JP4431910B2 - スパッタリングカソード及びこれを備えたマグネトロン型スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリングカソード及びこれを備えたマグネトロン型スパッタリング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4431910B2 JP4431910B2 JP12669399A JP12669399A JP4431910B2 JP 4431910 B2 JP4431910 B2 JP 4431910B2 JP 12669399 A JP12669399 A JP 12669399A JP 12669399 A JP12669399 A JP 12669399A JP 4431910 B2 JP4431910 B2 JP 4431910B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnet
- target
- magnet group
- peripheral side
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ターゲットの利用効率、成膜速度及び膜厚均一性の改善を図ったスパッタリングカソード及びこれを備えたマグネトロン型スパッタリング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
マグネトロン型スパッタリング装置は、電界に直交する磁界の印加により電子にトロコイド運動を行わせて、ターゲット上に高密度のプラズマを作り、比較的低電圧でスパッタリング速度を高めることができる電力効率のよいスパッタリング装置として知られる。そのなかでも平板マグネトロン型スパッタリング装置は、磁力線が平板状ターゲットの裏から出て再びターゲット側にもどる構造のカソード構造をもち、磁場はターゲット上でループ状になっており、電子がその空間に閉じ込められる構造となっている。
【0003】
図9はこの種のマグネトロン型スパッタリング装置の概略構成を示しており、以下、これについて説明する。
【0004】
図9において、スパッタリングカソード1のカソードハウジング17は、Oリング13を介して絶縁板7と接し、さらにOリング12を介して真空容器2に取り付けられている。取付けに用いるボルト16は、カソードハウジング17に接触しないよう絶縁カラー9を介して固定される。真空容器2の内部は排気口20を介して図示しない真空排気系により排気されている。また、図示しないガス供給手段により供給されたスパッタリングガスはガス導入口21より導入される。
【0005】
スパッタリングカソード1にはOリング14を介してバッキングプレート6にボンディングされたターゲット5が取り付けられている。ターゲット5の側面にはアースシールド8が配置されている。真空容器2内において、カソード1に取り付けられたターゲット5と対向する位置には基板4を保持する基板保持具3が配置され、ターゲット5の背面には内周磁石群10と外周磁石群11が配置されたマグネットプレート19が取り付けられている。
【0006】
カソードハウジング17を真空容器2に取り付けるボルト16はグランドに落とされ、マグネットプレート19に固定されるボルト15に直流電源を接続して負の電圧を印加することにより、ターゲット5の表面付近にプラズマを発生させ、スパッタリングガスをイオン化する。イオン化したスパッタリングガスは負の電圧がかかっているカソード1に向かい、ターゲット5の表面に衝突するため、ターゲット5の表面から粒子(ターゲット材料)が飛び出す。この飛び出した粒子は基板保持具3上にある基板4に成膜される。また、カソードハウジング17とOリング14を介して接触してるバッキングプレート6によって形成される空間には、冷却水継手18を通って冷却水が導入され、スパッタリング中のターゲット5を冷却する。
【0007】
さて、従来のスパッタリング装置では、そのスパッタリングカソード1を構成するマグネットプレート19上の磁石群10、11を例えば図10に示すように内周側にS極の磁石群10(図中黒丸)を、外周側にN極の磁石群11(図中白丸)を配置し、マグネットプレート19をその周方向に回転させることにより、ターゲット5上に環状の磁力線のループを形成し、その空間内に閉じ込めた電子のスパッタ作用によって図11に示すようなエロージョン(浸食)領域をターゲット5上に形成する。図11に示すようにターゲット5の外周側に大きなエロージョン領域が形成されることによって、基板4の外周領域とターゲット5との距離が見かけ上大きくなり、これにより、基板4の外周領域の膜厚がその内周領域よりも小さくなる。
【0008】
一般に、ターゲット5と基板4との間の距離(以下、T/S距離という。)が短いほど成膜速度の向上が図れる。しかし、T/S距離が短いと、上述したようなターゲット5上のエロージョン分布の影響を大きく受けて均一な膜厚分布が得られなくなる。すなわち、上述した従来のスパッタリングカソード1を備えたマグネトロン型スパッタリング装置では、成膜速度の向上と膜厚均一性の向上とを同時に図ることは不可能であった。
【0009】
また、従来のスパッタリングカソード1では、ターゲットライフエンド付近では基板4上の膜厚均一性が得られなくなり、ターゲット5を最後まで使用することができない。すなわち、ターゲット5の利用効率が悪いのでターゲット5の交換頻度が高く、成膜材料費およびメンテナンス費用が多大であるという問題がある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、成膜速度および膜厚均一性を同時に向上させながら、ターゲットの利用効率を改善することができるスパッタリングカソードおよびこれを備えたマグネトロン型スパッタリング装置を提供することを課題とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため本発明においては、円盤状のターゲットの背面位置において、ターゲットの表面に二重の環状の侵食領域を形成する磁石群を配置した円盤状のマグネットプレートを回転させるスパッタリングカソードにおいて、磁石群は、マグネットプレートの外周面部分において、一部に内径方向にくぼんだ配列部分をもつように環状に配列された外周側磁石群と、マグネットプレートの外周側磁石群より内周面部分において、外周側磁石群の配列形状に対応して一部に内径方向にくぼんだ配列部分をもつように環状に配列された内周側磁石群と、外周側磁石群又は内周側磁石群のくぼんだ配列部分の一部を形成しかつマグネットプレートに対して半径方向に移動可能に設けられた移動磁石部とを有し、移動磁石部をマグネットプレートの内径位置及び外径位置間に移動させることにより、ターゲットプレートの表面において二重の環状の侵食領域間に生成されるプラズマを内径方向又は外径方向に移動させるようにする。
【0013】
本発明によれば、外周側磁石群又は内周側磁石群の一部である内径方向にくぼんだ配列部分に、半径方向に移動可能に移動磁石を設けて、ターゲットプレートの表面において、二重の環状の侵食領域間に生成されるプラズマを内径方向又は外径方向に移動させるようにしたことにより、ターゲットの利用効率を改善すると共に、この分膜厚の均一性を維持しながら成膜速度を高めることができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の各実施の形態について図面を参照して説明する。
【0015】
図1から図5は、本発明の第1の実施の形態を示している。図1を参照して、スパッタリングカソード22は、ターゲット5の背面に、内周側磁石群および外周側磁石群からなる磁石群23を配置した円板状のマグネットプレート19を備える。マグネットプレート19をその軸心(図3において点O)を中心に回転させると、磁石群23の作用によりターゲット5の表面に内周側磁力線27および外周側磁力線28を形成し、ターゲット5の表面に二重の環状のエロージョン(浸食)領域を形成する。これら磁力線27、28の位置および強さによってスパッタリング時のターゲット5のエロージョン形状が異なる。符号26は、ターゲット5のエロージョンレート分布(単位時間当たりのスパッタリング粒子がターゲット5から飛び出す量)を示している。
【0016】
そこで本実施の形態では、エロージョンレート分布26を調整して、図2に示すように外周側エロージョン領域25のエロージョンレートを1としたときに、内周側エロージョン領域24のエロージョンレートを0.3以上0.45以下の範囲内にあるようにしている。このときの内周側エロージョンレートのピークはターゲット5の半径が17mmであり、外周側エロージョンレートのピークは50mmである。
【0017】
比較として、図11に示した従来のスパッタリングカソード1によるターゲット5のエロージョンレートは、そのピークが半径50mm付近にある。しかし、内周側のエロージョンは小さく、半径50mm付近のエロージョンに対して、約0.15のピークである。従来の構成では、内周側のエロージョンがほとんど進行せず、これが成膜速度の向上の制限となる。
【0018】
図3は、図2に示したエロージョンレート分布を得るための磁石群23の配置構成例である。磁石群23は、二重の閉曲線状に配置された内周側磁石群30と外周側磁石群31とからなる。一方の内周側磁石群30はS極(黒丸)として、他方の外周側磁石群31はN極(白丸)として配置され、両磁石群30、31はともに図において上方部が径内方側にくぼんだ形状となっている。これら内周側磁石群30および外周側磁石群31をマグネットプレート19の点O(軸心)を中心に回転させることにより、ターゲット5の表面に環状で二重の磁力線ループを形成する。
【0019】
図4は、図2に示したエロージョンレート分布を用いて計算した、T/S距離30mmで配置したときの基板4上の膜4aの膜厚分布である。基板半径14.4mm以上31.0mm以下の範囲で、±3%以内の膜厚分布が求められる領域で仕様を満たす成膜が可能となる。また、図5は、図4と同様に図2に示したエロージョンレート分布を用いて計算した、T/S距離40mmで配置したときの基板4上の膜4aの膜厚分布を示しており、この場合においても基板半径14.4mm以上31.0mm以下の範囲で、±3%以内の膜厚分布が求められる領域で仕様を満たす成膜が可能となる。
【0020】
ここで、外周側のエロージョン量を1としたときの内周側のエロージョン量が0.45を越えると、基板4上の膜厚分布で内周側の膜厚が厚くなってしまい、基板半径14.5mmから31mmで±3%の膜厚分布規格外となる。また、内周側のエロージョン量が0.3未満では、基板4上の膜厚分布で外周側の膜厚が厚くなってしまい基板半径14.5mmから31mmで±3%の膜厚分布規格外となる。
【0021】
なお、スパッタリング条件の一例を以下に示すが、勿論、これだけに限られない。
ターゲット:直径5インチ丸型
ターゲット材料:Si
投入電力:3kW
導入ガス:Ar,30sccm、 N2 ,20sccm
背景真空度:10-6Torr台、成膜時は10-3Torr台
基板温度:常温
【0022】
このように、従来ではT/S距離が30mmや40mmのように短いと成膜速度の向上が図れる反面、膜厚均一性が得られなかったが、本実施の形態によれば成膜速度と膜厚均一性の両特性の向上を図ることができる。例えば、T/S距離40mmの条件では従来の62 /sから70 /sに、また、T/S距離30mmの条件では94 /sにまで向上した。
【0023】
したがって、このスパッタリングカソード22でマグネトロン型スパッタリング装置を構成すれば、従来のスパッタリング装置よりも成膜速度が速いので、従来型と同一の投入電力で成膜を行った場合には成膜時間の短縮が図られる。すなわちタクトタイムの短縮が可能になる。一方、従来と同等の成膜速度で行えば、成膜時の投入電力を低くすることができるので、基板1枚当たりのターゲットエロージョン量が減り、ターゲット1枚当たりのディスク成膜可能枚数を増加することができる。すなわち成膜材料コストを削減できるとともに、これによりターゲット交換までの期間が延び、メンテナンス費用を削減できる。
【0024】
さらに本実施の形態では、図1に明示するように磁石群23を構成する各磁石を、磁化の方向がターゲット5の表面に対して垂直となるようにマグネットプレート19上に配置している。これにより磁石を横向きに配置する場合に比して、磁場の強さを大きくすることができ、ターゲット5の厚さを大きくしてターゲット交換周期を長くすることができる。
【0025】
図6から図8は、本発明の第2の実施の形態を示している。
【0026】
図6を参照して、本実施の形態におけるスパッタリングカソード33は、マグネットプレート19上に内周側磁石群30と外周側磁石群31を配置し、そのうち外周側磁石群31の一部(本実施の形態では図中上方部分の径内方にくぼんだ部分の中心部)を図7に示すように径外方へ移動可能な移動磁石部31Aとして構成される。
【0027】
移動磁石部31Aは、円板状のマグネットプレート19上を摺動する移動板36の上に固定されており、この移動板36に一対の軸受34、34に軸支された送りねじ部材35が径方向に延在して螺着されている。したがって、送りねじ35を図示しない回動手段により所定方向に所定量回動させると、移動磁石部31Aが図6に示す状態から図7に示す状態へ移動することになる。なお、図示せずとも、移動磁石部31Aを移動させるとき以外はねじ35が回動しないようロックナット機構が設けられているものとする。
【0028】
成膜初期時は、移動板36の非作動時、すなわち移動磁石部31Aが図6に示す移動前の状態で行う。このとき、ターゲット5の表面に形成される二重で環状のエロージョン領域24、25(図1参照)は、第1の実施の形態と同様に、外周側のエロージョン量を1としたとき内周側のエロージョン量が0.3以上0.45以下の範囲内にあるように設定されている。
【0029】
T/S距離を40mmとして成膜したときの基板4上の膜4aの膜厚分布は、図5に示したとおりである。そこで、ターゲット5のエロージョンが進行してきた状態で、図7に示すように移動磁石部31Aを径外方へ移動させると、膜4aの膜厚は図8に示すようになり、膜厚が下がり始める部分が図5よりも外周に移動する。これは、移動磁石部31Aとこれと対向する内周側磁石群30とで形成される磁場が径外方側へ移動してターゲット5の表面のプラズマが径外方側へ移動することにより、内周側エロージョン領域24と外周側エロージョン領域25との間の領域に位置するターゲット材料がスパッタされ、基板4の半径の中心付近の成膜速度が上がるためである。
【0030】
したがって、本実施の形態によれば、基板上の膜厚均一性を保ったまま長時間の成膜が可能となるため、ターゲット5の利用効率を向上させることができる。また、ターゲット1枚当たりの基板成膜可能枚数が増加するため、ターゲット交換までの期間を延ばしてメンテナンス費用の削減を図ることができる。
【0031】
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【0032】
例えば以上の第1の実施の形態では、マグネットプレート19を回転させる回転型の磁石群23によってターゲット5の表面にエロージョン領域24、25を形成するようにしたが、固定型の磁石群であっても本発明は適用可能である。
【0033】
また、以上の第2の実施の形態において、移動磁石部31Aは図6に示す位置に限らず、他の位置に設けてもよい。また、複数箇所に設けてプラズマ変動領域を拡張することも可能である。この場合、別々に移動させるようにしても、同時に移動させるようにしてもよい。更に、移動磁石部31Aを外周側磁石群31の一部として設けるに限らず、内周側磁石群30に設けることが可能であり、または内・外両磁石群30、31に設けることも可能である。
【0034】
また、以上の第2の実施の形態では、移動磁石部31Aを移動させる手段として送りねじ35を用いたが、例えば送りねじ35を成膜時間に応じて移動させたり、または、ピエゾ素子などを用いて成膜時間に応じて移動させるようにしてもよい。
【0035】
さらに、以上の各実施の形態で説明した磁石群23の配置例は、図示したものに限らない。また、ターゲット5表面に形成されるエロージョン領域が三重以上となるように磁石群を構成することも可能である。
【0036】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば以下の効果を得ることができる。
【0037】
すなわち請求項1の発明によれば、成膜速度と膜厚均一性の両特性の向上を図ることができる。
【0038】
請求項2の発明によれば、ターゲットのエロージョン領域を任意に変更せしめてターゲットの利用効率の改善を図ることができる。
【0039】
請求項4の発明によれば、請求項2の効果に加えて成膜速度の向上と膜厚均一性の向上とを図ることができる。
【0040】
請求項5の発明によれば、ターゲット表面に形成される磁場を大きくして、ターゲット厚の大きなターゲットを利用可能とし、もってターゲットの交換サイクルの長期化を図ることができる。
【0041】
請求項6の発明によれば、成膜速度および膜厚均一性、更にはターゲット利用効率を向上させたマグネトロン型スパッタリング装置が得られ、成膜時間あるいは成膜時の投入電力を低減しながら、従来よりも低コストで膜厚均一性の優れた成膜を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態によるスパッタリングカソードの概略構成図である。
【図2】同スパッタリングカソードのターゲット上に形成されるエロージョン分布を示す図である。
【図3】図2のエロージョンレート分布を得るための磁石群の配置構成例を示す図である。
【図4】基板とターゲットとの間の距離が30mmの条件で、本発明に係るスパッタリングカソードを用いて成膜したときの膜厚分布を示す図である。
【図5】基板とターゲットとの間の距離が40mmの条件で、本発明に係るスパッタリングカソードを用いて成膜したときの膜厚分布を示す図である。
【図6】本発明の第2の実施の形態によるスパッタリングカソードの磁石群の配置構成例を示す図で、移動磁石部が移動する前の状態を示す。
【図7】同、本発明に係る移動磁石部が移動した後の状態を示す磁石群の配置構成例を示す図である。
【図8】基板とターゲットとの間の距離が40mmで移動磁石部を移動させたときの条件で、本発明に係るスパッタリングカソードを用いて成膜したときの膜厚分布を示す図である。
【図9】マグネトロン型スパッタリング装置の概略構成を示す側断面図である。
【図10】従来のスパッタリングカソードの磁石群の配置構成例を示す図である。
【図11】従来のスパッタリングカソードのターゲット上に形成されるエロージョン分布を示す図である。
【符号の説明】
2…真空容器、3…基板保持具、4…基板、膜…4a、5…ターゲット、19…マグネットプレート、22、33…スパッタリングカソード、23…磁石群、24…内周側エロージョン領域、25…外周側エロージョン領域、26…エロージョンレート分布、27…内周側磁力線、28…外周側磁力線、30…内周側磁石群、31…外周側磁石群、31A…移動磁石部、36…移動板。
Claims (3)
- 円盤状のターゲットの背面位置において、上記ターゲットの表面に二重の環状の侵食領域を形成する磁石群を配置した円盤状のマグネットプレートを回転させるスパッタリングカソードにおいて、
上記磁石群は、
上記マグネットプレートの外周面部分において、一部に内径方向にくぼんだ配列部分をもつように環状に配列された外周側磁石群と、
上記マグネットプレートの上記外周側磁石群より内周面部分において、
上記外周側磁石群の配列形状に対応して一部に内径方向にくぼんだ配列部分をもつように環状に配列された内周側磁石群と、
上記外周側磁石群又は上記内周側磁石群の上記くぼんだ配列部分の一部を形成しかつ上記マグネットプレートに対して半径方向に移動可能に設けられた移動磁石部と
を有し、上記移動磁石部を上記マグネットプレートの内径位置及び外径位置間に移動させることにより、上記ターゲットプレートの表面において上記二重の環状の侵食領域間に生成されるプラズマを内径方向又は外径方向に移動させる
ことを特徴とするスパッタリングカソード。 - 上記スパッタリングカソードの成膜時間の経過に応じて上記移動磁石部を移動させる
ことを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングカソード。 - 請求項1又は2に記載のスパッタリングカソードを備えたマグネトロン型スパッタリング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12669399A JP4431910B2 (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | スパッタリングカソード及びこれを備えたマグネトロン型スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12669399A JP4431910B2 (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | スパッタリングカソード及びこれを備えたマグネトロン型スパッタリング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000319780A JP2000319780A (ja) | 2000-11-21 |
JP4431910B2 true JP4431910B2 (ja) | 2010-03-17 |
Family
ID=14941521
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12669399A Expired - Fee Related JP4431910B2 (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | スパッタリングカソード及びこれを備えたマグネトロン型スパッタリング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4431910B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001063643A1 (de) * | 2000-02-23 | 2001-08-30 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren zur steuerung der plasmadichte oder deren verteilung |
JP5012572B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2012-08-29 | 富士通株式会社 | マグネトロンスパッタ装置用磁石ユニット |
US20120027954A1 (en) * | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Applied Materials, Inc. | Magnet for physical vapor deposition processes to produce thin films having low resistivity and non-uniformity |
JP2013082993A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-09 | Tokyo Electron Ltd | マグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法 |
JP6471000B2 (ja) * | 2015-02-24 | 2019-02-13 | 株式会社アルバック | マグネトロンスパッタリング装置用の磁石ユニット及びこの磁石ユニットを用いたスパッタリング方法 |
JP2020033590A (ja) * | 2018-08-29 | 2020-03-05 | 株式会社アルバック | スパッタリングカソード |
CN116426893B (zh) * | 2023-06-13 | 2023-08-18 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 磁控溅射设备及方法 |
-
1999
- 1999-05-07 JP JP12669399A patent/JP4431910B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000319780A (ja) | 2000-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0884761B1 (en) | Sputtering apparatus with a rotating magnet array | |
US6440282B1 (en) | Sputtering reactor and method of using an unbalanced magnetron | |
US4872964A (en) | Planar magnetron sputtering apparatus and its magnetic source | |
US6458252B1 (en) | High target utilization magnetic arrangement for a truncated conical sputtering target | |
JPH0585634B2 (ja) | ||
US5194131A (en) | Apparatus and method for multiple ring sputtering from a single target | |
JP4066044B2 (ja) | 成膜方法及びスパッタ装置 | |
JPH03191060A (ja) | スパツタ装置 | |
EP0644273B1 (en) | Magnetron plasma sputter deposition apparatus and method of sputter coating onto a substrate | |
WO1993018539A1 (en) | A circularly symmetric, large-area, high-deposition-rate sputtering apparatus for the coating of disk substrates | |
JP4431910B2 (ja) | スパッタリングカソード及びこれを備えたマグネトロン型スパッタリング装置 | |
WO2010037288A1 (zh) | 磁路机构和具有该机构的磁控溅射阴极及制造方法 | |
JP4213777B2 (ja) | スパッタリング装置及び方法 | |
JP2912864B2 (ja) | スパッタリング装置のマグネトロンユニット | |
EP1211332A1 (en) | Magnetron unit and sputtering device | |
EP1144713B1 (en) | High target utilization magnetic arrangement for a truncated conical sputtering target | |
JPH11158625A (ja) | マグネトロンスパッタ成膜装置 | |
WO2001057912A1 (en) | Magnetic array for sputtering system | |
JP3411312B2 (ja) | マグネトロン・スパッタカソードおよび膜厚分布の調整方法 | |
JPS62167877A (ja) | プラズマ移動式マグネトロン型スパツタ装置 | |
US6235170B1 (en) | Conical sputtering target | |
JPH10287977A (ja) | スパッタ装置 | |
JPH024966A (ja) | スパツタ装置 | |
KR100456287B1 (ko) | 스퍼터링 증착장치의 스퍼터 건 | |
JPH05339726A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20051220 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080903 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080911 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081110 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091126 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091209 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |