JPS59103306A - 抵抗体の製造方法およびその製造装置 - Google Patents
抵抗体の製造方法およびその製造装置Info
- Publication number
- JPS59103306A JPS59103306A JP21236882A JP21236882A JPS59103306A JP S59103306 A JPS59103306 A JP S59103306A JP 21236882 A JP21236882 A JP 21236882A JP 21236882 A JP21236882 A JP 21236882A JP S59103306 A JPS59103306 A JP S59103306A
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- JP
- Japan
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- resistor
- insulating substrate
- vacuum chamber
- pair
- conductive electrodes
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- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、抵抗体の製造方法およびその製造装置に関し
とくにスパッタリング中の抵抗体の被着形成度合を測定
しつつ抵抗体を製造する方法および装置に関する。
とくにスパッタリング中の抵抗体の被着形成度合を測定
しつつ抵抗体を製造する方法および装置に関する。
従来、真空室内の絶縁基板の所望の位置に抵抗体を被着
するスパッタリングでは、スパッタ原子の回シ込み、２
次電子の影響で、スパッタリング中の抵抗値を測定する
ことは、困難であった。このため（イ）スパッタ電圧を
一定にしかつ真空室内の不活性ガス圧を一定にする。（
ロ）スパッタ電圧を−定にしかつ不活性ガスを制御する
ことによシスバッタ電流を一定にする等の手段により、
抵抗体の抵抗値が目標の抵抗値になるようにスパッタリ
ングする時間を定めて抵抗体を被着していた。
するスパッタリングでは、スパッタ原子の回シ込み、２
次電子の影響で、スパッタリング中の抵抗値を測定する
ことは、困難であった。このため（イ）スパッタ電圧を
一定にしかつ真空室内の不活性ガス圧を一定にする。（
ロ）スパッタ電圧を−定にしかつ不活性ガスを制御する
ことによシスバッタ電流を一定にする等の手段により、
抵抗体の抵抗値が目標の抵抗値になるようにスパッタリ
ングする時間を定めて抵抗体を被着していた。
しかしこのような従来手段では、抵抗体が目標抵抗値よ
シ、大きくずれてしまうことがあった。
シ、大きくずれてしまうことがあった。
本発明の目的は、かかる従来欠点を解決した抵抗体の製
造方法およびその製造装置を提供することにある。
造方法およびその製造装置を提供することにある。
本発明によれば、真空室内の支持台上に絶縁基板を支持
する工程と、その上面に一定の間隙全保持してマスクを
配設する工程と、絶縁基板上の両端に設けた一対の導電
電極から導出したリード線を真空室外の抵抗測定機構に
おのおのカップリングコンデンサを介して接続する工程
と、真壁室内を排気して不活性ガスを封入し、絶縁基板
上に抵抗体をスパッタターゲット電極よシ順次スパッタ
被着させ、かつ一対の導電電極間の抵抗値を電源周波数
またはその倍数とは異なる周波数で測定しつつ抵抗体を
形成する工程とからなることを特徴とする抵抗体の製造
方法、お↓びマスクを一定の間隙を保持して上面に配廠
した一対の導電性電極を有する絶縁基板と、絶縁基板を
載置する支持台を収容して抵抗体をスパッタする真空室
と、絶縁基板上の一対の導電電極から外部に導出したリ
ード線対をおのおのコンデンサーを介して電源周波数ま
たはその倍数とは異なる周波数にて抵抗値測定可能な抵
抗測定機構と接続した抵抗モニタ機構とを有することを
特徴とする抵抗体の製造装置が得られる。
する工程と、その上面に一定の間隙全保持してマスクを
配設する工程と、絶縁基板上の両端に設けた一対の導電
電極から導出したリード線を真空室外の抵抗測定機構に
おのおのカップリングコンデンサを介して接続する工程
と、真壁室内を排気して不活性ガスを封入し、絶縁基板
上に抵抗体をスパッタターゲット電極よシ順次スパッタ
被着させ、かつ一対の導電電極間の抵抗値を電源周波数
またはその倍数とは異なる周波数で測定しつつ抵抗体を
形成する工程とからなることを特徴とする抵抗体の製造
方法、お↓びマスクを一定の間隙を保持して上面に配廠
した一対の導電性電極を有する絶縁基板と、絶縁基板を
載置する支持台を収容して抵抗体をスパッタする真空室
と、絶縁基板上の一対の導電電極から外部に導出したリ
ード線対をおのおのコンデンサーを介して電源周波数ま
たはその倍数とは異なる周波数にて抵抗値測定可能な抵
抗測定機構と接続した抵抗モニタ機構とを有することを
特徴とする抵抗体の製造装置が得られる。
以下、本発明一実施例の抵抗体の製造装置の構成第１図
〜第３図を参照して説明する。 。
〜第３図を参照して説明する。 。
真空室１内には上部からタンタル、ニクロムなどの金属
板を吊持したスパッタ、ターゲット電極２と、電極２の
面と対向した位置にセラミックなどの絶縁基板３の抵抗
被着面を平行に配設する支持台４を左右に分割して設け
る。
板を吊持したスパッタ、ターゲット電極２と、電極２の
面と対向した位置にセラミックなどの絶縁基板３の抵抗
被着面を平行に配設する支持台４を左右に分割して設け
る。
この支持台４の分割された各内壁面には絶縁基板３の両
端を支持する段差部４ａを設け、かつ支持台４は絶縁基
板３０幅に応じて図示省略した左右移動できる機構を設
ける。絶縁基板３上に一定の間隔を保持して配設するマ
スク５はニッケル、ステンレスなどの金属板の中央には
、間隙部５ａを設け、両端には支持台４に固定する孔５
６を設ける。真空室１内のＰ３縁基板３の導電電極６と
真空室１の外部に設置した抵抗測定器７とを先端に、わ
にぐちクリップなどの接触片８を付けたリード線９にカ
ップリングコンデンサ１０を介して接続する。
端を支持する段差部４ａを設け、かつ支持台４は絶縁基
板３０幅に応じて図示省略した左右移動できる機構を設
ける。絶縁基板３上に一定の間隔を保持して配設するマ
スク５はニッケル、ステンレスなどの金属板の中央には
、間隙部５ａを設け、両端には支持台４に固定する孔５
６を設ける。真空室１内のＰ３縁基板３の導電電極６と
真空室１の外部に設置した抵抗測定器７とを先端に、わ
にぐちクリップなどの接触片８を付けたリード線９にカ
ップリングコンデンサ１０を介して接続する。
次に本発明の抵抗体の製造方法を説明する。
第３図の如く抵抗基板３０幅に応じて間隙を調整された
支持台３の段差部４ａに抵抗基板３′に支持し、一対の
導電電極６にリード線９を接続する。
支持台３の段差部４ａに抵抗基板３′に支持し、一対の
導電電極６にリード線９を接続する。
次に第２図のマスク５を支持台３の段差部４３面よシ一
定の高さを設けて突出形成させた支持台４の突出面４ｂ
上に載せてねぢ止めで固定する（第２図）。
定の高さを設けて突出形成させた支持台４の突出面４ｂ
上に載せてねぢ止めで固定する（第２図）。
このマスク５は絶縁基板３の上面から０．２絹程度の間
隙を設けて固定する。
隙を設けて固定する。
次に真空室１内の空気を排気してアルゴンなどの不活性
ガスを適量注入し、上部に吊持したスパッタターゲット
電極２から抵抗体のスパッタ原子を放出する。放出され
たスパッタ原子は、マスク５０間隙部５ａを通過して絶
縁基板３上に抵抗体を順次スパッタ被着させる。このと
き一対の導電電極６間の抵抗値を電源周波数またはその
倍数とは異なるたとえば１１２０ｆ（Ｚの周波数でカッ
プリングコンデンサ１０を介して接続した測定器７で１
１１１次測定しつつ目標の抵抗値になったらスパッタリ
ングを停止する。この場合はスパッタ被着すれる抵抗体
は、絶縁基板３上に一定の間隔で保持されたマスク５に
よって一定の平面形状を示しかつマスク５と絶縁基板３
上の抵抗体とが絶縁されるためスパッタリング中の回シ
込みの影響がなくなる。またカップリングコンデンサ１
０によって、直流バイアスによる抵抗値測定時の雑音を
抑えることが可能であシ、電源周波数およびその倍数と
は異なる測定周波数を用いることによっで交流的電源変
動の影響を抑えられる。これらのことよりスパッタリン
グ中に一対の導電電極６間の抵抗体の抵抗値が精度よく
測定されるため目標抵抗値に対して、バラツキの少ない
抵抗体の形成が可能である。
ガスを適量注入し、上部に吊持したスパッタターゲット
電極２から抵抗体のスパッタ原子を放出する。放出され
たスパッタ原子は、マスク５０間隙部５ａを通過して絶
縁基板３上に抵抗体を順次スパッタ被着させる。このと
き一対の導電電極６間の抵抗値を電源周波数またはその
倍数とは異なるたとえば１１２０ｆ（Ｚの周波数でカッ
プリングコンデンサ１０を介して接続した測定器７で１
１１１次測定しつつ目標の抵抗値になったらスパッタリ
ングを停止する。この場合はスパッタ被着すれる抵抗体
は、絶縁基板３上に一定の間隔で保持されたマスク５に
よって一定の平面形状を示しかつマスク５と絶縁基板３
上の抵抗体とが絶縁されるためスパッタリング中の回シ
込みの影響がなくなる。またカップリングコンデンサ１
０によって、直流バイアスによる抵抗値測定時の雑音を
抑えることが可能であシ、電源周波数およびその倍数と
は異なる測定周波数を用いることによっで交流的電源変
動の影響を抑えられる。これらのことよりスパッタリン
グ中に一対の導電電極６間の抵抗体の抵抗値が精度よく
測定されるため目標抵抗値に対して、バラツキの少ない
抵抗体の形成が可能である。
以上本発明によると、スパッタリング中スパッタ被着さ
れる抵抗体の抵抗値が順次精度よく容易に測定できるた
め、目標抵抗値に対して精度の良い抵抗体が得られ、か
つ製造ロフト毎のバラツキを小さくすることができると
いう効果がある。
れる抵抗体の抵抗値が順次精度よく容易に測定できるた
め、目標抵抗値に対して精度の良い抵抗体が得られ、か
つ製造ロフト毎のバラツキを小さくすることができると
いう効果がある。
第１図は、本発明の抵抗体の製造装置の断面図、第２図
はマスクの拡大平面図、第３図は第１図の製造装置主要
部の絶縁基板と金属マスクを保持する支持台付近の拡大
断面図。
はマスクの拡大平面図、第３図は第１図の製造装置主要
部の絶縁基板と金属マスクを保持する支持台付近の拡大
断面図。
Claims (2)
- （１）真空室内の支持台上に絶縁基板を支持する工程と
、その上面に一定の間隙を保持してマスクを配設する工
程と、前記絶縁基板上の両端に設けた一対の導電電極か
ら導出したリード線を、真空室外の抵抗測定機構におの
おのカップリングコンデンサを介して接続する工程と、
前記真空室内を排気して不活性ガスを注入し、絶縁基板
上に、抵抗体をスパッタターゲット電極よシ順次スパッ
タ被着させ、かつ前記一対の導電電極間の抵抗値を、電
源周波数またはその倍数とは異なる周波数で測定しつつ
抵抗体を形成する工程とからなることを特徴とする抵抗
体の製造方法。 - （２）マスクを一定の間隙を保持して、上面に配設し九
一対の導電性電極を有する絶縁基板と、前記絶縁基板を
載置する支持台とを収容して抵抗体をスパッタする真空
室と、前記絶縁基板上の一対の導電電極から外部に導出
したリード線対をおのおのコンデンサを介して電源周波
数またはその倍数とは異なる周波数にて抵抗値測定可能
な抵抗測定機構と接続した抵抗モニタ機構とを有するこ
とを特徴とする抵抗体の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21236882A JPS59103306A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 抵抗体の製造方法およびその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21236882A JPS59103306A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 抵抗体の製造方法およびその製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59103306A true JPS59103306A (ja) | 1984-06-14 |
| JPS6338847B2 JPS6338847B2 (ja) | 1988-08-02 |
Family
ID=16621397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21236882A Granted JPS59103306A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 抵抗体の製造方法およびその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59103306A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0319301A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Hitachi Ltd | 薄膜抵抗体の成膜方法 |
-
1982
- 1982-12-03 JP JP21236882A patent/JPS59103306A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0319301A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Hitachi Ltd | 薄膜抵抗体の成膜方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6338847B2 (ja) | 1988-08-02 |
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