JPH03172005A - 非直線キャパシタ誘導形高調波ひずみを相殺するための回路技術 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の行景 本発明は、特に集積回路においてコレクタ−基板間寄生
キャパシタンスによって引き起こされた、キャパシタ誘
導形非直線高調波ひずみを除去するための回路技術に関
係している。集積回路増幅器における＾調波ひずみの主
要な源は、Ｎ　Ｐ　Ｎ　｝−ランジスタのコレクタが形
成されているＮ形エビタキシャル層とこのＮ形エビタキ
シャル層が形成されているＰ十基板との間の接合部のコ
レクタ−基板間寄生キャパシタンスに起凶することが判
明している。

第ＩＡ図及び第ＩＢ図に言及すると、典型的な集積一路
地幅器段には信号ＶＩＮを受ける入力導体を備えたＮＰ
Ｎトランジスタ２がある。トランジスタ２のエミッタは
抵抗５の一方の端子に接続されており、この抵抗は利得
設定用紙抗として役立つ。祇抗５の他ｈ゛の端子はＩ’
ｔの電源−■に接続さ？ている。導体４に接続されたト
ランジスタ２のコレクタは、Ｎ形エピタキシャル餉域７
とＰ十基板８との間の寄生非直線接合キャパシタンス６
を持っている（トランジスタ２のコレクタと関連したｕ
’Ｔ［Ｊ及び非直線のその他の寄生キャパシタンスは示
されていない。例えば、コレクタ−ベース間接合キャパ
シタンス、及び基板とコレクタに接続された導体との間
のキャパシタンスはひずみに影響を及ぼす。）。出力信
号Ｖ。，■が導体４上に発生されるが、この導体は工１
荷ｊｌＮ抗３によって正の電源十Ｖに接続されている。

第１Ｂ図は物理的集積回路構造を示しており、Ｃ１の値
を持っている寄生基板キャパシタンス６の位置を示して
いる。

寄生キャパシタンス６はＮ形エビタキシャル領域７の底
聖及び側壁の全而積に比例している。

ＶＩＮが変化すると、そのような変化は利得Ｒ３／Ｒ５
によって増幅される。高度に非直線の寄生キャパシタン
ス６におけるＶＩＮ変化は、導体４へ又はこれから注入
され、従って負荷抵抗３を流れるｆ〕荷゛屯流’Ｌｌへ
又はこれから注入される高度に非直線の寄生誤７ｉ車流
Ｉ，１を発生する。これは工１荷抵抗３を流れる電流■
Ｌｌにおける課差又は非直線性を発生し、従って非直線
寄生コレクタ−基板間キャパシタンス６の結果としてｖ
ｏＵＴにおいて相当なひずみが発生される。

増幅器における高調波ひずみを低減するための秤々の従
来技術の技法が知られている。挿々のフィルタリング・
フィードフォワード、及び相殺技法が従来技術において
知られている。柿々の異なった秤類の回路における秤々
の不正確さを相殺又は補償するために相当多数の回路が
使用されてきた。それにもかかわらず、集積回路増幅器
における非直線コレクタ−基板間キャパシタンスの効果
を相殺するための技法は知られていない。

発明の要約 従って、集積園路増幅器における高調波ひずみを低減す
るための四路及び技法を提供することが、本発明の目的
である。

コレクタ−基板間非直線寄生キャパシタンスに起凶する
集積一路における高調波ひずみを相殺するための回荀及
び技法を提ｆｊ（することが、本発明の別の目的である
。

高い０１線？／１：及び低いひずみを持った計測用増幅
器を提ＯＦ．することが、本発四の別の目的である。

簡単に記連すれば、本発明の一実施例に従って本発門は
、第１の非直線コレクタ−基板間キャパシタンスを持っ
た第１　トランジスタを含む集積回餡増棉器におけるｆ
−６　２］波ひずみを低減するための方法であって、第
１トランジスタのベースと、第２の非直線コレクタ−双
板間キャパシタンスを持った第２トランジスタのベース
とに結合された第１導体に小さい信ｉ３一入力電圧を加
える段階、第１トランジスタのコレクタ電圧における第
ｌ変化及び第２トランジスタのコレクタ屯圧における第
２変化を入力電斤に応答して発生し、且つ第１変化に応
答して第１非尚線キャパシタンスにおける第１非〆【線
電流をｈつ又第２変化に応答して第２非直線キャパシタ
ンスにおける第２非直線電流を発生する段階、第１非『
線電流を第１トランジスタのコレクタに接続された第２
導体に流れるようにする段階、第２非直線電流を電流ミ
ラー（鏡映回路）の制御導体に非直線第１補正電流が流
れるようにする段階、並びに電流ミラーを動作させて第
１非ｆｉ線補正電流に応答して電流ミラーの出力導体に
おいて第２補正電流を発生し、第２非直線補正電流をも
第２導体に流れるようにし、これにより非直線第１電流
の少なくとも一部分を相殺し、これにより第１非直線コ
レクタ−基板間キャパシタンスに起囚する第２導体にお
ける出力電圧の高調波ひずみを低減する段階を含んでい
る前記のｈ゛法を提仇する。

採択実施例の詳細な説明 第２図において、低ひずみ増幅器１０は第ＩＡ図のＮＰ
Ｎトランジスタ２、ｆ１荷抵抗３、及びエミッタホロワ
祇抗５を含んでいる。増幅器ｌＯは又寄生非直線コレク
タ−基板間接合キャパシタンス６を含んでいる。トラン
ジスタ２におけるコレクタ電流とＶ　に応答して発生し
た負荷電流ＩＬｌとＩＮ における変化によって引き起こされたＶｏｕＴにおける
変化に応答して、非直線誤差電流Ｉ，１が寄生キャパシ
タンス６を流れる。第２図の増幅器１０の動作を説門す
る口的のために、エミッタ祇抗５を流れる電流は１分に
一定していてトランジスタ２のＶＩ３，における変化は
無視できるものと仮定される。そのとき、ｉ＋ｌ７正が
なければ非直線寄生キャパシタ電流Ｉ　は工１荷電流’
ＬＬに完全に含まれるこ１）１ とになるであろうから、従って導体４における出力電圧
ＶｏＵＴは、’Ｃｌがトランジスタのコレクタ電流であ
るとき、Ｖ　　Ｒｔ，　　（　Ｉｃｔ＋Ｉ　ＰＩ）　ｌ
こ等しくなるであろう。

本発門に従って、付加的なＮＰＮトランジスタ２Ａがそ
のベースをＶＩＮに接続されて準備されている。トラン
ジスタ２Ａのエミッタはエミッタ抵抗５　Ａに接続され
ている。トランジスタ２Ａのコレクタはχ動増幅器ｌ２
の反転入力に接続されているが、この増幅器は任意の汎
用の演算増幅器、例えば本出願人のＯＰ２７でよい。差
動増幅器１２の非反転入力はトランジスタ２のコレクタ
導体４に接続されている。

導体１３は電流ミラー（ｖ１吹回路）　１１のホリ御入
力に接続されている。電流ミラーｌ１の制御された電流
出力は導体４に接続されている。差動増幅器１２の出力
は本滝ミラー１１の「共通」端子に接続されている。

トランジスタ２の全コレクタ−基板間接合部而積はトラ
ンジスタ２ＡのそれのＮ倍であり、従って寄生キャパシ
タ６のキャパシタンスＣ１はトランジスタ２Ａのコレク
タ−基板間キャパシタ６ＡのキャパシタンスＣ２のＮ倍
である。本発明の一動作例においては、Ｎは３に等しい
。

トランジスタ２Ａのコレクタ電流ＩＣ２及び寄生コレク
タ−基板間接合キャパシタンス６Ａに電流Ｉ　は結合し
て補正電流Ｉ　　　を発生するが、ｐ２ＣＯＲｔ？１ この電流は電流ミラーｌ１の制御導体から流れ出て、Ｎ
の係数によって増大されるので、電流ミラー１ｌの出力
端子から導体４へ流れ込む出力補正電流ＩＣＯＲＲ２は
Ｎ倍の■　　　である。それゆえに、ＣＯｌ？Ｒ１ 非直線寄生キャパシタンス６Ａに起因する補正電流Ｉ　
　　の部分は寄生電流ＩＰＩに等しく且つ反ＣＯＩ？Ｒ
２ 対であり、従って、ＩＰＩを相殺するので負荷電流■Ｌ
Ｌは入力トランジスタ２の非直線基板キャパシタンス６
の在在によって実質」二影響されない。

動作の際、ＶＩＮは入力トランジスタ２のベースに加え
られる。それゆえ、寄生コレクタ−基板間接合キャバン
タ６　Ａ　Ｃ：！寄生コレクタ−基板間接合キャパンタ
６と精密に間じ非直線性を呈する。

従って、トランジスタ２Ａのコレクタ−基板間接合キャ
バンタ６Ａへ流れ込む寄生キャパシタ電流ＩＰ２は■１
）１と正に園じ形式の非直線性を呈するが、Ｎの係数だ
け振輔が小さい。非直線電流Ｉ１，２は次に電流ミラー
１１の制御導体を流れて、Ｎの係数により増幅されて、
■１）１に等しく且つ反対のＩＣＯＲＲ．を発生する。

Ｉ１，１及び■１）１における非ｌｉ′！ｔ線性は補正
屯流Ｉ　　　によって完全に相殺されＣＯＲＩ？． て、増幅器１０において非常に低い腐調波ひずみを発生
する。

注記しておくが、トランジスタ２及び２Ａのコレクタ接
合部面積のＮによる増大はチップ面積を節約するが、こ
の発明の特有の動作のためには必要でない。

トランジスタ２Ａを通るバイアス電流はトランジスタ２
を通るバイアス車流に関して小さく選択されているので
、トランジスタ２を通る全電流は小さく保たれる。それ
ゆえに、ベース電流に比例するそれのベース電流及び雑
音は小さく保たれる。

第３図は電流ミラーｌ１がＰＮＰ　｝ランジスタで構成
されている、第２図の回路の詳細な実現例を示している
。第３図においては、第２図の抵抗５が定電流源｛７に
よって置き換えられている。抵抗５Ａは定電流源１８に
よって置き換えられている。

電ｉ１３１　　（ここで、■は、例えば１００マイクロ
アンペアとすることができる）が電流源１７に流れる。

電流■が電流源ｌ８に流れる。第ＩＮＰＮ力スコードト
ランジスタ２７はそのエミッタが導体４によってトラン
ジスタ２のコレクタに接続されている。

トランジスタ２７のコレクタは導体３３によって、電流
１０１の流れる定電流源２０の一方の端子と、ＰＮＰ電
流ミラー出力トランジスタ２５のコレクタとに接続され
ている。トランジスタ２５のエミッタ及び電流源２０の
他方の端子は、その電流ミラーｌ１の「』（通」端了て
ある＋Ｖに接続されている。トランジスタ２５のベース
はＰＮＰ電流ミラー制御トランジスタ２６のベース及び
コレクタとＮＰＮカスコードトランジスタ２８のコレク
タとに接続されている。トランジスタ２Ｇのエミッタは
＋Ｖに接続されている。カスコードトランジスタ２８の
エミッタは導体１３によってトランジスタ２Ａのコレク
タに接続されている。カスコードトランジスタ２７及び
２８のベースは導体２２によってＰＮＰエミッタホロワ
トランジスタｌ６のエミッタに接続されており、トラン
ジスタ１６はベースがＶＩＮに接続され且っコレクタが
ーＶに接続されている。

差動増幅器ｌ２の非反転入力は導体３４に接続されてい
る。差動増幅器１２の反転入力は導体３３に接続されて
いる。差動増屯ｕ器１２の出力は、Ｒｆｂの抵抗値を侍
っている帰還祇抗３０の一方の端子に導体３７によって
接続されている。Ｒｆｂは３キロオームでよい。導体３
７はＶｏＵＴに等しい電圧を導く。

祇抗３０の他方の端子は導体３８によって入力トランジ
スタ２のエミッタと、Ｒｇａｉｎの低抗値を持っている
１氏抗３１の一方の端子とに接続されている。ＲｇａＩ
ｎは｛０００の利得のためには３オームでよい。Ｊｌｕ
抗３ｌの他方の端子は接地に接続されている。

電流源１７及びｌ８のそれぞれの下方の端子はー■に接
続されている。

ＰＮＰエミッタホロワトランジスタ１６は、カスコード
トランジスタ２７及び２８との組合せにおいて、トラン
ジスタ２及び２Ａにおける一定のコレクタ−ベース間電
圧を維持して、これらのトランジスタの非直線コレクタ
−ベース間キャパシタンスにおける電圧の変動を附止し
、これによってそのような非直線コレクタ−ベース間キ
ャパシタンスの結果としてのトランジスタ２及び２Ａの
コレクタ電流におけるどのようなひずみをも回避する。

定電流源１７，　１８．　２０に・ＩＩ２びにトランジ
スタ２及び２Ａのコレクタに流れるものとして示された
秤々の電流は、ＰＮＰ電流ミラー出力トランジスタ２５
のエミッタ面積がトランジスタ２６のエミッタ面積の３
倍であり、すべてのベース電流が無視可能であり、且つ
差動増幅器１２の入力電流が無視可能であるという仮定
に基づいている。そこで、容具に理解され得ることであ
るが、カスコードトランジスタ２７、及び入力トランジ
スタ２のコレクタを流れる′屯流は、ｌ・ランジスタ２
６を流れる電流■に応答して３Ｉがトランジスタ２５の
コレクタを流れるので、１３１てある。

カスコードトランジスタ２７及び２８はＰＮＰ電流ミラ
ートランジスタ２５及び２６と１６１じ比に比幣合させ
られているので、それらの′１コ生キャパシタンスに，
ＩｆｆｌｌＪするひずみも叉相殺される。

第３図の増輻器電流ＩＡの集積口路尖現ＩＦＩ＋が製作
され貝つ：Ｊ（験されて、１の利得において約４メガヘ
ルツの准域輔を１１つ１０００の利得において約１００
キロヘルツの冊域幅をＦ＋−することが゛［１１叩した
。

それの全１”１　；Ｊ７Ｊ波ひずみＣ　Ｔ　Ｈ　Ｄ　）
はわずかに約０．００２％である。

第４ｒ〈１の叫路において、一路形態はカスコードトラ
ンジスタ２７及び２８が省略されているので第３図にお
けるものとはｙに八っている。７ヒ流源２０及び２１は
それぞれ＋ＶとＮｐＮ；七流ミラー出力トランジスタ２
７Ａ及びＮＰＮ化？ｆＥミラー制御トランジスタ２８Ａ
との間に接続されている。差動増幅器１２の反転入力は
導体４によって入力トランジスタ２のコレクタ、トラン
ジスタ２７Ａのコレクタ、及び定電流源２０の下方端子
に接続されている。差動増幅器１２の非反転入力は導体
ｌ３によってトランジスタ２Ａのコレクタ、電流ミラー
制御トランジスタ２８Ａのコレクタ及びベース、電流ミ
ラー出力トランジスタ２７Ａのベース、・１１１２びに
定電流源２ｌの下方端子に接続されている。ＮＰＮ電流
ミラートランジスタ２７Ａ及び２８Ａのエミ・ノタは電
流ミラーの「ノ（通」端子導体２２によってＰＮＰエミ
・ノタホロワトランジスタｌ６のエミツタに接続されて
いる。

この凹路はトランジスタ２及び２Ａにおいて一定のコレ
クタ−ベース間電圧を維持するように動作して、これら
二つのトランジスタの非直線コレクタ−ベース間キャパ
シタンスによって高調波ひずみが引き起こされるのを止
めるという利点を達成する。

コレクタ−基板間キャパシタンスは接合分離形集槓Ｉ！
！Ｉ門におけるひずみの優勢な源であるけれども、Ｌ述
の形態はその他の非直線キャパシタンス、渕えば僧中吊
器入力！・ランジスタ２と関連した、上に菖及したベー
ス−コレクタキャパシタンス、からのひずみをち除去す
ることに注一するべきである。

第５図には：Ｉ／Ｉｌリ用増中吊器３６が示されており
、これにおいては第３図に示されたものと同一の二つの
増輪器ＩＡ，ＩＢはその出力が１古典的」計測用増幅器
形態において差動増幅器の入力に接続されている。更に
叩確には、左の低ひずみ増幅器ＩＡの出力はＪＪ（抗４
０によって導体４３に接続されている。導体４３は差動
増幅器４２の反転入力と帰還祇抗４５の一ノｊのＤＱ−
ｒ一とに接続されており、抵抗４５の他方の端子は差動
増幅器４２の出力４７に接続されている。右方の低ひず
み増幅器ＩＢの出力は抵抗４１によってそれの出力導体
４４に接続されている。導体４４は差動増幅器４２の非
反転入力に接続されており貝つ批抗４６によって導体４
８に接続されている。

導体４８は出力基準電圧に接続されているが、この電圧
は接地でもよい。増幅器４２並びに抵抗４０，　４１．
４５及び４６からなる１川路部は差動増幅器である。二
つの目路は囚示のように共通のＲｇａｉｎを共灯してい
る。

上述の相殺技法は、非直線コレクタ−基板間キャパシタ
ンス６によって引き起こされるひずみの優れた相殺を生
じるだけでなく、又トランジスタ２のコレクタの、直線
及び非直線の、その他のキャパシタンスに起因するひず
みの相殺を生じ、且つ又トランジスタ２のエミッタの直
線及び非直線キャパシタンスに起因するひずみを相殺す
る。

これは、すべてのそのようなひずみ効果がトランジスタ
２Ａにおいて生じ、その結果■　　　におＣＯＲＩ？１ いて現れ、そして反射され返されてトランジスタ２にお
ける対応する効果を相殺するので生じる。

この技法は、大きい寄生キャパシタンスのひずみに及ぼ
す効果が回避されるので、！・ランジスタ２がその大き
い寄生キャパシタンスにもかかわらず非常に大きいトラ
ンジスタであることを可能にする。幾何学的形状の大き
いトランジスタの使用は低いベース祇抗ｒｂを、従って
ベース祇抗と関連した低雑音を可能にする。大きいトラ
ンジスタは高エミッタ電流を可能にし、これは９！まし
い低い動的エミッタｆＪ（抗ｒ　を生じることになる。

このＣ 相殺技術は、他の場合には幾何学的形状の大きい増幅器
トランジスタ２の使用に付随するであろうような、（直
線及び非直線寄生キャパシタンスに起因する）９！まし
くない高利得ピーキング、高ひずみ、４１ζびに良くな
いステップ応答及び屯圧オーバシュー１・を目避する。

【図面の簡単な説明】

第ＩＡ図は、本発１１ＪＩによって解決する従来技術の
諸問題を説門するのに白一効な概略図である。 第１Ｂ図は、弗型的な集ｖｉ−路構造の部分的断面図で
ある。 第２図は、本発川の基本的実施例の概略図である。 第３図は、本発門の採択実施例の概略図である。 第４図は、本発明の代替実施例の概略図である。 第５区１は、第３図の低高調波ひずみ増幅器の二つを組
み込んだ計測用増幅器の概略図である。 〔符号説四〕 ｌＯ：低ひずみ増幅器 ＩＡ，Ｂ：低ひずみ増幅器 ５．６Ａ：寄生非直線コレクタ 基板間接合キャパシタンス １１．　ＩＩＡ　：電流ミラー １２：差動増幅器 ３０：帰還低抗 ３６二計測用増幅器 （外４名） よ−■ Ｆｘｒ．，３

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、第１の非直線コレクタ−基板間キャパシタンスを有
   する第１トランジスタを含む増幅器における高調波ひず
   みを低減するための方法であって、（ａ）第１トランジ
   スタのベースと、第２の非直線コレクタ−基板間キャパ
   シタンスを有する第２トランジスタのベースとに結合さ
   れた第１導体に小さい信号入力電圧を加える段階、 （ｂ）入力電圧に応答して第１トランジスタのコレクタ
   電圧における第１変化及び第２トランジスタのコレクタ
   電圧における第２変化を発生し、そして第１変化に応答
   して第１非直線コレクタ−基板間キャパシタンスにおけ
   る第１非直線電流を且つ第２変化に応答して第２非直線
   コレクタ−基板間キャパシタンスにおける第２非直線電
   流を発生する段階、 （ｃ）第１非直線電流を第１トランジスタのコレクタに
   接続された第２導体に流れるようにする段階、 （ｄ）第２非直線電流を電流ミラーの制御導体に流れる
   ようにし、且つ電流ミラーを動作させて、第２非直線電
   流に応答して電流ミラーの出力導体において補正電流を
   発生する段階、 （ｃ）補正電流を第２導体にも流れるようにしてこれに
   よりこれにおいて第１非直線電流の少なくとも一部分を
   相殺し、これによって第１非直線コレクタ−基板間キャ
   パシタンスに起因する高調波ひずみを低減する段階、 を含んでいる前記の方法。 ２、第２トランジスタのコレクタ電流を電流ミラーの制
   御導体に流れるようにすること、及び第２トランジスタ
   のコレクタ電流を第１トランジスタのコレクタ電流に比
   べて小さくすることを含んでいる、請求項１の方法。 ３、第１の定電流を第１トランジスタのエミッタ及びコ
   レクタ、第２導体、並びに第１の負荷装置を通って流れ
   るようにしてこれにより第１負荷装置において出力電圧
   を発生することを含んでいる、請求項２の方法。 ４、第１トランジスタのコレクタ−基板間接合部面積を
   第２トランジスタのコレクタ−基板間接合部面積の第１
   係数倍にすること、及び電流ミラーの出力導体を流れる
   補正電流を第２非直線電流の第１係数倍にして補正電流
   を第１導体における第１非直線電流に等しく且つ反対向
   きにすることを含んでいる、請求項１の方法。 ５、第２導体と第１トランジスタのコレクタとの間に結
   合された第１のカスコード接続トランジスタを用いて第
   １トランジスタにおける一定のベース−コレクタ間電圧
   を維持すること、並びに電流ミラーの制御導体と第２ト
   ランジスタのコレクタとの間に結合された第２のカスコ
   ード接続トランジスタを用いて第２トランジスタにおけ
   る一定のベース−コレクタ間電圧を維持し、これにより
   第１及び第２のトランジスタのコレクタ−ベース間キャ
   パシタンスにおける非直線性に起因する出力電圧におけ
   る非直線性を低減することを含んでいる、請求項４の方
   法。 ６、第１の非直線コレクタ−基板間キャパシタンスを有
   する第１トランジスタ、第１トランジスタのコレクタに
   結合された第１負荷装置、第１トランジスタのエミッタ
   に結合された第１電流源、第１トランジスタのベースに
   結合された入力電圧を導く第１導体、及び第１負荷装置
   に結合されていて増幅器の出力電圧を導く第２導体を備
   えており、第１トランジスタが入力電圧に応答して第１
   非直線コレクタ−基板間キャパシタンスにおいて第１の
   非直線電流を発生する増幅器において高調波ひずみを低
   減するための回路であって、 （ａ）第２の非直線コレクタ−基板間キャパシタンスを
   有する第２トランジスタ、第２トランジスタのエミッタ
   に結合された第２電流源を備えていて、第１導体が第２
   トランジスタのベースに入力電圧を加えるように結合さ
   れており、 （ｂ）電流制御導体及び電流出力導体のある電流ミラー
   を備えていて、電流制御導体が第２トランジスタのコレ
   クタ電流を受けるように結合されており且つ電流出力導
   体が第２導体に結合されており、第２トランジスタが入
   力電圧に応答して第２非直線コレクタ−基板間キャパシ
   タンスにおいて第２の非直線電流を発生し、 電流ミラーが第２非直線電流に応答して第１非直線電流
   に実質上等しく且つ反対向きの補正電流を第２導体にお
   いて発生し、これによって第１非直線コレクタ−基板間
   キャパシタンスにより発生される高調波ひずみを実質的
   に低減する、 前記の回路。 ７、第１及び第２のトランジスタがＮＰＮトランジスタ
   であり、第１負荷装置が定電流源であり、第２定電流源
   が第２トランジスタのコレクタと第１の正供給電圧との
   間に結合されていて第２負荷装置として機能し、電流ミ
   ラーが、第２トランジスタのコレクタと差動増幅器の非
   反転入力とに結合されたコレクタを持ったＮＰＮ制御ト
   ランジスタ、及び制御トランジスタのエミッタに結合さ
   れたエミッタを持ったＮＰＮ電流出力トランジスタを備
   えており、電流出力トランジスタのベースが制御トラン
   ジスタのベース及びコレクタに接続されており、ＰＮＰ
   エミッタホロワトランジスタのエミッタが第１導体に結
   合されたそれのベースを持っており、差動増幅器の出力
   が帰還抵抗の一方の端子に接続されており、帰還抵抗の
   別の端子が利得抵抗の一方の端子に接続されており、利
   得抵抗の別の端子が第２の供給電圧導体に接続されてお
   り、第１トランジスタのエミッタが帰還抵抗と利得抵抗
   との間の結合部に結合されている、請求項６の回路。 ８、電流ミラーがその電流制御導体のエミッタにおける
   電流の第１係数倍である出力を発生し、且つ第１非直線
   コレクタ−基板間キャパシタンスが第２非直線コレクタ
   −基板間キャパシタンスの第１係数倍に等しい、請求項
   ６の回路。 ９、増幅器における第１トランジスタの第１寄生キャパ
   シタンスの効果を低減するための方法であって、 （ａ）第１トランジスタの制御電極と、第２寄生キャパ
   シタンスを有する第２トランジスタの制御電極とに結合
   された第１導体に小さい信号入力電圧を加える段階、 （ｂ）入力電圧に応答して第１トランジスタの電流通過
   電極電圧における第１変化と第２トランジスタの電流通
   過電極電圧における第２変化とを発生し、且つ第１変化
   に応答して第１寄生キャパシタンスにおける第１寄生電
   流を且つ第２変化に応答して第２寄生キャパシタンスに
   おける第２寄生電流を発生する段階、 （ｃ）第１寄生電流を第１トランジスタの電流通過電極
   に接続された第２導体に流れさせる段階、（ｄ）第２寄
   生電流を電流ミラーの制御導体に流れさせ、且つ電流ミ
   ラーを動作させて第２寄生電流に応答して電流ミラーの
   出力導体に補正電流を発生する段階、 （ｅ）補正電流を第２導体にも流れさせてこれによりこ
   れにおいて第１寄生電流の少なくとも一部分を相殺し、
   これによって第１寄生キャパシタンスの効果を低減する
   段階、 を含んでいる前記の方法。