JPH0467534A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents
プラズマディスプレイパネルInfo
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- JPH0467534A JPH0467534A JP2179784A JP17978490A JPH0467534A JP H0467534 A JPH0467534 A JP H0467534A JP 2179784 A JP2179784 A JP 2179784A JP 17978490 A JP17978490 A JP 17978490A JP H0467534 A JPH0467534 A JP H0467534A
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Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
透明電極と金属補助電極からなる表示用電極を有したプ
ラズマディスプレイパネルに関し、透明電極の幅の増大
による表示の輝度の向上を可能にすることを目的とし、 表示面側の基板に、透明電極とこれに重なる金属補助電
極とからなる表示用電極が配列されるとともに、放電間
隙内に点在するスペーサを隠すための金属遮光層が設け
られたプラズマディスプレイパネルであって、前記金属
遮光層に近接する前記表示用電極については、前記金属
補助電極が前記透明電極の当該金属遮光層に対して遠い
側の端部に設けられて構成される。
ラズマディスプレイパネルに関し、透明電極の幅の増大
による表示の輝度の向上を可能にすることを目的とし、 表示面側の基板に、透明電極とこれに重なる金属補助電
極とからなる表示用電極が配列されるとともに、放電間
隙内に点在するスペーサを隠すための金属遮光層が設け
られたプラズマディスプレイパネルであって、前記金属
遮光層に近接する前記表示用電極については、前記金属
補助電極が前記透明電極の当該金属遮光層に対して遠い
側の端部に設けられて構成される。
〔産業上の利用分野］
本発明は、透明電極と金属補助電極からなる表示用電極
を有したプラズマディスプレイパネルに関する。
を有したプラズマディスプレイパネルに関する。
放電間隙を規定するためのスペーサを介して−対の基板
を対向配置したプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
では、表示面側の基板にスペーサを隠す遮光層が設けら
れる。このため、表示用電極の幅が制限されている。
を対向配置したプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
では、表示面側の基板にスペーサを隠す遮光層が設けら
れる。このため、表示用電極の幅が制限されている。
第４図は従来のＰＤＰｌｊの要部を示す断面図、第５図
は従来の表示用電極の構成を示す平面図である。なお、
第４図はＰＤＰｌｊの製造段階で用いる露光マスク５０
ｊ、５１ｊも示している。
は従来の表示用電極の構成を示す平面図である。なお、
第４図はＰＤＰｌｊの製造段階で用いる露光マスク５０
ｊ、５１ｊも示している。
第４図において、ＰＤＰｌｊでは、表示面ｌ。
ｊ側のガラス基板１１に輻Ｗｊの透明電極３０ｊが一定
のとッチＰで配列され、各透明電極３０ｊ上には金属層
からなるバス電極３１ｊが重ねられている。バス電１１
］１３１ｊは透明電極３０ｊの導通性を補うものであり
、表示面１０ｊの輝度をできるだけ高めるため、透明１
１ｉ８ｉ３０ｊの配列方向の中央部（発光の中心となる
部分）を避けて透明電極３０ｊの一端側（図の左りに設
けられている。
のとッチＰで配列され、各透明電極３０ｊ上には金属層
からなるバス電極３１ｊが重ねられている。バス電１１
］１３１ｊは透明電極３０ｊの導通性を補うものであり
、表示面１０ｊの輝度をできるだけ高めるため、透明１
１ｉ８ｉ３０ｊの配列方向の中央部（発光の中心となる
部分）を避けて透明電極３０ｊの一端側（図の左りに設
けられている。
つまり、バス電極３１ｊのピッチは透明電極３゜ｊのピ
ンチＰと等しい。
ンチＰと等しい。
第５図をも参照して、各透明電極３０ｊの互いの間の適
所には、球状のスペーサ１８を隠すための平面形状が円
形の遮光層２０（スペーサマークともいう）が設けられ
ている。スペーサ１８は、ガラス基板１１とこれと対向
する図示しない裏面側のガラス基板との間の放電間隙１
９を表示面ｌＯｊの全体にわたって均一とするために所
定の配置パターンで点在されるものであり、スクリーン
印刷法により遮光層２０上に載置される。
所には、球状のスペーサ１８を隠すための平面形状が円
形の遮光層２０（スペーサマークともいう）が設けられ
ている。スペーサ１８は、ガラス基板１１とこれと対向
する図示しない裏面側のガラス基板との間の放電間隙１
９を表示面ｌＯｊの全体にわたって均一とするために所
定の配置パターンで点在されるものであり、スクリーン
印刷法により遮光層２０上に載置される。
裏面側のガラス基板には、各透明電極３０ｊと格子状に
対向するように裏面側電極１４が配列され、各透明電極
３０ｊと各裏面側電極１４との交差部にそれぞれ放電セ
ルＣｊが画定される。
対向するように裏面側電極１４が配列され、各透明電極
３０ｊと各裏面側電極１４との交差部にそれぞれ放電セ
ルＣｊが画定される。
バスを極３１ｊ及び遮光層２０は、透明電極３０ｊの形
成後に、所定厚さの金属層をフォトリソグラフィ法を用
いてパターンニングすることによって同時に形成される
。
成後に、所定厚さの金属層をフォトリソグラフィ法を用
いてパターンニングすることによって同時に形成される
。
このとき、パターンニング（エツチング）のためのレジ
スト層のパターン露光において、遮光層２０に対応した
露光マスク５０ｊとバスｔｉ３１ｊに対応した露光マス
ク５１ｊとの間に、第４図に示されるように、エツチン
グを進行させる上で少なくも一定値以上の間隔りを設け
る必要がある。
スト層のパターン露光において、遮光層２０に対応した
露光マスク５０ｊとバスｔｉ３１ｊに対応した露光マス
ク５１ｊとの間に、第４図に示されるように、エツチン
グを進行させる上で少なくも一定値以上の間隔りを設け
る必要がある。
したがって、従来のＰＤＰｌｊでは、遮光層２０とこれ
に最も近接するバス電極３１ｊとの間隔、すなわち遮光
層２０と透明電極３０ｊとの間隔Ｇは、式（１）で表さ
れる。
に最も近接するバス電極３１ｊとの間隔、すなわち遮光
層２０と透明電極３０ｊとの間隔Ｇは、式（１）で表さ
れる。
Ｇ−Ｄ＋２ｄ ・・・（１）
ここで、ｄはオーバーエツチングを見込んだマージンで
ある。
ある。
一方、スペーサ１８の載ｉの精度を考慮すると、遮光層
２０の径Ｒを一定値以上としなけければスペーサ１８の
位置ずれによる不良が発生する恐れがある。
２０の径Ｒを一定値以上としなけければスペーサ１８の
位置ずれによる不良が発生する恐れがある。
また、透明電極３０ｊのピッチＰは、表示画面１０ｊの
ドツト密度（解像度）に応じて定まる。
ドツト密度（解像度）に応じて定まる。
以上を総合すると、従来のＰＤＰｌｊでは、透明電極３
０ｊの幅Ｗｊの値は、式（２）で表される値に制限され
ることになる。
０ｊの幅Ｗｊの値は、式（２）で表される値に制限され
ることになる。
Ｗｊ＝Ｐ−Ｒ−２Ｇ ・・・（２）
つまり、例えば、ピンチＰを３３０μｍ、間隔りを１０
μｍ、マージンｄを７．５μｍ、径Ｒを２００μｍとす
ると幅Ｗｊは８０ｕｍとなり、この値以上の幅の透明電
極３０ｊを設けることはできない。
μｍ、マージンｄを７．５μｍ、径Ｒを２００μｍとす
ると幅Ｗｊは８０ｕｍとなり、この値以上の幅の透明電
極３０ｊを設けることはできない。
このため、従来においては、放電セルＣｊの拡がりが小
さく、表示の輝度が低いという問題があった。
さく、表示の輝度が低いという問題があった。
本発明は、上述の問題に鑑み、透明電極の幅の増大によ
る表示の輝度の向上を可能とすることを目的としている
。
る表示の輝度の向上を可能とすることを目的としている
。
〔課題を解決するための手段］
本発明に係るＰＤＰ １は、上述の課題を解決するため
、第１図に示すように、表示面側の基板１１に、透明電
極３０とこれに重なる金属補助電極３１とからなる表示
用電極１３．１３３が配列されるとともに、放電間隙１
９内に点在するスペーサ１８を隠すための金属遮光層２
０が設けられたプラズマディスプレイパネルであって、
前記金属遮光層２０に近接する前記表示用電極１３Ｓに
ついては、前記金属補助電極３１が前記透明電極３０の
当該金属遮光層２０に対して遠い側の端部に設けられて
なる。
、第１図に示すように、表示面側の基板１１に、透明電
極３０とこれに重なる金属補助電極３１とからなる表示
用電極１３．１３３が配列されるとともに、放電間隙１
９内に点在するスペーサ１８を隠すための金属遮光層２
０が設けられたプラズマディスプレイパネルであって、
前記金属遮光層２０に近接する前記表示用電極１３Ｓに
ついては、前記金属補助電極３１が前記透明電極３０の
当該金属遮光層２０に対して遠い側の端部に設けられて
なる。
金属遮光層２０は、放電間隙１９内に点在するスペーサ
１８を隠す。
１８を隠す。
表示面側の表示用電極１３，１３３は、透明電極３０と
これに重なる金属補助電極３１とからなり、これらの内
、金属遮光層２０に近接する表示用電極１３Ｓについて
は、金属補助電極３１は透明電極３０における金属遮光
層２０に対して遠い側の端部に設けられる。
これに重なる金属補助電極３１とからなり、これらの内
、金属遮光層２０に近接する表示用電極１３Ｓについて
は、金属補助電極３１は透明電極３０における金属遮光
層２０に対して遠い側の端部に設けられる。
したがって、金属遮光層２０及び金属補助電極３１を形
成する上での制約による透明電極３０の幅の制限が無く
なり、透明電極３０を金属遮光層２０との間の短絡を防
止するだけの微小間隙を残す程度まで金属遮光層２０に
近づけることが可能となる。
成する上での制約による透明電極３０の幅の制限が無く
なり、透明電極３０を金属遮光層２０との間の短絡を防
止するだけの微小間隙を残す程度まで金属遮光層２０に
近づけることが可能となる。
以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。
第１図は本発明に係るＰＤＰ １の要部を示す断面図、
第２図は第１図の表示用電極１３，１３３の構成を示す
平面図、第３図は本発明に係るＰＤＰｌの断面斜視図で
ある。なお、これらの図において、第４図及び第５図と
同一の機能を有する構成要素には同一の符号を付しであ
る。また、第１図はＰＤＰ １の製造段階で用いる露光
マスク５０゜５１も示している。
第２図は第１図の表示用電極１３，１３３の構成を示す
平面図、第３図は本発明に係るＰＤＰｌの断面斜視図で
ある。なお、これらの図において、第４図及び第５図と
同一の機能を有する構成要素には同一の符号を付しであ
る。また、第１図はＰＤＰ １の製造段階で用いる露光
マスク５０゜５１も示している。
第３図において、ＰＤＰ １は、表示面側のガラス基板
１１、背面側のガラス基板１２、各ガラス基板１１．１
２の表面に形成されたＸ電極１３１３Ｓ及び裏面側電極
としてのＹｉｉｔ極１４極道４層２０、誘電体層１５，
１６、ＭｇＯ膜などの保護層２１，２２、周囲を密封す
る封止ガラス１７、及び球状のスペーサ１８などから構
成され、放電間隙１９には、ネオン及びキセノンの混合
ガスが封入されている。第１図においてはガラス基板１
１の上面が表示面１０となる。
１１、背面側のガラス基板１２、各ガラス基板１１．１
２の表面に形成されたＸ電極１３１３Ｓ及び裏面側電極
としてのＹｉｉｔ極１４極道４層２０、誘電体層１５，
１６、ＭｇＯ膜などの保護層２１，２２、周囲を密封す
る封止ガラス１７、及び球状のスペーサ１８などから構
成され、放電間隙１９には、ネオン及びキセノンの混合
ガスが封入されている。第１図においてはガラス基板１
１の上面が表示面１０となる。
第１図及び第２図において、ガラス基板１１には、幅Ｗ
の透明電極３０が一定のピッチＰで配列され、各透明電
極３０上には例えば３０μｍ程度の幅のバス電極３１が
重ねられている。バス電極３１は、発光の中心の輝度の
高い部分を隠すことのないように透明電極３０ｊの配列
方向の中央部を避けて透明電極３０の端部に設けられて
いるが、ＰＤＰ １では、特に遮光層２０に近接するＸ
電極１３Ｓ、すなわち互いの間に遮光層２０を有したＸ
電極１３Ｓについては、バス電極３１が透明電極３０に
おける遮光層２０に対して遠い側の端部に設けられてい
る。なお、他のＸ電極１３については、透明電極３０の
一端側（図の左側）にバス電極３１が設けられている。
の透明電極３０が一定のピッチＰで配列され、各透明電
極３０上には例えば３０μｍ程度の幅のバス電極３１が
重ねられている。バス電極３１は、発光の中心の輝度の
高い部分を隠すことのないように透明電極３０ｊの配列
方向の中央部を避けて透明電極３０の端部に設けられて
いるが、ＰＤＰ １では、特に遮光層２０に近接するＸ
電極１３Ｓ、すなわち互いの間に遮光層２０を有したＸ
電極１３Ｓについては、バス電極３１が透明電極３０に
おける遮光層２０に対して遠い側の端部に設けられてい
る。なお、他のＸ電極１３については、透明電極３０の
一端側（図の左側）にバス電極３１が設けられている。
つまり、ＰＤＰ １では、バス電極３１のピッチは一律
ではなく、遮光層２０の付近と他の部分で異なる。
ではなく、遮光層２０の付近と他の部分で異なる。
透明電極３０は、ネサ膜又はＩＴＯ膜のパターンニング
により形成され、また、バス電極３１は、遮光層２０と
同時に、例えばクロム−銅−クロムの三層構造の金ＷＩ
ｋ薄膜（膜厚は５０００〜１００００人）をフォトリソ
グラフィ法を用いてパターンニングすることによって形
成される。
により形成され、また、バス電極３１は、遮光層２０と
同時に、例えばクロム−銅−クロムの三層構造の金ＷＩ
ｋ薄膜（膜厚は５０００〜１００００人）をフォトリソ
グラフィ法を用いてパターンニングすることによって形
成される。
このようなＸ電極１３，１３Ｓと、Ｙ電８ｉ１４との交
差部にそれぞれ放電セルＣが画定され、Ｘ電極１３，１
３３及びＹ電極１４を選ぶことにより各放電セルＣを選
択的に発光させることができる。
差部にそれぞれ放電セルＣが画定され、Ｘ電極１３，１
３３及びＹ電極１４を選ぶことにより各放電セルＣを選
択的に発光させることができる。
第１図によく示されているように、ＰＤＰ Ｉでは、各
透明電極３０の両端部の内、バス電極３１が設けられて
いない側の端部が遮光層２０と近接している。したがっ
て、金属遮光層２０及びバス電極３１のパターンニング
に際して用いる露光マスク５０．５１の間に最低限必要
な間隔りの制約による透明電極３０の幅の制限が無くな
り、透明電極３０を金属遮光層２０との短絡を防止する
だけのギャップｇを残す程度まで金属遮光層２０に近づ
けることができる。
透明電極３０の両端部の内、バス電極３１が設けられて
いない側の端部が遮光層２０と近接している。したがっ
て、金属遮光層２０及びバス電極３１のパターンニング
に際して用いる露光マスク５０．５１の間に最低限必要
な間隔りの制約による透明電極３０の幅の制限が無くな
り、透明電極３０を金属遮光層２０との短絡を防止する
だけのギャップｇを残す程度まで金属遮光層２０に近づ
けることができる。
つまり、透明電極３００幅Ｗは、式（３）で表される。
Ｗ＝Ｐ−Ｒ−２ｇ ・・・（３）ｇは極めて
小さい値でよいから、とッ千Ｐ及び径Ｒを従来のＰＤＰ
ｌｊと同一の値とすると、輻Ｗの値はほぼ１３０μｍと
なり、従来に比べてほぼ５０μｍも増大する。実際には
、透明電極３０のパターンニングの精度を考慮してギャ
ップｇを設定するとしても、少な（とも１００〜１２０
μｍの幅Ｗをもつ透明電極３０を設けることができる。
小さい値でよいから、とッ千Ｐ及び径Ｒを従来のＰＤＰ
ｌｊと同一の値とすると、輻Ｗの値はほぼ１３０μｍと
なり、従来に比べてほぼ５０μｍも増大する。実際には
、透明電極３０のパターンニングの精度を考慮してギャ
ップｇを設定するとしても、少な（とも１００〜１２０
μｍの幅Ｗをもつ透明電極３０を設けることができる。
これによって、Ｘ電極１３，１３ＳとＹ電極１４との対
向面積が従来よりも増大し、放電セルＣの拡がりも大き
くなって表示の輝度が高まる。
向面積が従来よりも増大し、放電セルＣの拡がりも大き
くなって表示の輝度が高まる。
上述の実施例において、ピッチＰ、透明電極３０の幅Ｗ
、バス電掻３１の幅、遮光層２０の径Ｒなどの数値は、
上述した値に限定されるものではなく、ＰＤＰ １の大
きさや解像度などに応じて適宜変更することができる。
、バス電掻３１の幅、遮光層２０の径Ｒなどの数値は、
上述した値に限定されるものではなく、ＰＤＰ １の大
きさや解像度などに応じて適宜変更することができる。
本発明によれば、透明電極の幅を増大させることが可能
となり、表示の輝度を高めることができる。
となり、表示の輝度を高めることができる。
第１図は本発明に係るＰＤＰの要部を示す断面図、
第２図は第１図の表示用電極の構成を示す平面図、
第３図は本発明に係るＦＤＰの断面斜視図、第４図は従
来のＰＤＰの要部を示す断面図、第５図は従来の表示用
電極の構成を示す平面図である。 図において、 １はＦＤＰ （プラズマディスプレイパネル）、１１は
ガラス基板（基板）、 ３．１３５はＸ［極（表示用電極）、 ８はスペーサ、 ９は放電間隙、 ０は遮光層（金属遮光層）、 ０は透明電極、 １はバス電極（金属補助電極）である。 本発明に係るＦＤＰの断面斜視図 第３図 （リ （す
来のＰＤＰの要部を示す断面図、第５図は従来の表示用
電極の構成を示す平面図である。 図において、 １はＦＤＰ （プラズマディスプレイパネル）、１１は
ガラス基板（基板）、 ３．１３５はＸ［極（表示用電極）、 ８はスペーサ、 ９は放電間隙、 ０は遮光層（金属遮光層）、 ０は透明電極、 １はバス電極（金属補助電極）である。 本発明に係るＦＤＰの断面斜視図 第３図 （リ （す
Claims (1)
- （１）表示面側の基板（１１）に、透明電極（３０）と
これに重なる金属補助電極（３１）とからなる表示用電
極（１３）（１３Ｓ）が配列されるとともに、放電間隙
（１９）内に点在するスペーサ（１８）を隠すための金
属遮光層（２０）が設けられたプラズマディスプレイパ
ネル（１）であって、 前記金属遮光層（２０）に近接する前記表示用電極（１
３Ｓ）については、前記金属補助電極（３１）が前記透
明電極（３０）の当該金属遮光層（２０）に対して遠い
側の端部に設けられてなることを特徴とするプラズマデ
ィスプレイパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2179784A JPH0467534A (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | プラズマディスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2179784A JPH0467534A (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | プラズマディスプレイパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0467534A true JPH0467534A (ja) | 1992-03-03 |
Family
ID=16071834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2179784A Pending JPH0467534A (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | プラズマディスプレイパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0467534A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0762463A2 (en) * | 1995-08-25 | 1997-03-12 | Fujitsu Limited | A surface discharge plasma display panel and a manufacturing method therefor |
| US6410214B1 (en) * | 1998-10-01 | 2002-06-25 | Lg Electronics Inc. | Method for manufacturing black matrix of plasma display panel |
| KR100477741B1 (ko) * | 2000-02-09 | 2005-03-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 표시 패널의 전면 기판 구조체 제작방법 |
| KR100723081B1 (ko) * | 2004-07-13 | 2007-05-29 | 이리코 컬러 픽쳐 튜브 플랜트 | 가스 방전 스크린의 제조 방법 |
-
1990
- 1990-07-05 JP JP2179784A patent/JPH0467534A/ja active Pending
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