JPH03184231A

JPH03184231A - ガス放電パネルの製造方法

Info

Publication number: JPH03184231A
Application number: JP32283389A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Ogawa; 哲也小川; Atsushi Sudo; 淳須藤; Kenji Horio; 堀尾　研二; Tetsuo Sato; 哲夫佐藤
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1989-12-12
Filing date: 1989-12-12
Publication date: 1991-08-12

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔概　要〕本発明はガス放電パネルの製造方法に関し、パネル基板
間の対向間隙が各所において一定となるガス放電パネル
の製造方法を提供することを目的とし、基板上に電極層、誘電体層を形成するとともに、該誘電
体層上に感光性レジスト剤を塗布して、所定の電極パタ
ーンにした後、該レジスト剤側よりイオンビームによる
エツチングを施して露出部の誘電体層と電極層を選択的
に除去する工程を含み、且つ前記イオンビームによるエ
ツチングの際にパターンニングされた該感光性レジスト
剤４９１面に付着してなる再付着層を該基板の間の間隙
を維持するためのスペーサとして残すように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明はガス放電パネルの製造方法に関し、特に対向す
る２枚の基板間に定まるガス放電間隙を規定するための
スペーサの形成方法に関するものである。

〔従来の技術〕

第３図は従来のガス放電パネルの側断面図（スペーサ粒
子）、第４図は従来のガス放電パネルの平面図（スペー
サ粒子）、第５図は従来のガス放電パネルの平面図く小
片状スペーサ）である。以下、図面を参照しながら説明
する。

一般にプラズマデイスプレィとして知られる平板表示用
ガス放電パネルは、例えばガラス基板上に金（Ａｕ）ま
たは酸化錫（ＳｎＯ２）等からなる複数の導電性電極（
Ｘ電極、Ｙ電極）が配設され、その電極上に低融点ガラ
ス、或いはアルミナ等からなる誘電体層を被着形成して
なる１対のパネル基板を所定のガス放電空間を隔てて対
向配置し、その周囲を封止ガラスによって封止した後、
ガス放電空間を一旦排気し、空間に適当な放電用ガスが
封入されている。そしてこのように構成されたガス放電
パネルの放電特性は、上述した放電空間の間隙長に依存
して大きく変化するものであるから、上記パネル基板の
対向間隙を各所で一定に保ち、かつ内外圧力差に基づく
基板の変形を防ぐ必要がある。

このため、側基板１ａ、ｌｂ間の各所にスペーサと呼ば
れ、対向間隙を一定に保つ手段を設けている。

第３図はガラス製等の球状粒子をスペーサとして使用し
た例である。両パネル基板１ａ、ｌｂ間の各所に球状の
ガラス粒子（以下、スペーサ粒子と称する）７を配置す
ることにより、周基板間（正確には低融点ガラス層３ａ
と３ｂσ間）の間隙長は一定に保たれる。

第４図は第３図に示したパネルの要部平面図である。ス
ペーサ粒子７は図に示すように周基板間各所に配置され
る。具体的にはＸ電極２ａとＹ電極２ｂの間の放電によ
る発光の障害にならない位置に配置される。

また第５図は、セラミック製、ガラス製、金属製等の微
小片をスペーサとして採用したものである。微小片状ス
ペーサ８の役割、配置は前述のスペーサ粒子７と同様で
ある。

ここで、全図を通してａはＸ電極側基板側のもの、ｂは
Ｙ電極側基板側のものを表すものとする。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記のようにスペーサを配設して組み合
わせた両パネル基板を封止ガラスによって封止し、所定
間隙のガス放電空間を形成する際、またはその後前記ガ
ス放電空間部を排気する工程において前記スペーサが両
パネル基板間で挟圧されるため、以下のような課題が生
じていた。

１）ガラス製のスペーサを採用した場合には、前記挟圧
によりスペーサが割れてその破片がガス放電空間内に散
在し、ガス放電表示に欠陥を生じる。

２）金属スペーサを採用した場合には、スペーサのエツ
ジ部分によって誘電体層および電極に傷が入って、電極
の断線や、誘電体層のピンホール或いは傷を通して電極
と金属スペーサ或いは別の電極とシゴートしてしまうう
え、金属スペーサは誘電体層上に水ガラスや低融点ガラ
スによって固着する際、金属スペーサに対するガラス材
の濡れが悪く、良好に固着されない。

３〉第６図に示すように、パネルの内外圧力差によって
、スペーサ間のパネルに歪みが生じるため、間隙長ｄ５
とｄ６が等しくならなかった。このため、パネルにおけ
る発光輝度が随所において所望のものとならないため、
画面にむらができたり、階調性を持たせることが困難で
あった。

４）ガラス製のスペーサを採用した場合には、第７図に
示すように、Ｘ電極２ａとｙ電極２ｂの間の放電により
生じる光がスペーサ７、誘電体層３ａ、ガラス基板１ａ
を介して可視化されてしまうため、正確な画像再生がで
きない。このため、通常、不要な光を遮断する手段９を
設ける必要があった。

両パネル基板間の間隙を各所において一定に保ち、かつ
各スペーサにかかる圧力を軽減するためには、スペーサ
数を増やさなければならない（理想的にはスペーサを各
交点ごと配設するようにすることが望ましい）。しかし
、電極形成とスペーサ形成は別工程であるために、位置
合わせが必要であるのだが、プロセス上でのガラスの収
縮等の問題があり、位置合わせが困難であった。さらに
、今後期待されている高精細表示用パネルにおいては、
むやみにスペーサ数を増やすことは、スペーサの占有面
積が増大して放電点の高密度化の妨げになる等のため適
当でない。

本発明は、上記課題に鑑み、従来のような別個のスペー
サを用いることなく、両パネル基板間の間隙が各所にお
いて一定となるガス放電パネルの製造方法を提供するこ
とを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、従来の電極パターンをイオンビームによるエ
ツチングの手法を用いて形成する際、除去された誘電体
層材料、電極材料、及び基板材料がマスクとしてのレジ
スト側面に付着する現象を利用して、この再付着層を周
基板間の間隙を維持するためのスペーサとして使用する
ということを骨子とするものである。即ち、第１図に示
すように、基板１ａ、　Ｉｂ上に電極層２ａ’１２ｂ’
　、誘電体層３ａ＋３ｂを形成するとともに、誘電体層
３ａ、　３ｂ上に感光性レジスト剤４ａ＋　４ｂを塗布
して、所定の電極パターン２ａ、　２ｂにした後、レジ
スト剤４ａ、　４ｂ側よりイオンビームによるエツチン
グを施して露出部の誘電体層３ａ、　３ｂと電極Ｎ２ａ
’、　２ｂ’を選択的に除去する工程を含み、且つ前記
イオンビームによるエツチングの際にパターンニングさ
れた感光性レジスト剤４ａ、　４ｂ側面に付着してなる
再付着層５ａ、　５ｂを基板１ａ、　ｌｂの間の間隙を
維持するためのスペーサとして残すように構成する。

〔作　用〕

電極パターン形成時に、ガラス基板をイオンビームでエ
ツチングすることにより、電極端部に沿ってガラスの再
付着による壁が形成される。そして、形成された壁はス
ペーサとして機能するので、電極とスペーサを一挙に形
成することができる。

〔実施例〕

第１図（ａ）　、　（ｂ）　、　（ｃ）は本発明の原理
説明図兼実施例であり、具体的には両パネル基板のうち
の一方の基板の電極形成法についての説明図である。

第２図（ａ）は本発明によるガス放電パネルの側断面図
、第２図（ｂ）は本発明によるガス放電パネルの平面図
である。以下、図面を参照しながら、本発明の実施例に
ついて詳細に説明する。

第１図（ａ）において、 ■ガラス基板ｌａ上に電極材料（インジウム錫オキサイ
ド（ＩＴＯ）等の透明電極；Ｘ電極）　２ａを厚さｄｉ
（・２０００人）の薄膜として形成する。

■形成された薄’Ａｔ！２ａ’上に厚さｄ２（−２０μ
ｍ）の低融点ガラス層３ａを形成する。

■形成された低融点ガラス層３ａ上にフォトレジスト４
ａを塗布これを所定の電極パターン形状に露光、現像し
てマスク層を形成する。

■塗布されたフォトレジスト４ａ上に、−８チタン（Ｔ
ｉ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属（イオンビームエツ
チングのマスク材になるもの）で厚さｄ３（・３０μｍ
）の層（図示せず）を形成した後、更にレジスト層を重
ねて所定の電極パターン２ａに露光、現像を繰り返し、
レジスト！４ａと金属マスク層を形成するようにしても
良い。

以上、■〜■により第１図（ａ）に示すような状態とな
る。

第１図（ｂ）において、 ■次に、イオンビームエツチングで露出部の低融点ガラ
ス層３ａと電極層２ａを選択的にエツチング除去する。

■■の際ガラス基板１ａも深さｄ４（＝２０μｍ）程度
エツチングし、フォトレジスト側面に再付着層５ａとし
て形成させる。

以上、■、■により第１図（ｂ）に示すような状態とな
る。

第１図（ｃ）において、 ■さらに、フォトレジスト４ａ（及び１４ａ’）を除去
し、再付着層５のみを残す。

以上、■〜■の結果、得られた再付着層５をスペーサと
して機能させる。

ここで、工程■は再付着層５を確実に形成させるための
工程であり、省略しても良い。

パネル基板１ｂ側についても同様にして行う。

以上のようにして形成された周基板１ａとｌｂとを第２
図（ａ）　、　（ｂ）に示すように、所定の位置に重ね
て基板周囲を封着材（封止ガラス〉によりガス封止を行
い、放電ガス空間６に放電ガスを充填する。この結果、
周基板１ａ、ｌｂ間の間隙長ｄが各所において一定とな
る。また、第２図（ａ）中、右下の円内はスペーサ及び
その周辺部分の拡大図である。

ここで、本実施例においては、周基板にそれぞれスペー
サ（再付着層）を設けたが、面放電パネルの場合等では
、一方の基板にのみスペーサ（再付着層）を設けても良
い。

〔発明の効果〕

本発明によれば、以下の効果が生じる。

・電極形成時に、ガラス基板をイオンビームによってス
パツクすることにより、スペーサが形成できるため、従
来のような位置決め作業が不要となる。

・スペーサは電極端部に沿って形成されるため、スペー
サ密度が向上し、側基板間の間隙長が一様に保てる。

・スペーサの占有面積を意識して設計する必要がないた
め、高精細表示パネルの実現に寄与する。

・再付着層が電極に近接しているため、再付着層による
余分な光の可視化は、最小限のものとなり、特にこの光
を遮断する必要がなくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）　、　（ｂ）　、　（ｃ）は本発明の原理
説明図兼実施例、第２図（ａ）は本発明によるガス放電パネルの側断面図
、第２図（ｂ）は本発明によるガス放電パネルの平面図、第３図は従来のガス放電パネルの側断面図（スペーサ粒
子）、第４図は従来のガス放電パネルの平面図（スペーサ粒子
）、第５図は従来のガス放電パネルの平面図（小片状スペー
サ）、第６図は従来の問題点の説明図１、第７図は従来の問題点の説明図２である。第１図中、符号を付したものは次のとおりである。ガラス基板（Ｘ電極側）Ｘ電極低融点ガラス層マスク層再付着層（スペーサ）電極層厚低融点ガラス層厚マスク層厚ガラス基板１ａをエツチングする深さ手りｅ月＋＝ｒｓｔｊス）丈４１八・年１しり償・」謔
ｆ面図第図（Ｑ）４→さ萌ｎ〃ス放電へ〇ネルの平面図第２図（ｂ）ｆａｒｔ！２放４ヒバＩ礼のｆｌ’Ｊ酎ａ図耐図ｆＨの力′２大ｔ１ζハ・ネノＬ、の乎勿長り（４・片
芋ζＺへ・−す）第５図第図ｂ第図

Claims

【特許請求の範囲】

基板（１ａ、１ｂ）上に電極層（２ａ’、２ｂ’）、誘
電体層（３ａ、３ｂ）を形成するとともに、該誘電体層
（３ａ、３ｂ）上に感光性レジスト剤（４ａ、４ｂ）を
塗布して、所定の電極パターン（２ａ、２ｂ）にした後
、該レジスト剤（４ａ、４ｂ）側よりイオンビームによ
るエッチングを施して露出部の誘電体層（３ａ、３ｂ）
と電極層（２ａ’、２ｂ’）を選択的に除去する工程を
含み、且つ前記イオンビームによるエッチングの際にパ
ターンニングされた該感光性レジスト剤（４ａ、４ｂ）
側面に付着してなる再付着層（５ａ、５ｂ）を該基板（
１ａ、１ｂ）の間の間隙を維持するためのスペーサとし
て残すようにしたことを特徴とするガス放電パネルの製
造方法。