JPH03173957A

JPH03173957A - アクセス方法及びこれを利用した情報処理方法、情報処理装置

Info

Publication number: JPH03173957A
Application number: JP22170890A
Authority: JP
Inventors: Akira Kuroda; 亮黒田; Hiroyasu Nose; 博康能瀬; Toshihiko Miyazaki; 俊彦宮崎; Takahiro Oguchi; 小口　高弘; Kunihiro Sakai; 酒井　邦裕
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1989-09-07
Filing date: 1990-08-22
Publication date: 1991-07-29
Anticipated expiration: 2013-04-28
Also published as: JP2744341B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明はアクセス方法及びこれを利用した情報の記録／
再生／消去を含めた情報処理方法及び情報処理装置に関
する。

更に詳しくは、走査型トンネル顕微鏡（Ｓ　Ｔ　Ｍ　）
の原理を利用した情報の記録・再生・消去を含めた処理
において、複数の記録領域あるいは再生領域へのプロー
ブ電極の高速アクセスを可能にしたアクセス方法及びこ
れを利用した情報処理方法及び情報処理装置に関する。

〔従来の技術〕

近年、メモリ材料の用途は、コンピュータおよびその関
連機器、ビデオディスク、デジタルオーディオディスク
等のエレクトロニクス産業の中核をなすものであり、そ
の材料開発も極めて活発に進んでいる。メモリ材料に要
求される性能は用途により異なるが、一般的には、 ■高密度で記録容量が大きい、 ■記録再生の応答速度が早い、 ■消費電力が少ない、 ■生産性が高く、価格が安い、等が挙げられる。

従来までは磁性体や半導体を素材とした半導体メモリや
磁気メモリが主であったが、近年レーザー技術の追展に
ともない、有機色素、フォトポリマーなどの有機薄膜を
用いた光メモリによる安価で高密度な記録媒体が登場し
てきた。

一方、最近、導体の表面原子の電子構造を直接観察でき
る走査型トンネル顕微鏡（以後、ＳＴＭと略す）が開発
され［Ｇ、Ｂ１ｎｎ１ｇ　　ｅｔ　　ａｌ、Ｐｈｙｓ。

Ｒｅｖ、Ｌｅｔｔ、４９．５７　（１９８２））、単結
晶、非質品を問わず実空間像の高い分解能の測定ができ
るようになり、しかも媒体に電流による損傷を与えずに
低電力で観測できる利点をも有し、さらに大気中でも動
作し、種々の材料に対して用いることができるため広範
囲な応用が期待されている。

ＳＴＭは金属の深針（プローブ電極）と導電性物質の間
に加えてｌｎｍ程度の距離まで近づけるとトンネル電流
が流れることを利用している。この電流は両者の距離変
化に非常に敏感である、トンネル電流を一定に保つよう
に深針を走査することにより実空間の表面構造を描くこ
とができると同時に表面電子の全電子雲に関する種々の
情報をも読み取ることができる。この際、面内方向の分
解能は０．ｌｎｍ程度である。

従って、ＳＴＭの原理を応用すれば十分に原子オーダー
（サブ・ナノメートル）での高密度記録再生を行うこと
が可能である。この際の記録再生方性としては、粒子線
（電子線、イオン線）或いはＸ線等の高エネルギー電磁
波及び可視・紫外光等のエネルギー線を用いて適当な記
録層の表面状態を変化させて記録を行い、ＳＴＭで再生
する方法や、記録層として電圧電流のスイッチング特性
に対してメモリ効果をもつ材料、例えばπ電子系有機化
合物やカルコゲン化物類の薄膜層を用いて、記録・再生
をＳＴＭを用いて行う方法等が提案されている〔特開昭
６３−１６１５５２号公報、特開昭６３−１６１５５３
号公報〕。例えば、この方法によれば、記録のビットサ
イズをｌｏｎｍとすれば、１０”ｂｉｔ／ｃｒｒｒもの
大容量記録再生が可能である。

上記従来例の実現にあたっては、プローブ電極と記録媒
体の相対位置決めにナノ・メートル以下の梢度を要し、
かつ、装置の高剛性（共振周波数の高い構造）及び、記
録・再生時の高速性も合わせ持つことが要求される。

現状でこれらの性能を満足する駆動素子は、ピエゾ電歪
素子であるが、耐圧からくるストロークの実用限界はｌ
ｏｎｍ程度であるため、プローブ電極と記録媒体の相対
位置決めの駆動機構にピエゾ電歪素子を単独に用いたの
では、記録領域が１０μｍ口と小さ（なり、記録容量は
１０’ｂｉｔ／ｃ＋ｄと小さくなってしまう。したがっ
て、大容量化のためには駆動機構に粗動を組み合わせる
必要が生じ、粗動領域からピエゾ電歪素子による微動領
域への引き込みの際に、粗動梢度より大きな構造を持つ
、微動用位置基準パターンを設ける必要があった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが、かかる方法では、微動用位置基準パターンを
２次元走査して、その２次元像から微動領域の位置決め
を行うため、プローブ電極の記録領域へのアクセスの際
、プローブ電極の２次元走査、２次元画像データ処理に
長時間を要するという欠点がある。

そこで本発明の目的は、かかる欠点を解消し、複数の記
録領域もしくは再生領域へのプローブ電極のアクセスを
高梢度及び高速で行い、且つ大容量の記録を行うことが
可能なアクセス方法及びこれを利用した情報処理方法、
情報処理装置を提（Ｊ（することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記の目的は、以下の本発明によって達成される。

即ち本発明は、基準点をもつフォーマツドパクンを有す
る媒体に対してプローブ電極をフォーマットパターンの
基準点にアクセスする方法であって、プローブ電極がフ
ォーマットパターン上を横切るように該プローブ電極を
走査し、かかる走査により生じる電流の変化を検出する
工程、検出された電流の変化に基づいてフォーマットパ
ターンの基準点を検知し、検知した基準点にプローブ電
極を移動させる工程とを含むことを特徴とするアクセス
方法である。

又、本発明は、基準点をもつフォーマットパターンを右
する媒体に対してプローブ電極をフォーマツＩ・パター
ン上を横切るように該プローブ電極を走査し、かかる走
査により生じる電流の変化を検出する工程、検出された
電流の変化に基づいてフォーマットパターンの基準点を
検知し、検知した基準点にプローブ電極を移動させる工
程、該プローブ電極をフォーマットパターンに沿って走
査させてフォーマットパターンに沿って情報の記録を行
う工程を含むことを特徴とする情報処理方法である。

更に本発明は、基準点をもつフォーマットパターンに沿
って情報が記録された媒体に対して、プローブ電極がフ
ォーマットパターン上を横切るようにプローブ電極を走
査し、かかる走査により生じる電流の変化を検出する工
程、検出された電流の変化に基づいてフォーマットパタ
ーンの基準点を検知し、検知した基準点にプローブ電極
を移動させる工程、該プローブ電極をフォーマットパタ
ーンに沿って走査させて、記録されている情報を電流を
検知して読み出す工程を含むことを特徴とする情報処理
方法である。

本発明は、基準点をもつフォーマットパターンに沿って
情報が記録された媒体に対して、プローブ電極がフォー
マットパターン上を横切るようにプローブ電極を走査し
、かかる走査により生じる電流の変化を検出する工程、
検出された電流の変化に基づいてフォーマットパターン
の基準点を検知し、検知した基準点にプローブ電極を移
動させる工程、該プローブ電極をフォーマットパターン
に沿って走査させて、記録されている情報を消去する工
程を含むことを特徴とする情報処理方法である。

本発明は、基準点をもつフォーマットパターンを有する
記録媒体、該記録媒体に近接して配置されたプローブ電
極及び該プローブ電極を円走査させるための円走査駆動
機構を備えたことを特徴とする情報処理装置である。

〔好ましい態様〕

本発明の好ましい態様によれば、記録・再生用のプロー
ブ電極を円走査しながら記録媒体に電圧を印加して記録
・再生を行なう際、あらかじめ記録領域の中心部分に円
周状のフォーマット・パターンを記録し、プローブ電極
を円周状に走査して、走査パターンとフォーマット・パ
ターンの位置関係を検知し、記録領域へのプローブ電極
のアクセスを行なうことにより、簡単でかつ高精度、高
速のアクセスが可能な大容量の情報処理装置を実現する
ものである。

〔実施例〕

第１図は本発明の好ましい態様を示す図である。

同図において、基板電極ｌｏｔとしてガラスや雲母など
の＝ｌＺ坦な基板上の金のエピタキシャル成長面やグラ
ファイトへき開面を用いる。記録層１０２としてスクア
リリュウムービス−６−オクチルアズレン（以下５ＯＡ
Ｚと略す）を用い、ラングミュア・プロジェット法によ
って、単分子膜２層の累積膜を基板電極１０１表面上に
形成する。次に縦方向駆動機構１０３によって、プロー
ブ電極１０４を記録層１０２の所望の位置に対して、サ
ブ・ナノメートル程度の距離まで近接させる。ここでプ
ローブ電極１０４には、タングステン線等を電解研磨し
たものや、白企線等を機械的切断したもので、先端が尖
鋭（仙率半径〈１μｍ）で導電性のあるものを用いる。

縦方向駆動機構１０３には、ＰＺＴ素子等を用い、バイ
アス電源１０５によって基板電極１０１とプローブ電極
１０４の間に０．１〜ＩＶ程度の電圧（バイアス電圧）
を印加し、両者の間に流れるプローブ電流をプローブ電
流検出器１０６によって検出し、プローブ電流値１ｐが
Ｉ　Ｏ−”’　ＡこＩｐとＩ　Ｏ−’　Ａの間でほぼ一
定になるようにサーボ回路１０７により、プローブ電極
１０４と基板電極ｌｏｔの間の距離を調節する。

情報の記録／消去は次のように行なう。記録／消去信号
発生器１０８からの信号を基板電極１０１とプローブ電
極１０４の間に加え、プローブ電極１０４先端に近接し
た記録層１０２の所望の位置で情カ論録／消去を行なう
。情報の再生についても同様に、バイアス電源１０５に
よって読み取り用バイアス電圧を基板電極１０１とプロ
ーブ電極１０４の間に加え、ブ電極１０４と基板電極１
０１との間に電気メモリー効果を生じる閾値電圧を越え
なでいない電圧である１、５Ｖの読み取り用電圧を印加
して電流値を測定したところ、μＡ以下でＯＦＦ状態を
示した。次にＯＮ状態を生じる閾値電圧Ｖ＋ｈ−ＯＮ以
上の電圧である第５図に示した波形をもつ三角波パルス
電圧を印加したのち、再生のため再び１．５Ｖの電圧を
電極間に印加して電流を測定したところ０　、７　ｍ　
Ａ程度の電流が流れＯＮ状態となっていたことを示した
。すなわちＯＮ状態が記録された。次にＯＮ状態からＯ
ＦＦ状態へ変化する閾値電圧Ｖ　＋ｈ−ｏＦＦ以上の電
圧であるピーク電圧５Ｖ、パルス巾ｌμｓの三角波パル
ス電圧を印加したのち、再生のため再び１，５Ｖを印加
したところ、この時の電流値はμＡ以下でＯＦＦ状態に
戻ることが確認された。

尚、本発明で言う電気メモリー効果とは、電圧印加に対
応して少なくとも２つ以上の異なる抵抗状態を示し、各
状態間は、記録層の導電率を変化させる閾値を越えた電
圧又は電流を印加することにより自由に遷移し、又得ら
れた各抵抗状態は閾値を越えない電圧又は電流を印加す
る限りに於いてその状態を保持し得ることを言う。

又、記録層を構成する材料の具体例としては、例えば（１）酸化物ガラスやホウ酸塩ガラスあるいは周期律表
■、■、■、■族元素と化合したＳｅ、　Ｔｅ、Ａｓを
含んだカルコゲン化物ガラス等のアモルファス半導体が
挙げられる。それらは光学的バンドギャップＥｇが０．
６〜１．４ｅＶあるいは電気的活性化エネルギーΔＥが
０．７〜１．６ｅＶ程度の真性半導体である。カルコゲ
ン化物ガラスの具体例としては、Ａｓ−３ｅ−Ｔｅ系、
Ｇｅ−Ａｓ−８ｅ系、Ｓ　ｉ　−Ｇ　ｅ　−Ａ　ｓ　−
Ｔ　ｅ系、例えばＳｉ＋ａＧｅ＋４ＡｓｓＴｅａｓ（添
字は原子％）、あるいはＧｅ−Ｔｅ−Ｘ系、５ｉ−Ｔｅ
−Ｘ系（Ｘ＝少量の■、■族元素）例えばＧｅ＋５Ｔｅ
ａ＋５ｂ２Ｓ２が挙げられる。更にはＧｅ−８ｂ−８ｅ
系カルコゲン化物ガラスも用いることができる。

（２）更にはテトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、
ＴＣＮＱ誘導体、例えばテトラフルオロテトラシアノキ
ノジメタン（ＴＣＮＱＦ４）、テトラシアノエチレン（
ＴＣＮＥ）およびテトラシアノナフトキノジメタン（Ｔ
ＮＡＰ）などの電子受容性化合物と銅や銀などの還元電
位が比較的低い金属との塩を電極上に堆積した有機半導
体層も挙げることができる。

係る有機半導体層の形成法としては、銅あるいは銀の電
極上に前記電子受容性化合物を真空蒸着する方法が用い
られる。

（３）また更にはπ電子準位をもつ群とび電子準位のみ
を有する群を併有する分子を電極上に積層した記録媒体
を挙げることができる。

本発明に好適なπ電子系を有する色素の構造としては例
えば、フタロシアニン、テトラフェニルポルフィリン等
のポルフィリン骨格を有する色素、スクアリリウム基及
びクロコニックメチン基を結合鎖としてもつアズレン系
色素及びキノリン、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾ
ール等の２ケの含窒素複素環をスクアリリウム基及びク
ロコニックメチン基により結合したシアニン系類似の色
素、またはシアニン色素、アントラセン及びピレン等の
縮合多環芳香族、及び芳香族及び複素環化合物が重合し
た鎖状化合物及びジアセチレン基の重合体、さらにはテ
トランアノキノジメタンまたはテトラチアフルバレンの
誘導体およびその類縁体およびその電荷移動錯体または
更にはフェロセン、トリスビピリジンルテニウム錯体等
の金属錯体化合物が挙げられる。

以上の如き低分子材料に加えて、各種の高分子材料を利
用することも可能である。

リ−えばポリアクリル酸誘導体等の付加重合体、ポリイ
ミド又はポリフェニン、ポリチオフェン等の縮合重合体
、ナイロン等の開環重合体、あるいはポリペプチドやバ
クテリオロドプシン等の生体高分子材料を挙げることが
できる。

次に、情報の記録／再生におけるプローブ電極に位置制
御について、第２図〜第４図を用いて説明する。プロー
ブ電極１０４の円走査駆動機構１０９として、例えば第
２図に示すような分割電極パターンを持つ円筒型ピエゾ
素子を用い、円走査駆動回路１１０により、各分割電極
２０１〜２０４にそれぞれ次のような電圧ｖ（ｔ）：電圧の振幅Ａ、Ｂ　　　　：定数Ｖｏｓ、　Ｖｏｓ　　ニブローブ位置微調用ＤＣオフセ
ット電圧（後述）を、印加することによって、プローブ電極１０４をら旋
状に動作させながら前述した方法で、プローブ電極１０
４を基板電極１０１との間に三角波パルス電圧を印加し
て、Ｏ，００１７２ｍ〜０．１μｍの間の種々のピッチ
でＯＮ状態を書き込み連続したデータを記録層１０２−
１：のある記録領域にら旋状に記録した。なお、ここで
各分割電極２０１〜２０４に印加する電圧の振幅をＶ　（ｔ）　＝Ｃ・ｆｎｔ　（（ＩＪ　ｔ／２　ｙｒ　
）　＋Ｄ但し、Ｃ１Ｄ　定数、Ｉｎｔ　（ｘ’）はＸの
整数部とすると、同心円状の記録を行なうことができる
。

次に、記録時とまったく同等にプローブ電極１０４をら
旋状に動作させながらプローブ電極１０４と基板電極１
０１との間に１．５Ｖの電圧を印加して再生を行ったと
ころ、０．０１μｍ以下の分解能で、かつ一定の速度で
連続データ信号を読みだすことができた。

さて複数の記録領域へのプローブ電極１０４のアクセス
の方法について説明する。第３図に示すように、初期媒
体（第３図（ａ））にあらかじめフォーマットを行なう
。すなわち、各記録領域ａ−１、ａ−２、・・・、ｂ−
１、ｂ−２、・・・のほぼ中心部分に前述の記録方法で
、基準点をもつ（本例では中心をもつ）フォーマット・
パターン３０１の記録ビットを第３図（ｂ）のように記
録する。このとき各記録領域の中心へのプローブ電極１
０４の位置決めは、マイクロコンピュータ１１１の設定
値に従い、粗動駆動回路１１２、粗動機構１１３によっ
て行い、円状のフォーマット・パターン３０１の記録の
際のプローブ電極１０４の駆動はマイクロコンピュータ
Ｉｌｌの設定値に従い、円走査駆動回路口］、円走査駆
動機構１０９によって行う。ここで各領域の番地情報デ
ータを各フォーマット・パターン中に記録しておく。フ
ォーマット後の記録媒体１０２に対して、所望の記録領
域へのプローブ電極１０４のアクセスの方法は、第４図
に示すようにまず該記録領域のフォーマット・パターン
の内側にプローブ電極先端を位置決めする（第４図（ａ
））。

この位置決めは、粗動機能１１３によって行なうが、フ
ォーマット・パターンの内側にプローブ電極先端が必ず
入ることが保障されているために、フォーマット・パタ
ーンの半径は、粗動機構の位置決め精度より大きいこと
が必要である。次いで、第４図（ｂ）のようにプローブ
電極先端の円走査（円走査の半径は、フォーマット・パ
ターンの半径よりやや小さめにとる）を行なう。このと
き、記録領域の中心と円走査の中心とが一致していなけ
れば、プローブ電極は円走査中に第４図（ｂ′）のよう
にフォーマット・パターン・ビットを検出し、検出位置
（間隔ΔＯと中点の位置θ０）から、中心の位置ずれ方
向及びずれ徂（図中では、記録領域中心に対して２時の
方向に円走査中心がずれている）を検知することができ
る。ここで、円走査駆動桟構１０９に印加する駆動電圧
Ｖ　＋ｘ　＝　Ｖ−ｖに前述したようなりＣオフセット
電圧Ｖｏｓ、Ｖｏｓ’を加え、円走査の中心を記録領域
の中心に一致させる（第４図（Ｃ））。このときプロー
ブ電流の値は第・１図（Ｃ′）のようになる。

以上のようにして、所望の記録領域へのプローブ電極１
０４のアクセス終了後、第３図（ｃ）に示すように（こ
こではｂ−２の記録領域の）フォーマット・パターンの
周囲にプローブ電極の円走査により、記録を行なう。所
望の記録領域への記録終了後、他の記録領域へ記録を行
なうときは、前述のアクセス方法で、所望の記録領域の
中心に、プローブ電極の円走査の中心を一致させた後、
同様に記録を行なう。

再生時のアクセス方法についても同様に、所望の記録領
域のフォーマット・パターンの内側にプローブ電極先端
位置決めし、円走査を行なって記録領域の中心と円走査
の中心を一致させる。その後、第３図（ｄ）に示すよう
に、プローブ電極の円走査により（ここではａ−２の記
録領域の）フォーマツ］・・パターンの周囲に記録され
ているデータの再生を行なう。

さて、以上に述べたアクセス法を用いて実際に情報の記
録再生を行なったとき、典型的には記録ヒツトの径〜１
０　ｎ　ｍ　、フォーマット◆パターンの径〜ｌｏｏｎ
ｍ、−記録領域の径〜ｌＯμｍ１全記録領域の大きさ〜
Ｉ　Ｏｍ　ｍ口、円走査駆動機構の位置決め精度〜０．
１ｎｍ、粗動機構の位置決め精度〜１０ｎｍとなり、高
密度大官ｆｆｉ　（〜１０”　ｂ　ｉ　ｔ　／　ｃｒｒ
？　）、高速アクセス（１０ｍｓ以下）の記録再生が可
能となった。

前述の如く、本発明の好ましい態様としてフォーマット
・パターンを円周状とし、プローブ電極の先端を円走査
させて所望の記録領域あるいは再生領域へアクセスさせ
る例を挙げたが、フォーマット・パターンの形状、プロ
ーブ電極先端の走査方法は本発明の概念に包含されるも
のであれば、特に限定されろものではない。

〔発明の効果〕

以上説明したように、記録領域の中心部分に円周状のフ
ォーマット・パターンを記録し、プローブ電極を円周状
に走査して、走査パターンとフォーマット・パターンの
位置関係を検知し、記録領域へのプローブ電極のアクセ
スを行なうことにより、２次元データ処理等の複雑な処
理を行なうことなく、簡単な構成で１ナノ・メートル以
下の位置決め精度を持った高速のアクセスが可能な大容
量の情報処理装置を実現できる。また、位置基準パター
ンとしてのフォーマット・パターンに特殊な（記録ビッ
ト及び記録ビットの並び形状とは別の）形状のパターン
を設ける必要なく、記録ビットの並び形状と同じパター
ンがそのまま位置基準パターンとして用いることが可能
となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を実施した情報処理装置の図、第２図は
プローブ電極の円走査駆動機構を示した図、第３図は本発明における記録領域の配置を示した図、第４図は本発明における記録領域へのアクセス法の説明
図、第５図は記録信号波形を示す図である。ｌｏｔ・・・基板電極＋０２・・・記録媒体１０３・・・縦方向駆動機構１０４・・・プローブ電極１０５・・・バイアス電源１０６・・・プローブ電流検出器１０７・・・サーボ回路１０８・・・記録／消去信号発生器１０９・・・円走査駆動機構１１０・・・円走査駆動回路１１１・・・マイクロコンピュータ１１２・・・粗動駆動回路１１３・・・粗動機構２０１〜２０４・・・電極３０１・・・フォーマットパターン時間

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基準点をもつフォーマットパターンを有する媒体
に対してプローブ電極をフォーマットパターンの基準点
にアクセスする方法であって、プローブ電極がフォーマ
ットパターン上を横切るように該プローブ電極を走査し
、かかる走査により生じる電流の変化を検出する工程、
検出された電流の変化に基づいてフォーマットパターン
の基準点を検知し、検知した基準点にプローブ電極を移
動させる工程とを含むことを特徴とするアクセス方法。
（２）基準点がフォーマットパターンの中心である請求
項（１）に記載のアクセス方法。
（３）フォーマットパターンが円形パターンである請求
項（１）に記載のアクセス方法。
（４）プローブ電極を円走査して電流の変化を検出する
請求項（１）に記載のアクセス方法。
（５）基準点をもつフォーマットパターンを有する媒体
に対してプローブ電極がフォーマットパターン上を横切
るように該プローブ電極を走査し、かかる走査により生
じる電流の変化を検出する工程、検出された電流の変化
に基づいてフォーマットパターンの基準点を検知し、検
知した基準点にプローブ電極を移動させる工程、該プロ
ーブ電極をフォーマットパターンに沿って走査させフォ
ーマットパターンに沿って情報の記録を行う工程を含む
ことを特徴とする情報処理方法。
（６）基準点がフォーマットパターンの中心である請求
項（５）に記載の情報処理方法。
（７）フォーマットパターンが円形パターンである請求
項（５）に記載の情報処理方法。
（８）プローブ電極を円走査して電流の変化を検出する
請求項（５）に記載の情報処理方法。
（９）媒体が電気メモリー効果を有する請求項（５）に
記載の情報処理方法。
（１０）情報の記録を、プローブ電極と媒体との間に電
気メモリー効果を生じる閾値電圧を越えた電圧を印加す
ることにより行う請求項（５）に記載の情報処理方法。
（１１）基準点をもつフォーマットパターンに沿って情
報が記録された媒体に対して、プローブ電極がフォーマ
ットパターン上を横切るように該プローブ電極を走査し
、かかる走査により生じる電流の変化を検出する工程、
検出された電流の変化に基づいてフォーマットパターン
の基準点を検知し、検知した基準点にプローブ電極を移
動させる工程、該プローブ電極をフォーマットパターン
に沿って走査させて記録されている情報を電流を検知し
て読み出す工程を含むことを特徴とする情報処理方法。
（１２）基準点がフォーマットパターンの中心である請
求項（１１）に記載の情報処理方法。
（１３）フォーマットパターンが円形パターンである請
求項（１１）に記載の情報処理方法。
（１４）プローブ電極を円走査して電流の変化を検出す
る請求項（１１）に記載の情報処理方法。
（１５）媒体が電気メモリー効果を有する請求項（１１
）に記載の情報処理方法。
（１６）情報の読み出しを、プローブ電極と媒体との間
に電気メモリー効果を生じる閾値電圧を越えない電圧を
印加することにより行う請求項（１１）に記載の情報処
理方法。
（１７）印加される電圧が、バイアス電圧である請求項
（１１）に記載の情報処理方法。
（１８）基準点をもつフォーマットパターンに沿って情
報が記録された媒体に対して、プローブ電極がフォーマ
ットパターン上を横切るように該プローブ電極を走査し
、かかる走査により生じる電流の変化を検出する工程、
検出された電流の変化に基づいてフォーマットパターン
の基準点を検知し、検知した基準点にプローブ電極を移
動させる工程、該プローブ電極をフォーマットパターン
に沿って走査させて記録されている情報を消去する工程
を含むことを特徴とする情報処理方法。
（１９）基準点がフォーマットパターンの中心である請
求項（１８）に記載の情報処理方法。
（２０）フォーマットパターンが円形パターンである請
求項（１８）に記載の情報処理方法。
（２１）プローブ電極を円走査して電流の変化を検出す
る請求項（１８）に記載の情報処理方法。
（２２）媒体が電気メモリー効果を有する請求項（１８
）に記載の情報処理方法。
（２３）情報の消去を、プローブ電極と媒体との間に電
気メモリー効果を生じる閾値電圧を越えた電圧を印加す
ることにより行う請求項（１８）に記載の情報処理方法
。
（２４）基準点をもつフォーマットパターンを有する記
録媒体、該記録媒体に近接して配置されたプローブ電極
及び該プローブ電極を円走査するための円走査駆動機構
を備えたことを特徴とする情報処理装置。
（２５）基準点がフォーマットパターンの中心である請
求項（２４）に記載の情報処理装置。
（２６）フォーマットパターンが円形パターンである請
求項（２４）に記載の情報処理装置。
（２７）媒体が電気メモリー効果を有する請求項（２４
）に記載の情報処理装置。
（２８）記録／消去信号発生手段を備えた請求項（２４
）に記載の情報処理装置。