−トリフルオロメチル
−4−(4−オクチルオキシフェニル)フェニル(表l
Na1の化合物)の台底4−ヘキシル安想香酸クロリド
81■及び3−トリフルオロメチル−4−(4−オクチ
ルオキシフェニル)フェノール106■をジクロルメタ
ン10m1に溶解し、ピリジン1mfを加え、還流下、
6時間反応させた。
−4−(4−オクチルオキシフェニル)フェニル(表l
Na1の化合物)の台底4−ヘキシル安想香酸クロリド
81■及び3−トリフルオロメチル−4−(4−オクチ
ルオキシフェニル)フェノール106■をジクロルメタ
ン10m1に溶解し、ピリジン1mfを加え、還流下、
6時間反応させた。
放冷後、エーテル50m1を加え、10%塩酸飽和水素
ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で順次洗滌した。無
水硫酸ナトリウムで脱水後溶媒を留去して、油状物17
4mgを得た。
ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で順次洗滌した。無
水硫酸ナトリウムで脱水後溶媒を留去して、油状物17
4mgを得た。
シリカゲルカラムクロマトグラフィー(?容媒:n−ヘ
キサン/塩化メチレン=1)で精製して、表記化合物の
結晶78■を得た。(収率49%)さらにエタノールか
ら再結晶してその相転移温度を測定したところ、融点は
30.7°Cであり、27゜8℃以下でN相を示した。
キサン/塩化メチレン=1)で精製して、表記化合物の
結晶78■を得た。(収率49%)さらにエタノールか
ら再結晶してその相転移温度を測定したところ、融点は
30.7°Cであり、27゜8℃以下でN相を示した。
以下に同定データを示す。
[R(Nujol) : 1615.1590.157
5.1530.1290゜1220、900.810
(cm−’)NMR(CDCl23): 0.84−0
.95(m、6H)、1.23−1.58(m、16H
)、 1.60−1.72(m、2H)、 1.7
7−1.86(m、2H)。
5.1530.1290゜1220、900.810
(cm−’)NMR(CDCl23): 0.84−0
.95(m、6H)、1.23−1.58(m、16H
)、 1.60−1.72(m、2H)、 1.7
7−1.86(m、2H)。
2.71(t、J=8Hz、2H)、 4.00(t
、J=7Hz、2H)。
、J=7Hz、2H)。
6.93(d、J=8.5Hz、2H)、 7.26
(d、J=8.5Hz、2H)。
(d、J=8.5Hz、2H)。
?、35(d、J=8.5)1z、2B)、 7.4
0(d、J=8.5Hz、2H)。
0(d、J=8.5Hz、2H)。
7.58(s、lH)、 8.13(d、J=8.5
Hz、2)り実施例2〜5 以下同様にして表111h2〜5の各化合物を得た。
Hz、2)り実施例2〜5 以下同様にして表111h2〜5の各化合物を得た。
実施例6 )ランス4−プロピルシクロヘキサンカル
ボン酸3−トリフルオロメチル−4−(410ピルフエ
ニル)フェニル(表IN[L6の化合物〉の合成 3−トリフルオロメチル−4−(4−プロピルフェニル
)フェノール56■をテトラヒドロフラン10mlに溶
解し、t−ブトキシカリウム30■を加えて室温で2時
間攪拌した。次に、トランス−4−プロピル−l−ブロ
モメチルシクロヘキサン60■をテトラヒドロフラン5
m lに溶解して滴下した。
ボン酸3−トリフルオロメチル−4−(410ピルフエ
ニル)フェニル(表IN[L6の化合物〉の合成 3−トリフルオロメチル−4−(4−プロピルフェニル
)フェノール56■をテトラヒドロフラン10mlに溶
解し、t−ブトキシカリウム30■を加えて室温で2時
間攪拌した。次に、トランス−4−プロピル−l−ブロ
モメチルシクロヘキサン60■をテトラヒドロフラン5
m lに溶解して滴下した。
滴下終了後406で4時間反応させた後放冷し、実施例
1と同様に後処理を行ない無色油状の表記化合物50■
を得た。
1と同様に後処理を行ない無色油状の表記化合物50■
を得た。
実施例7
次の組成からなる強誘電性液晶組成物を調製した。
実施例1(Ilhl)の化合物 11.2%6
.8 % この組成物は53.5℃以下で強誘電性を示すキラルス
メクチフクC(SC”)相を示し、それ以上の温度でス
メクチックA (SA)相、62.5℃以上でキラルネ
マチソク(N1)相、を示し、71℃以上で等方性液体
相を示した。
.8 % この組成物は53.5℃以下で強誘電性を示すキラルス
メクチフクC(SC”)相を示し、それ以上の温度でス
メクチックA (SA)相、62.5℃以上でキラルネ
マチソク(N1)相、を示し、71℃以上で等方性液体
相を示した。
また、長時間低温(0℃〜−10℃)で放置しても、結
晶化せず、その融点は不明であった。
晶化せず、その融点は不明であった。
この組成物をポリイミドをコートし、ラビングによる配
向処理を施した2枚のガラス透明電極(間隔2.4μm
)間に充填し、液晶セルを作成した。このセルに50
Hz、 24 VP−Pの矩形波を印加し、その透過
光量の変化を測定したところ、25℃で46μ秒という
高速応答が確認できた。この時のチルト角は29.2°
でコントラストも良好であった。
向処理を施した2枚のガラス透明電極(間隔2.4μm
)間に充填し、液晶セルを作成した。このセルに50
Hz、 24 VP−Pの矩形波を印加し、その透過
光量の変化を測定したところ、25℃で46μ秒という
高速応答が確認できた。この時のチルト角は29.2°
でコントラストも良好であった。
本発明の一般式(I)のビフェニル誘導体はΔεが負の
液晶として有効に利用することができ、また、強誘電性
を示すSC′″液晶材料の構tcIIi、分として、Δ
εの調整や粘度低下の目的に利用することもできる。ま
た、本発明の一般式(I)の化合物は、工業的にも容易
に製造でき、水、光、熱等に対する化学的安定性に優れ
ている。
液晶として有効に利用することができ、また、強誘電性
を示すSC′″液晶材料の構tcIIi、分として、Δ
εの調整や粘度低下の目的に利用することもできる。ま
た、本発明の一般式(I)の化合物は、工業的にも容易
に製造でき、水、光、熱等に対する化学的安定性に優れ
ている。
平成1年12月28日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下記一般式( I )で表わされるトリフルオロメチ
ル基を有するビフェニル誘導体。 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R^1は炭素数1〜16のアルキル基又はアル
コキシル基を表わし、▲数式、化学式、表等があります
▼は▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化
学式、表等があります▼を表わし、XはOCH_2又は
OCOを表わし、R^2は炭素数1〜16のアルキル基
又はアルコキシル基を表わす。) 2、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学
式、表等があります▼である請求項1記載の トリフルオロメチル基を有するビフェニル誘導体。 3、XがOCOである請求項2記載のトリフルオロメチ
ル基を有するビフェニル誘導体。4、R^1が炭素数2
〜10のアルコキシル基である請求項3記載のトリフル
オロメチル基を有するビフェニル誘導体。 5、R^2がアルキル基である請求項4記載のトリフル
オロメチル基を有するビフェニル誘導体。 6、R^1がn−C_8H_1_7Oである請求項5記
載のトリフルオロメチル基を有するビフェニル誘導体。 7、R^2がn−C_6H_1_3である請求項6記載
のトリフルオロメチル基を有するビフェニル誘導体。 8、R^2がアルコキシル基である請求項4記載のトリ
フルオロメチル基を有するビフェニル誘導体。 9、R^1がn−C_8H_1_7Oである請求項8記
載のトリフルオロメチル基を有するビフェニル誘導体。 10、R^2がn−C_8H_1_7Oである請求項9
記載のトリフルオロメチル基を有するビフェニル誘導体
。 11、R^1が炭素数2〜10のアルキル基である請求
項3記載のトリフルオロメチル基を有するビフェニル誘
導体。 12、R^2がアルキル基である請求項11記載のトリ
フルオロメチル基を有するビフェニル誘導体。 13、R^1がn−C_3H_7である請求項12記載
のトリフルオロメチル基を有するビフェニル誘導体。 14、R^2がn−C_4H_9である請求項13記載
のトリフルオロメチル基を有するビフェニル誘導体。 15、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化
学式、表等があります▼である請求項1記載のトリフル
オロメチル基を有するビフェニル誘導体。 16、XがOCOである請求項15記載のトリフルオロ
メチル基を有するビフェニル誘導体。 17、R^1が炭素数2〜10のアルコキシル基である
請求項16記載のトリフルオロメチル基を有するビフェ
ニル誘導体。 18、R^2がアルキル基である請求項17記載のトリ
フルオロメチル基を有するビフェニル誘導体。 19、R^1がn−C_8H_1_7Oである請求項1
8記載のトリフルオロメチル基を有するビフェニル誘導
体。 20、R^2がn−C_7H_1_5である請求項19
記載のトリフルオロメチル基を有するビフェニル誘導体
。 21、R^1が炭素数2〜10のアルキル基である請求
項16記載のトリフルオロメチル基を有するビフェニル
誘導体。 22、R^2がアルキル基である請求項21記載のトリ
フルオロメチル基を有するビフェニル誘導体。 23、R^1がn−C_3H_7である請求項22記載
のトリフルオロメチル基を有するビフェニル誘導体。 24、R^2がn−C_3H_7である請求項23記載
のトリフルオロメチル基を有するビフェニル誘導体。 25、XがOCH_2である請求項15記載のトリフル
オロメチル基を有するビフェニル誘導体。 26、R^1が炭素数2〜10のアルキル基である請求
項25記載のトリフルオロメチル基を有するビフェニル
誘導体。 27、R^2がアルキル基である請求項26記載のトリ
フルオロメチル基を有するビフェニル誘導体。 28、R^1がn−C_3H_7である請求項27記載
のトリフルオロメチル基を有するビフェニル誘導体。 29、R^2がn−C_3H_7である請求項28記載
のトリフルオロメチル基を有するビフェニル誘導体。 30、請求項1記載の一般式( I )のトリフルオロメ
チル基を有するビフェニル誘導体の少なくとも1種を含
有する液晶組成物。 31、請求項2〜29のいずれかに記載のトリフルオロ
メチル基を有するビフェニル誘導体の少なくとも1種を
含有する液晶組成物。 32、請求項30記載の液晶組成物を含有する液晶表示
素子。 33、請求項31記載の液晶組成物を含有する液晶表示
素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1338064A JPH03200737A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | トリフルオロメチル基を有するビフェニル誘導体、液晶組成物及び液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1338064A JPH03200737A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | トリフルオロメチル基を有するビフェニル誘導体、液晶組成物及び液晶表示素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03200737A true JPH03200737A (ja) | 1991-09-02 |
Family
ID=18314573
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1338064A Pending JPH03200737A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | トリフルオロメチル基を有するビフェニル誘導体、液晶組成物及び液晶表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03200737A (ja) |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP1338064A patent/JPH03200737A/ja active Pending
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