JPH03191060A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
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- JPH03191060A JPH03191060A JP2276575A JP27657590A JPH03191060A JP H03191060 A JPH03191060 A JP H03191060A JP 2276575 A JP2276575 A JP 2276575A JP 27657590 A JP27657590 A JP 27657590A JP H03191060 A JPH03191060 A JP H03191060A
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 10
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 17
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
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- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
この発明はスパッタ装置に関し、特に磁性材料薄膜を製
造するためのスパッタ装置に関する。
造するためのスパッタ装置に関する。
Ｂ、従来の技術
スパッタ装置は磁性材料薄膜の製造に広範に使用されて
いる。この種の薄膜を付着する場合、様々な特性が重要
であり、これらの特性を確保するために、外部磁場の存
在下で薄膜を付着することがしばしば行われる。従来は
、これに必要な磁場を得るのに永久磁石が用いられてい
た。製造時には、処理速度を高めるために、磁性材料薄
膜を付着する基板を回転させる。そのため、磁場とプラ
ズマの自由電子との間の相互作用が生じ、これによって
プラズマ密度に相当大きな変動が生じる。
いる。この種の薄膜を付着する場合、様々な特性が重要
であり、これらの特性を確保するために、外部磁場の存
在下で薄膜を付着することがしばしば行われる。従来は
、これに必要な磁場を得るのに永久磁石が用いられてい
た。製造時には、処理速度を高めるために、磁性材料薄
膜を付着する基板を回転させる。そのため、磁場とプラ
ズマの自由電子との間の相互作用が生じ、これによって
プラズマ密度に相当大きな変動が生じる。
その結果、薄膜の特性は劣悪となり、制御が困難となる
。
。
スパッタ装置あるいはシステムに電磁石を導入する試み
がなされている。例えば、１９７８年６月１３日発行の
ブーシェル（１ｌｏｕｃｈｅｒ）他の米国特許第４゜０
９４．７１ｉ４号、 ｒ高付着速度陰極スパッタリング
装置（Ｄｅｖｉｃｅ ｆｏｒ Ｃａｔｈｏｄｉｃ Ｓｐ
ｕｔｔｅｒｉｎｇ ａｔ ａ ＨｉｇｈＤｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ Ｒａｔｅ）Ｊには、スパッタ速度を増加させる
ためにターゲット電極の近傍に永久磁石を設けることが
開示されており、さらにその磁場をソレノイド拳コイル
を用いて発生させることも可能であると言うことが開示
されている。また、１９８１年１月２７日発行のグリー
プ（Ｇｌｅｖｅ）他の米国特許第４，２４７，３８３号
、 「基板に誘電または非磁性コーティングを施すため
の真空スパッタ装置用のターゲット付陰極システム（Ｃ
ａｔｈｏｄｌｃ Ｓｙｓｔｅｍ ｗｉｔｈ Ｔａｒｇｅ
ｔ、 ｆｏｒ Ｖａｃｕｕｎ＋ Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ
Ａｐｐａｒａｔｕｓ ｆｏｒ ｔｂｅ ＡｐｐＨｃａ
ｔｌｏｎ ｏｆ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｏｒ Ｎｏｎ
ｍａｇｎｅｔｌｃ Ｃｏａｔｌｎｇｓ ｔｏ ５ｕｂｓ
ｔｒａｔｅｓ）Ｊには、プレーナ・コイルをターゲット
電極と組み合わせて用いることにより、誘電コーティン
グまたは非磁性コーティングにおけるアトマイゼーショ
ン（霧化）を増大させ、これによってスパッタ速度を増
加させるようにしたスパッタ装置が開示されている。
がなされている。例えば、１９７８年６月１３日発行の
ブーシェル（１ｌｏｕｃｈｅｒ）他の米国特許第４゜０
９４．７１ｉ４号、 ｒ高付着速度陰極スパッタリング
装置（Ｄｅｖｉｃｅ ｆｏｒ Ｃａｔｈｏｄｉｃ Ｓｐ
ｕｔｔｅｒｉｎｇ ａｔ ａ ＨｉｇｈＤｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ Ｒａｔｅ）Ｊには、スパッタ速度を増加させる
ためにターゲット電極の近傍に永久磁石を設けることが
開示されており、さらにその磁場をソレノイド拳コイル
を用いて発生させることも可能であると言うことが開示
されている。また、１９８１年１月２７日発行のグリー
プ（Ｇｌｅｖｅ）他の米国特許第４，２４７，３８３号
、 「基板に誘電または非磁性コーティングを施すため
の真空スパッタ装置用のターゲット付陰極システム（Ｃ
ａｔｈｏｄｌｃ Ｓｙｓｔｅｍ ｗｉｔｈ Ｔａｒｇｅ
ｔ、 ｆｏｒ Ｖａｃｕｕｎ＋ Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ
Ａｐｐａｒａｔｕｓ ｆｏｒ ｔｂｅ ＡｐｐＨｃａ
ｔｌｏｎ ｏｆ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｏｒ Ｎｏｎ
ｍａｇｎｅｔｌｃ Ｃｏａｔｌｎｇｓ ｔｏ ５ｕｂｓ
ｔｒａｔｅｓ）Ｊには、プレーナ・コイルをターゲット
電極と組み合わせて用いることにより、誘電コーティン
グまたは非磁性コーティングにおけるアトマイゼーショ
ン（霧化）を増大させ、これによってスパッタ速度を増
加させるようにしたスパッタ装置が開示されている。
１９８７年６月１８日発行の瀬戸山（Ｓｅｔｏｙａｍａ
）他の米国特許第４，６７３，４８２号、 「スパッタ
装置」には、真空チャンバの外部に設けた一対のコイル
によって真空チャンバ内に延び入る磁場を発生させるよ
うにした磁性薄膜をスパッタリングするためのスパッタ
装置が開示されている。この米国特許においては、磁性
薄膜を付着する基板を真空チャンバ内に取り付け、基板
の表面と平行に永久磁石板を取り付けて基板表面におけ
る磁場の一様性を改善している。
）他の米国特許第４，６７３，４８２号、 「スパッタ
装置」には、真空チャンバの外部に設けた一対のコイル
によって真空チャンバ内に延び入る磁場を発生させるよ
うにした磁性薄膜をスパッタリングするためのスパッタ
装置が開示されている。この米国特許においては、磁性
薄膜を付着する基板を真空チャンバ内に取り付け、基板
の表面と平行に永久磁石板を取り付けて基板表面におけ
る磁場の一様性を改善している。
Ｃ１発明が解決しようとする課題
上記の先行技術を記載した文献には、何れにも、磁性薄
膜を付着する基板表面の近傍に多角形プレーナ電磁コイ
ルを設けて、ターゲットと基板との間の相対運動の間材
着磁性薄膜の配向を一定に保つことは開示されておらず
、またこのような技術を示唆する記載も全くなされてい
ない。
膜を付着する基板表面の近傍に多角形プレーナ電磁コイ
ルを設けて、ターゲットと基板との間の相対運動の間材
着磁性薄膜の配向を一定に保つことは開示されておらず
、またこのような技術を示唆する記載も全くなされてい
ない。
従って、本発明の主たる目的は、多角形プレーナ電磁コ
イルを基板表面の近傍に設けて、ターゲットと基板との
間の相対運動の間、付着磁性薄膜の配向を一定に保つよ
うにしたスパッタ装置を提供することにある。
イルを基板表面の近傍に設けて、ターゲットと基板との
間の相対運動の間、付着磁性薄膜の配向を一定に保つよ
うにしたスパッタ装置を提供することにある。
００課題を解決するための手段
本発明のスパッタ装置は、適宜のターゲット材を支持す
るための第１電極、及びこの第１電極の近傍にこれと揃
えて少なくとも１つの基板を支持するための第２電極を
具備したものである。多角形プレーナΦコイルが第２電
極の表面近傍に設けられ、且つこのコイルを励磁してコ
イルの多角形側面とほぼ直交する方向に配向された磁場
を発生させる手段が設けられている。また、これら２つ
の電極間の空間にグロー放電を発生させるための高周波
電源（ＲＦ電源）が設けられると共に、第２電極に支持
された基板上に所定方向に軸配向された磁性材料の一様
な被膜を形成させるよう第１電極と第２電極との間に相
対運動を起こさせるための手段が設けられている。
るための第１電極、及びこの第１電極の近傍にこれと揃
えて少なくとも１つの基板を支持するための第２電極を
具備したものである。多角形プレーナΦコイルが第２電
極の表面近傍に設けられ、且つこのコイルを励磁してコ
イルの多角形側面とほぼ直交する方向に配向された磁場
を発生させる手段が設けられている。また、これら２つ
の電極間の空間にグロー放電を発生させるための高周波
電源（ＲＦ電源）が設けられると共に、第２電極に支持
された基板上に所定方向に軸配向された磁性材料の一様
な被膜を形成させるよう第１電極と第２電極との間に相
対運動を起こさせるための手段が設けられている。
本発明の一実施例においては、コイルは第２電極内に埋
め込まれており、他の実施例においては、フィルはスパ
ッタ装置の動作中第２電極により支持される電磁パレッ
トの内部に形成されている。
め込まれており、他の実施例においては、フィルはスパ
ッタ装置の動作中第２電極により支持される電磁パレッ
トの内部に形成されている。
本発明のさらに他の実施例においては、コイルは写真製
版技術により形成される。
版技術により形成される。
Ｅ、実施例
第１図は、本発明のスパッタ装置における電極アセンブ
リと電源の全体的構成を示す。本発明のスパッタ装置１
０は、真空エンクロージャ１２及びこの真空エンクロー
ツヤを所望のバックグランド圧力レベルまで排気するた
めの真空ポンプ（図示省略）を有する。エンクローツヤ
Ｉ２には、排気後、スパッタ付着に必要なバンクグラン
ド環境を得るため、例えばアルゴンのような適切なガス
が送り込まれる。
リと電源の全体的構成を示す。本発明のスパッタ装置１
０は、真空エンクロージャ１２及びこの真空エンクロー
ツヤを所望のバックグランド圧力レベルまで排気するた
めの真空ポンプ（図示省略）を有する。エンクローツヤ
Ｉ２には、排気後、スパッタ付着に必要なバンクグラン
ド環境を得るため、例えばアルゴンのような適切なガス
が送り込まれる。
エンクロージャ１２内にはターゲット体を取り付けるた
めのターゲット電極アセンブリ１４が設けられ、このタ
ーゲット電極アセンブリ１４の近傍にはこれと対面状に
基板電極アセンブＵ１［ｉが設けられている。これらの
電極アセンブリ１４及び１６は、動作時所望温度に保つ
ため、水冷方式としてもよい。
めのターゲット電極アセンブリ１４が設けられ、このタ
ーゲット電極アセンブリ１４の近傍にはこれと対面状に
基板電極アセンブＵ１［ｉが設けられている。これらの
電極アセンブリ１４及び１６は、動作時所望温度に保つ
ため、水冷方式としてもよい。
電極アセンブリ１４及び１６の背部で起こるスプリアス
・スパッタを防止するため、これらの各電極Ｉ４及びＩ
６はそれぞれ接地シールド１８及び２０を宵し、これら
の接地ンールドはターゲット体及び被膜を形成する基板
を支持する面を剥き出しのままの残して各電極アセンブ
リの周部及び背部を包囲している。
・スパッタを防止するため、これらの各電極Ｉ４及びＩ
６はそれぞれ接地シールド１８及び２０を宵し、これら
の接地ンールドはターゲット体及び被膜を形成する基板
を支持する面を剥き出しのままの残して各電極アセンブ
リの周部及び背部を包囲している。
電源２２はターゲット電極アセンブリ１４、基板電極ア
センブリ１６、及び可変インピーダンス２４よりなる直
列回路の両端間に接続されており、この間に高周波電圧
を供給する。可変インピーダンス２４の容量性素子及び
誘導性素子は、基板電極アセンブリ１６の印加電圧を制
御することができるよう可変であり、これによってこの
スパッタ装置により付着される膜の特性を制御すること
ができる。
センブリ１６、及び可変インピーダンス２４よりなる直
列回路の両端間に接続されており、この間に高周波電圧
を供給する。可変インピーダンス２４の容量性素子及び
誘導性素子は、基板電極アセンブリ１６の印加電圧を制
御することができるよう可変であり、これによってこの
スパッタ装置により付着される膜の特性を制御すること
ができる。
本発明によるスパッタ装置においては、以下に詳細に説
明する基板電極アセンブリ１６の新規な構造によって、
基板全面にわたり、また基板同士の間でばらつきのない
一様な厚さを仔する磁性薄膜を得ることがでを有する。
明する基板電極アセンブリ１６の新規な構造によって、
基板全面にわたり、また基板同士の間でばらつきのない
一様な厚さを仔する磁性薄膜を得ることがでを有する。
プレーナ電磁コイル２Ｂは、適切な電圧によって付着薄
膜の軸配向を高精度でもって容易に一定に保つことが可
能である。
膜の軸配向を高精度でもって容易に一定に保つことが可
能である。
本発明のスパッタ装置は、第２図、第３図及び第４図に
概ね示すような新規な構造の基板電極アセンブリを介す
る。このアセンブリには、第２図にボすように、プレー
ナ電磁コイル２６が設けられ、この電磁コイルは複数の
平形側面２８を有する。プレーナ電磁コイル２６は、適
切な電圧を印加して励磁すると、磁化方向がコイル軸心
に直交し且つ矢印３０で示すように各平形側面毎に向き
を変える磁場を発生するようなスパイラル・コイルより
なる。
概ね示すような新規な構造の基板電極アセンブリを介す
る。このアセンブリには、第２図にボすように、プレー
ナ電磁コイル２６が設けられ、この電磁コイルは複数の
平形側面２８を有する。プレーナ電磁コイル２６は、適
切な電圧を印加して励磁すると、磁化方向がコイル軸心
に直交し且つ矢印３０で示すように各平形側面毎に向き
を変える磁場を発生するようなスパイラル・コイルより
なる。
第３図に示すように、プレーナ電磁コイル２６は、基板
電極アセンブリＩ６の表面３２またはその近傍の所定位
置に固定されており、基板電極アセンブリ１６上には複
数個の基板３４が載置されている。これらの基板３４は
、−辺がプレーナ電磁コイル２６の平形側面２８の一つ
と平行になるようにして載置されている。また、第４図
の基板電極アセンブリ１６の断面図に示すように、基板
３４はプレーナ電磁コイル２６非常に近接させて載置さ
れる。基板電極アセンブＵ＋６は、通常は水冷式になっ
ているが、第４図は概略構造を示すものであり、その構
造は省略されている。このように基板３４を配向するこ
とによって、磁性材料の薄膜を各基板３４上にスパッタ
付着する際、所定方向に対する非常に厳密な許容差での
軸配向を容易に行うことが可能となる。
電極アセンブリＩ６の表面３２またはその近傍の所定位
置に固定されており、基板電極アセンブリ１６上には複
数個の基板３４が載置されている。これらの基板３４は
、−辺がプレーナ電磁コイル２６の平形側面２８の一つ
と平行になるようにして載置されている。また、第４図
の基板電極アセンブリ１６の断面図に示すように、基板
３４はプレーナ電磁コイル２６非常に近接させて載置さ
れる。基板電極アセンブＵ＋６は、通常は水冷式になっ
ているが、第４図は概略構造を示すものであり、その構
造は省略されている。このように基板３４を配向するこ
とによって、磁性材料の薄膜を各基板３４上にスパッタ
付着する際、所定方向に対する非常に厳密な許容差での
軸配向を容易に行うことが可能となる。
さらに、このスパッタ装置の運転時中にターゲット電極
アセ７１１月４と基板電極アセンブリ１６との間に相対
運動が行われる時、コイル２６より発生する磁場とプラ
ズマとの間にはほとんど相互作用が生じないため、スパ
ッタ付着される磁性材料の厚さは複数の全ての基板につ
いて非常に厳密な許容差でもって一様に保つことができ
る。
アセ７１１月４と基板電極アセンブリ１６との間に相対
運動が行われる時、コイル２６より発生する磁場とプラ
ズマとの間にはほとんど相互作用が生じないため、スパ
ッタ付着される磁性材料の厚さは複数の全ての基板につ
いて非常に厳密な許容差でもって一様に保つことができ
る。
第５図及び第６図には、本発明のもう一つの実施例が示
されている。図示実施例においては、プレーナ電磁コイ
ル２６は電磁パレット・アセンブリ３６内に埋め込まれ
ており、パレット・アセンブリ３Ｂはスパッタ動作時、
基板３８用の支持部としても機能する。プレーナ電磁コ
イル２６はスパイラル・コイルであり、その両端部はパ
レット・アセンブリ３Ｂの周部において整流子リング４
０に接続され、回転中のパレット・アセンブリ３６に対
して電気的接続を維持することができるようになってい
る。
されている。図示実施例においては、プレーナ電磁コイ
ル２６は電磁パレット・アセンブリ３６内に埋め込まれ
ており、パレット・アセンブリ３Ｂはスパッタ動作時、
基板３８用の支持部としても機能する。プレーナ電磁コ
イル２６はスパイラル・コイルであり、その両端部はパ
レット・アセンブリ３Ｂの周部において整流子リング４
０に接続され、回転中のパレット・アセンブリ３６に対
して電気的接続を維持することができるようになってい
る。
第７図に示すように、電磁パレット拳アセンブＩＪ３６
は基板電極アセンブリ！６′上に直接取り付けられてお
り、真空エンクロージャのベースプレート４４に固定さ
れた接点器４２は整流子リング４０との電気的接点が確
保される位置まで延びており、これによって基板電極ア
センブＵＩＢ’の回転時にプレーナ電磁コイル２６を励
磁することができる。基板３８はスパッタ装置の外側で
電磁パレット・アセンブリ３６に載置してこれと共にス
パッタ装置に装着することが可能である。
は基板電極アセンブリ！６′上に直接取り付けられてお
り、真空エンクロージャのベースプレート４４に固定さ
れた接点器４２は整流子リング４０との電気的接点が確
保される位置まで延びており、これによって基板電極ア
センブＵＩＢ’の回転時にプレーナ電磁コイル２６を励
磁することができる。基板３８はスパッタ装置の外側で
電磁パレット・アセンブリ３６に載置してこれと共にス
パッタ装置に装着することが可能である。
第８図及び第９図は、本発明のさらにもう一つの実施例
を示す。図示実施例においては、プレーナ電磁コイル２
６′ は写真製版法によって基板４６の片面上に形成さ
れた多角形プレーナ・コイルよりなる。基板４６は、例
えばガラス繊維入りエポキン樹脂のような適宜の誘電材
料で形成することができる。プレーナ電磁コイル２６′
には誘電コーティング４８が施されており、このコーテ
ィングには例えばエポキン樹脂を用いることができる。
を示す。図示実施例においては、プレーナ電磁コイル２
６′ は写真製版法によって基板４６の片面上に形成さ
れた多角形プレーナ・コイルよりなる。基板４６は、例
えばガラス繊維入りエポキン樹脂のような適宜の誘電材
料で形成することができる。プレーナ電磁コイル２６′
には誘電コーティング４８が施されており、このコーテ
ィングには例えばエポキン樹脂を用いることができる。
このように写真製版法によってプレーナ電磁コイルを製
造すると、より高精度のコイルを低コストで得ることが
可能となる。さらに、必要ならば、コイルを多層形とし
て形成することも可能である。
造すると、より高精度のコイルを低コストで得ることが
可能となる。さらに、必要ならば、コイルを多層形とし
て形成することも可能である。
その場合、各層の巻線は、単層コイルに必要な電流と同
じ電流でより強い磁場得られるよう、あるいはより小さ
い電流によって単層コイルにより得られるのと同じ磁場
強度が得られるよう、互いに並列に接続する。このよう
に複数層のコイル巻線を並列に接続すると抵抗が小さく
なる上、アンペア会ターンが増加することによってより
強い磁場を得ることができる。その結果、並列接続によ
り抵抗が小さくなることによってコイルの熱損失も少な
くなる。
じ電流でより強い磁場得られるよう、あるいはより小さ
い電流によって単層コイルにより得られるのと同じ磁場
強度が得られるよう、互いに並列に接続する。このよう
に複数層のコイル巻線を並列に接続すると抵抗が小さく
なる上、アンペア会ターンが増加することによってより
強い磁場を得ることができる。その結果、並列接続によ
り抵抗が小さくなることによってコイルの熱損失も少な
くなる。
Ｆ０発明の効果
本発明のスパッタ装置によれば、スパッタ時に付着され
る磁性材料を高精度でもって所定方向に軸配向すること
が容易であり、従って特性が優れ且つ安定した非磁性薄
膜を得ることができる。さらに、本発明で用いるプレー
ナ電磁コイルは写真製版法によって製造することができ
るため、低コストで高精度を達成することができ、さら
に多層形コイルとすることによって低消費電力により強
い磁場を得ることができ、且つ熱損失を小さくすること
が可能である。
る磁性材料を高精度でもって所定方向に軸配向すること
が容易であり、従って特性が優れ且つ安定した非磁性薄
膜を得ることができる。さらに、本発明で用いるプレー
ナ電磁コイルは写真製版法によって製造することができ
るため、低コストで高精度を達成することができ、さら
に多層形コイルとすることによって低消費電力により強
い磁場を得ることができ、且つ熱損失を小さくすること
が可能である。
第１図は本発明のスパッタ装置の構成要素及び電源の全
体的配置構成を示す概略図、第２図は本発明における多
角形プレーナ中コイルの平面図、第３図は基板を装着し
た状態の基板電極アセンブリの概略平面図、第４図は第
３図の４−４線断面図、第５図は電磁パレット・アセン
ブリの平面図、第６図は第５図の６−６線断面図、第７
図は電磁パレット・アセンブリを使用状態とした基板電
極アセンブリの側面図、第８図は本発明における多角形
プレーナ壷コイルのもう一つの実施例の平面図、第９図
は第８図の９−９線断面図である。 ＩＯ・・・・スパッタ装置、 １２・・・・真空エンクロージャ、 １４・・・・ターゲット電極アセンブリ、１Ｂ・・・・
基板電極アセンブリ、 １８、２０・・・・接地シールド、 ２２・・・・電源、 ２４・・・・可変インピーダンス、 ２６・・・・プレーナ電磁コイル（多角形プレーナ・コ
イル）、 ２８・・・・平形側面（多角形側面）、３４・・・・基
板、 ３６・・・・電磁パレット・アセンブリ、３８・・・・
基板、４０・・・・整流子リング、４２・・・・接触器
、４６・・・・基板、２６′ 多角形ブレーナ中 コイル。
体的配置構成を示す概略図、第２図は本発明における多
角形プレーナ中コイルの平面図、第３図は基板を装着し
た状態の基板電極アセンブリの概略平面図、第４図は第
３図の４−４線断面図、第５図は電磁パレット・アセン
ブリの平面図、第６図は第５図の６−６線断面図、第７
図は電磁パレット・アセンブリを使用状態とした基板電
極アセンブリの側面図、第８図は本発明における多角形
プレーナ壷コイルのもう一つの実施例の平面図、第９図
は第８図の９−９線断面図である。 ＩＯ・・・・スパッタ装置、 １２・・・・真空エンクロージャ、 １４・・・・ターゲット電極アセンブリ、１Ｂ・・・・
基板電極アセンブリ、 １８、２０・・・・接地シールド、 ２２・・・・電源、 ２４・・・・可変インピーダンス、 ２６・・・・プレーナ電磁コイル（多角形プレーナ・コ
イル）、 ２８・・・・平形側面（多角形側面）、３４・・・・基
板、 ３６・・・・電磁パレット・アセンブリ、３８・・・・
基板、４０・・・・整流子リング、４２・・・・接触器
、４６・・・・基板、２６′ 多角形ブレーナ中 コイル。
Claims (6)
- （１）基板に所定方向に軸配向された磁性物質をコーテ
ィングするためのスパッタ装置であって、適宜のターゲ
ット材を支持するための第１電極と、上記第１電極の近
傍にこれと揃えて少なくとも１つの基板とを支持するた
めの第２電極であって、その表面近傍に多角形プレーナ
・コイルを有すると共に、この多角形プレーナ・コイル
を励磁してその多角形側面とほぼ直交する方向に配向さ
れた一様な磁場を発生させる手段を有する第２電極と、
上記第１電極と上記第２電極との間に高周波電圧を印加
してこれらの第１電極と第２電極の間の空間にグロー放
電を発生させるための高周波電源と、 上記プレーナ・コイルと平行な面内において上記第１電
極と上記第２電極との間に相対運動を起こさせ、これに
よって上記第２電極に支持された基板上に所定方向に軸
配向された磁性材料の一様な被膜を付着させるための手
段と、 を具備したことを特徴とするスパッタ装置。 - （２）上記多角形プレーナ・コイルが、上記第２電極内
に埋め込まれていることを特徴とする請求項（１）記載
のスパッタ装置。 - （３）複数個の基板を、各々その基準辺が上記多角形プ
レーナ・コイルの上記多角形側面の一つと平行となるよ
うに配列することを特徴とする請求項（２）記載のスパ
ッタ装置。 - （４）上記各構成要素の他、 パレット部材と、 上記多角形プレーナ・コイルを上記パレット部材に組み
込むための手段と、 を具備したことを特徴とする請求項（１）記載のスパッ
タ装置。 - （５）複数個の基板を、各々その基準辺が上記多角形プ
レーナ・コイルの上記多角形側面の一つと平行になるよ
うに配列することを特徴とする請求項（４）記載のスパ
ッタ装置。 - （６）上記多角形プレーナ・コイルを写真製版法により
形成することを特徴とする請求項（５）記載のスパッタ
装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US452984 | 1982-12-27 | ||
| US07/452,984 US5026470A (en) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | Sputtering apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03191060A true JPH03191060A (ja) | 1991-08-21 |
Family
ID=23798757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2276575A Pending JPH03191060A (ja) | 1989-12-19 | 1990-10-17 | スパツタ装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5026470A (ja) |
| EP (1) | EP0435838A3 (ja) |
| JP (1) | JPH03191060A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6491802B2 (en) | 1992-10-28 | 2002-12-10 | Hitachi, Ltd. | Magnetic film forming system |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5130005A (en) * | 1990-10-31 | 1992-07-14 | Materials Research Corporation | Magnetron sputter coating method and apparatus with rotating magnet cathode |
| JP2859721B2 (ja) * | 1990-08-07 | 1999-02-24 | キヤノン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US5316645A (en) * | 1990-08-07 | 1994-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
| US5376211A (en) * | 1990-09-29 | 1994-12-27 | Tokyo Electron Limited | Magnetron plasma processing apparatus and processing method |
| JP2725944B2 (ja) * | 1991-04-19 | 1998-03-11 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 金属層堆積方法 |
| CA2061119C (en) * | 1991-04-19 | 1998-02-03 | Pei-Ing P. Lee | Method of depositing conductors in high aspect ratio apertures |
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| DE19643841A1 (de) * | 1996-10-30 | 1998-05-07 | Balzers Prozess Systeme Gmbh | Vorrichtung zum Beschichten von Substraten, insbesondere mit magnetisierbaren Werkstoffen |
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-
1989
- 1989-12-19 US US07/452,984 patent/US5026470A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-10-17 JP JP2276575A patent/JPH03191060A/ja active Pending
- 1990-12-17 EP EP19900850412 patent/EP0435838A3/en not_active Withdrawn
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0435838A2 (en) | 1991-07-03 |
| EP0435838A3 (en) | 1991-10-02 |
| US5026470A (en) | 1991-06-25 |
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