JPH03191019A - 高周波焼入装置 - Google Patents
高周波焼入装置Info
- Publication number
- JPH03191019A JPH03191019A JP1330783A JP33078389A JPH03191019A JP H03191019 A JPH03191019 A JP H03191019A JP 1330783 A JP1330783 A JP 1330783A JP 33078389 A JP33078389 A JP 33078389A JP H03191019 A JPH03191019 A JP H03191019A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- work
- workpiece
- hardened
- face drive
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 13
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 3
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/25—Process efficiency
Landscapes
- Heat Treatment Of Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は高周波焼入装置に関する。
〈従来の技術〉
以下、図面を参照して従来の技術を説明する。
第３図は従来の高周波焼入装置の断面説明図である。円
柱状のワークの一端はフェイスドライブ３０のセンター
ピン３２によって、また、他端はセンターピン４０によ
って支持されている。２０は、鞍型の高周波加熱コイル
であって（第３図ではこのコイルのワーク１０の表面に
平行な部分のみを示す）、ワーク１０の表面１１に接近
し、この表面１１に対向するように配置されている。フ
ェイスドライブ３０によってワーク１０を回転しながら
高周波加熱コイル２０に高周波電流を所定時間通電後、
図示しないジャケットから焼入用冷却液をワーク１０に
噴射してワーク１０の表面１１に硬化層１２を形成する
。
柱状のワークの一端はフェイスドライブ３０のセンター
ピン３２によって、また、他端はセンターピン４０によ
って支持されている。２０は、鞍型の高周波加熱コイル
であって（第３図ではこのコイルのワーク１０の表面に
平行な部分のみを示す）、ワーク１０の表面１１に接近
し、この表面１１に対向するように配置されている。フ
ェイスドライブ３０によってワーク１０を回転しながら
高周波加熱コイル２０に高周波電流を所定時間通電後、
図示しないジャケットから焼入用冷却液をワーク１０に
噴射してワーク１０の表面１１に硬化層１２を形成する
。
〈発明が解決しようとする課題〉
通常、深い硬化層の形成が要求される場合には、ワーク
の加熱時間が長くなる。そして、所望の深さの硬化層を
形成したときに、形成された硬化層の幅が広くなり過ぎ
て、硬化層゛を形成してはならない部分にまで硬化層が
形成されてことがある。
の加熱時間が長くなる。そして、所望の深さの硬化層を
形成したときに、形成された硬化層の幅が広くなり過ぎ
て、硬化層゛を形成してはならない部分にまで硬化層が
形成されてことがある。
即ち、第２図において、ワーク１０の一端から距離ｐの
範囲内には硬化層１２を形成してはならない場合であっ
ても、同図に示すように硬化層１２が形成されてしまう
ことがある。
範囲内には硬化層１２を形成してはならない場合であっ
ても、同図に示すように硬化層１２が形成されてしまう
ことがある。
本発明は上記事情に鑑みて創案されたものであって、軸
状のワークの表面を高周波焼入するに際し、硬化層の幅
を所定の範囲に収めることができる高周波焼入装置を提
供することを目的としている。
状のワークの表面を高周波焼入するに際し、硬化層の幅
を所定の範囲に収めることができる高周波焼入装置を提
供することを目的としている。
く課題を解決するための手段〉
上記問題を解決するために本発明の高周波焼入装置は、
円柱状のワークの一端或いは両端を支持し且つワークを
回転させるフェイスドライブと、ワークの表面に接近し
ワークに対向するように配設された高周波加熱コイルと
、フェイスドライブに螺合された導電金属刊の筒状導体
とを具備し、この導体内にワークの一部が挿入されるよ
うにこの導体を移動させてから高周波焼入を行うことに
よってワークに形成された硬化層の幅を規制している。
円柱状のワークの一端或いは両端を支持し且つワークを
回転させるフェイスドライブと、ワークの表面に接近し
ワークに対向するように配設された高周波加熱コイルと
、フェイスドライブに螺合された導電金属刊の筒状導体
とを具備し、この導体内にワークの一部が挿入されるよ
うにこの導体を移動させてから高周波焼入を行うことに
よってワークに形成された硬化層の幅を規制している。
〈作用〉
高周波加熱コイルが発生する磁界によって筒状導体内に
誘導電流が発生ずる。この誘導電流にょって生じた磁界
が、高周波加熱コイルによって発生した磁界でワークの
非焼入部分に交叉する磁界を減殺するので、非焼入部分
の誘導電流は少なくなり、非焼入部分の加熱も小さい。
誘導電流が発生ずる。この誘導電流にょって生じた磁界
が、高周波加熱コイルによって発生した磁界でワークの
非焼入部分に交叉する磁界を減殺するので、非焼入部分
の誘導電流は少なくなり、非焼入部分の加熱も小さい。
また、焼入用冷却液も筒状導体に遮られて殆ど非焼入部
分に噴射されない。それ故、非焼入部分には硬化層が形
成されない。
分に噴射されない。それ故、非焼入部分には硬化層が形
成されない。
〈実施例〉
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第
１図は本発明の一実施例を説明するための１ｈＪｒ面説
明図である。
１図は本発明の一実施例を説明するための１ｈＪｒ面説
明図である。
第１図に示すように、円柱状のワーク１０は、第２図で
説明した高周波焼入装置と同じく、一端はフェイスドラ
イブ３０のセンターピン３２によって、他端はセンター
ピン４０によって支持されている。
説明した高周波焼入装置と同じく、一端はフェイスドラ
イブ３０のセンターピン３２によって、他端はセンター
ピン４０によって支持されている。
２０は第２図で説明゛した高周波加熱コイル２０と同等
であって、ワーク１０を高周波加熱するときには、ワー
ク１０の表面１１に接近して配設される。フェイスドラ
イブ３０には、ネジ３１が刻設されており、このネジ３
１に噛み合う内ネジ４１を有する導電金属製の筒状導体
５０がフェイスドライブ３０に螺合されている。筒状導
体５０の内径はワーク１０の直径よりも若干大きく選定
されており、筒状導体５０を回転することによって、筒
状導体５０をワーク１０の軸方向（第１図の矢印への方
向）に移動させることができる。
であって、ワーク１０を高周波加熱するときには、ワー
ク１０の表面１１に接近して配設される。フェイスドラ
イブ３０には、ネジ３１が刻設されており、このネジ３
１に噛み合う内ネジ４１を有する導電金属製の筒状導体
５０がフェイスドライブ３０に螺合されている。筒状導
体５０の内径はワーク１０の直径よりも若干大きく選定
されており、筒状導体５０を回転することによって、筒
状導体５０をワーク１０の軸方向（第１図の矢印への方
向）に移動させることができる。
次ぎに、本実施例の動作について説明する。
ワーク１０の一端から第１図に示す距離２の範囲は、ワ
ーク１０の非焼入部分１３として、硬化層を形成しない
ように指定されているものとする。筒状導体５０をフェ
イスドライブ３０の周りに回転させて筒状導体５０の一
端部分を距ｇｌ １ ＋だけ覆うように移動させる。次
いで、フェイスドライブ３０によってワーク１０を回転
させると共に、高周波加熱コイル２０に高周波電流を所
定時間通電してから、図示しないジャケントから焼入用
冷却液をワーク１０に噴射してワーク１０を冷却して所
定の幅に規制された硬化層１２を形成することができる
。
ーク１０の非焼入部分１３として、硬化層を形成しない
ように指定されているものとする。筒状導体５０をフェ
イスドライブ３０の周りに回転させて筒状導体５０の一
端部分を距ｇｌ １ ＋だけ覆うように移動させる。次
いで、フェイスドライブ３０によってワーク１０を回転
させると共に、高周波加熱コイル２０に高周波電流を所
定時間通電してから、図示しないジャケントから焼入用
冷却液をワーク１０に噴射してワーク１０を冷却して所
定の幅に規制された硬化層１２を形成することができる
。
なお、硬化層１２が非焼入部分１３に形成されない理由
は以下のようであると考えられる。
は以下のようであると考えられる。
高周波加熱コイル２０によってワーク１０を加熱すると
きに、ワーク１０の非焼入部分１３は筒状導体５０によ
って覆われている。従って、高周波加熱コイル２０から
発生ずる磁界によって筒状導体５０内に誘導電流が発生
し、この誘導電流が発生する磁界が、ワーク１０の非焼
入部分１３に交叉する高周波加熱コイル２０からの磁界
を減殺するから、非焼入部分１３に誘起される誘導電流
が小さくなる。即ち、非焼入部分１３の加熱が小さい上
に、筒状導体５０に遮られて焼入用冷却液が非焼入部分
１３にはあまり噴射されない。従って、非焼入部分１３
には硬化Ｊｉ１２が形成されない。
きに、ワーク１０の非焼入部分１３は筒状導体５０によ
って覆われている。従って、高周波加熱コイル２０から
発生ずる磁界によって筒状導体５０内に誘導電流が発生
し、この誘導電流が発生する磁界が、ワーク１０の非焼
入部分１３に交叉する高周波加熱コイル２０からの磁界
を減殺するから、非焼入部分１３に誘起される誘導電流
が小さくなる。即ち、非焼入部分１３の加熱が小さい上
に、筒状導体５０に遮られて焼入用冷却液が非焼入部分
１３にはあまり噴射されない。従って、非焼入部分１３
には硬化Ｊｉ１２が形成されない。
第２図は本発明の第２の実施例の断面説明図である。同
図に示すように、本実施例では円柱状のワーク１００両
端が共にフェイスドライブ３０のセンターピン３２によ
って支持されている。これらセンターピン３２には第１
の実施例と同じく、筒状導体５０が取り付けられている
。ワーク１０の一端および他端から、それぞれ、第２図
に示す距離！１およびＰ２の範囲は、ワーク１０の非焼
入部分１３および１４として、硬化層を形成しないよう
に指定されているものとする。両方の筒状導体５０．５
０を、それぞれ、フェイスドライブ３０の周りに回転さ
せてワーク１０の非焼入部分１３．１４を覆うように移
動させる。以後、第１の実施例と同様に高周波焼入を行
って、所定の幅の硬化層１２を形成する。
図に示すように、本実施例では円柱状のワーク１００両
端が共にフェイスドライブ３０のセンターピン３２によ
って支持されている。これらセンターピン３２には第１
の実施例と同じく、筒状導体５０が取り付けられている
。ワーク１０の一端および他端から、それぞれ、第２図
に示す距離！１およびＰ２の範囲は、ワーク１０の非焼
入部分１３および１４として、硬化層を形成しないよう
に指定されているものとする。両方の筒状導体５０．５
０を、それぞれ、フェイスドライブ３０の周りに回転さ
せてワーク１０の非焼入部分１３．１４を覆うように移
動させる。以後、第１の実施例と同様に高周波焼入を行
って、所定の幅の硬化層１２を形成する。
〈発明の効果〉
以上説明したように本発明の高周波焼入装置は、円柱状
のワークの一端或いは両端を支持し且つワークを回転さ
せるフェイスドライブと、ワークの表面に接近しワーク
に対向するように配設された高周波加熱コイルと、フェ
イスドライブに螺合された導電金属製の筒状導体とを具
備し、この導体内にワークの一部が挿入されるようにこ
の導体を移動させて後高周波焼入を行うことによってワ
ークに形成された硬化層の幅を規制することができる。
のワークの一端或いは両端を支持し且つワークを回転さ
せるフェイスドライブと、ワークの表面に接近しワーク
に対向するように配設された高周波加熱コイルと、フェ
イスドライブに螺合された導電金属製の筒状導体とを具
備し、この導体内にワークの一部が挿入されるようにこ
の導体を移動させて後高周波焼入を行うことによってワ
ークに形成された硬化層の幅を規制することができる。
第１図および第２図は、それぞれ、本発明の第１および
第２の実施例を説明するための断面説明図である。第３
図は従来の高周波焼入装置の断面説明図である。 １０・・・ワーク、１１・・・表面、１２・・・硬化層
、１３．１４・・・非焼入部分、２０・・・高周波加熱
コイル、３０・・・フェイスドライブ、３１．５トネジ
、５０・・・筒状導体。
第２の実施例を説明するための断面説明図である。第３
図は従来の高周波焼入装置の断面説明図である。 １０・・・ワーク、１１・・・表面、１２・・・硬化層
、１３．１４・・・非焼入部分、２０・・・高周波加熱
コイル、３０・・・フェイスドライブ、３１．５トネジ
、５０・・・筒状導体。
Claims (1)
- （１）円柱状のワークの一端或いは両端を支持し且つワ
ークを回転させるフェイスドライブと、ワークの表面に
接近しワークに対向するように配設された高周波加熱コ
イルと、フェイスドライブに螺合された導電金属製の筒
状導体とを具備し、この導体内にワークの一部が挿入さ
れるようにこの導体を移動させてから高周波焼入を行う
ことによってワークに形成された硬化層の幅を規制する
ことを特徴とする高周波焼入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1330783A JPH03191019A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 高周波焼入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1330783A JPH03191019A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 高周波焼入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03191019A true JPH03191019A (ja) | 1991-08-21 |
Family
ID=18236500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1330783A Pending JPH03191019A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 高周波焼入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03191019A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5665928A (en) * | 1979-11-02 | 1981-06-04 | High Frequency Heattreat Co Ltd | One shot uniform heating method for surface of stepped shaft |
-
1989
- 1989-12-19 JP JP1330783A patent/JPH03191019A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5665928A (en) * | 1979-11-02 | 1981-06-04 | High Frequency Heattreat Co Ltd | One shot uniform heating method for surface of stepped shaft |
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