JPH0319301A - 薄膜抵抗体の成膜方法 - Google Patents

薄膜抵抗体の成膜方法

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JPH0319301A
JPH0319301A JP1153765A JP15376589A JPH0319301A JP H0319301 A JPH0319301 A JP H0319301A JP 1153765 A JP1153765 A JP 1153765A JP 15376589 A JP15376589 A JP 15376589A JP H0319301 A JPH0319301 A JP H0319301A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
substrate
sheet resistance
resistance value
resistive film
Prior art date
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Pending
Application number
JP1153765A
Other languages
English (en)
Inventor
Michiyoshi Kawahito
川人 道善
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0319301A publication Critical patent/JPH0319301A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔Pム業上の利用分デF〕 本発明は薄膜抵抗体の製作に係り、特に裔精度な把抗偵
制御に奸適ム抵抗膜の形成方法に関する.〔従来の技術
〕 一般に薄1摸抵抗体は、絶縁体のノ人仮」二に抵抗■q
を形I反する工程,該抵抗膜上に導体膜を積層する工程
、及び、該導体膜をフォトエッチング専でバターニング
して電極を形成する工程により製作される。また、抵抗
膜の表面が酸化して、導体膜との界面で不要な抵抗を持
つことを避けるため、般に抵抗膜と導体膜とは真空槽内
で連続的に形成される。 現在,この種の薄膜抵抗体の
製作において,基板上八の抵抗膜の形成は、スパッタリ
ング法が主流を占めている.この場合、所望のシート抵
抗値は、スパッタリング条件、例えば成膜時間,スパッ
タリングの電力等を制御することで実現していた. なお,薄膜抵抗体の製作に関連する公知文献としては,
例えば特R昭60−136391号公報等が挙げられる
. 〔発明が解決しようとする課題〕 スパッタリング法によって形成される抵抗膜のシート抵
抗値は、スパッタ装置内の残留ガス分圧、ガスの種類等
によりパッチ間で相違する.このため,成膜時間、スパ
ッタリングの電力等を制御しても、抵抗膜のシート抵抗
値の制御性が必ずしも良好でない等の本質的欠陥を有し
ている6また,抵抗膜とその上層の導体膜を同一真仝槽
内で連続的に形成する場合は,導体膜をエッチング等の
手法で除去しなければ,抵抗膜のシート抵抗値を測定で
きない等の問題がある. 本発明の目的は,形成すべき抵抗膜のシート抵抗値の制
御性を向上せしめ、かつ、抵抗膜と導体膜を連続成膜す
る場合でも、導体膜をエッチングせずにその・シ.一ト
抵抗値を測定でき、所望シート?抗値の薄膜抵抗体を高
精度に製作することを可熊とする成膜方法を提供するこ
とにある.〔課題を解決するための手段〕 上記目的を達成するために、本発明は、絶縁体の基板上
に抵抗膜を形成し,続いて該抵抗膜上に導体膜を積層し
た後、該導体膜をバターニングして電極を形成して薄膜
抵抗体を製作する工程において、前記基板上に抵抗膜を
形成する際、抵抗膜のシート抵抗値を測定しながら成膜
し,所定のシート抵抗値が得られた時点で戊膜を停止す
ることを特徴とするものである. ここで,基板上に形成■さhる抵抗膜のシート抵抗値の
測定法としては、第1は,製品基板とは別に,あらかじ
めシート抵抗測定用電極が設けられている補助基板を用
意し、基板上に抵抗膜を形成する際に同時に該補助基板
上にも抵抗膜を形成し,該補助基板上に形成される抵抗
膜のシート抵抗値を測定する方法,あるいは、製品基板
上の任意の場所にあらかじめシート抵抗測定用電極を設
けておき,該基板上に抵抗膜を形成する際に,前記電極
の設けてある場所に同時に形成される抵抗膜のシート抵
抗値を測定する方法が考えられる.〔作 用〕 本発明では、スパッタリング成膜中の基板上の抵抗膜の
シート抵抗値を直接測定している.そのため,スパッタ
リング装置の条件の変化、たとえば残留ガス分圧および
そのガス種の変動,スパッタリング用不活性ガス圧力の
変動,スパッタリング電力の変動等による抵抗膜のIi
I#抵抗や膜厚の変化に影響されることなく.所望のシ
ート抵抗値を得ることができる. 〔実施例〕 初めに,第1図及び第2図により本発明の第1の実施例
について説明する. 第1v!iは本実施例で使用するシート抵抗測定用の補
助基板であり,(a)は平面図,(b)は断面図を示し
ている.補助基板上1は、絶縁体の基板上2上にシート
抵抗i!11+1定用電極14.14’及び、必要なら
ば基板l2と電極14,14’との間に導電性接着膜1
3.1・3′を具備しており,電極14.14’以外の
部分は絶縁体が表面に露出している.この補助基板上1
は前以って作製しておく. 上記捕助基板工lを、第2図に示す如くスパッタ装置の
真仝120内に配置し,電極14.14′からリード2
1.22を真空槽20の外に引き出す.即ち,シート抵
抗値の測定は、ここでは双方の電極14.14’からそ
れぞれ2本のリードを取り出し、定電流印加による降下
電圧を測定する4端子法によるとしている.第2図の2
3は定電流供給回路,24は電住測定回路を示している
この補助基板上1に並べて、薄膜抵抗体製品となる主基
板上0を真仝槽20内に配置する.その後,スパッタリ
ングを開始すると、主基板上0上の成膜の進行に対応し
て,補助基板上1上にも抵抗膜が形成される.この補助
基板上1上の抵抗膜のシート抵抗値を、電圧測定回路2
4により測定し,所望の抵抗値が得られたところでスパ
ッタリングを停止する。この時、主基板上0上に形成さ
れた抵抗膜のシート抵抗値は、補助基板上↓の抵抗膜と
同−の値を示している。
次に,第:3図により本発明の第2の実施例について説
明する。
第3図は抵抗体製品となる主基板の一部を示したもので
あり、(a)は平面図、(b)は断面図を示している.
本実施例は,主基板上の一部を利用して、シー!・抵抗
測定用電極を形成するものである。即ち,主基板上0上
に、シート抵抗測定用電極として、円形の電極14及び
それと同心円状のもう一つの電極14’ を形成し、必
要ならば生基板lOと電Vi14.14’ との間に導
電性接着膜13.13’  を形成する.電極14.1
4’は主基板上0を貫通して裏面に通じている導体15
.15′に接続している, この主基板上0を真空槽内に配置しスパッタリングを開
始する.この時、主基板工O上の成膜の進行に対応して
電極14.14’間にも抵抗膜が形成されるため、第2
図と同様にして、導体15.15’ からリードを真空
槽外に引き出し,それに定電流供給回路23、電圧81
11定同路24を接続することにより、抵抗膜のシート
抵抗値を測定することができる。この場合、測定用リー
ド端子は、導体15.15’により主基板上0の裏面か
ら取り出しているため、製品となる主基板上0上の成膜
は河ら損われない.本実M!1例では、第1の実施例の
ようなシート抵抗測定用の補助基板が不要となる利点が
ある. 〔発明の効果〕 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、成膜
中の抵抗膜のシート抵抗値を所望の値に制御できるので
、薄膜抵抗体作製時の抵抗値の成膜バッチI!lおよび
基板間のばらつきを大幅に低減できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例に用いるシー1〜抵抗測
定用の補助基板の構造例を示す図.i2図は本発明の第
1の実施例のシート抵抗測定ti!+路系を示す図、第
3図は本発明の第2の実施例に用いる薄膜抵抗体製品用
の主基板の一部を示す図である。 10・主怯板、  ↓1・・・補助基板、l2・・・絶
縁性基板、  13.13’接着膜、14.14’  
・・電極、  15.15’導体,20・一真空槽、 
 21.22・・リード,23・定電流供給Fjl路、
 24・・・電圧測定回路。 第1図 (0−) (し冫 第2図 第3図 (1) ζb)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)絶縁体の基板上に抵抗膜を形成し、続いて該抵抗
    体膜上に導体膜を積層した後、該導体膜をパターニング
    して電極を形成して薄膜抵抗体を製作する工程において
    、 前記基板上に抵抗膜を形成する際、抵抗膜のシート抵抗
    値を測定しながら成膜し、所定のシート抵抗値が得られ
    た時点で成膜を停止することを特徴とする薄膜抵抗体の
    成膜方法。
  2. (2)基板上に形成される抵抗膜のシート抵抗値は、前
    記基板とは別に、あらかじめシート抵抗測定用電極が設
    けられている補助基板を用意し、基板上に抵抗膜を形成
    する際に同時に該補助基板上にも抵抗膜を形成し、該補
    助基板上に形成される抵抗膜のシート抵抗値を測定する
    ことで得ることを特徴とする請求項(1)記載の薄膜抵
    抗体の成膜方法。
  3. (3)基板上に形成される抵抗膜のシート抵抗値は、該
    基板上の任意の場所にあらかじめシート抵抗測定用電極
    を設けておき、基板上に抵抗膜を形成する際に、前記電
    極の設けてある場所に同時に形成される抵抗膜のシート
    抵抗値を測定することで得ることを特徴とする請求項(
    1)記載の薄膜抵抗体の成膜方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5442297A (en) * 1994-06-30 1995-08-15 International Business Machines Corporation Contactless sheet resistance measurement method and apparatus

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JPS5745205A (en) * 1980-09-01 1982-03-15 Fujitsu Ltd Resistance film sputtering device
JPS5844760A (ja) * 1981-09-10 1983-03-15 Fujitsu Ltd 薄膜混成集積回路の製造方法
JPS59103306A (ja) * 1982-12-03 1984-06-14 富山日本電気株式会社 抵抗体の製造方法およびその製造装置

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