JP2580313B2 - サージ吸収素子 - Google Patents
サージ吸収素子Info
- Publication number
- JP2580313B2 JP2580313B2 JP1030982A JP3098289A JP2580313B2 JP 2580313 B2 JP2580313 B2 JP 2580313B2 JP 1030982 A JP1030982 A JP 1030982A JP 3098289 A JP3098289 A JP 3098289A JP 2580313 B2 JP2580313 B2 JP 2580313B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surge
- absorbing element
- surge absorbing
- response voltage
- microgap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、マイクロギャップ式サージ吸収素子に関す
る。更に、詳しくは、サージ応答電圧を所望値にできる
マイクロギャップ式サージ吸収素子に関する。
る。更に、詳しくは、サージ応答電圧を所望値にできる
マイクロギャップ式サージ吸収素子に関する。
［従来の技術］ サージ吸収素子であるネオン管は作製方法からガス圧
を大気圧以下とする必要があるためギャップ間隔を150
μｍ以上として、放電開始電圧及びサージ応答電圧を制
御するものである。然し乍ら、そのギャップ間隔が150
μｍ以上と大きいため、サージ応答電圧が高いという欠
点を持っている。
を大気圧以下とする必要があるためギャップ間隔を150
μｍ以上として、放電開始電圧及びサージ応答電圧を制
御するものである。然し乍ら、そのギャップ間隔が150
μｍ以上と大きいため、サージ応答電圧が高いという欠
点を持っている。
［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は、ギャップ間隔が150μｍ以下のマイクロギ
ャップを有するサージ吸収素子において、大気圧以上の
ネオンガス下で封止することにより、サージ応答電圧を
低くできるマイクロギャップ式サージ吸収素子を提供す
ることを目的にする。
ャップを有するサージ吸収素子において、大気圧以上の
ネオンガス下で封止することにより、サージ応答電圧を
低くできるマイクロギャップ式サージ吸収素子を提供す
ることを目的にする。
［発明の構成］ ［問題点を解決するための手段］ 本発明は、封止ガラス管内にマイクロギャップ素子を
有するサージ吸収素子において、マイクロギャップ間隔
150μｍ以下のマイクロギャップ素子の封止管内に、ネ
オンガスを大気圧以上の高圧下に封入することにより、
サージ応答電圧を所望値に調整したことを特徴とするマ
イクロギャップ式サージ吸収素子を提供する。
有するサージ吸収素子において、マイクロギャップ間隔
150μｍ以下のマイクロギャップ素子の封止管内に、ネ
オンガスを大気圧以上の高圧下に封入することにより、
サージ応答電圧を所望値に調整したことを特徴とするマ
イクロギャップ式サージ吸収素子を提供する。
［作用］ 本発明によると、マイクロギャップ式サージ吸収素子
のガラス管内に封止するネオンガス圧を、大気圧より高
圧にすることにより、形成すべきギャップ幅を小さくで
きると同時に、それによる放電開始電圧及びサージ応答
電圧を任意に制御することのできるサージ吸収素子を可
能にしたものである。
のガラス管内に封止するネオンガス圧を、大気圧より高
圧にすることにより、形成すべきギャップ幅を小さくで
きると同時に、それによる放電開始電圧及びサージ応答
電圧を任意に制御することのできるサージ吸収素子を可
能にしたものである。
本発明のマイクロギャップ式サージ吸収素子の構造
は、第１図の概略断面図に示される。円柱状セラミック
ス絶縁体３の表面上に導電性被膜２を形成し、絶縁溝
１、即ち、マイクロギャップを形成し、ネオンガス７で
絶縁性外装体６中に封止したものである。円柱状セラミ
ックス絶縁体３の表面上に形成された両側の導電性被膜
２の両端には、電極５を形成し、リード線４を接続し、
図示のように外装体６の外部にまで通じてある。
は、第１図の概略断面図に示される。円柱状セラミック
ス絶縁体３の表面上に導電性被膜２を形成し、絶縁溝
１、即ち、マイクロギャップを形成し、ネオンガス７で
絶縁性外装体６中に封止したものである。円柱状セラミ
ックス絶縁体３の表面上に形成された両側の導電性被膜
２の両端には、電極５を形成し、リード線４を接続し、
図示のように外装体６の外部にまで通じてある。
このような構造のサージ吸収素子において、各ギャッ
プ間隔での、即ち、ギャップ間隔を20、30、40、70、10
0、150、200μｍと変えたサージ吸収素子を作製し、各
々について、800℃での封止ガス圧（横軸にとる）とサ
ージ応答電圧（縦軸にとる：（1.2×50）μ秒−2kVのサ
ージ電圧を５回印加したときのサージ応答電圧の平均
値）との関係を測定した結果を、第２図のグラフに示
す。これから、ギャップ間隔が狭いほどガス圧の高いと
ころで、サージ応答電圧は最小値をとり、その値も小さ
くなることが明らかである。また、サージ応答電圧が最
小値を示すときの各ギャップ間隔と封止ガス圧（800℃
での）の関係を測定し、第３図に示す。これより、ギャ
ップ間隔が150μｍ以下のとき封止温度で大気圧即ち760
Torr以上となることが明らかである。
プ間隔での、即ち、ギャップ間隔を20、30、40、70、10
0、150、200μｍと変えたサージ吸収素子を作製し、各
々について、800℃での封止ガス圧（横軸にとる）とサ
ージ応答電圧（縦軸にとる：（1.2×50）μ秒−2kVのサ
ージ電圧を５回印加したときのサージ応答電圧の平均
値）との関係を測定した結果を、第２図のグラフに示
す。これから、ギャップ間隔が狭いほどガス圧の高いと
ころで、サージ応答電圧は最小値をとり、その値も小さ
くなることが明らかである。また、サージ応答電圧が最
小値を示すときの各ギャップ間隔と封止ガス圧（800℃
での）の関係を測定し、第３図に示す。これより、ギャ
ップ間隔が150μｍ以下のとき封止温度で大気圧即ち760
Torr以上となることが明らかである。
本発明に用いた導電性被膜は、電気抵抗率の小さい材
料であれば、金属、合金等を用いることができるが、特
にそれに限定されるものではない。
料であれば、金属、合金等を用いることができるが、特
にそれに限定されるものではない。
次に、本発明のマイクロギャップ式サージ吸収素子を
具体的な実施例により説明するが、本発明は、次の説明
により限定されるものではない。
具体的な実施例により説明するが、本発明は、次の説明
により限定されるものではない。
［実施例１］ 本実施例を断面により第４図に示す。被膜は、BaAlを
用い、ギャップ幅は、20μｍである。即ち、鉛ガラス外
装体５内にネオンガス７で封止された円柱状アルミナ碍
子体３の表面上に導電性被膜（BaAl）２を形成し、その
真ん中にギャップ１を形成し、また、その両端に半球状
ステンレスキャップ４を接合した構造のものである。外
部電極６は、そのステンレスキャップ４に先端接続され
たものである。
用い、ギャップ幅は、20μｍである。即ち、鉛ガラス外
装体５内にネオンガス７で封止された円柱状アルミナ碍
子体３の表面上に導電性被膜（BaAl）２を形成し、その
真ん中にギャップ１を形成し、また、その両端に半球状
ステンレスキャップ４を接合した構造のものである。外
部電極６は、そのステンレスキャップ４に先端接続され
たものである。
次に、本実施例における封止ガス圧（800℃での）と
放電開始電圧、サージ応答電圧の関係を測定した結果を
第５図に示す。横軸に800℃での封止ガス圧をとり、縦
軸に放電開始電圧及びサージ応答電圧をとったものであ
る。
放電開始電圧、サージ応答電圧の関係を測定した結果を
第５図に示す。横軸に800℃での封止ガス圧をとり、縦
軸に放電開始電圧及びサージ応答電圧をとったものであ
る。
サージ応答電圧は、（1.2×50）μ秒−2kVで印加した
ときの応答電圧を測定したものである。
ときの応答電圧を測定したものである。
封止ガス圧が4800Torrのとき放電開始電圧は120V、サ
ージ応答電圧は290Vとなり、ネオン管等の放電管に比
べ、1/2以下のサージ応答電圧となった。
ージ応答電圧は290Vとなり、ネオン管等の放電管に比
べ、1/2以下のサージ応答電圧となった。
［発明の効果］ 本発明のサージ吸収素子は、大気圧以上の圧力のネオ
ンガスを封止したマイクロギャップ素子を使用すること
により、 第１に、サージ応答電圧を任意に制御して得られるサ
ージ吸収素子が可能となったこと、 第２に、特に、ネオン管等の放電管に比べ、サージ応
答電圧が低くできるサージ吸収素子を提供できるなどの
技術的な効果が得られた。
ンガスを封止したマイクロギャップ素子を使用すること
により、 第１に、サージ応答電圧を任意に制御して得られるサ
ージ吸収素子が可能となったこと、 第２に、特に、ネオン管等の放電管に比べ、サージ応
答電圧が低くできるサージ吸収素子を提供できるなどの
技術的な効果が得られた。
第１図は、本発明によるマイクロギャップ式サージ吸収
素子の構造を示す断面図である。 第２図は、第１図のサージ吸収素子により測定した封止
ガス圧とサージ応答電圧と関係を示すグラフである。 第３図は、第１図のサージ吸収素子に対して測定したサ
ージ応答電圧が最小値でのギャップ間隔と封止ガス圧と
の関係を示すグラフである。 第４図は、本発明による構造のマイクロギャップ式サー
ジ吸収素子の一例を示す断面図である。 第５図は、第４図のサージ吸収素子により測定した封止
ガス圧とサージ応答電圧、放電開始電圧と関係を示すグ
ラフである。 ［主要部分の符号の説明］ １……絶縁溝 ２……導電性被膜或いはBaAl被膜 ３……セラミックス絶縁体或いはアルミナ碍子 ４……リード線或いはキャップ ５……電極或いは外部電極 ６……絶縁性外装体或いはガラス管 ７……ネオンガス
素子の構造を示す断面図である。 第２図は、第１図のサージ吸収素子により測定した封止
ガス圧とサージ応答電圧と関係を示すグラフである。 第３図は、第１図のサージ吸収素子に対して測定したサ
ージ応答電圧が最小値でのギャップ間隔と封止ガス圧と
の関係を示すグラフである。 第４図は、本発明による構造のマイクロギャップ式サー
ジ吸収素子の一例を示す断面図である。 第５図は、第４図のサージ吸収素子により測定した封止
ガス圧とサージ応答電圧、放電開始電圧と関係を示すグ
ラフである。 ［主要部分の符号の説明］ １……絶縁溝 ２……導電性被膜或いはBaAl被膜 ３……セラミックス絶縁体或いはアルミナ碍子 ４……リード線或いはキャップ ５……電極或いは外部電極 ６……絶縁性外装体或いはガラス管 ７……ネオンガス
フロントページの続き (72)発明者 猿渡 暢也 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三菱鉱業セメント株式会社セラミックス 研究所内 (72)発明者 内田 秋夫 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三菱鉱業セメント株式会社セラミックス 研究所内 (56)参考文献 特開 昭53−848（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】封止ガラス管内にマイクロギャップ素子を
有するサージ吸収素子において、 該マイクロギャップ間隔150μｍ以下のマイクロギャッ
プ素子の封止管内に、ネオンガスを大気圧以上の高圧下
に封入することにより、サージ応答電圧を所望値に調整
したことを特徴とするマイクロギャップ式サージ吸収素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030982A JP2580313B2 (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | サージ吸収素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030982A JP2580313B2 (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | サージ吸収素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02213076A JPH02213076A (ja) | 1990-08-24 |
| JP2580313B2 true JP2580313B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=12318843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1030982A Expired - Lifetime JP2580313B2 (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | サージ吸収素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2580313B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53848A (en) * | 1976-06-25 | 1978-01-07 | Mitsubishi Mining & Cement Co | Surge absorbing element |
-
1989
- 1989-02-13 JP JP1030982A patent/JP2580313B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02213076A (ja) | 1990-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1056902A (en) | Surge arrester | |
| CA1126329A (en) | Gas-filled discharge tube, more particularly a surge arrester | |
| GB1437924A (en) | Surge voltage arresters | |
| US4578733A (en) | Surge voltage arrester | |
| JP4140173B2 (ja) | チップ型サージアブソーバおよびその製造方法 | |
| JP2580313B2 (ja) | サージ吸収素子 | |
| US5235247A (en) | Discharge tube with activation layer | |
| JP2580320B2 (ja) | サージ吸収素子 | |
| JPH033353B2 (ja) | ||
| US20160208397A1 (en) | Electrode and electrode structural body | |
| US5391961A (en) | Gas-filled discharge tube | |
| US4187526A (en) | Gas-Discharge surge arrester with concentric electrodes | |
| JPH10335042A (ja) | 放電管 | |
| JPH01311585A (ja) | 放電型サージ吸収素子 | |
| JP2707570B2 (ja) | マイクロギャップ式サージ吸収素子 | |
| JPH0727795B2 (ja) | サ−ジ吸収素子 | |
| JP2900505B2 (ja) | サージ吸収素子 | |
| JPH0878134A (ja) | サージアブソーバー及びその製造方法 | |
| JPS6341749Y2 (ja) | ||
| JP2606785B2 (ja) | コロナ放電器の製造方法 | |
| JPH0724234B2 (ja) | マイクロギャップ式サージ吸収素子 | |
| JPH0132712Y2 (ja) | ||
| JPH0132713Y2 (ja) | ||
| JP2676730B2 (ja) | 低電圧用のサージ吸収素子 | |
| JPH03171582A (ja) | ガス放電型避雷器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071121 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081121 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081121 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091121 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091121 Year of fee payment: 13 |