JPH03199156A - Tl系酸化物超伝導体の製造方法 - Google Patents
Tl系酸化物超伝導体の製造方法Info
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- JPH03199156A JPH03199156A JP1338765A JP33876589A JPH03199156A JP H03199156 A JPH03199156 A JP H03199156A JP 1338765 A JP1338765 A JP 1338765A JP 33876589 A JP33876589 A JP 33876589A JP H03199156 A JPH03199156 A JP H03199156A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、単相のTj7系酸化物超伝導体の製造方法
に関する。
に関する。
[従来の技術J
近年、Tl−Ba−Ca−Cu−0系の酸化物超伝導体
が100に以上という高い超伝導転移温度(臨界温度)
を有することが発表されて以来、Tl系の酸化物超伝導
体に関する研究が盛んに行われている。T、Q系酸化物
超伝導体を製造する場合、出発原料としてTlI 20
3 、B a OlB a Cu 02 、Cu Os
Ca O1P b O5PbO2等の酸化物試薬を使
用し、目的とする組成比で混合し、890〜910’C
の温度で7〜30分間焼威している。
が100に以上という高い超伝導転移温度(臨界温度)
を有することが発表されて以来、Tl系の酸化物超伝導
体に関する研究が盛んに行われている。T、Q系酸化物
超伝導体を製造する場合、出発原料としてTlI 20
3 、B a OlB a Cu 02 、Cu Os
Ca O1P b O5PbO2等の酸化物試薬を使
用し、目的とする組成比で混合し、890〜910’C
の温度で7〜30分間焼威している。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、TfJ20.やその他のTlを含む酸化
物は低融点であり、かつ、Tlが高蒸気圧であるため、
焼成温度が8CIO”C以上になるとTNが蒸発してし
まう。このため、従来の焼成方法では、焼成後の試料中
の’lが不足し、目的とする組成比を有する単相のT、
Q系酸化物超伝導体を合成することができず、不純物を
含む試料が作製されるという欠点がある。
物は低融点であり、かつ、Tlが高蒸気圧であるため、
焼成温度が8CIO”C以上になるとTNが蒸発してし
まう。このため、従来の焼成方法では、焼成後の試料中
の’lが不足し、目的とする組成比を有する単相のT、
Q系酸化物超伝導体を合成することができず、不純物を
含む試料が作製されるという欠点がある。
この発明はこのような実情に鑑みてなされたものであり
、組成変動がなく、不純物を実質的に含まないTl系酸
化物超伝導体の製造方法を提供することを目的とする。
、組成変動がなく、不純物を実質的に含まないTl系酸
化物超伝導体の製造方法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段及び作用]この発明に係る
Tl系酸化物超伝導体は、Tlを含む酸化物超伝導体原
料を焼成して焼結体を形成する際、酸素と共にTll蒸
気を供給してTJを前記焼結体内に取込ませることを特
徴とする。
Tl系酸化物超伝導体は、Tlを含む酸化物超伝導体原
料を焼成して焼結体を形成する際、酸素と共にTll蒸
気を供給してTJを前記焼結体内に取込ませることを特
徴とする。
Tl系酸化物超伝導体、例えばTjl−Ba −Ca−
Cu−0系材料におけるTfIの蒸発温度は800℃付
近であるから、焼成中にTfIが蒸発するが、焼成時に
酸素と共に供給されたTfI蒸気が前記焼結体内に取込
まれる。従って、焼結体中のTlの減少を防止すること
ができ、組成変動を極めて少なくすることができる。
Cu−0系材料におけるTfIの蒸発温度は800℃付
近であるから、焼成中にTfIが蒸発するが、焼成時に
酸素と共に供給されたTfI蒸気が前記焼結体内に取込
まれる。従って、焼結体中のTlの減少を防止すること
ができ、組成変動を極めて少なくすることができる。
[実施例]
以下、この発明の実施例について詳細に説明する。
第1図は、この発明を実施するための装置を示す概略構
成図である。参照符号11は焼結炉であり、この焼結炉
11には炉芯管としての石英管12が嵌装されている。
成図である。参照符号11は焼結炉であり、この焼結炉
11には炉芯管としての石英管12が嵌装されている。
そして、焼結炉11の内部に設けられているヒータ(図
示せず)に通電することにより、石英管12を加熱する
。なお、焼結炉11は、石英管12内の温度が800℃
以上となっている時間をできるだけ短くするために、8
00℃以上の温度範囲で急速に昇温することが可能なも
のが望ましい。
示せず)に通電することにより、石英管12を加熱する
。なお、焼結炉11は、石英管12内の温度が800℃
以上となっている時間をできるだけ短くするために、8
00℃以上の温度範囲で急速に昇温することが可能なも
のが望ましい。
石英管12の各端部には、夫々コック17゜18が嵌め
込まれている。一方のコック17にはガス導入管19が
挿入されており、図示しないガス供給源からこのガス導
入管19を介して酸素ガスが石英管12内に導入される
。また、他方のコック18には排気管20.が押入され
ており、この排気管20を通って石英管12内が排気可
能となっている。
込まれている。一方のコック17にはガス導入管19が
挿入されており、図示しないガス供給源からこのガス導
入管19を介して酸素ガスが石英管12内に導入される
。また、他方のコック18には排気管20.が押入され
ており、この排気管20を通って石英管12内が排気可
能となっている。
石英管12内には、容器13.15が設置されており、
これら容器には夫々加熱すべき超伝導体用試料14、T
lを含む粉末16(例えば、Tl。
これら容器には夫々加熱すべき超伝導体用試料14、T
lを含む粉末16(例えば、Tl。
Tl酸化物)が載せられている。なお、粉末16は、ガ
ス導入管1つから導入される酸素ガス流に対して試料1
4の上流側に設けられている。
ス導入管1つから導入される酸素ガス流に対して試料1
4の上流側に設けられている。
なお、試料14は、例えば得ようとする超伝導体を構成
する元素の酸化物原料を混合したものを適宜の圧力で成
形することにより得られる。
する元素の酸化物原料を混合したものを適宜の圧力で成
形することにより得られる。
このような装置によりTl系酸化物超伝導体を製造する
ためには、ガス供給源からガス導入管19を介して石英
管12内に酸素ガスを供給しながら、焼結炉11を作動
させ、石英管12内を加熱する。この場合の焼結温度(
石英管内の最高到達温度)は、例えば850乃至950
℃程度であるが、800℃付近から急速に昇温する。超
伝導体内のTlIの蒸発は前述したように800℃付近
から生じるので、800℃以上を急速昇温することによ
り、Tlの蒸発を極力抑制することができ、試料内のT
fIの不足量を少なくすることができる。
ためには、ガス供給源からガス導入管19を介して石英
管12内に酸素ガスを供給しながら、焼結炉11を作動
させ、石英管12内を加熱する。この場合の焼結温度(
石英管内の最高到達温度)は、例えば850乃至950
℃程度であるが、800℃付近から急速に昇温する。超
伝導体内のTlIの蒸発は前述したように800℃付近
から生じるので、800℃以上を急速昇温することによ
り、Tlの蒸発を極力抑制することができ、試料内のT
fIの不足量を少なくすることができる。
この場合に、焼成中のTlの蒸発を完全に防止すること
はできず、試料14から若干Tlが蒸発してしまう。し
かし、試料14の上流側にTfIを含む粉末16が存在
しているので、粉末16から発生したTρ蒸気が試料1
4の回りに充満するため、試料14の焼結中に試料14
内にT、Qが取込まれる。従って、試料14からの蒸発
により不足したTpを補うことができ、Tl系酸化物超
伝導体の組成変動を極めて少なくすることができる。
はできず、試料14から若干Tlが蒸発してしまう。し
かし、試料14の上流側にTfIを含む粉末16が存在
しているので、粉末16から発生したTρ蒸気が試料1
4の回りに充満するため、試料14の焼結中に試料14
内にT、Qが取込まれる。従って、試料14からの蒸発
により不足したTpを補うことができ、Tl系酸化物超
伝導体の組成変動を極めて少なくすることができる。
以上の方法により、従来困難であったTl系酸化物超伝
導体の単相化が可能となる。
導体の単相化が可能となる。
[発明の効果]
この発明によれば、T、17系酸化物超伝導体原料の焼
成の際にTlの蒸発を抑制することができ、しかも焼結
体内にTlを取込ませることができるので、組成変動を
少なくすることができ、不純物を実質的に含まない単相
のTl系酸化物超伝導体を製造することができる。
成の際にTlの蒸発を抑制することができ、しかも焼結
体内にTlを取込ませることができるので、組成変動を
少なくすることができ、不純物を実質的に含まない単相
のTl系酸化物超伝導体を製造することができる。
第1図はこの発明に係る方法を実施するため装置の概略
構成を示す図である。 11;焼結炉、12;石英管、14;試料、16;Tρ
含有粉末
構成を示す図である。 11;焼結炉、12;石英管、14;試料、16;Tρ
含有粉末
Claims (1)
- Tlを含む酸化物超伝導体原料を焼成して焼結体を形成
する際、酸素と共にTl蒸気を供給してTlを前記焼結
体内に取込ませることを特徴とするTl系酸化物超伝導
体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1338765A JPH03199156A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | Tl系酸化物超伝導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1338765A JPH03199156A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | Tl系酸化物超伝導体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03199156A true JPH03199156A (ja) | 1991-08-30 |
Family
ID=18321251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1338765A Pending JPH03199156A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | Tl系酸化物超伝導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03199156A (ja) |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP1338765A patent/JPH03199156A/ja active Pending
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