JPH03199156A - Ｔｌ系酸化物超伝導体の製造方法 - Google Patents
Ｔｌ系酸化物超伝導体の製造方法Info
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- JPH03199156A JPH03199156A JP1338765A JP33876589A JPH03199156A JP H03199156 A JPH03199156 A JP H03199156A JP 1338765 A JP1338765 A JP 1338765A JP 33876589 A JP33876589 A JP 33876589A JP H03199156 A JPH03199156 A JP H03199156A
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Classifications
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、単相のＴｊ７系酸化物超伝導体の製造方法
に関する。
に関する。
［従来の技術Ｊ
近年、Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０系の酸化物超伝導体
が１００に以上という高い超伝導転移温度（臨界温度）
を有することが発表されて以来、Ｔｌ系の酸化物超伝導
体に関する研究が盛んに行われている。Ｔ、Ｑ系酸化物
超伝導体を製造する場合、出発原料としてＴｌＩ ２０
３ 、Ｂ ａ ＯｌＢ ａ Ｃｕ ０２ 、Ｃｕ Ｏｓ
Ｃａ Ｏ１Ｐ ｂ Ｏ５ＰｂＯ２等の酸化物試薬を使
用し、目的とする組成比で混合し、８９０〜９１０’Ｃ
の温度で７〜３０分間焼威している。
が１００に以上という高い超伝導転移温度（臨界温度）
を有することが発表されて以来、Ｔｌ系の酸化物超伝導
体に関する研究が盛んに行われている。Ｔ、Ｑ系酸化物
超伝導体を製造する場合、出発原料としてＴｌＩ ２０
３ 、Ｂ ａ ＯｌＢ ａ Ｃｕ ０２ 、Ｃｕ Ｏｓ
Ｃａ Ｏ１Ｐ ｂ Ｏ５ＰｂＯ２等の酸化物試薬を使
用し、目的とする組成比で混合し、８９０〜９１０’Ｃ
の温度で７〜３０分間焼威している。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、ＴｆＪ２０．やその他のＴｌを含む酸化
物は低融点であり、かつ、Ｔｌが高蒸気圧であるため、
焼成温度が８ＣＩＯ”Ｃ以上になるとＴＮが蒸発してし
まう。このため、従来の焼成方法では、焼成後の試料中
の’ｌが不足し、目的とする組成比を有する単相のＴ、
Ｑ系酸化物超伝導体を合成することができず、不純物を
含む試料が作製されるという欠点がある。
物は低融点であり、かつ、Ｔｌが高蒸気圧であるため、
焼成温度が８ＣＩＯ”Ｃ以上になるとＴＮが蒸発してし
まう。このため、従来の焼成方法では、焼成後の試料中
の’ｌが不足し、目的とする組成比を有する単相のＴ、
Ｑ系酸化物超伝導体を合成することができず、不純物を
含む試料が作製されるという欠点がある。
この発明はこのような実情に鑑みてなされたものであり
、組成変動がなく、不純物を実質的に含まないＴｌ系酸
化物超伝導体の製造方法を提供することを目的とする。
、組成変動がなく、不純物を実質的に含まないＴｌ系酸
化物超伝導体の製造方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段及び作用］この発明に係る
Ｔｌ系酸化物超伝導体は、Ｔｌを含む酸化物超伝導体原
料を焼成して焼結体を形成する際、酸素と共にＴｌｌ蒸
気を供給してＴＪを前記焼結体内に取込ませることを特
徴とする。
Ｔｌ系酸化物超伝導体は、Ｔｌを含む酸化物超伝導体原
料を焼成して焼結体を形成する際、酸素と共にＴｌｌ蒸
気を供給してＴＪを前記焼結体内に取込ませることを特
徴とする。
Ｔｌ系酸化物超伝導体、例えばＴｊｌ−Ｂａ −Ｃａ−
Ｃｕ−０系材料におけるＴｆＩの蒸発温度は８００℃付
近であるから、焼成中にＴｆＩが蒸発するが、焼成時に
酸素と共に供給されたＴｆＩ蒸気が前記焼結体内に取込
まれる。従って、焼結体中のＴｌの減少を防止すること
ができ、組成変動を極めて少なくすることができる。
Ｃｕ−０系材料におけるＴｆＩの蒸発温度は８００℃付
近であるから、焼成中にＴｆＩが蒸発するが、焼成時に
酸素と共に供給されたＴｆＩ蒸気が前記焼結体内に取込
まれる。従って、焼結体中のＴｌの減少を防止すること
ができ、組成変動を極めて少なくすることができる。
［実施例］
以下、この発明の実施例について詳細に説明する。
第１図は、この発明を実施するための装置を示す概略構
成図である。参照符号１１は焼結炉であり、この焼結炉
１１には炉芯管としての石英管１２が嵌装されている。
成図である。参照符号１１は焼結炉であり、この焼結炉
１１には炉芯管としての石英管１２が嵌装されている。
そして、焼結炉１１の内部に設けられているヒータ（図
示せず）に通電することにより、石英管１２を加熱する
。なお、焼結炉１１は、石英管１２内の温度が８００℃
以上となっている時間をできるだけ短くするために、８
００℃以上の温度範囲で急速に昇温することが可能なも
のが望ましい。
示せず）に通電することにより、石英管１２を加熱する
。なお、焼結炉１１は、石英管１２内の温度が８００℃
以上となっている時間をできるだけ短くするために、８
００℃以上の温度範囲で急速に昇温することが可能なも
のが望ましい。
石英管１２の各端部には、夫々コック１７゜１８が嵌め
込まれている。一方のコック１７にはガス導入管１９が
挿入されており、図示しないガス供給源からこのガス導
入管１９を介して酸素ガスが石英管１２内に導入される
。また、他方のコック１８には排気管２０．が押入され
ており、この排気管２０を通って石英管１２内が排気可
能となっている。
込まれている。一方のコック１７にはガス導入管１９が
挿入されており、図示しないガス供給源からこのガス導
入管１９を介して酸素ガスが石英管１２内に導入される
。また、他方のコック１８には排気管２０．が押入され
ており、この排気管２０を通って石英管１２内が排気可
能となっている。
石英管１２内には、容器１３．１５が設置されており、
これら容器には夫々加熱すべき超伝導体用試料１４、Ｔ
ｌを含む粉末１６（例えば、Ｔｌ。
これら容器には夫々加熱すべき超伝導体用試料１４、Ｔ
ｌを含む粉末１６（例えば、Ｔｌ。
Ｔｌ酸化物）が載せられている。なお、粉末１６は、ガ
ス導入管１つから導入される酸素ガス流に対して試料１
４の上流側に設けられている。
ス導入管１つから導入される酸素ガス流に対して試料１
４の上流側に設けられている。
なお、試料１４は、例えば得ようとする超伝導体を構成
する元素の酸化物原料を混合したものを適宜の圧力で成
形することにより得られる。
する元素の酸化物原料を混合したものを適宜の圧力で成
形することにより得られる。
このような装置によりＴｌ系酸化物超伝導体を製造する
ためには、ガス供給源からガス導入管１９を介して石英
管１２内に酸素ガスを供給しながら、焼結炉１１を作動
させ、石英管１２内を加熱する。この場合の焼結温度（
石英管内の最高到達温度）は、例えば８５０乃至９５０
℃程度であるが、８００℃付近から急速に昇温する。超
伝導体内のＴｌＩの蒸発は前述したように８００℃付近
から生じるので、８００℃以上を急速昇温することによ
り、Ｔｌの蒸発を極力抑制することができ、試料内のＴ
ｆＩの不足量を少なくすることができる。
ためには、ガス供給源からガス導入管１９を介して石英
管１２内に酸素ガスを供給しながら、焼結炉１１を作動
させ、石英管１２内を加熱する。この場合の焼結温度（
石英管内の最高到達温度）は、例えば８５０乃至９５０
℃程度であるが、８００℃付近から急速に昇温する。超
伝導体内のＴｌＩの蒸発は前述したように８００℃付近
から生じるので、８００℃以上を急速昇温することによ
り、Ｔｌの蒸発を極力抑制することができ、試料内のＴ
ｆＩの不足量を少なくすることができる。
この場合に、焼成中のＴｌの蒸発を完全に防止すること
はできず、試料１４から若干Ｔｌが蒸発してしまう。し
かし、試料１４の上流側にＴｆＩを含む粉末１６が存在
しているので、粉末１６から発生したＴρ蒸気が試料１
４の回りに充満するため、試料１４の焼結中に試料１４
内にＴ、Ｑが取込まれる。従って、試料１４からの蒸発
により不足したＴｐを補うことができ、Ｔｌ系酸化物超
伝導体の組成変動を極めて少なくすることができる。
はできず、試料１４から若干Ｔｌが蒸発してしまう。し
かし、試料１４の上流側にＴｆＩを含む粉末１６が存在
しているので、粉末１６から発生したＴρ蒸気が試料１
４の回りに充満するため、試料１４の焼結中に試料１４
内にＴ、Ｑが取込まれる。従って、試料１４からの蒸発
により不足したＴｐを補うことができ、Ｔｌ系酸化物超
伝導体の組成変動を極めて少なくすることができる。
以上の方法により、従来困難であったＴｌ系酸化物超伝
導体の単相化が可能となる。
導体の単相化が可能となる。
［発明の効果］
この発明によれば、Ｔ、１７系酸化物超伝導体原料の焼
成の際にＴｌの蒸発を抑制することができ、しかも焼結
体内にＴｌを取込ませることができるので、組成変動を
少なくすることができ、不純物を実質的に含まない単相
のＴｌ系酸化物超伝導体を製造することができる。
成の際にＴｌの蒸発を抑制することができ、しかも焼結
体内にＴｌを取込ませることができるので、組成変動を
少なくすることができ、不純物を実質的に含まない単相
のＴｌ系酸化物超伝導体を製造することができる。
第１図はこの発明に係る方法を実施するため装置の概略
構成を示す図である。 １１；焼結炉、１２；石英管、１４；試料、１６；Ｔρ
含有粉末
構成を示す図である。 １１；焼結炉、１２；石英管、１４；試料、１６；Ｔρ
含有粉末
Claims (1)
- Ｔｌを含む酸化物超伝導体原料を焼成して焼結体を形成
する際、酸素と共にＴｌ蒸気を供給してＴｌを前記焼結
体内に取込ませることを特徴とするＴｌ系酸化物超伝導
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1338765A JPH03199156A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | Ｔｌ系酸化物超伝導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1338765A JPH03199156A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | Ｔｌ系酸化物超伝導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03199156A true JPH03199156A (ja) | 1991-08-30 |
Family
ID=18321251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1338765A Pending JPH03199156A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | Ｔｌ系酸化物超伝導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03199156A (ja) |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP1338765A patent/JPH03199156A/ja active Pending
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