JPH0274002A - 温度検知素子 - Google Patents
温度検知素子Info
- Publication number
- JPH0274002A JPH0274002A JP22704688A JP22704688A JPH0274002A JP H0274002 A JPH0274002 A JP H0274002A JP 22704688 A JP22704688 A JP 22704688A JP 22704688 A JP22704688 A JP 22704688A JP H0274002 A JPH0274002 A JP H0274002A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- counter electrodes
- resistance value
- sensitive films
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 abstract 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 6
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical group [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、例えば複写機のトナ一定着用ヒートローラな
ど回転体の表面温度を検出するのに使用される温度検知
素子に関するものである。
ど回転体の表面温度を検出するのに使用される温度検知
素子に関するものである。
従来の技術
近年、情報化社会に欠かせないＯＡ機器の進展は目覚ま
しく、特（複写機の性能向上、低価格化については著し
い。
しく、特（複写機の性能向上、低価格化については著し
い。
この複写機にはトナ一定着用のヒートローラが備わって
いるが、このヒートローラに接触させヒートローラの表
面温度を約１８０°Ｃに制御するため温度センサを用い
ている。そこで最近はこの温度センサの性能向上、低価
格化の要望が大きくなっている。ここで述べる温度検知
素子はこのような背景のもとに開発された温度センサに
用いられるものである。
いるが、このヒートローラに接触させヒートローラの表
面温度を約１８０°Ｃに制御するため温度センサを用い
ている。そこで最近はこの温度センサの性能向上、低価
格化の要望が大きくなっている。ここで述べる温度検知
素子はこのような背景のもとに開発された温度センサに
用いられるものである。
従来の温度検知素子の構造を、第３図を参照して説明す
る。第３図は、従来の温度センサの斜視図である。第３
図において、６はアルミナ等の絶縁基板、６ａ 、６ｂ
は対向電極で、サーミスタ材料で構成した温度感応膜７
に接続している。８４゜８ｂは対向電極６ａ 、６ｂに
半田等により各々接続されたリード線である。
る。第３図は、従来の温度センサの斜視図である。第３
図において、６はアルミナ等の絶縁基板、６ａ 、６ｂ
は対向電極で、サーミスタ材料で構成した温度感応膜７
に接続している。８４゜８ｂは対向電極６ａ 、６ｂに
半田等により各々接続されたリード線である。
温度感応膜７は検出した温度に応じて電気抵抗値が変化
するため、その変化を電極ｓａ 、ｅｂを介してリード
、１）ｇＨａ＆、ａｂから読み取ることができる。
するため、その変化を電極ｓａ 、ｅｂを介してリード
、１）ｇＨａ＆、ａｂから読み取ることができる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記従来の構成では、ある設定温度に対す
る電気抵抗値が、その感応膜の製造上やむをえず出てし
まう誤差を持つため、設定された抵抗値範囲に入るもの
だけを良品とするとか、抵抗値ランクを設けて選別し、
ランクに応じて温度センサと直列に固定抵抗値を接続し
て抵抗調整するとかしなければならない。すなわち、選
別工程を必要とするとか、別に固定抵抗値を余分に接続
しなければならないなど、著しく生産性に欠けるきいう
問題点を有していた。
る電気抵抗値が、その感応膜の製造上やむをえず出てし
まう誤差を持つため、設定された抵抗値範囲に入るもの
だけを良品とするとか、抵抗値ランクを設けて選別し、
ランクに応じて温度センサと直列に固定抵抗値を接続し
て抵抗調整するとかしなければならない。すなわち、選
別工程を必要とするとか、別に固定抵抗値を余分に接続
しなければならないなど、著しく生産性に欠けるきいう
問題点を有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、従来のよ
う例選別工程によシネ良品とされる素子が発生すること
もなく、又、別に固定抵抗値を接続することも必要上せ
ず、非常に生産性の高い温度検知素子を提供することを
目的とする。
う例選別工程によシネ良品とされる素子が発生すること
もなく、又、別に固定抵抗値を接続することも必要上せ
ず、非常に生産性の高い温度検知素子を提供することを
目的とする。
課題を解決するだめの手段
この問題点を解決するために本発明の温度検知素子は、
絶縁基板と、この絶縁基板の一方主面上に形成された対
向電極と、この対向電極を架橋して接続する少なくとも
２つ以上の温度感応膜とから構成している。
絶縁基板と、この絶縁基板の一方主面上に形成された対
向電極と、この対向電極を架橋して接続する少なくとも
２つ以上の温度感応膜とから構成している。
作用
この構成によって、複数個設けられた温度感応膜をレー
ザーやりューター等のトリミングなどにより切断するこ
とにより規定のセンサ抵抗値に調整することができるの
で、従来のように選別工程により不良品とされる素子が
発生することもなく、又、別に固定抵抗値を接続するこ
とも必要とせず、非常に生産性の高い温度検知素子を提
供することができる。
ザーやりューター等のトリミングなどにより切断するこ
とにより規定のセンサ抵抗値に調整することができるの
で、従来のように選別工程により不良品とされる素子が
発生することもなく、又、別に固定抵抗値を接続するこ
とも必要とせず、非常に生産性の高い温度検知素子を提
供することができる。
実施例
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例による温度検知素子の斜視図
、第２図（ａ）は絶縁基板に対向電極を設置した状態を
示す平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の基板に温度
感応膜を重ねて設置した状態を示す平面図である。
、第２図（ａ）は絶縁基板に対向電極を設置した状態を
示す平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の基板に温度
感応膜を重ねて設置した状態を示す平面図である。
図において、１はアルミナ等を主成分とする絶縁基板で
、その一方の主面上にはｐｔ等のペーストを厚膜印刷等
によシ設置された対向電極２ａ。
、その一方の主面上にはｐｔ等のペーストを厚膜印刷等
によシ設置された対向電極２ａ。
２ｂがある。
対向電極２ａ 、２ｂに架橋するようにして、サーミス
タ材料をスクリーン印刷等により、４つの温度感応膜３
１Ｌ 、３ｂ 、３０．３ｄが設けられている。
タ材料をスクリーン印刷等により、４つの温度感応膜３
１Ｌ 、３ｂ 、３０．３ｄが設けられている。
対向電極２ａ 、２ｂの各々の一端には高温半田等によ
って耐熱性リード線４ａ 、４ｂが接続されている。
って耐熱性リード線４ａ 、４ｂが接続されている。
このようにして、構成された本実施例の温度検知素子に
ついて以下その動作を説明する。
ついて以下その動作を説明する。
本実施例の温度検知素子は、複写機のトナ一定着用ヒー
トローラに用いる温度センサに使用される。
トローラに用いる温度センサに使用される。
まず、温度変化が絶縁基板１上の厚膜サーミスタ材料に
伝えられると、その材料特性から電気抵抗値が変化して
、その変化を対向電極２ａ 、２ｂを介してリード線４
ａ 、４ｂよ力測定される。ところが、素子毎に、その
電気抵抗値は、電極間の寸法バラツキや膜厚の不均一性
など、いろいろな要因により一定値にはならない。そこ
で例えば、第２図（ｂ）のように温度感応膜３ｄをリュ
ータ−を用いてトリミングすることによシ所望のセンサ
抵抗値に調整することができる。
伝えられると、その材料特性から電気抵抗値が変化して
、その変化を対向電極２ａ 、２ｂを介してリード線４
ａ 、４ｂよ力測定される。ところが、素子毎に、その
電気抵抗値は、電極間の寸法バラツキや膜厚の不均一性
など、いろいろな要因により一定値にはならない。そこ
で例えば、第２図（ｂ）のように温度感応膜３ｄをリュ
ータ−を用いてトリミングすることによシ所望のセンサ
抵抗値に調整することができる。
以上のように本実施例によれば、複数個設けられた温度
感応膜をレーザーやりューター等のトリミングなどによ
り切断することＫよシ所望のセンサ抵抗値に調整するこ
とができるので、従来のように選別工程により不良品と
される素子が発生することもなく、又、別に抵抗調整用
に固定抵抗値を接続することも必要とせず、非常に実用
性に富み、生産性の高い温度検知素子を提供することが
できる。
感応膜をレーザーやりューター等のトリミングなどによ
り切断することＫよシ所望のセンサ抵抗値に調整するこ
とができるので、従来のように選別工程により不良品と
される素子が発生することもなく、又、別に抵抗調整用
に固定抵抗値を接続することも必要とせず、非常に実用
性に富み、生産性の高い温度検知素子を提供することが
できる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、絶縁基板と、この絶縁基
板の一方主面上に形成された対向電極と、この対向電極
を架橋して接続する少なくとも２つ以上の温度感応膜と
からなる構成を有することによって、複数個設けられた
温度感応膜をレーザーやりューター等のトリミングなど
により切断することにより所望のセンサ抵抗値に調整す
ることができるので、従来のように選別工程によシネ良
品とされる素子が発生することもなく、又、別に固定抵
抗値を接続することも必要とせず、非常に実用性に富み
、生産性の高い温度検知素子を提供することができる。
板の一方主面上に形成された対向電極と、この対向電極
を架橋して接続する少なくとも２つ以上の温度感応膜と
からなる構成を有することによって、複数個設けられた
温度感応膜をレーザーやりューター等のトリミングなど
により切断することにより所望のセンサ抵抗値に調整す
ることができるので、従来のように選別工程によシネ良
品とされる素子が発生することもなく、又、別に固定抵
抗値を接続することも必要とせず、非常に実用性に富み
、生産性の高い温度検知素子を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例による温度検知素子の斜視図
、第２図＜ＩＬ）は絶縁基板に対向電極を設置した状態
を示す平面図、第２図（ｂ）はその基板に温度感応膜を
重ねて設置した状態を示す平面図、第３図は従来の温度
検知素子の部分破砕斜視図である。 １・・・・・絶縁基板、２ａ 、２ｂ・・・・・電極、
３２Ｌ。 ３ｂ 、３０．３ｄ川・・温度感応膜。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名第１
図 図 （α］ （ｂ） 第 ３ 図 Ｉ −・ ＃！縁幕抜 ２ｏ、２ｂ −−ｔ 壺
、第２図＜ＩＬ）は絶縁基板に対向電極を設置した状態
を示す平面図、第２図（ｂ）はその基板に温度感応膜を
重ねて設置した状態を示す平面図、第３図は従来の温度
検知素子の部分破砕斜視図である。 １・・・・・絶縁基板、２ａ 、２ｂ・・・・・電極、
３２Ｌ。 ３ｂ 、３０．３ｄ川・・温度感応膜。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名第１
図 図 （α］ （ｂ） 第 ３ 図 Ｉ −・ ＃！縁幕抜 ２ｏ、２ｂ −−ｔ 壺
Claims (1)
- 絶縁基板と、この絶縁基板の一方の主面上に形成され
た対向電極と、この対向電極を架橋して接続する少なく
とも２つ以上の温度感応膜とからなる温度検知素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22704688A JPH0274002A (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 温度検知素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22704688A JPH0274002A (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 温度検知素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0274002A true JPH0274002A (ja) | 1990-03-14 |
Family
ID=16854679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22704688A Pending JPH0274002A (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 温度検知素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0274002A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112643049A (zh) * | 2020-12-04 | 2021-04-13 | 中国科学院力学研究所 | 一种热电偶瞬态热流传感器的3d打印制作方法及装置 |
-
1988
- 1988-09-09 JP JP22704688A patent/JPH0274002A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112643049A (zh) * | 2020-12-04 | 2021-04-13 | 中国科学院力学研究所 | 一种热电偶瞬态热流传感器的3d打印制作方法及装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3943557A (en) | Semiconductor package with integral hermeticity detector | |
| US5896081A (en) | Resistance temperature detector (RTD) formed with a surface-mount-device (SMD) structure | |
| US4763534A (en) | Pressure sensing device | |
| US4805296A (en) | Method of manufacturing platinum resistance thermometer | |
| CA1040746A (en) | Thin film resistance temperature detector | |
| JPH01109250A (ja) | ガスセンサ | |
| EP1616172B1 (en) | A thin semiconductor film gas sensor device | |
| US4377944A (en) | Integrated gas sensitive unit comprising a gas sensitive semiconductor element and a resistor for gas concentration measurement | |
| CA1306519C (en) | Electric laminar resistor and method of making same | |
| JPH0274002A (ja) | 温度検知素子 | |
| JP2005091045A (ja) | 薄膜抵抗測温シート | |
| US4660277A (en) | Method for forming large area amorphous semiconductor layer and contact type image sensor | |
| US3890703A (en) | Method of making humidity sensor | |
| CN209896062U (zh) | 一种集成电路芯片电阻 | |
| JPH08124658A (ja) | ライン型加熱体及びその製造方法 | |
| EP0360967B1 (en) | Method of testing conductor film quality | |
| CN110416203B (zh) | 一种集成电路芯片电阻及其制造工艺 | |
| JPS636856A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CA1143175A (en) | Integrated gas sensitive unit comprising a gas sensitive semiconductor element and a resistor for gas concentration measurement | |
| KR100256067B1 (ko) | 박막 자기헤드의 갭깊이 가공용 저항패턴 및 이를 이용한 갭깊이 가공방법 | |
| JPS61110045A (ja) | 厚膜型センサ | |
| JPS6330771B2 (ja) | ||
| JPS60225221A (ja) | 座標入力装置 | |
| KR100329807B1 (ko) | 반도체식 가스 센서의 전극 구조 | |
| JPH11345705A (ja) | 厚膜チップ型サーミスタ |