JPH0878134A - サージアブソーバー及びその製造方法 - Google Patents

サージアブソーバー及びその製造方法

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JPH0878134A
JPH0878134A JP24063994A JP24063994A JPH0878134A JP H0878134 A JPH0878134 A JP H0878134A JP 24063994 A JP24063994 A JP 24063994A JP 24063994 A JP24063994 A JP 24063994A JP H0878134 A JPH0878134 A JP H0878134A
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JP
Japan
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dielectric
dielectric chip
chip
electrodes
dumet
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JP24063994A
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Inventor
Jiro Tokura
戸倉次朗
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PATENT PROMOTE CENTER KK
PATENT PUROMOOTO CENTER KK
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PATENT PROMOTE CENTER KK
PATENT PUROMOOTO CENTER KK
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 誘電体チップを電極間に介設した低価格のサ
ージアブソーバー 【構成】 アルミナ等の誘電体シートを裁断して直方形
の誘電体チップを作成する。銅皮膜を有するジュメット
電極間にこの誘電体チップを介設し,高温チャンバー内
に放電気体を流して硝子管内にこの誘電体チップとジュ
メット電極を硝子封止する。 【効果】 400〜1000ボルトの放電開始電圧を有
するサージアブソーバーを提供できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は過電圧から電子回路等を
保護するギャップ式サージアブソーバーに関する。
【0002】
【従来の技術】ギャップ式吸収素子は対向電極を離して
配置し,過電圧時に気中放電破壊によって両電極を短絡
状態にする。放電開始電圧を安定にするため, 絶縁筒上
の導電皮膜を50μm程のギャップで分離するマイクロギ
ャップ方式が採用された( 特開昭51-97740号等) 。アー
ク放電に耐える導電性セラミック皮膜が普及している
(特公昭63-57918号) 。このマイクロギャップ方式と並
行して対向電極間に絶縁スペーサを介設する方式も検討
された( 特公昭58-7235 号) 。この絶縁スペーサは平行
な電極表面をアーク放電から保護する目的と,両電極間
の距離を一定に保つために採用されている( 公報2 欄35
行〜3 欄3 行) 。また,マイクロギャップ方式の歩留り
を改善すべく絶縁スペーサとの組み合わせを検討するが
(特開平5-268725号),商品化には至っていない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】絶縁スペーサで両電極
間を離して対向配置する方式は,両電極間の距離を所定
値に保つ役割として絶縁スペーサを認識している。絶縁
スペーサ方式は量産ペースでの絶縁スペーサ寸法バラツ
キや対向電極の平行保持等の問題により,実用化されず
に来ている。本発明はこの絶縁スペーサを誘電体チップ
として評価し,ギャップ放電素子の放電原理に遡って検
討・試作した結果,放電開始電圧が400V以上の放電
素子として商品化に耐えるものと知得するに到った。
【0004】
【課題を解決するための手段】一定厚さの誘電体シート
を裁断して誘電体チップを形成し,銅皮膜を有する平行
なジュメット電極間にこの誘電体チップを介設し,放電
気体が流れる高温チャンバー内で,誘電体チップ及びこ
れに当接する両ジュメット電極を硝子封止する。誘電体
チップ表面に沿面放電を発生すべく,誘電体チップの対
角線長さを少なくとも硝子管内径の0.35倍以上にする。
【0005】
【作用】アルミナ磁器の比誘電率は6〜10で対向電極面
の電荷分布は,誘電体チップに当接する部分と放電気体
に露出する部分とは当然異なる。不均一電界分布によ
り, 両電極間に過電圧が加わった時, この誘電体チップ
の角部表面に沿って先ず沿面放電が発生する。ギャップ
式吸収素子の放電開始電圧は, ギャップ間隔と放電気体
圧力との積そして電極表面の電子放出特性によって決ま
る。誘電体チップによる不均一電界分布と,ジュメット
電極表面の銅皮膜によって,400 ボルト程度でも安定し
た放電特性を有するサージアブソーバーが可能になっ
た。
【0006】
【実施例】アルミナ(Al2O3) が60〜90%, 二酸化珪素(S
iO2)が40〜10%からなる誘電体シートの厚さは300 μm
であり,これを格子状に裁断して, 一辺が300 μmの立
方体状の誘電体チップ1を作成する。比誘電率は6 〜10
である。外径が760 μmのジュメット電極2は, 鉄とニ
ッケルの合金の表面に銅皮膜を形成してある。銅皮膜の
電子放出特性と硝子表面との濡れ性は優れている。内径
が850 μmの硝子管3内に,ジュメット電極2,誘電体
チップ1そしてジュメット電極2を順次挿入し,アルゴ
ンガスが大気圧下で流れる高温チャンバー内で硝子封止
する。封止温度は670℃である。この誘電体チップ1
の放電開始電圧を直流電圧(静電気寿命試験)で測定し
たところ,400±20V。疑似サージ応答試験は,
(1 ×50) μsec-1KV の電圧サージの時, 825 V( 明)
と600 V( 暗)。(10×1000) μsec-1KV の時は800V
( 明) と500 V( 暗)。(100 ×1000) μsec-1KV の時
は600 V( 明) と550V( 暗)。暗はサージアブソーバ
ーをテープで隠した状態。明暗効果もなく優れたサージ
吸収特性を有する。 高温チャンバー内にアルゴンガスを流しているため,
誘電体チップ1 やジュメット電極2 の表面に付着してい
る酸素ガス等は硝子封止前に除去される。 直方形誘電体チップ1の対角線寸法を硝子管3の内径
の0.35倍以上にしてあるため,誘電体チップ1の角部表
面に沿面放電が先ず発生し,両ジュメット電極2間の短
絡や間隔変動による放電開始電圧変動を阻止する。
【0007】上記と同じ誘電体チップ1等を使用してア
ルゴンガスの代わりに窒素ガスを封入した。放電開始電
圧は約1000ボルトであった。また,誘電体チップ1 を10
00μmの立方体とすると, 放電開始電圧は2200〜2650ボ
ルトであった。
【0008】直方体の誘電体チップ1の対角線(ジュメ
ット電極に当接する面)長さは,(硝子管3の内径) ×
0.35, 以上必要であることが分かった。これ以下である
と,両ジュメット電極2 が接触する虞があり,誘電体チ
ップ1の角部での沿面放電が円滑に発生しないことが分
かった。また,誘電体チップ1の厚さは,同じ理由によ
り,200μm以上が好ましい。
【0009】
【発明の効果】要するに,本発明は一定厚さの誘電体シ
ートを裁断して誘電体チップ1を形成し,銅皮膜を有す
る平行なジュメット電極間にこの誘電体チップを介設
し,放電気体が流れる高温チャンバー内で,誘電体チッ
プ1及びこれに当接する両ジュメット電極2を硝子封止
するため,ジュメット電極2の誘電体チップ1に当接す
る面と放電気体に接触する面との電界分布を異ならして
過電圧時にはこの誘電体チップ1の表面に先ず沿面放電
を発生させることができる。単に,絶縁スペーサとして
ではなく,両ジュメット電極間に誘電体としてこの誘電
体チップ1が介設された点に本発明の特徴がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】硝子管を切り開いた時の正面図である。
【図2】断面図である。
【符号の説明】
1 誘電体チップ 2 ジュメット電極 3 硝子管

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 硝子封止された平行電極面間に一定厚さ
    の誘電体チップを予め介在してなる,サージアブソーバ
    ー。
  2. 【請求項2】 一定厚さの誘電体シートを裁断して直方
    形の誘電体チップを形成し,銅皮膜を有する平行なジュ
    メット電極間にこの誘電体チップを介設し,放電気体が
    流れる高温チャンバー内で,誘電体チップ及びこれに当
    接する両ジュメット電極を硝子封止する,サージアブソ
    ーバーの製造方法。
  3. 【請求項3】 銅皮膜を有する対向ジュメット電極間
    に,一定厚さの誘電体チップをスペーサとして介設して
    対向電極間隔を維持し,直方形の誘電体チップ表面に沿
    面放電を発生すべく,誘電体チップの対角線長さを少な
    くとも硝子管内径の0.35倍以上にする,サージアブソー
    バー。
  4. 【請求項4】 アルミナを主成分とし厚さが200 μm以
    上の誘電体シートを裁断して直方形の誘電体チップを形
    成し,この誘電体チップを両電極間に介設して対向電極
    間距離を200 μm以上に保ち,誘電体チップの対角線長
    さを少なくとも硝子管内径の0.35倍以上にし,誘電体チ
    ップ及びこれに当接する両ジュメット電極を硝子管内に
    硝子封止する,サージアブソーバー。
JP24063994A 1994-09-08 1994-09-08 サージアブソーバー及びその製造方法 Pending JPH0878134A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0952646A1 (en) * 1998-04-27 1999-10-27 Bing Lin Yang Surge absorber without chips
JP2009059633A (ja) * 2007-08-31 2009-03-19 Mitsubishi Materials Corp サージアブソーバ
JP2009059634A (ja) * 2007-08-31 2009-03-19 Mitsubishi Materials Corp サージアブソーバ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0952646A1 (en) * 1998-04-27 1999-10-27 Bing Lin Yang Surge absorber without chips
JP2009059633A (ja) * 2007-08-31 2009-03-19 Mitsubishi Materials Corp サージアブソーバ
JP2009059634A (ja) * 2007-08-31 2009-03-19 Mitsubishi Materials Corp サージアブソーバ

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