JPH03169029A - 半導体装置の実装方法 - Google Patents
半導体装置の実装方法Info
- Publication number
- JPH03169029A JPH03169029A JP31037489A JP31037489A JPH03169029A JP H03169029 A JPH03169029 A JP H03169029A JP 31037489 A JP31037489 A JP 31037489A JP 31037489 A JP31037489 A JP 31037489A JP H03169029 A JPH03169029 A JP H03169029A
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- Japan
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- semiconductor
- adhesive
- semiconductor chip
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- chip
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の実装方法に関し、特に半導体
パッケージと半導体チップとを固着させる接着剤の硬化
方法に係るものである.〔従来の技術〕 第3図は従来の半導体装置の実装方法に使用されるおも
り載置機を示す平面図、第4図は第3図に示すおもりを
半導体パッケージに固着された半導体チップ上に載置さ
せた状態を示す断面図、第5図は電気炉内で半導体パッ
ケージと半導体チップとの固着用接着剤を硬化させる状
態を示した断面図である.図において、■は半導体装置
となるべき半導体チップ、2は例えばセラミックスより
なり、上記半導体チップ1を固着させるべき面に凹部が
設けられた半導体バッゲージ、2aは半導体チップlを
固着させるためのチップ貼付け部、3は半導体チップ1
を半導体パッケージ2に固着させるための接着剤である
.13はおもり載置機であり、14およびl5はそれぞ
れこのおもり載置機l3におけるおもり吸着部およびお
もり載置部である.16は,PAえば鉛のような金属よ
りなるおもり、16aは例えば四フッ化エチレン樹脂等
の柔軟材で形成されるチップ加圧部、l7は上記おもり
16を所定間隔にかつ半導体パッケージ2の個数に対応
させて載置しておくおもり収容器、18は半導体パッケ
ージ2を所定間隔で載置しておくパッケージ収容器、l
9はおもり載置機l3の上方に設置された真空吸着部で
あり、上記おもりI6を吸着して、このおもり16をお
もり吸着部l4及びおもり載置部l5間で移送させる役
割を果たす.20はこの真空吸着部l9の一部に設けら
れ、おもりI6を吸着するための吸着へッド、2lは吸
着ヘッド20内に設けられる吸引管である.22は半導
体チップ1と半導体パッケージ2とを固着する接着剤3
を硬化させるための電気炉、23は電気炉22内に設け
られ、例えば高温の乾空が循環できるように多数の孔が
開いている半導体パッケージ2を載置するための多孔板
である.次に、動作について説明する.まず、おもりl
6が所定間隔で載置されているおもり吸着部l4上に真
空吸着部l9を移動させ、所定のおもりl6の上部に位
置させる。そして、真空吸着部19の吸着ヘッド20を
おもり16の真上まで下降させ、吸着ヘッド20がおも
りl6と接触すると同時に吸引管21内を所定真空圧と
し、おもり16を吸着ヘッド20に吸着させる。おもり
l6の吸着が完了した後、吸着ヘッド20を上昇させ、
もとの高さに戻させるとともに真空吸着部l9をおもり
載置部15へ移動させる.おもり載置部l5には半導体
パッケージ2が配列されており、この半導体パッケージ
2には、予めその凹部内のチップ貼付け部2aに接着剤
3を介して半導体チップ1が載置させてある.そして真
空吸着部19が半導体パッケージ2上の所定位置まで移
動してくると、再び吸着ヘッド20が下降し、半導体パ
ッケージ2上におもり16を載置する.おもり16の載
置が完了すると真空吸着部l9は吸引を停止し、吸着ヘ
ッド20は元の位置に戻る。これらの作業が完了すると
、真空吸着部19は再びおもり吸着部l4へと移動し、
次のおもりl6の移送が行われる。
パッケージと半導体チップとを固着させる接着剤の硬化
方法に係るものである.〔従来の技術〕 第3図は従来の半導体装置の実装方法に使用されるおも
り載置機を示す平面図、第4図は第3図に示すおもりを
半導体パッケージに固着された半導体チップ上に載置さ
せた状態を示す断面図、第5図は電気炉内で半導体パッ
ケージと半導体チップとの固着用接着剤を硬化させる状
態を示した断面図である.図において、■は半導体装置
となるべき半導体チップ、2は例えばセラミックスより
なり、上記半導体チップ1を固着させるべき面に凹部が
設けられた半導体バッゲージ、2aは半導体チップlを
固着させるためのチップ貼付け部、3は半導体チップ1
を半導体パッケージ2に固着させるための接着剤である
.13はおもり載置機であり、14およびl5はそれぞ
れこのおもり載置機l3におけるおもり吸着部およびお
もり載置部である.16は,PAえば鉛のような金属よ
りなるおもり、16aは例えば四フッ化エチレン樹脂等
の柔軟材で形成されるチップ加圧部、l7は上記おもり
16を所定間隔にかつ半導体パッケージ2の個数に対応
させて載置しておくおもり収容器、18は半導体パッケ
ージ2を所定間隔で載置しておくパッケージ収容器、l
9はおもり載置機l3の上方に設置された真空吸着部で
あり、上記おもりI6を吸着して、このおもり16をお
もり吸着部l4及びおもり載置部l5間で移送させる役
割を果たす.20はこの真空吸着部l9の一部に設けら
れ、おもりI6を吸着するための吸着へッド、2lは吸
着ヘッド20内に設けられる吸引管である.22は半導
体チップ1と半導体パッケージ2とを固着する接着剤3
を硬化させるための電気炉、23は電気炉22内に設け
られ、例えば高温の乾空が循環できるように多数の孔が
開いている半導体パッケージ2を載置するための多孔板
である.次に、動作について説明する.まず、おもりl
6が所定間隔で載置されているおもり吸着部l4上に真
空吸着部l9を移動させ、所定のおもりl6の上部に位
置させる。そして、真空吸着部19の吸着ヘッド20を
おもり16の真上まで下降させ、吸着ヘッド20がおも
りl6と接触すると同時に吸引管21内を所定真空圧と
し、おもり16を吸着ヘッド20に吸着させる。おもり
l6の吸着が完了した後、吸着ヘッド20を上昇させ、
もとの高さに戻させるとともに真空吸着部l9をおもり
載置部15へ移動させる.おもり載置部l5には半導体
パッケージ2が配列されており、この半導体パッケージ
2には、予めその凹部内のチップ貼付け部2aに接着剤
3を介して半導体チップ1が載置させてある.そして真
空吸着部19が半導体パッケージ2上の所定位置まで移
動してくると、再び吸着ヘッド20が下降し、半導体パ
ッケージ2上におもり16を載置する.おもり16の載
置が完了すると真空吸着部l9は吸引を停止し、吸着ヘ
ッド20は元の位置に戻る。これらの作業が完了すると
、真空吸着部19は再びおもり吸着部l4へと移動し、
次のおもりl6の移送が行われる。
このように一連のサイクルが順次繰り返され、おもりl
6が全ての半導体パッケージ2上に載置されるまで続け
られる。全てのおもり16が半導体パッケージ2上に載
置されるとパッケージ収容器18は電気炉22内の多孔
板23上へ移載される.この状態で所定温度および所定
時間加熱すると接着剤3が所定の強度まで硬化する.接
着剤3の硬化が終了するとパッケージ収容器l8は電気
炉22内から取り出され、おもり載置機l3のおもり載
置部l5に移載される。そして先程と逆のサイクルが繰
り返され、すべてのおちり16がおもり収容器l7へ移
載され、接着剤3を硬化させる工程が終了する.この後
、さらに所定の処理が行われることにより半導体装置が
完戒される. 〔発明が解決しようとする課題〕 上記従来の半導体パッケージと半導体チップとを固着す
る接着剤の硬化方法においては、おもりl6を半導体パ
ッケージ2上に載置する場合、直接半導体チップ1に当
接して加圧することとなる.そのため、半導体チップ1
の主面部が損傷を受けてしまい、結果的に半導体装置の
信頼性を低下させ、また製造歩留りを低下させてしまう
という問題点があった. この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、半導体パッケージと半導体チップを固着する
接着剤の硬化が好適に行われ、かつ信頼性の向上が図ら
れるとともに、製造歩留りの向上も図れる半導体装置の
実装方法を提供することを目的とする. 〔課題を解決するための手段〕 この発明に係る半導体装置の実装方法は、半導体パッケ
ージに接着材を介して載置されている半導体チップに対
して、チップ加圧・加熱部材により覆い、このチップ加
圧・加熱部材を通して加圧・加熱された気体を供給する
ことにより、上記半導体チップと半導体パッケージとを
固着させるための接着剤を硬化させるものである。
6が全ての半導体パッケージ2上に載置されるまで続け
られる。全てのおもり16が半導体パッケージ2上に載
置されるとパッケージ収容器18は電気炉22内の多孔
板23上へ移載される.この状態で所定温度および所定
時間加熱すると接着剤3が所定の強度まで硬化する.接
着剤3の硬化が終了するとパッケージ収容器l8は電気
炉22内から取り出され、おもり載置機l3のおもり載
置部l5に移載される。そして先程と逆のサイクルが繰
り返され、すべてのおちり16がおもり収容器l7へ移
載され、接着剤3を硬化させる工程が終了する.この後
、さらに所定の処理が行われることにより半導体装置が
完戒される. 〔発明が解決しようとする課題〕 上記従来の半導体パッケージと半導体チップとを固着す
る接着剤の硬化方法においては、おもりl6を半導体パ
ッケージ2上に載置する場合、直接半導体チップ1に当
接して加圧することとなる.そのため、半導体チップ1
の主面部が損傷を受けてしまい、結果的に半導体装置の
信頼性を低下させ、また製造歩留りを低下させてしまう
という問題点があった. この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、半導体パッケージと半導体チップを固着する
接着剤の硬化が好適に行われ、かつ信頼性の向上が図ら
れるとともに、製造歩留りの向上も図れる半導体装置の
実装方法を提供することを目的とする. 〔課題を解決するための手段〕 この発明に係る半導体装置の実装方法は、半導体パッケ
ージに接着材を介して載置されている半導体チップに対
して、チップ加圧・加熱部材により覆い、このチップ加
圧・加熱部材を通して加圧・加熱された気体を供給する
ことにより、上記半導体チップと半導体パッケージとを
固着させるための接着剤を硬化させるものである。
この発明の半導体装置の実装方法においては、チップ加
圧・加熱部材により直接当接しないように半導体チップ
を覆い、このチップ加圧・加熱部材を通して供給される
加圧・加熱気体を半導体チップに吹付けることにより、
半導体チップの素子形成面部に損傷を与えることなく、
半導体チップを加圧・加熱し、半導体チップと半導体パ
ッケージとを固着させる接着剤を硬化させることができ
る. 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図を用いて説明する.第1
図は本発明に使用される接着剤硬化装置の全体を示す断
面図、第2図は第1図におけるパッケージに固着してい
るチップを加圧・加熱する状態を示す断面図である。図
において、1.2,2a,3は従来と同じ構成部品であ
る.4は接着剤硬化装置、5は高圧・高温のガス(例え
ば乾空等)を供給する高温・高圧ガス供給器、6.7は
それぞれ半導体チップ1を加圧・加熱するガスを供給・
排気するガス供給管および排気管、8はチップ加圧・加
熱部、9はチップ加圧・加熱部1の先端に設けられた加
圧・加熱ヘッド、lOはパッケージ収容器l8を載置す
るパッケージ収容部、!■はチップ加圧・加熱部8から
供給される高温・高圧ガスを排気管7へ逃がすために多
数の穴が開いた例えば金網のような多孔板、l2は半導
体チップ1を加圧加熱する際に半導体パッケージ2が移
動しないように固定しておくパッケージ固定部である.
次に、接着剤を硬化させる工程について説明する.まず
、半導体パッケージ2が所定間隔で載置されたパッケー
ジ収容器18(図中省略)が接着剤硬化装置4内のパッ
ケージ収容部IOへ移送されてくる。このパッケージ収
容部10はX−Yステージになっており、移載されてき
たパッケージ収容器l8が停止すると、ステージのX−
Y方向が微調整されて、半導体パッケージ2とチップ加
圧・加熱部8の加圧・加熱ヘッド9との位置合わせが行
われる。なお、このパッケージ収容部IOは多孔板l1
と同様、チップ加圧・加熱部8内を通して供給される。
圧・加熱部材により直接当接しないように半導体チップ
を覆い、このチップ加圧・加熱部材を通して供給される
加圧・加熱気体を半導体チップに吹付けることにより、
半導体チップの素子形成面部に損傷を与えることなく、
半導体チップを加圧・加熱し、半導体チップと半導体パ
ッケージとを固着させる接着剤を硬化させることができ
る. 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図を用いて説明する.第1
図は本発明に使用される接着剤硬化装置の全体を示す断
面図、第2図は第1図におけるパッケージに固着してい
るチップを加圧・加熱する状態を示す断面図である。図
において、1.2,2a,3は従来と同じ構成部品であ
る.4は接着剤硬化装置、5は高圧・高温のガス(例え
ば乾空等)を供給する高温・高圧ガス供給器、6.7は
それぞれ半導体チップ1を加圧・加熱するガスを供給・
排気するガス供給管および排気管、8はチップ加圧・加
熱部、9はチップ加圧・加熱部1の先端に設けられた加
圧・加熱ヘッド、lOはパッケージ収容器l8を載置す
るパッケージ収容部、!■はチップ加圧・加熱部8から
供給される高温・高圧ガスを排気管7へ逃がすために多
数の穴が開いた例えば金網のような多孔板、l2は半導
体チップ1を加圧加熱する際に半導体パッケージ2が移
動しないように固定しておくパッケージ固定部である.
次に、接着剤を硬化させる工程について説明する.まず
、半導体パッケージ2が所定間隔で載置されたパッケー
ジ収容器18(図中省略)が接着剤硬化装置4内のパッ
ケージ収容部IOへ移送されてくる。このパッケージ収
容部10はX−Yステージになっており、移載されてき
たパッケージ収容器l8が停止すると、ステージのX−
Y方向が微調整されて、半導体パッケージ2とチップ加
圧・加熱部8の加圧・加熱ヘッド9との位置合わせが行
われる。なお、このパッケージ収容部IOは多孔板l1
と同様、チップ加圧・加熱部8内を通して供給される。
高温・高圧ガスを逃がすために多数の孔が開いている.
その後、ガス供給管6が下降し、加圧・加熱ヘッド9が
パッケージ収容部lOに接触した時点で停止する。この
加圧・加熱ヘッドl9の端面部には凹部が形戒されてい
るため、半導体チップ1を加圧加熱する際にはまったく
接触することはない。続いて、高温・高圧ガス供給器5
より所定の圧力と温度のガスがガス供給管6を通してチ
ップ加圧・加熱部8へ供給され、半導体チップ1上に吹
きつけられる.また、加圧・加熱ヘッドっておおわれて
いる半導体パッケージ2は、チップ加圧・加熱部8より
供給されるガスによって移動しないようにパッケージ固
定部l2により固定されている.即ち、半導体チップ1
はチップ加圧・加熱部8より供給されるガスで所定の時
間、所定の圧力で押圧され、所定の温度で加熱され続け
ることになる.なお、半導体チップ1を加圧・加熱した
ガスは多孔板1!の孔より排気管7へと通過し、再び高
温・高圧ガス供給器5へと循環する. そして所定の時間経過の後、高温・高圧ガス供給器5が
停止しガスの供給が停止する.そして、ガス供給管6が
上昇し、もとの位置に戻る.上記の処理が完了したパッ
ケージ収容器l8は接着剤硬化装置4から搬出され、別
の新たな未処理のパッケージ収容器が搬入され、上記の
処理が行われる.このような一連のサイクルが全てのパ
ッケージ収容器に対して繰り返される.全容器について
処理が完了すると接着剤3の硬化工程は終了する.この
後さらに所定の処理が行われ、半導体装置が完戒される
. 上記実施例によれば、加圧・加熱ヘッド9は半導体チッ
プ1にまったく接触することがないため、半導体チップ
1表面部の損傷が防止されるとともに表面部が正常に保
持されることになる.また、おもり16の載置を行う必
要がなくなるので作業時間の短縮が図られることになる
. なお、上記実施例の説明では、ガス供給管6が上下する
場合について述べたが、例えばチップ加圧・加熱部8が
伸縮する構造でも良い.さらには、パッケージ収容部1
0と多孔板l1が上下する場合も良い.また、半導体パ
ッケージ2の配列は2次元の場合だけでなく、適当に必
要に応じて1次元であっても良い.その際、必要に応じ
て各ガス供給管6に弁を取り付けると良い. さらに、加圧・加熱ヘッド9はその端面部に凹部が設け
られ、半導体チップ1にまったく接触しない形状となし
たが、この端面部に形威される凹部形状は半導体パッケ
ージ2の形状に応じて適当に変形が可能である. 〔発明の効果〕 以上のようにこの発明によれば、半導体パッケージ上に
載置されている半導体チップに対して、加圧・加熱され
た気体を供給することにより、固着用の接着剤を硬化さ
せるようにしたので、半導体チップの表面に損傷を受け
ることなく実装することができ、半導体装置の信頼性の
向上が図られるとともに製造歩留りの向上も図ることが
できる効果がある.
パッケージ収容部lOに接触した時点で停止する。この
加圧・加熱ヘッドl9の端面部には凹部が形戒されてい
るため、半導体チップ1を加圧加熱する際にはまったく
接触することはない。続いて、高温・高圧ガス供給器5
より所定の圧力と温度のガスがガス供給管6を通してチ
ップ加圧・加熱部8へ供給され、半導体チップ1上に吹
きつけられる.また、加圧・加熱ヘッドっておおわれて
いる半導体パッケージ2は、チップ加圧・加熱部8より
供給されるガスによって移動しないようにパッケージ固
定部l2により固定されている.即ち、半導体チップ1
はチップ加圧・加熱部8より供給されるガスで所定の時
間、所定の圧力で押圧され、所定の温度で加熱され続け
ることになる.なお、半導体チップ1を加圧・加熱した
ガスは多孔板1!の孔より排気管7へと通過し、再び高
温・高圧ガス供給器5へと循環する. そして所定の時間経過の後、高温・高圧ガス供給器5が
停止しガスの供給が停止する.そして、ガス供給管6が
上昇し、もとの位置に戻る.上記の処理が完了したパッ
ケージ収容器l8は接着剤硬化装置4から搬出され、別
の新たな未処理のパッケージ収容器が搬入され、上記の
処理が行われる.このような一連のサイクルが全てのパ
ッケージ収容器に対して繰り返される.全容器について
処理が完了すると接着剤3の硬化工程は終了する.この
後さらに所定の処理が行われ、半導体装置が完戒される
. 上記実施例によれば、加圧・加熱ヘッド9は半導体チッ
プ1にまったく接触することがないため、半導体チップ
1表面部の損傷が防止されるとともに表面部が正常に保
持されることになる.また、おもり16の載置を行う必
要がなくなるので作業時間の短縮が図られることになる
. なお、上記実施例の説明では、ガス供給管6が上下する
場合について述べたが、例えばチップ加圧・加熱部8が
伸縮する構造でも良い.さらには、パッケージ収容部1
0と多孔板l1が上下する場合も良い.また、半導体パ
ッケージ2の配列は2次元の場合だけでなく、適当に必
要に応じて1次元であっても良い.その際、必要に応じ
て各ガス供給管6に弁を取り付けると良い. さらに、加圧・加熱ヘッド9はその端面部に凹部が設け
られ、半導体チップ1にまったく接触しない形状となし
たが、この端面部に形威される凹部形状は半導体パッケ
ージ2の形状に応じて適当に変形が可能である. 〔発明の効果〕 以上のようにこの発明によれば、半導体パッケージ上に
載置されている半導体チップに対して、加圧・加熱され
た気体を供給することにより、固着用の接着剤を硬化さ
せるようにしたので、半導体チップの表面に損傷を受け
ることなく実装することができ、半導体装置の信頼性の
向上が図られるとともに製造歩留りの向上も図ることが
できる効果がある.
第1図はこの発明の実施例に使用される接着剤硬化装置
の全体構成を示す断面図、第2図は第1図におけるパッ
ケージに固着している半導体チップを加圧・加熱する状
態を示す断面図、第3図は従来のおもり載置機の全体楕
或を示す平面図、第4図は第3図におけるおもりを半導
体チップに載置する状態を示す断面図、第5図は電気炉
内で接着剤を硬化させる状態を示す断面図である.図に
おいて、1は半導体チップ、2は半導体パッケージ、3
は接着剤、4は接着剤硬化装置、5は高温・高圧ガス供
給器、6はガス供給管、7はガス排気管、8はチップ加
圧・加熱部、9は加圧・加熱ヘッド、11は多孔板を示
す.
の全体構成を示す断面図、第2図は第1図におけるパッ
ケージに固着している半導体チップを加圧・加熱する状
態を示す断面図、第3図は従来のおもり載置機の全体楕
或を示す平面図、第4図は第3図におけるおもりを半導
体チップに載置する状態を示す断面図、第5図は電気炉
内で接着剤を硬化させる状態を示す断面図である.図に
おいて、1は半導体チップ、2は半導体パッケージ、3
は接着剤、4は接着剤硬化装置、5は高温・高圧ガス供
給器、6はガス供給管、7はガス排気管、8はチップ加
圧・加熱部、9は加圧・加熱ヘッド、11は多孔板を示
す.
Claims (1)
- 半導体パッケージに接着剤を介して載置されている半導
体チップに対して、加圧・加熱された気体を供給するこ
とにより、上記固着用の接着剤を硬化させる半導体装置
の実装方法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31037489A JPH03169029A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 半導体装置の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31037489A JPH03169029A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 半導体装置の実装方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03169029A true JPH03169029A (ja) | 1991-07-22 |
Family
ID=18004483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31037489A Pending JPH03169029A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 半導体装置の実装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03169029A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100347376B1 (ko) * | 1999-11-04 | 2002-08-03 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 칩 부착 방법 |
WO2007074889A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-05 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | 半田付け方法及び半導体モジュールの製造方法並びに半田付け装置 |
JP2008098608A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-04-24 | Lintec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2008305842A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Lintec Corp | 半導体チップ接着装置及び接着方法 |
JP2009135309A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Lintec Corp | 半導体装置の製造方法 |
US7906370B2 (en) | 2006-12-22 | 2011-03-15 | Tdk Corporation | Mounting method of electronic components, manufacturing method of electronic component-embedded substrate, and electronic component-embedded substrate |
JP2011066438A (ja) * | 2010-11-05 | 2011-03-31 | Lintec Corp | 半導体チップ接着装置及び接着方法 |
KR101225306B1 (ko) * | 2008-10-16 | 2013-01-22 | 스미토모 베이클라이트 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 장치 |
US8545663B2 (en) | 2006-09-15 | 2013-10-01 | Lintec Corporation | Process for manufacturing semiconductor devices |
US8544167B2 (en) | 2006-12-22 | 2013-10-01 | Tdk Corporation | Collective mounting method of electronic components and manufacturing method of electronic component-embedded substrate |
-
1989
- 1989-11-28 JP JP31037489A patent/JPH03169029A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100347376B1 (ko) * | 1999-11-04 | 2002-08-03 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 칩 부착 방법 |
WO2007074889A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-05 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | 半田付け方法及び半導体モジュールの製造方法並びに半田付け装置 |
JP2008098608A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-04-24 | Lintec Corp | 半導体装置の製造方法 |
US8545663B2 (en) | 2006-09-15 | 2013-10-01 | Lintec Corporation | Process for manufacturing semiconductor devices |
US7906370B2 (en) | 2006-12-22 | 2011-03-15 | Tdk Corporation | Mounting method of electronic components, manufacturing method of electronic component-embedded substrate, and electronic component-embedded substrate |
US8544167B2 (en) | 2006-12-22 | 2013-10-01 | Tdk Corporation | Collective mounting method of electronic components and manufacturing method of electronic component-embedded substrate |
JP2008305842A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Lintec Corp | 半導体チップ接着装置及び接着方法 |
JP4625828B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2011-02-02 | リンテック株式会社 | 半導体チップ接着装置及び接着方法 |
JP2009135309A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Lintec Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR101225306B1 (ko) * | 2008-10-16 | 2013-01-22 | 스미토모 베이클라이트 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 장치 |
JP2011066438A (ja) * | 2010-11-05 | 2011-03-31 | Lintec Corp | 半導体チップ接着装置及び接着方法 |
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