JPS6227568A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS6227568A JPS6227568A JP16552585A JP16552585A JPS6227568A JP S6227568 A JPS6227568 A JP S6227568A JP 16552585 A JP16552585 A JP 16552585A JP 16552585 A JP16552585 A JP 16552585A JP S6227568 A JPS6227568 A JP S6227568A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- sputtering
- constant current
- resistance value
- pair
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はスパッタリング装置に関する。
薄膜製造方法には、真空蒸着法、ス・ぐ、クリング法等
がある。スパッタリング法は高融点材料あるいは活性的
な材料の膜をス・にツタリングする材料の組成を真空蒸
着法に比べて容易に膜形成できるという利点があり、特
にマグネトロン構造のス・ンッタリング法は高速低温ス
・?ツタリング法とも呼ばれ、近年、薄膜形成の主流と
なっている(例えば「ス・ゼ、タリング現象」金原粂著
、東京大学出版会P161〜P162、r rONIc
s j創刊号P43〜P48)。
がある。スパッタリング法は高融点材料あるいは活性的
な材料の膜をス・にツタリングする材料の組成を真空蒸
着法に比べて容易に膜形成できるという利点があり、特
にマグネトロン構造のス・ンッタリング法は高速低温ス
・?ツタリング法とも呼ばれ、近年、薄膜形成の主流と
なっている(例えば「ス・ゼ、タリング現象」金原粂著
、東京大学出版会P161〜P162、r rONIc
s j創刊号P43〜P48)。
従来の薄膜製造方法、例えばス・ンッタリング法を例に
とると、ターケ°ットに例えばタンタル(Ta)を用い
、活性ガスを含む10−1〜IPa程度の低気圧中での
放電により電離ガスがターケ゛7ト電iM K衝突し、
メンタル原子をたたき出し、たたき出されたタンタル原
子は電離ガス中の活性ガスイオンと反応して周囲に付着
し、薄膜を形成する、いわゆる反応性スパッタリング法
において、抵抗膜を形成する場合、所望の面積抵抗値の
如き特性を得る方法としては、導入ガス量、投入電力量
、電流等の諸条件を規定する方法によっていた。しかる
に従来の方法ではこれらの諸条件の変動等により、期待
すべき面積抵抗値等の特性を有した抵抗膜が得にくいと
いう問題点があった。
とると、ターケ°ットに例えばタンタル(Ta)を用い
、活性ガスを含む10−1〜IPa程度の低気圧中での
放電により電離ガスがターケ゛7ト電iM K衝突し、
メンタル原子をたたき出し、たたき出されたタンタル原
子は電離ガス中の活性ガスイオンと反応して周囲に付着
し、薄膜を形成する、いわゆる反応性スパッタリング法
において、抵抗膜を形成する場合、所望の面積抵抗値の
如き特性を得る方法としては、導入ガス量、投入電力量
、電流等の諸条件を規定する方法によっていた。しかる
に従来の方法ではこれらの諸条件の変動等により、期待
すべき面積抵抗値等の特性を有した抵抗膜が得にくいと
いう問題点があった。
本発明の目的は、かかる問題点を除去したス・Pツタリ
ング装置を提供することにある。
ング装置を提供することにある。
本発明は絶縁基体のスパッタ面に一対の電極を一定間隔
置いて設置し、該電極間に定電流を印加する定電流電源
と、スパッタに伴う該電極間の電圧を測定する測定器と
を設けたことを特徴とするス・ぞツタリング装置である
。
置いて設置し、該電極間に定電流を印加する定電流電源
と、スパッタに伴う該電極間の電圧を測定する測定器と
を設けたことを特徴とするス・ぞツタリング装置である
。
次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第1図および第2図に本発明による実施例を示す。第1
図において、例えばセラミックからなる絶縁基体1のス
ノ?ツタ面1aに一対の電極2a、2bを一定間隔置い
て設置し、一対の電極2a、2b間に定電流電源3およ
びボルトメータ4を銅線5で配線する。第2図に示すよ
うに、この絶縁基体1はそのスフ8フ2面1aをターグ
ツ) 11に対向させて真空容器6内に配置し、真空容
器6外へ定電流電源3およびボルトメータ(測定器)4
を配置する。
図において、例えばセラミックからなる絶縁基体1のス
ノ?ツタ面1aに一対の電極2a、2bを一定間隔置い
て設置し、一対の電極2a、2b間に定電流電源3およ
びボルトメータ4を銅線5で配線する。第2図に示すよ
うに、この絶縁基体1はそのスフ8フ2面1aをターグ
ツ) 11に対向させて真空容器6内に配置し、真空容
器6外へ定電流電源3およびボルトメータ(測定器)4
を配置する。
真空容器6内にはスパッタリング用DC電源7の陰極に
接続されたターゲット電極8と、薄膜形成用基板9を保
持する基板ホルダー10を配置し、基板ホルダー10と
、DC電源7の陽極は接地する。
接続されたターゲット電極8と、薄膜形成用基板9を保
持する基板ホルダー10を配置し、基板ホルダー10と
、DC電源7の陽極は接地する。
また、ターゲット11には例えばタンタル(Ta)材を
具備し、該真空容器6内を例えば10−’Pa程度まで
排気し、次に例えばアルゴンガス(Ar)と、窒素ガス
(N2)および酸素ガス(0□)を所定量真空容器6内
へ導入し、真空容器6内の圧力を10−1〜IPa程度
に保ち、ターゲット電極8と基板ホルダー10との間で
DC電源7により放電させる。電離したアルゴンガス(
Ar”)はターゲット11のタンタル材に衝突し、たた
き出されたタンタル原子と電離した窒素ガスイオンおよ
び酸素ガスイオンとが反応し、TaNx0Yの組成の薄
膜が基板ホルダー10の基板9上に形成される。このと
き本発明による絶縁基体1を基板ホルダー10に基板9
とともにセットしておき、絶縁基板1上に形成されるT
aNxO,lv組成の薄膜の面積抵抗値を、一対の電
極2a 、 2b間に定電流電源3により定電流を印加
し、ボルトメータ4により電極2a 、 2b間の電圧
を測定することによシ絶縁基体1に形成される薄膜の面
積抵抗値を算出し、所望の面積抵抗値が得られるまでス
パッタリングを行ない所定の面積抵抗値を有する抵抗膜
を得る。
具備し、該真空容器6内を例えば10−’Pa程度まで
排気し、次に例えばアルゴンガス(Ar)と、窒素ガス
(N2)および酸素ガス(0□)を所定量真空容器6内
へ導入し、真空容器6内の圧力を10−1〜IPa程度
に保ち、ターゲット電極8と基板ホルダー10との間で
DC電源7により放電させる。電離したアルゴンガス(
Ar”)はターゲット11のタンタル材に衝突し、たた
き出されたタンタル原子と電離した窒素ガスイオンおよ
び酸素ガスイオンとが反応し、TaNx0Yの組成の薄
膜が基板ホルダー10の基板9上に形成される。このと
き本発明による絶縁基体1を基板ホルダー10に基板9
とともにセットしておき、絶縁基板1上に形成されるT
aNxO,lv組成の薄膜の面積抵抗値を、一対の電
極2a 、 2b間に定電流電源3により定電流を印加
し、ボルトメータ4により電極2a 、 2b間の電圧
を測定することによシ絶縁基体1に形成される薄膜の面
積抵抗値を算出し、所望の面積抵抗値が得られるまでス
パッタリングを行ない所定の面積抵抗値を有する抵抗膜
を得る。
以上説明したように本発明はス・母ツタリングにより形
成される抵抗膜の膜特性、例えば面積抵抗値を直接測定
できるため、所定の面積抵抗値が得られた時点でス・f
ツタリングを終了させることにより、抵抗膜の面積抵抗
値が再現性よく得られ、したがって高品質の薄膜が得ら
れるという効果がある。
成される抵抗膜の膜特性、例えば面積抵抗値を直接測定
できるため、所定の面積抵抗値が得られた時点でス・f
ツタリングを終了させることにより、抵抗膜の面積抵抗
値が再現性よく得られ、したがって高品質の薄膜が得ら
れるという効果がある。
第1図は本発明の実施例を示す構成図、第2図は絶縁基
体の実装状態を示す図である。 1・・・絶縁基体 2a、2b・・・電極3・・・
定電流電源 4・・・ビルトメータ(測定器)5・・
・銅線 6・・・真空容器7・・・DC電源
8・・・ターゲット電極9・・・基板
1o・・・基板ボルダ−11・・・ターグット
体の実装状態を示す図である。 1・・・絶縁基体 2a、2b・・・電極3・・・
定電流電源 4・・・ビルトメータ(測定器)5・・
・銅線 6・・・真空容器7・・・DC電源
8・・・ターゲット電極9・・・基板
1o・・・基板ボルダ−11・・・ターグット
Claims (1)
- (1)絶縁基体のスパッタ面に一対の電極を一定間隔置
いて設置し、該電極間に定電流を印加する定電流電源と
、スパッタに伴う該電極間の電圧を測定する測定器とを
設けたことを特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16552585A JPS6227568A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16552585A JPS6227568A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6227568A true JPS6227568A (ja) | 1987-02-05 |
Family
ID=15814046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16552585A Pending JPS6227568A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6227568A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008258167A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | E2V Technologies (Uk) Ltd | マグネトロン |
US10065330B1 (en) | 2017-03-02 | 2018-09-04 | Gregory Lawrence Weisman | Utility scissors assembly |
-
1985
- 1985-07-26 JP JP16552585A patent/JPS6227568A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008258167A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | E2V Technologies (Uk) Ltd | マグネトロン |
US10065330B1 (en) | 2017-03-02 | 2018-09-04 | Gregory Lawrence Weisman | Utility scissors assembly |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4016061A (en) | Method of making resistive films | |
JP2009008693A (ja) | 容量式の真空測定セル | |
US4393434A (en) | Capacitance humidity sensor | |
US3526584A (en) | Method of providing a field free region above a substrate during sputter-depositing thereon | |
JPS6227568A (ja) | スパツタリング装置 | |
US2816239A (en) | Sealed crystal assembly | |
US3453143A (en) | Method of making a moisture sensitive capacitor | |
JPH076853A (ja) | ギャップ放電素子及びその製造方法 | |
JP2001326071A (ja) | 有機led素子のパッシベーション膜成膜方法 | |
US3664943A (en) | Method of producing tantalum nitride film resistors | |
JP2810779B2 (ja) | 容量式薄膜湿度センサおよびその製造方法 | |
JPH0122730B2 (ja) | ||
JPS58198884A (ja) | サ−ジ吸収素子 | |
JPS6141766A (ja) | スパツタリング方法およびスパツタ−装置 | |
JPH11317276A (ja) | アレスター | |
US2629842A (en) | Constant voltage glow discharge control device | |
JP2580320B2 (ja) | サージ吸収素子 | |
JPH06101392B2 (ja) | プラズマ・パラメータ測定用プローブの表面清浄化方法 | |
JPH0878134A (ja) | サージアブソーバー及びその製造方法 | |
JP2927567B2 (ja) | スパツタリング装置 | |
JPS59103306A (ja) | 抵抗体の製造方法およびその製造装置 | |
JPH0570949A (ja) | アークイオンプレーテイング装置における蒸発量検出装置 | |
JPH06211504A (ja) | コロナ放電器の製造方法 | |
SU1169043A1 (ru) | Электродна система газоразр дной индикаторной панели | |
JP2580313B2 (ja) | サージ吸収素子 |