JPH031734B2 - - Google Patents
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- JPH031734B2 JPH031734B2 JP58204824A JP20482483A JPH031734B2 JP H031734 B2 JPH031734 B2 JP H031734B2 JP 58204824 A JP58204824 A JP 58204824A JP 20482483 A JP20482483 A JP 20482483A JP H031734 B2 JPH031734 B2 JP H031734B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光デイスク用基板に関するもので、化
学強化ガラスなどの硬い材質を使用した光デイス
ク用基板に関するものである。
学強化ガラスなどの硬い材質を使用した光デイス
ク用基板に関するものである。
光デイスク用の基板としては、従来、ガラス、
ポリメチルメタクリレート(PMMA)、塩化ビニ
ル、塩化ビニルと酢酸ビニルとの共重合体などが
用いられている。基板にトラツキングガイドとし
て溝を形成する場合には、通常、塩化ビニルを主
として含むものの場合プレス法、ポリメチルメタ
クリレートを主として含むものの場合射出成形法
が用いられる。これらの場合、溝を形成した原盤
の凹凸から、ニツケルなどの硬い金型を作り、こ
れに加熱した有機物を押し付ける。または流し込
むことによつて溝を複製する。しかし、このよう
な複製が可能な有機物は、常温でも変形し易く、
また、表面に傷がつきやすい。
ポリメチルメタクリレート(PMMA)、塩化ビニ
ル、塩化ビニルと酢酸ビニルとの共重合体などが
用いられている。基板にトラツキングガイドとし
て溝を形成する場合には、通常、塩化ビニルを主
として含むものの場合プレス法、ポリメチルメタ
クリレートを主として含むものの場合射出成形法
が用いられる。これらの場合、溝を形成した原盤
の凹凸から、ニツケルなどの硬い金型を作り、こ
れに加熱した有機物を押し付ける。または流し込
むことによつて溝を複製する。しかし、このよう
な複製が可能な有機物は、常温でも変形し易く、
また、表面に傷がつきやすい。
機械的加圧に対して変形しにくい硬い材質と、
溝の複製が容易な材質とを貼り合わせて用いるの
が、変形や傷を防ぐのに有効とされている。しか
し、通常これらの材質間には熱膨脹率の差がある
ので、一方の厚さを薄くしないと、温度変化によ
つて反りが起こり忠実な複製ができない。ところ
が、この複製の容易な軟かい材質が薄い場合、プ
レス法や射出成形法で凹凸を複写するのが因難と
されている。
溝の複製が容易な材質とを貼り合わせて用いるの
が、変形や傷を防ぐのに有効とされている。しか
し、通常これらの材質間には熱膨脹率の差がある
ので、一方の厚さを薄くしないと、温度変化によ
つて反りが起こり忠実な複製ができない。ところ
が、この複製の容易な軟かい材質が薄い場合、プ
レス法や射出成形法で凹凸を複写するのが因難と
されている。
発明の目的は、上述の欠点の無い、極めて安定
で長寿命の光デイスク用基板を提供することにあ
る。
で長寿命の光デイスク用基板を提供することにあ
る。
本発明の光デイスク用基板は次の如き構造とな
す。
す。
化学強化ガラスよりなる基板の上部に鋳型に注
入して成型された有機材料層が少なくとも形成さ
れる。
入して成型された有機材料層が少なくとも形成さ
れる。
本発明は例ば有機材料薄膜を常温で有機溶剤で
溶かしたり、あるいは低粘度の有機材料溶液をト
ラツキング用溝または孔の隅々まで行き渡らせ、
後、固化させるので溝又は孔の形状が正確かつ忠
実に転写される。しかも、この第1の有機材料薄
膜層上に、第2の有機材料薄膜層が形成させても
よく、そのため機械的強度が保たれる。また、こ
の様に薄く形成されているので基板と貼り合わせ
ても反り、歪、クラツクなどの導入が無く高感度
で記録孔が小さいという優れた記録特性が得られ
る。
溶かしたり、あるいは低粘度の有機材料溶液をト
ラツキング用溝または孔の隅々まで行き渡らせ、
後、固化させるので溝又は孔の形状が正確かつ忠
実に転写される。しかも、この第1の有機材料薄
膜層上に、第2の有機材料薄膜層が形成させても
よく、そのため機械的強度が保たれる。また、こ
の様に薄く形成されているので基板と貼り合わせ
ても反り、歪、クラツクなどの導入が無く高感度
で記録孔が小さいという優れた記録特性が得られ
る。
以下実施例を用いて詳細に説明する。
第1図1a乃至1fは、本発明の一実施例とし
ての光デイスク用基板の製造工程概略図である。
図はいずれも基板断面図である。基板は円形で、
その中心に回転軸が通される開孔が存在する例で
ある。
ての光デイスク用基板の製造工程概略図である。
図はいずれも基板断面図である。基板は円形で、
その中心に回転軸が通される開孔が存在する例で
ある。
硬い材質の基板として厚さ1.1mm、外径330mm、
内径70mmの、イオン交換法による化学強化ガラス
を、そして軟かい有機材薄膜として厚さ0.05mmの
セルロースアセテート膜を予じめ用意した。
内径70mmの、イオン交換法による化学強化ガラス
を、そして軟かい有機材薄膜として厚さ0.05mmの
セルロースアセテート膜を予じめ用意した。
まずトラツキングガイドである溝状の凹凸を持
つた金型1に酢酸メチル2を流して一様に濡れさ
せ、セルロースアセテートシート3を貼り付け
た。この時、酢酸メチルで溶解されたセルロース
アセテートが層2を形成し、固化する。次にこの
セルロースアセテートシートの反対側の面にエポ
キシ系接着剤4を塗り、上記の化学強化ガラス5
を貼り付けた。次に金型1を一端から剥したとこ
ろ、セルロースアセテート3は化学強化ガラス側
に残り、溝を持つた面が表われた。次にこの基板
を真空蒸着装置に入れ、セルロースアセテート層
2上にAs−te−Se系記録膜8を約40nmの膜厚に
蒸着した。次に該膜8の周辺の一部をアセトンな
どで拭きとる。次にこのデイスクの蒸着膜を着け
た側の内周および外周に厚さ0.1mmのスペーサ−
6を貼り付け、厚さ、内径、外径が上記のものと
同じ保護用化学強化ガラス7を貼り付けた。この
化学強化ガラスにも、対向する化学強化ガラス側
の面に有機物のシート(図示せず)を貼り付け、
補強すればさらによい。スペーサー6の部分に
は、この有機物シートや、セルロースアセテート
シートが無い方が、接着がさらに強くなる。
つた金型1に酢酸メチル2を流して一様に濡れさ
せ、セルロースアセテートシート3を貼り付け
た。この時、酢酸メチルで溶解されたセルロース
アセテートが層2を形成し、固化する。次にこの
セルロースアセテートシートの反対側の面にエポ
キシ系接着剤4を塗り、上記の化学強化ガラス5
を貼り付けた。次に金型1を一端から剥したとこ
ろ、セルロースアセテート3は化学強化ガラス側
に残り、溝を持つた面が表われた。次にこの基板
を真空蒸着装置に入れ、セルロースアセテート層
2上にAs−te−Se系記録膜8を約40nmの膜厚に
蒸着した。次に該膜8の周辺の一部をアセトンな
どで拭きとる。次にこのデイスクの蒸着膜を着け
た側の内周および外周に厚さ0.1mmのスペーサ−
6を貼り付け、厚さ、内径、外径が上記のものと
同じ保護用化学強化ガラス7を貼り付けた。この
化学強化ガラスにも、対向する化学強化ガラス側
の面に有機物のシート(図示せず)を貼り付け、
補強すればさらによい。スペーサー6の部分に
は、この有機物シートや、セルロースアセテート
シートが無い方が、接着がさらに強くなる。
記録や読出しのレーザ光は、透明基板である化
学強化ガラス5側から入射させても、保護用化学
強化ガラス7側から入射させてもよい。
学強化ガラス5側から入射させても、保護用化学
強化ガラス7側から入射させてもよい。
化学強化ガラスは薄くすることができ、強度も
大きいので、基板用および保護用として最適であ
る。
大きいので、基板用および保護用として最適であ
る。
化学強化ガラスと、セルロースアセテートその
他との貼り合わせは、上述の着剤を用いる方法に
限らず、溶媒を塗布して貼り付け、固化させる方
法、熱圧着、など種々の方法を用いることもでき
る。これについては後述する。また、上述のセル
ロースアセテート以外でも、溶媒に溶けた後急速
に固化するタイプの有機物は使用可能である。
他との貼り合わせは、上述の着剤を用いる方法に
限らず、溶媒を塗布して貼り付け、固化させる方
法、熱圧着、など種々の方法を用いることもでき
る。これについては後述する。また、上述のセル
ロースアセテート以外でも、溶媒に溶けた後急速
に固化するタイプの有機物は使用可能である。
また、本発明のデイスクは上述の様に、化学強
化ガラスなどの硬い材質を基板の主要に用いるの
で、変形し難くく、キズがつき難くく、経時変化
が起らない。この化学強化ガラスは、イオン交換
法などによつて、ガラス表面に半径の大きな原
子、分子、イオンなどを導入し、圧縮応力を生じ
させることによつて強度が高められている。
化ガラスなどの硬い材質を基板の主要に用いるの
で、変形し難くく、キズがつき難くく、経時変化
が起らない。この化学強化ガラスは、イオン交換
法などによつて、ガラス表面に半径の大きな原
子、分子、イオンなどを導入し、圧縮応力を生じ
させることによつて強度が高められている。
第2図2a乃至2eは、本発明の他の実施例と
しての光デイスク用基板の製造工程概略図であ
る。
しての光デイスク用基板の製造工程概略図であ
る。
硬い材質の基板として厚さ1mm、外径330mm、
内径70mmのドーナツ状PMMA板と、軟かい有機
材薄膜として濃度(溶媒と溶質の重量比)または
溶質の分子量が異なる2種類のセルロースアセテ
ート溶液(溶媒はシクロヘキサノン)を用意す
る。凹凸を持つた金型21に、まず薄い膜を得る
のに適した濃度または分子量のセルロースアセテ
ート溶液を、スピンナーを用いて約150nmの平均
膜厚に塗布して乾燥させ、第1の塗布層22とし
た2a。次に、厚い膜を得るのに適したたとえば
粘度の高いセルロースアセテート溶液をこの上に
流し2b、上記のPMMA板25を、気泡が出な
いように一端から押し付けてゆき、完全に貼り付
けた2c。第2のセルロースアセテート層23が
固化した後金型21と分離した2d。金型21が
ビデオ、音声、デイジタルなどの情報を持つたも
のの場合、このようにして形成したレプリカの凹
凸面に金属を蒸着してそのまま情報を読出すこと
ができる。金型21がトラツキングガイド用の凹
凸を持つたものの場合、このように形成したレプ
リカを基板とし、この上に情報記録用部材を被着
し、前述の実施例1と同様にして記録可能なデイ
スクとすることができる2e。なお26はスペー
サ、27は保護用化学強化ガラスである。セルロ
ースアセテート23の厚さは、PMMA板25の
厚さの1/2である0.5mmを越すと、金型と分離
後大きな反りを生じ、記録や読出しが因難となる
のでこれ以下の厚みであることが必要である。一
方、セルロースアセテート層23の平均の厚さ
が、凹凸の平均振幅である80nm以下であると、
凹凸の底部のセルロースアセテート層の厚さが不
均一となるので、これ以上の厚みが必要である。
またセルロースアセテート層23が特に薄くなる
とPMMA板25の貼り付けに紫外線硬化接着剤
(例えば商品名フオトボンド)を用いるとなおよ
い。
内径70mmのドーナツ状PMMA板と、軟かい有機
材薄膜として濃度(溶媒と溶質の重量比)または
溶質の分子量が異なる2種類のセルロースアセテ
ート溶液(溶媒はシクロヘキサノン)を用意す
る。凹凸を持つた金型21に、まず薄い膜を得る
のに適した濃度または分子量のセルロースアセテ
ート溶液を、スピンナーを用いて約150nmの平均
膜厚に塗布して乾燥させ、第1の塗布層22とし
た2a。次に、厚い膜を得るのに適したたとえば
粘度の高いセルロースアセテート溶液をこの上に
流し2b、上記のPMMA板25を、気泡が出な
いように一端から押し付けてゆき、完全に貼り付
けた2c。第2のセルロースアセテート層23が
固化した後金型21と分離した2d。金型21が
ビデオ、音声、デイジタルなどの情報を持つたも
のの場合、このようにして形成したレプリカの凹
凸面に金属を蒸着してそのまま情報を読出すこと
ができる。金型21がトラツキングガイド用の凹
凸を持つたものの場合、このように形成したレプ
リカを基板とし、この上に情報記録用部材を被着
し、前述の実施例1と同様にして記録可能なデイ
スクとすることができる2e。なお26はスペー
サ、27は保護用化学強化ガラスである。セルロ
ースアセテート23の厚さは、PMMA板25の
厚さの1/2である0.5mmを越すと、金型と分離
後大きな反りを生じ、記録や読出しが因難となる
のでこれ以下の厚みであることが必要である。一
方、セルロースアセテート層23の平均の厚さ
が、凹凸の平均振幅である80nm以下であると、
凹凸の底部のセルロースアセテート層の厚さが不
均一となるので、これ以上の厚みが必要である。
またセルロースアセテート層23が特に薄くなる
とPMMA板25の貼り付けに紫外線硬化接着剤
(例えば商品名フオトボンド)を用いるとなおよ
い。
本実施例ではセルロースアセテートを溶媒に溶
かしたものを用いたが、モノマーや低分子量のも
のを塗布し、重合させるものも工程を簡略化され
るのでなおよい。
かしたものを用いたが、モノマーや低分子量のも
のを塗布し、重合させるものも工程を簡略化され
るのでなおよい。
セルロースアセテート層23の、より好ましい
平均厚さは300nm以上200μm以下の範囲である。
これは層23を形成する有機薄膜全てに共通す
る。
平均厚さは300nm以上200μm以下の範囲である。
これは層23を形成する有機薄膜全てに共通す
る。
PMMA以外に、前述の化学強化ガラスは勿論、
他に変形しにくい他の樹脂、たとえばCR−39(ポ
レジグリコールジアリルカーボネート)、ABS樹
脂、AS樹脂(アクリロニトリル・スチレン樹脂)
などを用いてもよい。
他に変形しにくい他の樹脂、たとえばCR−39(ポ
レジグリコールジアリルカーボネート)、ABS樹
脂、AS樹脂(アクリロニトリル・スチレン樹脂)
などを用いてもよい。
以上詳述したように、本発明は化学強化ガラス
などの硬質基板上に有機薄膜層を設けることによ
つて優れた光デイスクまたは光デイスク用基板が
得られる点工業的利益大なるものである。なお実
施例に述べた方法の他、プレス(コンプレツシヨ
ン、エンボツシングなどとも呼ばれる)法などに
よつて凹凸を持つた有機物層を形成することも不
可能ではない。また、本発明は、(探)針を用い
て読出しを行なう方式のデイクにも適用可能であ
ることは当業者であれば容易に類推できるであろ
う。基板に化学強化ガラスを用いることは、熱磁
気記録デイスクの場合や磁気デイスクの場合も有
効である。
などの硬質基板上に有機薄膜層を設けることによ
つて優れた光デイスクまたは光デイスク用基板が
得られる点工業的利益大なるものである。なお実
施例に述べた方法の他、プレス(コンプレツシヨ
ン、エンボツシングなどとも呼ばれる)法などに
よつて凹凸を持つた有機物層を形成することも不
可能ではない。また、本発明は、(探)針を用い
て読出しを行なう方式のデイクにも適用可能であ
ることは当業者であれば容易に類推できるであろ
う。基板に化学強化ガラスを用いることは、熱磁
気記録デイスクの場合や磁気デイスクの場合も有
効である。
第1図は本発明の一実施例の製造工程概略図、
第2図は本発明の他の実施例の製造工程概略図で
ある。 1…金型、2…第1のセルロースアセテート
層、3…第2のセルロースアセテート層、4…接
着剤層、5…化学強化ガラス、6…スペーサ、7
…保護用化学強化ガラス、8…情報用記録部材
(As−Te−Se系記録膜)。
第2図は本発明の他の実施例の製造工程概略図で
ある。 1…金型、2…第1のセルロースアセテート
層、3…第2のセルロースアセテート層、4…接
着剤層、5…化学強化ガラス、6…スペーサ、7
…保護用化学強化ガラス、8…情報用記録部材
(As−Te−Se系記録膜)。
Claims (1)
- 1 基板表面に有機材料層を有し、該有機材料層
は膜厚がトラツキング用凹凸の平均振幅より大な
る第2の有機材料層と、鋳型に注入して凹凸が転
写された有機溶媒可溶の第1の有機材料層からな
ることを特徴とする光デイスク用基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58204824A JPS5998331A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 光デイスク用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58204824A JPS5998331A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 光デイスク用基板 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61258205A Division JPS62143243A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 光ディスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5998331A JPS5998331A (ja) | 1984-06-06 |
JPH031734B2 true JPH031734B2 (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=16496986
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58204824A Granted JPS5998331A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 光デイスク用基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5998331A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4918046A (ja) * | 1972-06-08 | 1974-02-18 | ||
JPS5423501A (en) * | 1977-07-22 | 1979-02-22 | Thomson Brandt | Method of duplicating information record disk |
JPS54106201A (en) * | 1978-02-08 | 1979-08-21 | Toppan Printing Co Ltd | High packing density information recording carrier |
-
1983
- 1983-11-02 JP JP58204824A patent/JPS5998331A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4918046A (ja) * | 1972-06-08 | 1974-02-18 | ||
JPS5423501A (en) * | 1977-07-22 | 1979-02-22 | Thomson Brandt | Method of duplicating information record disk |
JPS54106201A (en) * | 1978-02-08 | 1979-08-21 | Toppan Printing Co Ltd | High packing density information recording carrier |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5998331A (ja) | 1984-06-06 |
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