JPS58188030A - ガス放電パネルの製造方法 - Google Patents
ガス放電パネルの製造方法Info
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- JPS58188030A JPS58188030A JP57070678A JP7067882A JPS58188030A JP S58188030 A JPS58188030 A JP S58188030A JP 57070678 A JP57070678 A JP 57070678A JP 7067882 A JP7067882 A JP 7067882A JP S58188030 A JPS58188030 A JP S58188030A
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- H01J17/16—Vessels; Containers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｋｌ 発明の技術分野
本発明はガス放電パネルの製造方法に係り、特に放電＠
唾を規定するスペーサによる放電表示欠。
唾を規定するスペーサによる放電表示欠。
陥のないガス放電空間を形成し得るガス放電パネルの製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
山 技術の背景
−ｆｆＫプラズマ・ディスプレイ・バネ〃と呼ばれる平
板状のガス放電パネルは、その放電特性がガス放電空間
領域の間隙長に大きく依存して変化することから、該放
電間隙を全面にわたって均一に維持するために、１対の
バネ／Ｉ／構成基板の対向間隙にスペーサを介在させて
核間＃ｌを一定に保持することが必要である。
板状のガス放電パネルは、その放電特性がガス放電空間
領域の間隙長に大きく依存して変化することから、該放
電間隙を全面にわたって均一に維持するために、１対の
バネ／Ｉ／構成基板の対向間隙にスペーサを介在させて
核間＃ｌを一定に保持することが必要である。
（Ｑｉ 従来技術と間趙点
ところで従来、この檀のガス放電パネルにおけるガス放
電空間を一定の間隙に維持するために用いられている方
法は、それぞれ表面を誘電体層で破潰した複数のｘｗｔ
極およびて電極をそなえた１対のバネ／ｌ／＃４成基板
を対向配置し、これら誘電体層間のガス放電空間に、各
ｔｆｉ対向交点を避けた形で、例えばマイクロシートガ
ラスの如き薄いガラス板、あるいは同様に薄い金属板等
を例えば約０、５ ｔｍ Ｘ Ｏ，５ＫＭ程度に切り出
した材料片を水ガラス等を固着剤として点在させるか、
あるいは、前起両基板の少なくとも一方の基板の誘電体
１１に、に各１１１．極対向交点を避けたパターンでス
ペーサとなる絶縁材料層を印刷形成して、対向配置した
１対のバネＩｖ構成基板間のガス放電関暉を規定する構
成がとられている。
電空間を一定の間隙に維持するために用いられている方
法は、それぞれ表面を誘電体層で破潰した複数のｘｗｔ
極およびて電極をそなえた１対のバネ／ｌ／＃４成基板
を対向配置し、これら誘電体層間のガス放電空間に、各
ｔｆｉ対向交点を避けた形で、例えばマイクロシートガ
ラスの如き薄いガラス板、あるいは同様に薄い金属板等
を例えば約０、５ ｔｍ Ｘ Ｏ，５ＫＭ程度に切り出
した材料片を水ガラス等を固着剤として点在させるか、
あるいは、前起両基板の少なくとも一方の基板の誘電体
１１に、に各１１１．極対向交点を避けたパターンでス
ペーサとなる絶縁材料層を印刷形成して、対向配置した
１対のバネＩｖ構成基板間のガス放電関暉を規定する構
成がとられている。
ところがと述の如きガス放電パネル、特に電極パターン
のピッチが０．６■以下というような高密度なマトリッ
クスタイプのガス放電バネ〜にめっては、１把のような
スペーサの配設方法では各電極対向交点を避けてスペー
サを配設することが困難となり、幾つかの電極対向交点
が該スペーサによって封殺されて不良放電点となり、放
電表示品質を低下させる欠点があった。
のピッチが０．６■以下というような高密度なマトリッ
クスタイプのガス放電バネ〜にめっては、１把のような
スペーサの配設方法では各電極対向交点を避けてスペー
サを配設することが困難となり、幾つかの電極対向交点
が該スペーサによって封殺されて不良放電点となり、放
電表示品質を低下させる欠点があった。
（■ 発明の目的
本発明の目的は上記従来の欠点を解消するために、スペ
ーサ用として印刷したガラス−を、を礪パターンをフォ
トマスクとす元フオトリソ工程でパターニングして電極
間隔部に対応したスペーサ全形成することにより、高品
質表示のガス放電パネルを容易に得ることができる新規
な製造方法を提供するにある。
ーサ用として印刷したガラス−を、を礪パターンをフォ
トマスクとす元フオトリソ工程でパターニングして電極
間隔部に対応したスペーサ全形成することにより、高品
質表示のガス放電パネルを容易に得ることができる新規
な製造方法を提供するにある。
ｔｅ） 発明の構成
そしてこの目的は、本発明によれば、少なくとも一方の
基板表面に複数のｉｔ他を支持してなる１対のバネＩし
構成基板を所定のガス放電空間を隔てて対向配置したバ
ネ／Ｉ’ｍ成を製造する方法であって、前記ｗＬ極をそ
なえた少なくとも一方の基板上に、スペーサ形成用のガ
ラス−を塗着形成し、該ガラス−を該基板上に配設され
た電極パターンをマスクにして当該基板の裏面より露光
を行う工程を含むフォトリソ工程によってバターニング
して、前記電極パターンの各電極間上に前記両基板間の
ガス放電空間の間隙を定めるガラススペーサを形成する
ことを特徴とするガス放電バネｌしの製造方法を提供す
ることによって達成される。
基板表面に複数のｉｔ他を支持してなる１対のバネＩし
構成基板を所定のガス放電空間を隔てて対向配置したバ
ネ／Ｉ’ｍ成を製造する方法であって、前記ｗＬ極をそ
なえた少なくとも一方の基板上に、スペーサ形成用のガ
ラス−を塗着形成し、該ガラス−を該基板上に配設され
た電極パターンをマスクにして当該基板の裏面より露光
を行う工程を含むフォトリソ工程によってバターニング
して、前記電極パターンの各電極間上に前記両基板間の
ガス放電空間の間隙を定めるガラススペーサを形成する
ことを特徴とするガス放電バネｌしの製造方法を提供す
ることによって達成される。
■ 発明の実施国
以下図面を用いて本発明の好ましい製造方法の実施例に
ついて詳細に説明する。
ついて詳細に説明する。
第１図乃至第５図は本発明に係るガス放電パネルの製造
方法の一実施例を工程順に説明する断面図である。まず
第１図に示すように、それぞれ−表面に、例えばクロ−
ム（ｃｒ）−銅（Ｃｕ）等の多層構造からなる複数のＸ
ｔｅｉ１２と同じくＹ電極１２が直交する方向に配列さ
れた形で形成され、さらに前記Ｘ［極２およびＹ電極１
２上に高硅酸ガラスあるいはアルミナ（Ａｌｔｏｓ ）
等からなる誘電体層８および１８が被着されたガラス基
板１および１１の内の一方のガラス基板、例えば１１の
誘電体Ｐ＃１１８Ｊ：に、スペーサ用の結晶性低融点ガ
ラス層１４を印刷法等によって所定の犀さに塗着し、こ
の結晶性の低融点ガラス層１４を例えば４００℃の焼成
温度で結晶化させる０次いで該結晶化ガラス層１４上の
全面に、ネガタイ１プのレジストｆ／Ｉ４１６を塗布し
た後、前記ｆ電極１２パターンをマスクと１ノＣその基
板１１の基面より光を照射して前記レジスト１ｌｌｌｊ
１５に露光を与え、さらに現像を行って第２図に示す如
くレジスト＠１５によるマスクパターンを形成する１次
いで該マスクパターンを介して前記結晶化ガラス１１１
１４を、例えば硝酸くＨＮＯ３）あるいは硝酸系のエツ
チング液を用いて選択的にエツチングすることＫより第
８図に示すように前記誘電体層！８上に、その下層の各
電ＦｊＡ１２上を避けた各隣接電極間に相対する位置に
平行な複数の線状結晶化ガラススペーサ１６が形成され
る。しかる後第４図に示すように、上記工程によってス
ペーサ１６が配設された基板２およびこれと対となるも
う一方の基板ｌの各誘電体層８および１８上の周辺に、
該誘Ｗ１体１１８．１８よりも低融点のガラスペースト
からなる封止材を塗着し、約８５０℃で仮焼成して封止
材１１７および１丁を形成する０次いで１ＩｉｌＩｉｌ
Ｉｉｌ！両基板１．１１上の封止材層７．１７以外の前
記各誘電体ｍ８および１Ｂと前記スペーサ１６上に酸化
マグネシウム（ＭｇＯ） カらなる保護−８および１８
を選択的に被着形成した後、かかる構成の１対のバネ７
し構成基板ｌＯＯと１１０を、それらのＸｗＬ極２とＹ
［極１２とが互いに直交し、かつ双方の封止材層７およ
び１７が当接する形に対向配置し、該パネル組合せ体を
図示しない排気可能な加熱炉内で加熱して前記各封止材
層７および１７を溶融せしめて第６図に示すように気密
封止し、表示バネ〃を構成するようにすれば、前記複数
の線状結晶化ガラススペーサ１６によって当該パネルの
ガス放電空間１９の全域に亘る間隙寸法を高精度に保持
することができると共に、 ！１ｔｌｆｉ３Ｘｔｌｉ
２ トＹ［ａｉ ｌ ＄１との対内放電領域が封殺され
るといつ九放電表示欠陥もなくなる。
方法の一実施例を工程順に説明する断面図である。まず
第１図に示すように、それぞれ−表面に、例えばクロ−
ム（ｃｒ）−銅（Ｃｕ）等の多層構造からなる複数のＸ
ｔｅｉ１２と同じくＹ電極１２が直交する方向に配列さ
れた形で形成され、さらに前記Ｘ［極２およびＹ電極１
２上に高硅酸ガラスあるいはアルミナ（Ａｌｔｏｓ ）
等からなる誘電体層８および１８が被着されたガラス基
板１および１１の内の一方のガラス基板、例えば１１の
誘電体Ｐ＃１１８Ｊ：に、スペーサ用の結晶性低融点ガ
ラス層１４を印刷法等によって所定の犀さに塗着し、こ
の結晶性の低融点ガラス層１４を例えば４００℃の焼成
温度で結晶化させる０次いで該結晶化ガラス層１４上の
全面に、ネガタイ１プのレジストｆ／Ｉ４１６を塗布し
た後、前記ｆ電極１２パターンをマスクと１ノＣその基
板１１の基面より光を照射して前記レジスト１ｌｌｌｊ
１５に露光を与え、さらに現像を行って第２図に示す如
くレジスト＠１５によるマスクパターンを形成する１次
いで該マスクパターンを介して前記結晶化ガラス１１１
１４を、例えば硝酸くＨＮＯ３）あるいは硝酸系のエツ
チング液を用いて選択的にエツチングすることＫより第
８図に示すように前記誘電体層！８上に、その下層の各
電ＦｊＡ１２上を避けた各隣接電極間に相対する位置に
平行な複数の線状結晶化ガラススペーサ１６が形成され
る。しかる後第４図に示すように、上記工程によってス
ペーサ１６が配設された基板２およびこれと対となるも
う一方の基板ｌの各誘電体層８および１８上の周辺に、
該誘Ｗ１体１１８．１８よりも低融点のガラスペースト
からなる封止材を塗着し、約８５０℃で仮焼成して封止
材１１７および１丁を形成する０次いで１ＩｉｌＩｉｌ
Ｉｉｌ！両基板１．１１上の封止材層７．１７以外の前
記各誘電体ｍ８および１Ｂと前記スペーサ１６上に酸化
マグネシウム（ＭｇＯ） カらなる保護−８および１８
を選択的に被着形成した後、かかる構成の１対のバネ７
し構成基板ｌＯＯと１１０を、それらのＸｗＬ極２とＹ
［極１２とが互いに直交し、かつ双方の封止材層７およ
び１７が当接する形に対向配置し、該パネル組合せ体を
図示しない排気可能な加熱炉内で加熱して前記各封止材
層７および１７を溶融せしめて第６図に示すように気密
封止し、表示バネ〃を構成するようにすれば、前記複数
の線状結晶化ガラススペーサ１６によって当該パネルの
ガス放電空間１９の全域に亘る間隙寸法を高精度に保持
することができると共に、 ！１ｔｌｆｉ３Ｘｔｌｉ
２ トＹ［ａｉ ｌ ＄１との対内放電領域が封殺され
るといつ九放電表示欠陥もなくなる。
なおと述した実施例においては、誘電体層で表面を被覆
した複数の電極を支持してなる一方のガラス基板上に形
成され九スペーサ形成用結晶化ガラス層を、前記電極を
マスクにして形成し九ネガタイプのレジスト膜パターン
を用いて所定形状のＭＡ化ガラススペーサにバターニン
グする例で説明したが、本発明はこれに＠定され−る吃
のではなく、例えば結晶性低融点ガラス粉末とネガタイ
プのレジスト液を適当な割合で混合し九混会レジストペ
ーストを用いて感光性結晶化ガラス層を形成し、該感光
性結晶化ガラス層＆、電極をマスクにして基板裏面よ抄
露光し、かつ現像することＫより各隣接電極間に相対す
る位置のみに平行な複数の線状結晶化ガラスｍｔ−形成
し、さらに焼成処理によってレジストを焼失させると共
に結晶化し、目的とする結晶化ガラススペーサを形成す
るようにしてもよく、前記実施例と同様な効果が得られ
る。また上記した結晶化ガラススペーサは、バネＩＶを
構成する１対のパネル構成基板の対向する双方の誘電体
層上に、それぞれガス放電空間を規定する間隙寸法のＶ
度半分の厚さで対向させて配設する＃Ｉ４成としてもよ
く、本発明の目的を達成し得ることはいうまでもない。
した複数の電極を支持してなる一方のガラス基板上に形
成され九スペーサ形成用結晶化ガラス層を、前記電極を
マスクにして形成し九ネガタイプのレジスト膜パターン
を用いて所定形状のＭＡ化ガラススペーサにバターニン
グする例で説明したが、本発明はこれに＠定され−る吃
のではなく、例えば結晶性低融点ガラス粉末とネガタイ
プのレジスト液を適当な割合で混合し九混会レジストペ
ーストを用いて感光性結晶化ガラス層を形成し、該感光
性結晶化ガラス層＆、電極をマスクにして基板裏面よ抄
露光し、かつ現像することＫより各隣接電極間に相対す
る位置のみに平行な複数の線状結晶化ガラスｍｔ−形成
し、さらに焼成処理によってレジストを焼失させると共
に結晶化し、目的とする結晶化ガラススペーサを形成す
るようにしてもよく、前記実施例と同様な効果が得られ
る。また上記した結晶化ガラススペーサは、バネＩＶを
構成する１対のパネル構成基板の対向する双方の誘電体
層上に、それぞれガス放電空間を規定する間隙寸法のＶ
度半分の厚さで対向させて配設する＃Ｉ４成としてもよ
く、本発明の目的を達成し得ることはいうまでもない。
さらにと起実施例では、結晶１ヒガフススベーサをバネ
ｌしのガス放電空間の全域に亘って配列する形に形成し
た場合の例について説明したが、該スペーサは、必ずし
も全域に配設する必要はなく、必要に応じて部分領域的
に髪化させて配役できることは勿論である。
ｌしのガス放電空間の全域に亘って配列する形に形成し
た場合の例について説明したが、該スペーサは、必ずし
も全域に配設する必要はなく、必要に応じて部分領域的
に髪化させて配役できることは勿論である。
、リ 発明の効果
以北の説明から明らかなように本発明に係るガス放電パ
ネルの製造方法によれば、表面を誘電体で被覆された複
数のｔ極を支持してなるパネル構成基板の谷ｗｌＦＭと
電極との間に対応する誘電体層１に、ガス放電空間の間
隙を規定する複数の線状のガラススペーサを容易に平行
配設することが可能となり、従来の如きスペーサに起因
する放電表示欠陥がなくなり、高品質表示のガス放電パ
ネルを歩留りよく製造することができる利点を有する。
ネルの製造方法によれば、表面を誘電体で被覆された複
数のｔ極を支持してなるパネル構成基板の谷ｗｌＦＭと
電極との間に対応する誘電体層１に、ガス放電空間の間
隙を規定する複数の線状のガラススペーサを容易に平行
配設することが可能となり、従来の如きスペーサに起因
する放電表示欠陥がなくなり、高品質表示のガス放電パ
ネルを歩留りよく製造することができる利点を有する。
よって本発明は、ＡＣ放電１１１１放電の別を問わず、
対向電極放電型あるいは面放電型等のトッド表示形式の
マトリックスガス放電バネμ、特に高密度表示または大
型のマトリックスガス放電パネルの製造に適用して極め
て有利である。
対向電極放電型あるいは面放電型等のトッド表示形式の
マトリックスガス放電バネμ、特に高密度表示または大
型のマトリックスガス放電パネルの製造に適用して極め
て有利である。
第１図乃至第５図は本発明に係るガス放電バネｌしの製
造方法の一実施例を工程順に説明する断面図である。 図において１．１１はガラス基板、２は複数のｘｔａ、
１２は複数（７）’ｌ’ｌ極、８．１８は誘電体層、１
４はスペーサ形成用結晶性低融点ガラス層。 【５はネガタイプのレジスト膜、１６は結晶化ガラスス
ペーサ、７，１７は封止材層、８．１８は保護−１１９
はガス放電空間、１００． １１０はバネｌし構成基板
を示す。 第１図 第２図 第３図 第４図
造方法の一実施例を工程順に説明する断面図である。 図において１．１１はガラス基板、２は複数のｘｔａ、
１２は複数（７）’ｌ’ｌ極、８．１８は誘電体層、１
４はスペーサ形成用結晶性低融点ガラス層。 【５はネガタイプのレジスト膜、１６は結晶化ガラスス
ペーサ、７，１７は封止材層、８．１８は保護−１１９
はガス放電空間、１００． １１０はバネｌし構成基板
を示す。 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 少なくとも一方の基板表面に複数の電極を支持してなる
ｌ対のバネμ構成基板を所定のガス放電空間を隔てて対
向配置したパネル構成を製造する方法であって、前記電
極をそなえた少なくとも一方の基板上に、スペーサ形成
用のガラス層を塗着形成し、該ガラス層を、該基板上に
配設され九電艶パターンをマスクにして基板の裏面よや
露光を行う工程を含むフォトリソ工程によってバターニ
ングして前記を極パターンの各電極間とに、前記両基板
間のガス放電空間の間隙を定めるガラススペーサを形成
することを特徴とするガス放電バネＩしの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57070678A JPS58188030A (ja) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | ガス放電パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57070678A JPS58188030A (ja) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | ガス放電パネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58188030A true JPS58188030A (ja) | 1983-11-02 |
Family
ID=13438540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57070678A Pending JPS58188030A (ja) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | ガス放電パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58188030A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62180932A (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-08 | Fujitsu Ltd | プラズマデイスプレイパネルの製造方法 |
| JPS63274045A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-11 | Nec Corp | プラズマデイスプレイパネル |
| US5209688A (en) * | 1988-12-19 | 1993-05-11 | Narumi China Corporation | Plasma display panel |
| FR2762096A1 (fr) * | 1997-04-15 | 1998-10-16 | Commissariat Energie Atomique | Detecteur de particules a electrodes paralleles multiples et procede de fabrication de ce detecteur |
| EP1492149A1 (en) | 1996-08-20 | 2004-12-29 | Lg Electronics Inc. | Barrier in color plasma display panel and method for manufacturing the same |
| JP2007165329A (ja) * | 1996-10-30 | 2007-06-28 | Toray Ind Inc | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
-
1982
- 1982-04-26 JP JP57070678A patent/JPS58188030A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62180932A (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-08 | Fujitsu Ltd | プラズマデイスプレイパネルの製造方法 |
| JPS63274045A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-11 | Nec Corp | プラズマデイスプレイパネル |
| US5209688A (en) * | 1988-12-19 | 1993-05-11 | Narumi China Corporation | Plasma display panel |
| EP1492149A1 (en) | 1996-08-20 | 2004-12-29 | Lg Electronics Inc. | Barrier in color plasma display panel and method for manufacturing the same |
| JP2007165329A (ja) * | 1996-10-30 | 2007-06-28 | Toray Ind Inc | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| JP4578489B2 (ja) * | 1996-10-30 | 2010-11-10 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| FR2762096A1 (fr) * | 1997-04-15 | 1998-10-16 | Commissariat Energie Atomique | Detecteur de particules a electrodes paralleles multiples et procede de fabrication de ce detecteur |
| EP0872874A1 (fr) * | 1997-04-15 | 1998-10-21 | Commissariat A L'energie Atomique | Détecteur de particules à électrodes multiples et procédé de fabrication de ce détecteur |
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