JP4992343B2 - カラーフィルタの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、液晶表示装置等に用いる、MVA(配向突起)設計を利用したサブPS(フォトスペーサ)付きカラーフィルタ及びその製造方法に関する。
従来の液晶表示パネルの製造では、カラーフィルタは、TFT用基板との貼り合わせ時には、パネルの柔軟性を持たせるため、そのPSの配置密度は出来るだけ低いほうが良い。なお、前記PSは、Photo spacer(フォトスペーサー)の略で、感光性樹脂の塗布、感光性樹脂へのパターン露光、その現像というフォトリソ法で形成される、柱状のスペーサである。カラーフィルタとTFT用基板との貼り合わせるギャップ(間隙)は、柱状のスペーサの高さで規制される。カラーフィルタの基板とTFT用基板との貼り合わせギャップは、PSの膜厚に依存する。液晶表示装置では、カラーフィルタの基板とTFT用基板のギャップ内に液晶等を真空封止する。
しかし、貼り合わせた後に、パネル面からの押し圧、例えば指等で押さえられた場合、PSの配置密度が低いと、PSが潰れてしまい、カラーフィルタとTFT用基板の隙間が狭まり、セルギャップ不良となるために、貼り合わせた後には、PSの配置密度は高いほうが良い。
そのため、従来の技術では、貼り合わせ時に影響がなく、貼り合わせた後に指等で押さえられた場合、パネルを支えるために、貼り合わせギャップ形成用のPSより膜厚の若干低い、すなわち、高さが低いサブPSを追加して形成することが必要になる。そのため、サブPS(フォトスペーサ)付きカラーフィルタ及びその製造方法が提案されている。
例えば、前記サブPSの形成方法としては、1回のPS形成工程でギャップ形成用のPS(以下単にPSと記す)とサブPSを同時に形成する方法がある。前記形成方法は、用いるフォトマスクに形成したPS用パターンと、サブPS用パターンの開口部面積に差をつけ、すなわちPSパターンの開口面積を広く、サブPSパターンの開口面積を狭くすることにより、その露光量差により膜厚差をつける方法で、形成する。
一方、液晶表示装置では、微細化と大型画面化及び高品質へ加速し、近年、画面の視野角拡大化の技術が提案されている。この技術の中でMVA(Multi−domain
Vertical Alignment)方式と呼ばれる技術が知られている。この方式は、液晶セルをいくつかのパートに分け、各セルで異なった方向に向いて並んだ液晶分子を存在させている。以下の説明において、MVAは、MVA方式の液晶表示装置に組みこまれるカラーフィルタに形成する液晶配向用の突起をいう。MVA(配向突起)設計を利用したMVAのパターンの形成は、高視野角化したカラーフィルタを得るうえで有効である。
前記MVA(配向突起)設計を利用したサブPS(フォトスペーサ)付きカラーフィルタの製造方法の一事例について説明する。最初に、カラーフィルタ用の基板上に遮光パターン形成用レジスト液を塗布し、レジストにパターン露光し、現像処理により、基板上に遮光パターン、例えばBMを形成する。なお、BMは透過光を遮蔽する役割である。BMのパターンは、格子状、又はストライプ状の形状であり、その開口部に画素を形成する。
次いで、開口部に、R画素と、G画素と、B画素パターンを形成する。R画素の形成は、基板上にR画素用レジスト液を塗布し、レジストにパターン露光し、現像処理により、
基板上にR画素パターン部を形成する。なお、画素パターンは、R用の、G用の、B画素用と、3回の工程を繰り返し実行する。
次いで、真空成膜法により、遮光パターン及び画素部をおおう金属酸化膜からなる透明電極を形成する。さらに、その透明電極上に配向突起(MVA)パターン部を形成する。MVAパターンの形成は、基板の透明電極上にMVA用レジスト液を塗布し、レジストにMVAパターンを露光し、現像処理により、MVA部を形成する。
次いで、PS及びサブPSを遮光部の上部の位置に形成する。以下に、PS及びサブPSの形成方法を説明する。なお、MVA(配向突起)は、透明電極上に形成する特殊形状の透明性樹脂基材のパターンであり、その平面視形状は山型で傾斜面は45度、又は半円の近似し、その配置は、遮光膜に対して45度傾斜させおり、液晶画面の視野角を拡大する目的のものである。MVA設計とは、MVAパターンのデータを作成する設計ツールである。サブPSは、PSと同時に形成し、高さがPSに比べて低いものである。
図3(a)〜(b)は、従来のPS及びサブPSの形成方法の一事例を説明する側断面図である。
図3(a)のPSの工程では、露光量差を利用した形成方法であり、基板1の全面に、PS用のレジスト9を均一厚に塗布し、層形成する。次いで、PSと、サブPSパターンの開口寸法に差をつけた、すなわち、大面積マスク開口部21と小面積マスク開口部22を形成したフォトマスク20を用いて、PS及びサブPSのマスクパターンをレジストに転写する。すなわち、PSパターン開口面積を広く、サブPSパターンの開口面積を狭くすることにより、各々開口部の露光量差をもつ、十分な露光量のPSパターン及び不十分な露光量のサブPSパターンレジストを形成する。
次いで、図3(b)の現像工程の処理により、未露光レジストを現像液で溶解し、正常な形状及び高さをもつPS5と、痩せ形及び高さの低いサブPS6を形成する。すなわち、露光量差により、現像処理後の膜厚差をつける方法で、PSとサブPSとの高さに差を生じさせる。
図4は、従来のPS及びサブPSの形成方法の一事例を説明する側断面図である。
前記サブPSの形成方法としては、積層下地乗り上げ(レジストのうねり現象)による方法がある。前記PSの工程は、BM2、RGB画素3a、3b、3c及び透明電極4を積層した積層下地基板上の全面にPS用レジストを塗布する。積層下地基板では、レジスト塗布面に予め積層された部位に段差があり、その積層部位の段差を強調することで、段差を強調した部位、例えばBM2、RGB画素3a、3b、3c及び透明電極4を積層部位と、それ以外の部位、例えばBM2、透明電極4を積層した部位を備えたものである。この積層下地基板のレジスト塗布の場合、積層部位の段差を強調部位の近傍では、レジスト表面位置が高く、それ以外ではレジスト表面高さが低い位置に形成される。
図4に示す事例では、遮光膜であるBM2上に、R画素3a、G画素3b、B画素3c、及び透明電極4を重ねて形成した場合の事例であり、それ以外の通常の段差は、遮光膜のBM2、及び透明電極4上となる。次いで、PSと、サブPSパターンを形成したフォトマスクを用いて、PS及びサブPSマスクパターンをレジストに転写する。すなわちPSパターンの形成位置はレジストが厚く、サブPSパターンの形成位置はレジストが薄くしたことにより、各々レジスト厚差をもつPSパターン及びサブPSパターンを形成する。
次いで、現像工程の処理により、未露光レジストを現像液で溶解し、正常な形状及び高さをもつPS5と、正常な形状で高さが低いサブPS6を形成する。すなわち、積層下地乗り上げ(レジストのうねり現象)によるレジスト塗布方法により、膜厚差をつける方法で、PSとサブPSとの高さに差を生じさせる。
次に、液晶表示装置の作製でのPS付きカラーフィルタと、TFT用基板との貼り合わせ時について説明する。図5は、PS付きカラーフィルタ基板1とTFT用基板30との貼り合わせ時の側断面図であり、(a)貼り合わせ時であり、(b)は、貼り合わせ後、すなわち、パネルである。
図5(a)では、サブPS付きカラーフィルタ基板1と、TFT基板30との貼り合わせ時には、PS5のみで支える。図上の破線sは、PS5の表面とTFT基板30面との接触開始位置である。この状態では、サブPS6はTFT基板30と接触せず、両基板1、30の貼り合わせは、主としてPS5を介して実行されており、パネルの柔軟性を持たせたままに貼り合わされている。
次に、図5(b)では、サブPS付きカラーフィルタ基板1と、TFT基板30とを貼り合わせ後、液晶40を封入した状態を示す。破線eは、カラーフィルタ基板1と、TFT基板30との密着終了位置である。サブPS付きカラーフィルタ50とTFT基板30との貼り合わせ後、すなわち、パネル面は、PS及びサブPSの配置密度は高くなり、パネル面からの押し圧、例えば指等で押さえられた場合、PS及びサブPSの強度が強化されたために、カラーフィルタとTFT用基板の隙間、セルギャップが安定し、パネルとしての強度も強化される。
前記サブPSの形成方法では、各々の場合に問題がある。
前記サブPSは、フォトマスクのパターン開口部での露光量の差、すなわちサブPS開口部が露光量不足となり、痩せた形状、膜厚減少となるため、剥がれやすい等の問題が発生する。また、露光量不十分な状態のレジストの現像処理では、現像条件が不安定となり、現像後のレジスト形状若しくは寸法にバラツキが大きくなる問題がある。
前記の積層下地乗り上げによるサブPSを形成した場合、PS用レジスト溶液の平坦化する特性により通常では、よりレジスト膜差が少なくなるため、十分な膜厚を確保するためには、段差を強調する領域を拡大する必要があり、設計上ではその余裕が無く実現不可能となる問題がある。
以下に公知文献を記す。
特開2003−84289号公報
MVA設計を利用したサブPS付きカラーフィルタの製造方法において、遮光部と、その開口部に画素部を備えたカラーフィルタ基板上に形成したMVA部を利用して、PSとサブPSとに膜厚差をつけるカラーフィルタの製造方法を提供することである。
本発明は上記の課題を解決するために、基板上にストライプ状の遮光部と、ストライプ間の開口部に画素部と、その上に透明電極とを形成し、さらに配向突起を形成した後、フォトスペーサー及び前記フォトスペーサーよりも高さが低いサブフォトスペーサーを遮光部上に形成するカラーフィルタの製造方法において、
前記配向突起は、前記遮光部のストライプの方向に垂直な方向に所定間隔で繰り返して配置されており、前記配向突起は、前記遮光部のストライプの方向と平面視角度45度で交差する配向突起と、90度方向を変える山型に折り返されて前記遮光部のストライプに角度135度で交差する配向突起とから成り、前記遮光部のストライプ上に、配向突起の間
隔を他の部分の配向突起の間隔よりも狭くした配向突起接近部分を設けることで、前記配向突起接近部分での配向突起の密度を他の部分での配向突起の密度よりも高くした後、
前記配向突起を含む透明電極上にレジストの膜を塗布形成する工程を有することで、
配向突起の密度が高い前記配向突起接近部分では該レジストの膜厚を厚くし、配向突起の密度が低い他の部分では該レジストの膜厚を薄くして該レジストの膜厚にうねりをつけてレジストを形成し、
その後、前記フォトスペーサーと前記サブフォトスペーサーのパターンとを一度に該レジストに転写し該レジストの現像を行う工程により、前記配向突起接近部分に前記フォトスペーサーを形成し、他の部分に前記サブフォトスペーサーを形成することを特長とするカラーフィルタの製造方法である。
本発明のカラーフィルタ製造方法では、配向突起(MVA)部を形成した後、PSを形成する場合、MVAパターン密度の高い部分と密度の低い部分にPSを形成するので、レジスト形成時でのレジストのうねりの影響で、MVAパターン密度の高い部分はPS膜が厚くなり、密度の低い部分ではPS膜が薄くなり、各々高いPSと、低いPS、すなわちサブPSを形成できる。
本発明のカラーフィルタの製造方法では、MVAパターン密度の高い部分にPSを配置と、密度の低い部分にPSを配置するので、PSの配置位置を変更することで、PS膜厚差に変化つけることが可能となり、サブPSを形成できる。
本発明のカラーフィルタの製造方法を用いれば、サブPSの形成では、露光量の絞り込みが不要となるため、正常な現像処理が実行でき、正常な形状で剥がれにくいサブPSが形成できる。
本発明のカラーフィルタの製造方法を用いれば、PS用レジストの膜厚のうねりを利用するため、正常な形状で剥がれにくいサブPSが形成できる。
本発明のカラーフィルタの製造方法を用いれば、PS用レジストの膜厚のうねりを利用するため、透過率をさげるRGB等の積層構造形成のための遮光部分が不要となる、正常な形状で剥がれにくい、PSとサブPSとに十分な膜厚差を備えたカラーフィルタを製造することができる効果があり、また、本発明カラーフィルタを用いることにより、サブPS付きカラーフィルタと、TFT用基板との貼り合わせ時でのPSとサブPSに関する問題を解消できる効果がある。
本発明のカラーフィルタ、特にMVA設計を利用したサブPS付きカラーフィルタと、その製造方法を一実施形態に基づいて以下説明する。
図1は、本発明のMVA設計を利用したサブPS付きカラーフィルタの一実施例の部分拡大図であり、(a)は、上面図であり、(b)は、y−y’面の側断面図であり、(c)は、x−x’面の正面断面図である。なお、図1(a)の上面図は、PS形成の直前のものであり、PSのパターンは図示されていない。
図1に示す本発明のカラーフィルタ、すなわち、MVA設計を利用したサブPS付きカラーフィルタの製造方法は、カラーフィルタ用基板1上に遮光部としてのBM2を形成する。次いで、BM2間の開口部2aに画素3を形成した後、BM2及び画素3上に導電性の透明電極4を積層形成する。次いで、前記透明電極面上にMVA10を形成する。次いで、そのMVAの形成表面に公知のフォトリソプロセス法を用いたパターン形成によりPSとサブPSを形成する。
図1(a)の上面図では、前記PSとサブPSの形成面であり、その上面図では、遮光部BM2のパターンは横方向に形成され、縦方向に所定の間隔で配置されている。すなわち、前記BMは、ストライプ形状である。BM2間、例えばBMパターン開口部2aにR(赤色)画素3a、G(緑)画素3b、B(青色)画素3cと、その表面に透明電極4が形成されており、その透明電極4面上にMVA10のパターンが形成された上面図である。
図1のMVA10は、BM2と、角度45度で交差する状態で配置されている。MVAは、横方向に所定の間隔毎に、山型に折り返された、すなわち90度方向を変えて、BMと角度135度で交差する形状であり、その繰り返しにより配置されている。MVA10は、その形成位置が隣接するパターンとの距離が40μmの前後であり、BM上では、MVA密度の高い部分部11の領域(例えばパターンが近接してすぼまる領域)と、MVA密度の低い部分部12の領域(例えば末広がりのパターン間の領域)が形成されている(破線円)。MVA10は、ほぼ同様の配置レイアウトからなり、その領域のPS及びサブPSの最適位置に、その密度の高い領域11と密度の低い領域12が交互に形成されている。
本発明では、MVA密度の高い部分部11の領域の最適位置にPSを、MVA密度の低い部分部12その領域にサブPSを形成する。本発明では、PS形成用のレジストを塗布した際、下地となるMVA密度の高い部位と低い部位とでレジスト膜厚が変化し、それにより、PS膜厚に変化をつけることが可能となることに着目した。例えば、レジストうねり現象を利用して、PSの高さ(の平均値)は、サブPS(の平均値)より高くし、その高さ(の平均値)の差は、PSの高さの8%〜12%となるようにPSとサブPSの形成位置を選択し、該位置に形成するカラーフィルタの製造方法を発明した。本発明の製造方法は、MVA設計を利用したサブPS付きカラーフィルタに最適である。
図1(b)は、y−y’面の側断面図である。基板1のBM2が形成され、その開口部に各々画素3が形成されている。BM及び画素の形成面に透明電極4が形成され、その形成面にMVA10が形成されている。次工程であるPSの形成では、レジストの塗布面となる。
前記PSとサブPSの形成では、フォトプロセス法を用いたパターン形成方法であり、その塗布工程は、平坦性が悪い表面と、平坦性が比較的に良好な表面が混在する基板上にレジストを塗布する処理である。レジスト塗布後、MVAパターン密度の高い領域のレジスト膜厚は厚く、密度の低い領域のレジスト膜厚は薄いレジスト膜となる。すなわち、レ
ジストのうねり現象が発生する。
PSの配置位置の近傍領域では、MVAパターンが近接してすぼまるように配置されるため、基板表面にパターン段差が密集しており、平坦性が悪い表面となる。一方、サブPSの配置位置では、逆に末広がりのパターン間の領域のため、平坦性が比較的に良好な表面である。
図1(c)に示すように、MVAパターン密度の高い部分11の領域では、BM2上に右斜め上、左斜め上から各々MVA斜線部10aとMVA斜線部10aが配置されている。MVAパターン密度の低い部分12の領域では、BM2と接するように右斜め下、左斜め下から各々MVA斜線端部10cと配置されている。
図2(a)〜(c)は、本発明のMVA設計を利用したサブPS付きカラーフィルタのPS工程を説明する部分拡大の側断面図である。前述したレジストのうねり現象を説明するものである。(a)は、レジスト塗布前の基板面であり、(b)は、レジスト塗布後の基板面であり、(c)は、PS及びサブPSを形成した基板面である。
図2(a)は、MVAパターン密度の高い部分11と、MVAパターン密度の低い部分12がある。MVAパターン密度の低い部分12の近傍は、BM2若しくは画素3と透明電極4の積層された段差の少ない平坦面であり、逆に、MVAパターン密度の高い部分11の近傍は、段差の少ない平坦面上にMVAが近接され積層して配置された段差の多い段差面である。MVAパターン密度の低い部分12では、MVA斜線端部10cが配置された状態であるが、MVAパターンの端部となるために、段差が目立たない平坦面であり、レジストのうねり現象が発生し難い領域である。
図2(b)は、前記基板上にPS用レジスト9が塗布形成されている。レジストのうねり現象のため下地となるMVAパターン密度の高い部分11ではレジスト膜厚が厚く形成され、MVAパターン密度の低い部分12では薄く形成される。各々の膜厚差は、PSとサブPSの高さの差となるため、レジスト液の流動性、塗布条件を最適化することが重要となる。
図2(c)は、前記基板上にPS5、及びサブPS6が形成されている。MVAパターン密度の高い部分11では、PS5が形成され、その高さが高く形成され、MVAパターン密度の低い部分12では、サブPSが低く形成されている。PSとサブPS高さの差は、レジスト膜厚差となる。なお、破線曲線はレジスト9表面の位置である。
次に、本発明のMVAパターン密度の高い領域のレジスト膜厚が厚く、密度の低い領域のレジスト膜厚が薄いレジスト、すなわち、レジストのうねり現象を利用したレジスト形成方法と、従来の方法である、露光量差を利用した形成方法と、積層下地乗り上げを利用した形成方法を付加させることも可能である。前記方法では、PSとサブPSとの膜厚差を任意に加減する場合に好都合である。以下その方法を説明する(図1、図3、図4を各々参照)。
本発明のPSとサブPSの形成では、フォトリソプロセス法を用いたパターン形成方法であり、そのレジスト塗布工程は、平坦性が悪いMVAパターン密度の高い領域の表面と、平坦性が比較的に良好なMVAパターン密度の低い領域の表面が混在する基板上にレジストを塗布し、そのレジストにPSとサブPSを形成する製造方法である。
前記本発明の製造方法に、積層下地乗り上げを利用した方法を付加した場合、BM2上には、R画素3a、G画素3b、B画素3cと、透明電極4を積層した積層下地基板上に
、MVAパターン密度の高い領域を形成することが可能となる。この場合、膜厚差が拡大しすぎたときは、例えば、B画素3cを配置せず、若しくはG画素3b及びB画素3cを除去することにより、最適膜厚差となるようPS用レジストを塗布する。この場合では、MVAパターン密度の低い領域は、例えばBM2、透明電極4を積層した基板上に、MVAパターン密度の低い領域を形成することとなる。その塗布工程は、BM2上に、R画素3a、G画素3b、B画素3cと、透明電極4との積層面上に、MVAパターン密度の高い領域の面と、BM2、透明電極4の面上に、MVAパターン密度の低い領域の面が混在する基板上にレジストを塗布し、そのレジストにPSとサブPSを形成する製造方法である。この方法では、MVAパターン密度の高い領域に付加した複数層積層部位の段差の強調部位の基板上にレジストを塗布し、そのレジスト膜厚差をより拡大する手段であり、PSとサブPSの膜厚差を拡大して形成する製造方法である。
さらに、PSとサブPSの膜厚差を微調整する製造方法は、従来の露光量差を利用した形成方法であり、PSに大面積マスク開口部21を、サブPSに小面積マスク開口部22を形成したフォトマスク20を用いて、PS及びサブPSのマスクパターンをレジストに転写する。次いで、現像条件を微調整しながら、PSパターン及びサブPSパターンレジストを形成する。なお、本発明のMVAパターン密度差を利用し、従来の露光量差を利用した、積層下地乗り上げを利用した形成方法では、各々の付加加減、その条件設定を検討し、評価テストの結果を加味して最適化させることが重要となる。
以下に、本発明のカラーフィルタである、MVA設計を利用したサブPS付きカラーフィルタの実施例を説明する。実施例1は、図1(a)〜(c)を参照して説明する。
本発明の実施例1のカラーフィルタの製造方法を説明する。最初に、カラーフィルタ用の基板上にBM2を形成した。
次いで、その開口部2aに、R画素3aと、G画素3bと、B画素3cのパターンを形成した。次いで、その画素3上に透明電極4を形成した。次いで、その透明電極4上にMVA(配向突起)10のパターンを形成した(図1(a)参照)。
MVA用レジストは、ポジ型レジスト(ロームアンドハース(株)製)を用いて、レジスト膜厚さを1.5μmで形成した。MVA用フォトマスクは、図1に示すMVAパターンを形成したものであり、線幅は15μm、隣接MVAパターンとの距離は、40μmである。
次いで、PS及びサブPSをMVA10上部に形成した。PS5は、MVAパターン密度の高い部分11のBM上に配置し、サブPS6は、密度の低い部分12のBM上に配置して形成した。
PS、サブPS用レジストは、ネガ型レジスト(JSR(株)製)を使用した。レジスト膜厚さは3.2μmの塗布条件で形成した。
PS用フォトマスクは、八角形で、パターン線幅は、12μmで形成した。パターン露光では、露光ギャップを150μmに設定し、露光量は、150mJ/cm2、等の条件で露光した。次いで、現像処理では、現像液は、無機アルカリ系溶液を用い、その現像時間は、40秒で現像して、PS及びサブPSを形成した。
実施例1のカラーフィルタの評価結果は、PSでは、高さ3.2μmである。その線幅12μmである。サブPSは、高さ3.0μmである。その線幅は、12μmで形成され
ている。実施例1のカラーフィルタは、形状評価、強度評価ともに良好である。
本発明のMVA設計を利用したサブPS付きカラーフィルタの部分図で、(a)は上面図であり、(b)は側断面図で、(c)は、部分拡大上面図である。 本発明のMVA設計を利用したサブPS付きカラーフィルタの部分拡大の側断面図で、(a)塗布前であり、(b)は、塗布後であり、(c)は、PS形成後である。 従来のPS及びサブPSの形成方法の一事例を説明する側断面図で、露光時であり、(b)は、現像後である。 従来のPS及びサブPSの形成方法の一事例を説明する側断面図である。 従来のPS付きカラーフィルタとTFT用基板との貼り合わせ時の側断面図であり、(a)貼り合わせ時であり、(b)は、貼り合わせ後、すなわち、パネルである。
符号の説明
1…基板
2…BM
2a…BM開口部
3…画素
3a…R画素
3b…G画素
3c…B画素
4…透明電極
5…PS
6…サブPS
9…レジスト
10…MVA
10a…MVA斜線部
10b…MVA縦線部
10c…MVA斜線端部
11…MVAパターン密度の高い部分
12…MVAパターン密度の低い部分
20…フォトマスク
21…大面積開口部
22…小面積開口部
30…TFT基板
40…液晶等
50…カラーフィルタ

Claims (1)

  1. 基板上にストライプ状の遮光部と、ストライプ間の開口部に画素部と、その上に透明電極とを形成し、さらに配向突起を形成した後、フォトスペーサー及び前記フォトスペーサーよりも高さが低いサブフォトスペーサーを遮光部上に形成するカラーフィルタの製造方法において、
    前記配向突起は、前記遮光部のストライプの方向に垂直な方向に所定間隔で繰り返して配置されており、前記配向突起は、前記遮光部のストライプの方向と平面視角度45度で交差する配向突起と、90度方向を変える山型に折り返されて前記遮光部のストライプに角度135度で交差する配向突起とから成り、前記遮光部のストライプ上に、配向突起の間隔を他の部分の配向突起の間隔よりも狭くした配向突起接近部分を設けることで、前記配向突起接近部分での配向突起の密度を他の部分での配向突起の密度よりも高くした後、
    前記配向突起を含む透明電極上にレジストの膜を塗布形成する工程を有することで、
    配向突起の密度が高い前記配向突起接近部分では該レジストの膜厚を厚くし、配向突起の密度が低い他の部分では該レジストの膜厚を薄くして該レジストの膜厚にうねりをつけてレジストを形成し、
    その後、前記フォトスペーサーと前記サブフォトスペーサーのパターンとを一度に該レジストに転写し該レジストの現像を行う工程により、前記配向突起接近部分に前記フォトスペーサーを形成し、他の部分に前記サブフォトスペーサーを形成することを特長とするカラーフィルタの製造方法。
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