JPH03199156A - Tl系酸化物超伝導体の製造方法 - Google Patents

Tl系酸化物超伝導体の製造方法

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JPH03199156A
JPH03199156A JP1338765A JP33876589A JPH03199156A JP H03199156 A JPH03199156 A JP H03199156A JP 1338765 A JP1338765 A JP 1338765A JP 33876589 A JP33876589 A JP 33876589A JP H03199156 A JPH03199156 A JP H03199156A
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JP
Japan
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based oxide
oxide superconductor
sintered body
raw material
vapor
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Pending
Application number
JP1338765A
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English (en)
Inventor
Osamu Nakajima
理 中島
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Casio Computer Co Ltd
Original Assignee
Casio Computer Co Ltd
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Publication date
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

Landscapes

  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、単相のTj7系酸化物超伝導体の製造方法
に関する。
[従来の技術J 近年、Tl−Ba−Ca−Cu−0系の酸化物超伝導体
が100に以上という高い超伝導転移温度(臨界温度)
を有することが発表されて以来、Tl系の酸化物超伝導
体に関する研究が盛んに行われている。T、Q系酸化物
超伝導体を製造する場合、出発原料としてTlI 20
3 、B a OlB a Cu 02 、Cu Os
 Ca O1P b O5PbO2等の酸化物試薬を使
用し、目的とする組成比で混合し、890〜910’C
の温度で7〜30分間焼威している。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、TfJ20.やその他のTlを含む酸化
物は低融点であり、かつ、Tlが高蒸気圧であるため、
焼成温度が8CIO”C以上になるとTNが蒸発してし
まう。このため、従来の焼成方法では、焼成後の試料中
の’lが不足し、目的とする組成比を有する単相のT、
Q系酸化物超伝導体を合成することができず、不純物を
含む試料が作製されるという欠点がある。
この発明はこのような実情に鑑みてなされたものであり
、組成変動がなく、不純物を実質的に含まないTl系酸
化物超伝導体の製造方法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段及び作用]この発明に係る
Tl系酸化物超伝導体は、Tlを含む酸化物超伝導体原
料を焼成して焼結体を形成する際、酸素と共にTll蒸
気を供給してTJを前記焼結体内に取込ませることを特
徴とする。
Tl系酸化物超伝導体、例えばTjl−Ba −Ca−
Cu−0系材料におけるTfIの蒸発温度は800℃付
近であるから、焼成中にTfIが蒸発するが、焼成時に
酸素と共に供給されたTfI蒸気が前記焼結体内に取込
まれる。従って、焼結体中のTlの減少を防止すること
ができ、組成変動を極めて少なくすることができる。
[実施例] 以下、この発明の実施例について詳細に説明する。
第1図は、この発明を実施するための装置を示す概略構
成図である。参照符号11は焼結炉であり、この焼結炉
11には炉芯管としての石英管12が嵌装されている。
そして、焼結炉11の内部に設けられているヒータ(図
示せず)に通電することにより、石英管12を加熱する
。なお、焼結炉11は、石英管12内の温度が800℃
以上となっている時間をできるだけ短くするために、8
00℃以上の温度範囲で急速に昇温することが可能なも
のが望ましい。
石英管12の各端部には、夫々コック17゜18が嵌め
込まれている。一方のコック17にはガス導入管19が
挿入されており、図示しないガス供給源からこのガス導
入管19を介して酸素ガスが石英管12内に導入される
。また、他方のコック18には排気管20.が押入され
ており、この排気管20を通って石英管12内が排気可
能となっている。
石英管12内には、容器13.15が設置されており、
これら容器には夫々加熱すべき超伝導体用試料14、T
lを含む粉末16(例えば、Tl。
Tl酸化物)が載せられている。なお、粉末16は、ガ
ス導入管1つから導入される酸素ガス流に対して試料1
4の上流側に設けられている。
なお、試料14は、例えば得ようとする超伝導体を構成
する元素の酸化物原料を混合したものを適宜の圧力で成
形することにより得られる。
このような装置によりTl系酸化物超伝導体を製造する
ためには、ガス供給源からガス導入管19を介して石英
管12内に酸素ガスを供給しながら、焼結炉11を作動
させ、石英管12内を加熱する。この場合の焼結温度(
石英管内の最高到達温度)は、例えば850乃至950
℃程度であるが、800℃付近から急速に昇温する。超
伝導体内のTlIの蒸発は前述したように800℃付近
から生じるので、800℃以上を急速昇温することによ
り、Tlの蒸発を極力抑制することができ、試料内のT
fIの不足量を少なくすることができる。
この場合に、焼成中のTlの蒸発を完全に防止すること
はできず、試料14から若干Tlが蒸発してしまう。し
かし、試料14の上流側にTfIを含む粉末16が存在
しているので、粉末16から発生したTρ蒸気が試料1
4の回りに充満するため、試料14の焼結中に試料14
内にT、Qが取込まれる。従って、試料14からの蒸発
により不足したTpを補うことができ、Tl系酸化物超
伝導体の組成変動を極めて少なくすることができる。
以上の方法により、従来困難であったTl系酸化物超伝
導体の単相化が可能となる。
[発明の効果] この発明によれば、T、17系酸化物超伝導体原料の焼
成の際にTlの蒸発を抑制することができ、しかも焼結
体内にTlを取込ませることができるので、組成変動を
少なくすることができ、不純物を実質的に含まない単相
のTl系酸化物超伝導体を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に係る方法を実施するため装置の概略
構成を示す図である。 11;焼結炉、12;石英管、14;試料、16;Tρ
含有粉末

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. Tlを含む酸化物超伝導体原料を焼成して焼結体を形成
    する際、酸素と共にTl蒸気を供給してTlを前記焼結
    体内に取込ませることを特徴とするTl系酸化物超伝導
    体の製造方法。
JP1338765A 1989-12-28 1989-12-28 Tl系酸化物超伝導体の製造方法 Pending JPH03199156A (ja)

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