JP2580320B2 - サージ吸収素子 - Google Patents
サージ吸収素子Info
- Publication number
- JP2580320B2 JP2580320B2 JP1076462A JP7646289A JP2580320B2 JP 2580320 B2 JP2580320 B2 JP 2580320B2 JP 1076462 A JP1076462 A JP 1076462A JP 7646289 A JP7646289 A JP 7646289A JP 2580320 B2 JP2580320 B2 JP 2580320B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surge
- absorbing element
- surge absorbing
- response voltage
- gap
- Prior art date
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、マイクロギャップ式サージ吸収素子に関す
る。更に、詳しくは、サージ応答電圧を所望値にできる
マイクロギャップ式サージ吸収素子に関する。
る。更に、詳しくは、サージ応答電圧を所望値にできる
マイクロギャップ式サージ吸収素子に関する。
[従来の技術] サージ吸収素子である放電管は作製方法からガス圧を
大気圧以下とする必要があるためギャップ間隔を1mm以
上として、放電開始電圧及びサージ応答電圧を制御する
ものである。然し乍ら、そのギャップ間隔が1mm以上と
大きいため、サージ応答電圧が高いという欠点を持って
いる。
大気圧以下とする必要があるためギャップ間隔を1mm以
上として、放電開始電圧及びサージ応答電圧を制御する
ものである。然し乍ら、そのギャップ間隔が1mm以上と
大きいため、サージ応答電圧が高いという欠点を持って
いる。
[発明が解決しようとする問題点] 本発明は、ギャップ間隔が80μm以下のマイクロギャ
ップを有するサージ吸収素子において、大気圧以上のア
ルゴンガス下で封止することにより、サージ応答電圧を
低くできるマイクロギャップ式サージ吸収素子を提供す
ることを目的にする。
ップを有するサージ吸収素子において、大気圧以上のア
ルゴンガス下で封止することにより、サージ応答電圧を
低くできるマイクロギャップ式サージ吸収素子を提供す
ることを目的にする。
[発明の構成] [問題点を解決するための手段] 本発明は、封止ガラス管内にマイクロギャップ素子を
有するサージ吸収素子において、マイクロギャップ間隔
80μm以下のマイクロギャップ素子の封止管内に、アル
ゴンガスを大気圧以上の高圧下に封入することにより、
サージ応答電圧を所望値に調整したことを特徴とするマ
イクロギャップ式サージ吸収素子を提供する。
有するサージ吸収素子において、マイクロギャップ間隔
80μm以下のマイクロギャップ素子の封止管内に、アル
ゴンガスを大気圧以上の高圧下に封入することにより、
サージ応答電圧を所望値に調整したことを特徴とするマ
イクロギャップ式サージ吸収素子を提供する。
[作用] 本発明によると、マイクロギャップ式サージ吸収素子
のガラス管内に封止するアルゴンガス圧を、大気圧より
高圧にすることにより、形成すべきギャップ幅を小さく
できると同時に、それによる放電開始電圧及びサージ応
答電圧を任意に制御することのできるサージ吸収素子を
可能にしたものである。
のガラス管内に封止するアルゴンガス圧を、大気圧より
高圧にすることにより、形成すべきギャップ幅を小さく
できると同時に、それによる放電開始電圧及びサージ応
答電圧を任意に制御することのできるサージ吸収素子を
可能にしたものである。
本発明のマイクロギャップ式サージ吸収素子の構造
は、第1図の概略断面図に示される。円柱状セラミック
ス絶縁体3の表面上に導電性被膜2を形成し、絶縁溝
1、即ち、マイクロギャップを形成し、アルゴンガス7
で絶縁性外装体6中に封止したものである。円柱状セラ
ミックス絶縁体3の表面上に形成された両側の導電性被
膜2の両端には、電極5を形成し、リード線4を接続
し、図示のように外装体6の外部にまで通じてある。
は、第1図の概略断面図に示される。円柱状セラミック
ス絶縁体3の表面上に導電性被膜2を形成し、絶縁溝
1、即ち、マイクロギャップを形成し、アルゴンガス7
で絶縁性外装体6中に封止したものである。円柱状セラ
ミックス絶縁体3の表面上に形成された両側の導電性被
膜2の両端には、電極5を形成し、リード線4を接続
し、図示のように外装体6の外部にまで通じてある。
このような構造のサージ吸収素子において、各ギャッ
プ間隔での、即ち、ギャップ間隔を20、30、40、50、8
0、100、150μmと変えたサージ吸収素子を作製し、各
々について、800℃での封止ガス圧(横軸にとる)とサ
ージ応答電圧(縦軸にとる:(1.2×50)μ秒−2kVのサ
ージ電圧を5回印加したときのサージ応答電圧の平均
値)との関係を測定した結果を、第2図のグラフに示
す。これから、ギャップ間隔が狭いほどガス圧の高いと
ころで、サージ応答電圧は最小値をとり、その値も小さ
くなることが明らかである。また、サージ応答電圧が最
小値を示すときの各ギャップ間隔と封止ガス圧(800℃
での)の関係を測定し、第3図に示す。これより、ギャ
ップ間隔が80μm以下のとき封止温度で大気圧即ち760T
orr以上となることが明らかである。
プ間隔での、即ち、ギャップ間隔を20、30、40、50、8
0、100、150μmと変えたサージ吸収素子を作製し、各
々について、800℃での封止ガス圧(横軸にとる)とサ
ージ応答電圧(縦軸にとる:(1.2×50)μ秒−2kVのサ
ージ電圧を5回印加したときのサージ応答電圧の平均
値)との関係を測定した結果を、第2図のグラフに示
す。これから、ギャップ間隔が狭いほどガス圧の高いと
ころで、サージ応答電圧は最小値をとり、その値も小さ
くなることが明らかである。また、サージ応答電圧が最
小値を示すときの各ギャップ間隔と封止ガス圧(800℃
での)の関係を測定し、第3図に示す。これより、ギャ
ップ間隔が80μm以下のとき封止温度で大気圧即ち760T
orr以上となることが明らかである。
本発明に用いた導電性被膜は、電気抵抗率の小さい材
料であれば、金属、合金等を用いることができるが、特
にそれに限定されるものではない。
料であれば、金属、合金等を用いることができるが、特
にそれに限定されるものではない。
次に、本発明のマイクロギャップ式サージ吸収素子を
具体的な実施例により説明するが、本発明は次の説明に
より限定されるものではない。
具体的な実施例により説明するが、本発明は次の説明に
より限定されるものではない。
[実施例1] 本実施例を断面により第4図に示す。被膜は、BaAlを
用い、ギャップ幅は、20μmである。即ち、鉛ガラス外
装体5内にアルゴンガス7で封止された円柱状アルミナ
碍子体3の表面上に導電性被膜(BaAl)2を形成し、そ
の真ん中にギャップ1を形成し、また、その両端に半球
状ステンレスキャップ4を接合した構造のものである。
外部電極6は、そのステンレスキャップ4に先端接続さ
れたものである。
用い、ギャップ幅は、20μmである。即ち、鉛ガラス外
装体5内にアルゴンガス7で封止された円柱状アルミナ
碍子体3の表面上に導電性被膜(BaAl)2を形成し、そ
の真ん中にギャップ1を形成し、また、その両端に半球
状ステンレスキャップ4を接合した構造のものである。
外部電極6は、そのステンレスキャップ4に先端接続さ
れたものである。
次に、本実施例における封止ガス圧(800℃での)と
放電開始電圧、サージ応答電圧の関係を測定した結果を
第5図に示す。横軸に800℃での封止ガス圧をとり、縦
軸に放電開始電圧及びサージ応答電圧をとったものであ
る。
放電開始電圧、サージ応答電圧の関係を測定した結果を
第5図に示す。横軸に800℃での封止ガス圧をとり、縦
軸に放電開始電圧及びサージ応答電圧をとったものであ
る。
サージ応答電圧は、(1.2×50)μ秒−2kVで印加した
ときの応答電圧を測定したものである。
ときの応答電圧を測定したものである。
封止ガス圧が3000Torrのとき放電開始電圧は130V、サ
ージ応答電圧は440Vとなり、ネオン管等の放電管に比
べ、約1/2のサージ応答電圧となった。
ージ応答電圧は440Vとなり、ネオン管等の放電管に比
べ、約1/2のサージ応答電圧となった。
[発明の効果] 本発明のサージ吸収素子は、大気圧以上の圧力のアル
ゴンガスを封止したマイクロギャップ素子を使用するこ
とにより、 第1に、サージ応答電圧を任意に制御して得られるサ
ージ吸収素子が可能となったこと、 第2に、特に、ネオン管等の放電管に比べ、サージ応
答電圧が低くできるサージ吸収素子を提供できるなどの
技術的な効果が得られた。
ゴンガスを封止したマイクロギャップ素子を使用するこ
とにより、 第1に、サージ応答電圧を任意に制御して得られるサ
ージ吸収素子が可能となったこと、 第2に、特に、ネオン管等の放電管に比べ、サージ応
答電圧が低くできるサージ吸収素子を提供できるなどの
技術的な効果が得られた。
第1図は、本発明によるマイクロギャップ式サージ吸収
素子の構造を示す断面図である。 第2図は、第1図のサージ吸収素子による測定した封止
ガス圧とサージ応答電圧との関係を示すグラフである。 第3図は、第1図のサージ吸収素子に対して測定したサ
ージ応答電圧が最小値でのギャップ間隔と封止ガス圧と
の関係を示すグラフである。 第4図は、本発明による構造のマイクロギャップ式サー
ジ吸収素子の一例を示す断面図である。 第5図は、第4図のサージ吸収素子により測定した封止
ガス圧とサージ応答電圧、放電開始電圧との関係を示す
グラフである。 [主要部分の符号の説明] 1……絶縁溝 2……導電性被膜或いはBaAl被膜 3……セラミックス絶縁体或いはアルミナ碍子 4……リード線或いはキャップ 5……電極或いは外部電極 6……絶縁性外装体或いはガラス管 7……アルゴンガス
素子の構造を示す断面図である。 第2図は、第1図のサージ吸収素子による測定した封止
ガス圧とサージ応答電圧との関係を示すグラフである。 第3図は、第1図のサージ吸収素子に対して測定したサ
ージ応答電圧が最小値でのギャップ間隔と封止ガス圧と
の関係を示すグラフである。 第4図は、本発明による構造のマイクロギャップ式サー
ジ吸収素子の一例を示す断面図である。 第5図は、第4図のサージ吸収素子により測定した封止
ガス圧とサージ応答電圧、放電開始電圧との関係を示す
グラフである。 [主要部分の符号の説明] 1……絶縁溝 2……導電性被膜或いはBaAl被膜 3……セラミックス絶縁体或いはアルミナ碍子 4……リード線或いはキャップ 5……電極或いは外部電極 6……絶縁性外装体或いはガラス管 7……アルゴンガス
フロントページの続き (72)発明者 猿渡 暢也 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三菱鉱業セメント株式会社セラミックス 研究所内 (72)発明者 内田 秋夫 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三菱鉱業セメント株式会社セラミックス 研究所内 (56)参考文献 特開 昭53−848(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】封止ガラス管内にマイクロギャップ素子を
有するサージ吸収素子において、 該マイクロギャップ間隔80μm以下のマイクロギャップ
素子の封止管内に、アルゴンガスを大気圧以上の高圧下
に封入することにより、サージ応答電圧を所望値に調整
したことを特徴とするマイクロギャップ式サージ吸収素
子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1076462A JP2580320B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | サージ吸収素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1076462A JP2580320B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | サージ吸収素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02257586A JPH02257586A (ja) | 1990-10-18 |
JP2580320B2 true JP2580320B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=13605833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1076462A Expired - Lifetime JP2580320B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | サージ吸収素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2580320B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100711943B1 (ko) * | 2003-04-10 | 2007-05-02 | 오카야 덴기 산교 가부시키가이샤 | 방전관 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53848A (en) * | 1976-06-25 | 1978-01-07 | Mitsubishi Mining & Cement Co | Surge absorbing element |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP1076462A patent/JP2580320B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02257586A (ja) | 1990-10-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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