JPS63317663A - プラズマ圧着型スパッタ装置及び方法 - Google Patents
プラズマ圧着型スパッタ装置及び方法Info
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- JPS63317663A JPS63317663A JP62151056A JP15105687A JPS63317663A JP S63317663 A JPS63317663 A JP S63317663A JP 62151056 A JP62151056 A JP 62151056A JP 15105687 A JP15105687 A JP 15105687A JP S63317663 A JPS63317663 A JP S63317663A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマ圧着型スパッタ装置及び方法に関す
る。
る。
〔従来の技術及びその問題点］
従来よりスパッタリング方法及びスパッタ装置に関して
は、種々の方法及び装置が提案されている。しかしなが
ら、スパッタリング速度が遅い、ターゲットの消耗が不
均一といった問題点がある。
は、種々の方法及び装置が提案されている。しかしなが
ら、スパッタリング速度が遅い、ターゲットの消耗が不
均一といった問題点がある。
これを改善するために、例えばマグネトロンスパッタリ
ングの方法において第１図に示すようにターゲットの背
後に磁石を置き、プラズマを磁力線でターゲット表面に
とじこめる手段が広く利用されているが、この場合にも
磁力線の出口となるターゲット中央はプラズマが接触せ
ず、ターゲットの消耗は不均一となる。
ングの方法において第１図に示すようにターゲットの背
後に磁石を置き、プラズマを磁力線でターゲット表面に
とじこめる手段が広く利用されているが、この場合にも
磁力線の出口となるターゲット中央はプラズマが接触せ
ず、ターゲットの消耗は不均一となる。
さらに、第２図に示すようにターゲットの前方に磁極を
置いてターゲットと並行な磁力線を増やす方法や、第３
図に示すようにマグネトロン磁極と対抗する磁極を用い
て磁力線をターゲットに圧着させる方法が提案されてい
るが、これらの方法も未だ効果が十分でなく、ターゲッ
ト表面の磁力線は多量の垂直成分を含み、またプラズマ
分布も均一では無かった。
置いてターゲットと並行な磁力線を増やす方法や、第３
図に示すようにマグネトロン磁極と対抗する磁極を用い
て磁力線をターゲットに圧着させる方法が提案されてい
るが、これらの方法も未だ効果が十分でなく、ターゲッ
ト表面の磁力線は多量の垂直成分を含み、またプラズマ
分布も均一では無かった。
同様な問題は基板についても存在し、第４図に示すよう
に基板の背後に磁石をおいて基板表面の磁力線を基板に
平行にしようとする試みが提案されている。
に基板の背後に磁石をおいて基板表面の磁力線を基板に
平行にしようとする試みが提案されている。
特に、近来大面積の基板に均一な膜を堆積させる必要性
が工業的に増大しており、これに適した均一性の優れた
スパッタ装置の開発が望まれていた。
が工業的に増大しており、これに適した均一性の優れた
スパッタ装置の開発が望まれていた。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、超電導体のマイスナー効果を利用して磁力線
を制御することによって、プラズマをターゲットに対し
て圧着させることを特徴とするスパッタ装置及び方法に
関するものである。
を制御することによって、プラズマをターゲットに対し
て圧着させることを特徴とするスパッタ装置及び方法に
関するものである。
本発明は、
（１）プラズマに磁界をかけることによりターゲット上
にプラズマを圧着させるスパッタ装置において、ターゲ
ット及び／または基板の近傍に超電導磁界圧着板を設置
し、上記超電導磁界圧着板のマイスナー効果により磁界
を制御して成膜するように構成したことを特徴とするプ
ラズマ圧着型スパッタ装置、及び （２）プラズマに磁界をかけることによりターゲット上
にプラズマを圧着させるスパッタ装置において、ターゲ
ット及び／または基板の近傍に超電導磁界圧着板を設置
し、上記超電導磁界圧着板のマイスナー効果により磁界
を制御して成膜することを特徴とするスパッタリング方
法に関するものである。
にプラズマを圧着させるスパッタ装置において、ターゲ
ット及び／または基板の近傍に超電導磁界圧着板を設置
し、上記超電導磁界圧着板のマイスナー効果により磁界
を制御して成膜するように構成したことを特徴とするプ
ラズマ圧着型スパッタ装置、及び （２）プラズマに磁界をかけることによりターゲット上
にプラズマを圧着させるスパッタ装置において、ターゲ
ット及び／または基板の近傍に超電導磁界圧着板を設置
し、上記超電導磁界圧着板のマイスナー効果により磁界
を制御して成膜することを特徴とするスパッタリング方
法に関するものである。
さらに詳しくは、超電導体のマイスナー効果を利用して
、磁力線の垂直成分をターゲットの表面に圧着すること
により水平成分を増加させ、または基板やターゲットに
潜り込む磁力線を背後の超電導磁界圧着板のマイスナー
効果により基板またはターゲットの表面に追い出すこと
により従来技術の欠点を有しないスパッタ装置及びスパ
ッタリング方法を与えるものである。
、磁力線の垂直成分をターゲットの表面に圧着すること
により水平成分を増加させ、または基板やターゲットに
潜り込む磁力線を背後の超電導磁界圧着板のマイスナー
効果により基板またはターゲットの表面に追い出すこと
により従来技術の欠点を有しないスパッタ装置及びスパ
ッタリング方法を与えるものである。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
する。
第５図は本発明の装置の一実施例を示す縦断面図である
。
。
ターゲット１の裏面にセンターコア２、マグネトロン磁
石３が設けられ、さらに基板４の背後に超電導磁界圧着
板５が設けられている。超電導磁界圧着板５は臨界温度
以下に保持されている。例えば超電導磁界圧着板５とし
てＢａＣｕＯ系酸化物から成る超電導磁界圧着板を使用
した場合には液体窒素で冷却できるような冷却装置を設
けることもできる。また磁力線の方向を矢印で示してい
る。第５図から判るように、基板４の近傍に超電導磁界
圧着板５を設けることによりターゲット１及び基板４に
並行な磁力線を増やすことができる。
石３が設けられ、さらに基板４の背後に超電導磁界圧着
板５が設けられている。超電導磁界圧着板５は臨界温度
以下に保持されている。例えば超電導磁界圧着板５とし
てＢａＣｕＯ系酸化物から成る超電導磁界圧着板を使用
した場合には液体窒素で冷却できるような冷却装置を設
けることもできる。また磁力線の方向を矢印で示してい
る。第５図から判るように、基板４の近傍に超電導磁界
圧着板５を設けることによりターゲット１及び基板４に
並行な磁力線を増やすことができる。
第６図に、本発明のもう一つの例を示す。ターゲット１
の裏面にセンターコア２、マグネトロン磁石３、超電導
磁界圧着板６が設けられ、さらに基板４の背後に超電導
磁界圧着板５が設けられている。また磁力線の方向を矢
印で示している。第６図から判るように、ターゲット１
及び基板４の近傍に超電導磁界圧着板６．５を設けるこ
とによりターゲット１及び基板４に並行な磁力線を増や
すことができる。
の裏面にセンターコア２、マグネトロン磁石３、超電導
磁界圧着板６が設けられ、さらに基板４の背後に超電導
磁界圧着板５が設けられている。また磁力線の方向を矢
印で示している。第６図から判るように、ターゲット１
及び基板４の近傍に超電導磁界圧着板６．５を設けるこ
とによりターゲット１及び基板４に並行な磁力線を増や
すことができる。
また超電導磁界圧着板６及び／または５を移動させプラ
ズマの分布を変えることによりターゲットのスパッタさ
れる位置を任意に制御することができる。
ズマの分布を変えることによりターゲットのスパッタさ
れる位置を任意に制御することができる。
１遣±よ
第５図に示すプラズマ圧着型スパッタ装置において、タ
ーゲットｌの背後に設けられたマグネトロン磁石３のセ
ンターコア２から出る磁力線は基板４の背後に設置した
液体窒素で冷却されたＹＢａＣｕＯ系酸化物から成る超
電導磁界圧着板５により圧着されて水平成分となる。タ
ーゲット１の損耗は均一であり、また基板４上に堆積す
る膜の膜厚は均一であった。
ーゲットｌの背後に設けられたマグネトロン磁石３のセ
ンターコア２から出る磁力線は基板４の背後に設置した
液体窒素で冷却されたＹＢａＣｕＯ系酸化物から成る超
電導磁界圧着板５により圧着されて水平成分となる。タ
ーゲット１の損耗は均一であり、また基板４上に堆積す
る膜の膜厚は均一であった。
袈遣炭Ｉ
第６図に示すプラズマ圧着型スパッタ装置において、タ
ーゲット１の背後に設けられたマグネトロン磁石３のセ
ンターコア２から出る磁力線はターゲット１の裏面に設
置された超電導磁界圧着板６と基板４の背後に設けられ
た超電導磁界圧着板５との間に挟まれて主として水平成
分から成る並行磁界を与える。
ーゲット１の背後に設けられたマグネトロン磁石３のセ
ンターコア２から出る磁力線はターゲット１の裏面に設
置された超電導磁界圧着板６と基板４の背後に設けられ
た超電導磁界圧着板５との間に挟まれて主として水平成
分から成る並行磁界を与える。
４０ｃｍ角大面積基板に透明電極を作製した場合堆積す
る膜の膜厚は均一であった。
る膜の膜厚は均一であった。
製造例３
第５図の装置においてターゲットｌの背後に設けられた
の超電導磁界圧着板６の設置位置を支持軸に沿って上下
に移動させた。
の超電導磁界圧着板６の設置位置を支持軸に沿って上下
に移動させた。
超電導磁界圧着板６がターゲット１に密着した位置では
ターゲツト１全面がスパッタされるのに対し、超電導磁
界圧着板６の位置がターゲット１から離れるとターゲッ
ト１の外縁部のスパッタ率が低下した。
ターゲツト１全面がスパッタされるのに対し、超電導磁
界圧着板６の位置がターゲット１から離れるとターゲッ
ト１の外縁部のスパッタ率が低下した。
中間部分と外縁部とで組成の異なる複合ターゲットを用
いることにより、スパック膜の組成を変えることができ
る。
いることにより、スパック膜の組成を変えることができ
る。
本発明によれば、超電導磁界圧着板の形状、面積を適正
に取ることにより従来技術では達成できなかった高度の
水平磁力線分布及び均一なプラズマ分布を達成すること
ができる。
に取ることにより従来技術では達成できなかった高度の
水平磁力線分布及び均一なプラズマ分布を達成すること
ができる。
第１図〜第４図は従来例のスパッタ装置を表す縦断面略
図である。 第５図及び第６図は本発明に係るプラズマ圧着型スパッ
タ装置の構造を表す縦断面略図である。 ｌ・・・ターゲット、２・・・センターコア、３・・・
マグネトロン磁石、４・・・基板、５・・・超電導磁界
圧着板、６・・・超電導磁界圧着板、７・・・吸引磁極
、８・・・ソレノイドコイル。 特許出願人 宇部興産株式会社 第１図 第 ２ 図 グＰ ３ 図 第４図 第 ５ 図 第 ６ 図
図である。 第５図及び第６図は本発明に係るプラズマ圧着型スパッ
タ装置の構造を表す縦断面略図である。 ｌ・・・ターゲット、２・・・センターコア、３・・・
マグネトロン磁石、４・・・基板、５・・・超電導磁界
圧着板、６・・・超電導磁界圧着板、７・・・吸引磁極
、８・・・ソレノイドコイル。 特許出願人 宇部興産株式会社 第１図 第 ２ 図 グＰ ３ 図 第４図 第 ５ 図 第 ６ 図
Claims (5)
- （１）プラズマに磁界をかけることによりターゲット上
にプラズマを圧着させるスパッタ装置において、ターゲ
ット及び／または基板の近傍に超電導磁界圧着板を設置
し、上記超電導磁界圧着板のマイスナー効果により磁界
を制御して成膜するように構成したことを特徴とするプ
ラズマ圧着型スパッタ装置。 - （２）超電導磁界圧着板をターゲット及び／または基板
の背後に設置したことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のプラズマ圧着型スパッタ装置。 - （３）超電導磁界圧着板を移動できるようにしたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラズマ圧着型
スパッタ装置。 - （４）プラズマに磁界をかけることによりターゲット上
にプラズマを圧着させるスパッタ装置において、ターゲ
ット及び／または基板の近傍に超電導磁界圧着板を設置
し、上記超電導磁界圧着板のマイスナー効果により磁界
を制御して成膜することを特徴とするスパッタリング方
法。 - （５）超電導磁界圧着板を移動させることによりプラズ
マの分布を調節することを特徴とする特許請求の範囲第
４項記載のスパッタリング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62151056A JPS63317663A (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | プラズマ圧着型スパッタ装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62151056A JPS63317663A (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | プラズマ圧着型スパッタ装置及び方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63317663A true JPS63317663A (ja) | 1988-12-26 |
Family
ID=15510333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62151056A Pending JPS63317663A (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | プラズマ圧着型スパッタ装置及び方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63317663A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03191060A (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | スパツタ装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5065186A (ja) * | 1973-10-09 | 1975-06-02 | ||
| JPS58153380A (ja) * | 1982-03-08 | 1983-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | 超電導装置 |
| JPS61171105A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-01 | Mitsubishi Electric Corp | 超電導マグネツトの励磁装置 |
| JPS61221363A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-01 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
-
1987
- 1987-06-19 JP JP62151056A patent/JPS63317663A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5065186A (ja) * | 1973-10-09 | 1975-06-02 | ||
| JPS58153380A (ja) * | 1982-03-08 | 1983-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | 超電導装置 |
| JPS61171105A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-01 | Mitsubishi Electric Corp | 超電導マグネツトの励磁装置 |
| JPS61221363A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-01 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03191060A (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | スパツタ装置 |
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