JPH03164292A

JPH03164292A - 情報記録媒体および光情報記録方法

Info

Publication number: JPH03164292A
Application number: JP1305634A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Takazawa; 高沢　明弘; Yoshio Inagaki; 由夫稲垣; Takashi Kobayashi; 孝史小林; Masao Yabe; 矢部　雅夫
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1989-11-24
Filing date: 1989-11-24
Publication date: 1991-07-16

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

［発明の分野］本允明は、レーザーにより＋ｌ′ｉ報を記録することが
できる情報記ｊｊ媒体および情報記録媒体への光悄報記
録方法に関するものである。［発明の妓術的背Ｊ，１］悄報の＋’Ｆき込みｉｉｆ能なＤ　Ｒ　Ａ　Ｗ　（　Ｄ
ｉｒｅｃｔ　Ｒｅａｄ＾ｆｔ．ｅｒ　Ｗｒｉｔｅ　）　
ｐ’．’ｐの悄’ｒＦＪ　ｉｉｔ２　ｊｊ媒体（光ディ
スク）は、Ｊ１（本＋４遣として、プラスチック、ガラ
ス等からなる円盤状の透明Ｊ，ｃ板と、このトに設けら
れたＢｉ，Ｓｎ、Ｉｎ．Ｔｅｋ９の金属または半金屈、
あるいは色素からなる記録別とをイ了する。色素を川いた’０１摺記録媒体は、金属等の記録材料に
比べてｌ８’；ｌ感度であるなど記録媒体自体の特性に
おいて長所をイ『する他に、記′ｊｉＫ’２を塗Ｉｒｅ
？去により簡単に形成することかできるという製造−Ｌ
の大きな利点を存している。しかしながら、色素からな
る記録ｈウは、反射率が低い、あるいは色素自体か光に
より劣化し易いことから耐光性において充分な性能をｈ
−シているとはいえないとの問題がある。耐光性を向トさせるためには、酸化防１１−刑や−１■
項酸素クエンチャーなどを色素記２Ｊ　贋に添加する方
法が知られているが、このような方７大を用いた場合、
ト記クエンチャーなどが色素居に混入されることによる
悪影讐として記録特性の低下をもたらすとの問題がある
。基板上に色素記録層が設けられた光ディスクであって
、耐光性を向上させる効果が増加したクエンチャーとし
てアニオン部分が遷梯金属錯体アニオンであるジインモ
ニウム系化合物を用いた例が、特開昭６２−１９３８９
１　，ｊ；３公報に記載されている。このクエンチャー
を使用することにより耐光性および記録１４生特性につ
いて従来より向トしているものの充分であるとは１？う
ことかできない。また反射居を高くするためには、記録層上に反射ｈウが
設けらることが考えられるが、このような光ディスクの
例は日経エレクトロニクス（Ｎｏ．４６５、１０７頁、
１９８１１’１１月２３［１発行）に記載されている。上記光ディスクは、ポリカーポネート共板上に色素層お
よび反射層が舶に設けられた構成を有する。この光ディ
スクは、反射率については高いものであるが、上記耐光
性については優れているとは言えない。［発明の［−１的］本発明は、色素３己録冶を４丁し、耐光性が顕著に優れ
た悄ｆ４ｉ記録媒体を提供することを１１的とする。また本発明は、耐光性に優れ、反射率が高く、ｆ’Ｌつ
高Ｃ／Ｎおよび高変調度の記録か可能な色素１記′Ｊｊ
　｝Ｍを行する悄輯５己録媒体を況供することを［１的
とする。さらに本発明は、ト記↑＋ｉ　ｆ［ａ記録媒体に高Ｃ／
Ｎおよび高変調度にて情報の記録を行なうことが可能な
光情報犯録媒体を提供することを目的とする。［発明の要旨］本発明は、裁板−Ｌに、シアニン系色素および下記の一
般式（工）：Ｒ” ＲＲＲ［式中、Ｒ１、Ｒ１２、ＲｌｌおよびＲＩ４は、それぞ
れ独立に、置換されていてもよいアルキル基、置換され
ていてもよいアルケニル共または置換されていてもよい
アリール旦を表わし、Ｘは遷移金属錯体アニオンを表わし、ｎは１または２であり、そして、式中の全ての芳香族環は、ハロゲン原子、置換
されていてもよいアルキル史、置換されていてもよいア
ルケニル乱、置換されていてもよいフェニル基、置換さ
れていてもよいアルコキシ基、置換されていてもよいフ
ェノキシ基、置換されていてもよいアシル基またはシア
ノ基によって置換されていても良い］で表わされるジインモニウム系化合物からなる記２０’
）が設けられ、そして該記２ｊ居一ヒに反射層が設けら
れてなる情報記録媒体にある。さらに上記情報記録媒体を回転させながら、該基板側か
らレーザーを照射して該．ｉ′ｉ！．録層および／また
は該反射層を変形させることにより該記録欝と該反射層
との界面に空洞を形成して情報を記録することからなる
光士吉報記録力１去にもある。ト，妃本発明の悄報記緑媒体の奸ましい態様は以下の通
りである。１　）　ｌ記一般式（Ｉ）で表わされるシインモニウム
系色素が、下３己の一般式（ＩＩ）．［式中Ｒは、炭素
原子数１ないし１２の｛δ換されていてもよいアルキル
基を表わし、Ｇは水素原子、炭素原子数１ないし６のア
ルキルＪ工、またはフェニル話を表わし、Ｘは遷移金Ｍ　３ｌｔ体アニオンを表わし、ｎは１また
は２であり、そして式中の全ての芳香族環は、ハロゲン原子、置換さ
れていてもよいアルキルＪ．（、１佑換されていてもよ
いアルケニル與、置換されていてもよいフェニル基、置
換されていてもよいアルコキシ基、置換されていてもよ
いフェノキシ基、置換されていてもよいアシル！よまた
はシアン基によって置換されていても良い］で表わされることを特徴とするＬ記情報記録媒体。２）該シアニン系色素が、イミダゾキノキサリン系色素
、ヘンゾチアゾール系色素、インドレニン系色素または
ベンゾイミダゾール系色素で、且つ当１核の対アニオン
が遷移金属錯体アニオンであることを特徴とする．Ｌ：
記＋＋’７ｍ記録媒体。３）該遷移金属錯体アニオンが、ビスフェニルジチオー
ル系、チオビスフェノレートキレート系、ビスフェニル
チオール系、チオカテコールキレート系および亜スルフ
ォン酸キレート系の遷移金属錯体、および下記の一般式
（ＩＩＩ）および（■）；（上記の一般式（ＩＩＩ）および（ｒＶ）において、Ｍ
，およびＭ２は、ニッケル、銅、コバルト、パラジウム
または白金を示し、そして、ｎは１または２を示す。）の遷移金屈錯体からなる群より選ばれる少なくともー＋
ｎの錯体アニオンであることを特徴とするト記悄報記録
媒体。４）該記録居の層ＪＩ１が、５００〜２０００大の範囲
にあることを特徴とする上記情報３己録媒体。５）該反射層が、Ａｕ，Ａｇ．Ｃｕ．Ｐｔ、Ｃｒ，Ｔｉ
，Ａｆｆｉおよびステンレスからなる群より選ばれる少
なくとも一種の金屈または合金からなる反射居であるこ
とを特徴とする１二記悄報記２Ｊｃ媒体。６）該反射層の居ＪＩＮＸが、３００〜３０００Ｘの範
囲にあることを特徴とする１二記悄Ｎ記録媒体。７）該反射層の上に保護居が設けられていることを特徴
とする上記悄報記録媒体。［発明の効果］上記のように、輿坂上に、記録再生特性の優れたシアニ
ン系色素およびアニオン部分が遷移金属錯体アニオンで
あるジインモニウム系化合物からなる色素記録居、そし
てその」二に反射屑を積層した本発明の情報記録媒体は
、高い反射率、向上した耐光性および優れた記録再生特
性を示す。すなわち、クエンチャーとして川いたアニオン部分が遷
移金属錯体アニオンであるジインモニウム系化合物は、
カチオン部分がジインモニウム系化合物のカチオンであ
り、アニオン部分が遷移金嵐錯体アニオンであるため、
カチオン部分もアニオン部分もクエンチャーの機能を４
１する。従って、遷移金嵐錯体の塩またはジインモニウ
ム系化合物の塩をそれぞれ単独で使用した時に比べてそ
の効果は倍増する。さらに、本発明では、色素記録層ト
に反射層が設けられているため、色素記録層の反基板側
か外部の光および空気から遣断されていることから、反
射屑が設けられていない光ディスクに比較して、本発明
の反射八ウを有する光ディスクは、外からの光および外
気に曝されることは少ない。従って、上記特定のクエンチャーを用いること、および
色素居−Ｌに反射層を打するとの両方の効果により、格
段に優れた耐光性を得ることができる。また、色素に対
する上記クエンチャー！ｔを減らしても充分に優れた耐
光性が１ｉｔられることから、クエンチャーｊ１ｔを減
らすことができ、これにより反射率および記録再生特性
の１リ上もｊ１ｔることができる。［発明の詳細な記述］本発明は、ｊ．（板上に色素記ｚｊ層、さらに該記録＞
；’：−１二に反射層が設けられた裁本構成を有する。本発明者等は、製遣七’ｆＴ利な色素からなる記録居を
イｆする光ディスクであって、特に反射率が高く［１つ
耐光性に優れた悄報記録媒体を得るために鋭意検討を！
■ねてきた。本発明名等の検討によると、反射率を向卜
させるために色素記２３　）Ｍ上に反射ｈ′／Ｘを設け
た場介、色素記録層単独の場合に比べて記録感度はやや
低Ｆするが、所期の目的である反射率を高くすることが
できる。そして、本発明の記録層と反射層との間に空洞
を形成する記録方法により記録感度も実川上問題が無い
程度に向上させることかできＪ−Ｌつ記’ｊＪ　ｔｊｊ
生特性についても優れていることが分かった。さらに反
射層を設けることにより、色素１記録層の反射居側の外
部の光や空気（特に酸素）を遮断することができるため
、位素記録居のみの光ディスクに比較して耐光性は向ヒ
したものとなるとの知見を得た。前述したように、耐光性を向上させるために色素記録層
へのクエンチャー等の添加は、記録再生特性を低下させ
るが、１二詑のように反射屑が設けられた場合はクエン
チャーの添加量を減らすことができることからその低下
の程度は少なくすることができる。また耐光性向上に効
果のあるクエンチャーとしてアニオン部分が遷移金属錯
体アニオンであるジインモニウム系化合物（特開昭６２
１９３８９１寸公報〉を前記した。本発明者等は、このアニオン部分が遷移金属錯体アニオ
ンであるシインモニウム系化合物を、上記反射居をイＪ
゛する色素記録層に含イ丁させたとこる、耐光性か格段
にＩｒＩ］　Ｌすることが判明した。さらにその添加Ｆ
ｉｔも抑えられることから反射率、記３Ｊ＋ＩＦ牛特性
もほとんど低Ｆすることのない、極めて優れた特性の光
ディスクか得られるとのえ〈へき結果をｊｉｔることか
できた。すなわち、本発明の＋ｌ’ｔ　Ｆｄ　＋記録媒体は、基
板Ｌに、シアニン系色素および下記一般式（工）：Ｒ　
１２Ｒ　１３［式中、Ｒ”、Ｒ”、Ｒ１３およびＲ”は、それぞれ独
３′／Ｔｈに、置換されていてもよいアルキル基、置換
されていてもよいアルケニル基または置換されていても
よいアリール基を表わし、Ｘは遷移金属錯体アニオンを表わし、ｎは１または２であり、そして、式中の全ての芳香族環は、ハロゲン原子、置換
されていてもよいアルキル史、置換されていてもよいア
ルケニル乱、置換されていてもよいフェニル基、置換さ
れていてもよいアルコキシ」工、置換されていてもよい
フェノキシ基、置換されていてもよいアシル基またはシ
アノ基によって１．１／．１換されていても良い］て表わされるジインモニウム系化合物からなる記録居が
設けられ、そして該記録屑上に反射層が設けられた構成
をイｆする。Ｌ記のように、基板上に、記録特性の優れたシアニン系
色素およびアニオン部分が遷移金属錯体アニオンである
ジインモニウム系化合物からなる色素記録層、そしてそ
の」二に反射屑を！＋Ｉ　Ｐ：した本発明の情報記録媒
体は、高い反射率、向ｌ二した耐光性及び優れた記録特
性を有するものである。すなわち、クエンチャーとして用いたアニオン部分が遷
移金属錯体アニオンであるジインモニウム系化合物は、
カチオン部分がジインモニウム化介物のカチオンであり
、アニオン部分か遷移金属錯体アニオンであるため、カ
チオン部分もアニオン部分もクエンチャーの機能をイｒ
する。従って、遷移金属鉛体の塩またはジインモニウム
系化合物の塩をそれぞれ噴拙で使用した晴に比べてその
効果は倍増する。さらに、本発明では、色素記録贋上に
反射層が設けられているため、色素記録層の反Ｊ工板側
が外部の光および空気から遮断されている。従って、反
射屑が設けられていない光ディスクで、色素記録居か露
出している場合よりは勿論、色素居上に保護居が設けら
れている場含に比べても、本発明の反射居を４Ｔする光
ディスクは、外からの光および外気に曝されていないこ
とになる。従って、−Ｌ記特走のクエンチャーを用いること、およ
び色素別上に反射冶をイｆするとの両方の効果により、
格段に優れた耐光性を獲得することができる。また、色
素に対するＬ記クエンチャーｈ

【を減らしても充分に優
れた耐光性が得られることから、クエンチャーｈＥを減
らすことができ、これにより反射率および記録再生特性
の向上も４ｊｌることかできる。本発明の情報記録媒体は、たとえば以下に述べるような
製造方法により得ることができる。本発明において使用する慕板は、従来の＋ＩＩｉ報記録
媒体の括板として用いられている各種の材料からイＴ：
Ｑに選択することができる。基板材料の例としてはソー
ダ石灰ガラス等のガラス；セルキャストボリメチルメタ
クリレート、射出成形ポリメチルメタクリレート等のア
クリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の
塩化ビニル系樹脂：エボキシ樹脂：およびポリカーボネ
ートを挙げることができる。これらのうちで括板の光学
的特性、平而性、加玉性、取扱い性、経１侍安定性およ
び製造コストなどの点から、好ましいものはポリメチル
メタクリレート、ポリカーボネート、エボキシ樹脂およ
びガラスである。記録層が設けられる側の基板表面には、平面性の改善、
接若力の向−ヒおよび記録層の変質の防止の１」的で、
下塗贋が設けられていてもよい。下塗別の材料としては
、たとえば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・
メタクリル酸共１ｎ合体、ニトロセルロース、ポリエチ
レン、ボリブロピレン、ポリカーポネート等の高分子物
質：シランカップリング刑などのイ１機物？１；および
ｊＨＨ機酸化物（Ｓ　ｉｏ２，Ａｎ２０１等）、５！嘴
機弗化物（ＭｇＦ２）などのｊ！！′機物１１を挙げる
ことができる。ガラスＪ，５板の場合は、ｊ１ｔｉ板から遊離するアル
カリ金屈イオンおよびアルカリ土類金属イオンによる記
録居への恕影青を防ＩＬするために、スチレン・息水マ
レイン酸共屯合体などの親水性基および／または無水マ
レイン酸基をイ１゛ずるポリマーからなる下塗居が設け
られているのか望ましい。下塗居は、たとえば１一己物質を適当な溶剤に溶解また
は分散したのち、この塗ＩＨｉ液をスピンコート、ディ
ップコート、エクストルージジンコートなどの塗布法に
よりＪ．（板表面に塗イ１１することにより形成するこ
とができる。また、Ｊ，ｔ．板１二にはトラッキンク川ｔＭまたはア
トレス４＋＜　’Ｊ−　”３の悄報を表わす凹凸の形成
の［１的で、ブレグループ層が設けられてもよい。プレ
グループ屑の材料としては、アクリル酸のモノエステル
、ジエステル、トリエステルおよびテトラエステルのう
ちの少なくとも一種のモノマー（または才リゴマー）と
光重合開始削との混合物を用いることができる。プレグループ屑の形成は、まず精密に作られたｒ：Ｊｔ
：’；　（スタンバー）−トに−Ｌ記のアクリノレ酸エ
ステルおよび＋ｐ合開始剤からなる混合液を塗１ａ　Ｌ
／、さらにこの塗布液層トに基板を載せたのち、基板ま
たはｌＪ型を介して紫外線の照射により液層を硬化させ
て基板と液相とを固着させる。次いで、基板を１−リ型
から剥離することにより、プレグループ層の設けられた
基板が得られる。プレグループ層のｈＱ　ｆ’ｌは、一
般に０．０５　〜１００４ｍの範Ｄｔ１にあり、好まし
くは０，１〜５０μｍの範囲にある。また、プラスチック基板の場合は直接基板表面にプレグ
ループを設けてもよい。本発明の情報記録媒体は、基板−Ｅに（所望により−ト
’　？層および／またはプレグループ層を介して）中間
Ｐ．ウが設けられても良い。Ｊ．（板表面への中間居の形成は、公知の塗布方法によ
り行なうことかできる。公知の塗１ｉ方法の例としては
スピンコート法、ディップコート法などを挙げることが
できる。なお、檜布法により形成される中間居の例としては、接
１１居、断熱屠、反射浩、感度強化屑（カス発牛Ａ”’
　）などを挙げることができる。中間屑が断熱九ウである場合には、例えばポリメチルメ
タク゛ノレート、アクリル酸・メタクリル酸共ｌ９介体
、スチレン・族水マレイン酸共（Ｑ合体、ポリビニルア
ルコール、Ｎ−メチロールアクリルアミト共市合体、ス
チレンスルホン酸共重合体、スチレン・ビニルトルエン
共Ｉ五合体、塩素化ポリエチレン、クロルスルホン化ポ
リエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリ
エチレン、ポリブロビレン、ポリエステル、ポリイミト
、酢酸ビニル・塩化ビニル共屯合体、エチレン・酢酸ビ
ニル共＋ｆｒ合体、ポリカーホネート等の高分子物１１
：シランカップリング剤などの高分子物質を溶削に溶解
させた塗布液を用いて形成することができる。奸まし〈は、塩素化ポリエチレンまたはニトロセルロー
スを用いた塗！＋ｉＭであり、特に好ましくは塩素化ポ
リエチレンである。これにより、レーザービームの照射による熱エネルギー
か記録居から基板等へ熱伝導によって損失するのを低減
することかでき、かつ中間層の被照射部分からガスが発
生してピットの形成が容易となり、従って記録感度を高
めるとともに読取誤ｋ（ビットエラーレート）を低減す
ることができる。上記中間居の屑ｎは、一般に１０〜１　０００矢の範［
川にあり、好ましくは１００〜５００Ｘの範ｐｌにある
。 −Ｌ記央板上（所望により下塗層、プレグループ居およ
び／または中問屑を介して）に、上記本発明のシアニン
系色素およびクエンチャーとしてアニオン部分が遷柊金
属錯体アニオンであるジインモニウム化合物からなる記
録屑が設けられる。｛・記シアニン系色素としてはＦ記のものを挙げること
かできる。［１１（Ｇｌｆ：＋）　２Ｎ−　（ｆａｌｌ・ＣＩＩＬ（；Ｉ
Ｉ−”Ｎ（ＧＩＩＪ）２ｃｐ：ｏ．．− （ただし、ｎは２または３である）ＲＲ（ただし、Ｒは水素原子またはＮ（Ｃｌｌ１）２である）１：ぷ臼［４］　　（＄１”　　−　Ｌ＝平　　（Ｑ−−）Ｉ／
−（ただし、Φおよび平はそれぞれ芳香族環が縮介して
いてもよいイントレニン環残火、チアゾール環残話、オ
キサゾール環残基、セレナゾール環残基、イミダゾール
環残鰭、ピリジン環残基、チアゾロピリミジン環残火ま
たはイミダゾキノキサリン環残基であり、Ｌはモノ力ル
ポシアニン、ジカルボシアニン、トリカルボシアニンま
たはテトラカルポシアニンを形成するための連結城であ
り、Ｑ”−はｍ価の陰イオンであり、ｍは１または２で
あり、さらにＱ″′−はΦ、しまたは平上に置換して分
子内塩を形成しても良く、またΦとし、またはＬと平と
はさらに連結して環を形成しても良い） −ト記一般式で表わされる具体的な化合物の例としては
以下のａ）〜ｋ）等が挙げられる。［Ｃ］Ｃ１０４［ｆｌＣ１０４［ｊ］［ｋ］Ｃ１０４Ｃ１０４＋＋　１３　　　　　　　１　３７　　　　　　　　１
　ｋｌ　Ｉ＋（式中、ＲＪｌ及びＲ”は、それぞれ独立
に、置換括をイｆしていてもよいアルキル払、置換話を
イｆしていてもよいアリールＪ，（、芳香環に置換基を
イｆしていてもよいアラルキル話、アルコキシ鵬、芳香
環に１２：．換基を４１していてもよいアリールオキシ
Ｊ．Ｉ＋、アルキルカルポニルアミノＪ，Ｑ、芳ｈＱに
置換基を４１゛シていてもよいアリール力ルポニルアミ
ノＪＩＩ；、シアノ基、アシルＪ，Ｌ、アルコキシ力ル
ポニルＪ，（又はハロゲン原子を表わし、Ｒ３Ｒ及びＲ
”は、それぞれ狸在に、水素原子、置換史をイ−１シて
いてもよいアルキル乱、１ｄ換Ｊ，（をｆｒ　シていて
もよいアリール括、芳香環に置換基をイＩ−シていても
よいアラルキルＪ，し、アルコキシ埴、方谷環に置換Ｊ
，Ｌをイｒしていてもよいアリールオキシ共、アルキル
カルポニルアミノ基、芳δ環に置換Ｊ，（をイｒしてい
てもよいアリールカルポニルアミノ払、シアノ基、アシ
ル話、アルコキシカルポニル県又はハロゲン原子を表わ
し、Ｒ３２、Ｒ”、Ｒ３５、Ｒ３６及びＲ３７は、それ
ぞれ独３′Ｌに、水素原子、置換基を有していてもよい
アルキルｊ１（、置換県をイｆしていてもよいアリール
基、）ｙ昏環に２ｔ換基を有していてもよいアラルキル
』，（、アルコキシ県又はハロゲン原子を表わし、Ｒ”
及びＲ３″がアルキル基であるときＲ３２とＲ３３とは
−・鮎になって環を形成してもよく、Ｒ１５及びＲ”が
アルキル裁であるときＲ３５とＲ３Ｌ′とは一緒になっ
て環を形成してもよく、Ｑ−はアニオンを表わす。）Ｌ記一般弐［５】で表わされるＪＬ体的な色素例は以下
の（１）〜（２７〉を辛げることかできる。（１１）（１２）（１４）ｎ　−１．＝４ｆｉ９ｎ−１．；４１−１９（１７）（１８）（１９）し２れ５し２Ｍ５（２０）（２１）（２３）（２４）（２６）（２７）しｌｉ３七記イントリジン系色素は、例えば、Ｗ　．　ｌ　．Ｍ
ｏｓｂｙ　　　片−１１ｅｔ．ｃｒｏｃｙｃｌｉｃ　　
Ｓｙｓｔ．ｃｍｓ　　ｗｉｔ．ｈｎＲＩＤＧｌミＩＩＥ
ＡＤ　　ＮＩＴＲＯＧＥＮ　　八ＴＯＭ　　Ｐａｒｔｏ
ｎｃＩｎｔｃｒｓｃｉｃｎｃｃ　Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ
　１９６１、米田特許第２．４０９，６１２寸、同箪２
，５１１．２２２リ、目第２，５７１．７７５リー、同
第２，６２２．０８２号、同第２，７０６，１９３狡、
特開Ｉｆ／！　６　２　−　２　２　７　６　９　３号
公報、同６４−４９６８５リ“公報等に開示された方注
を参各にして合成することができる。以下に、ＴＩ’ｌ
　ｓ己例示したイントリジン系色素の合成法を色素（７
〉および（３）を例にとり説明する。合成例１二色素（７）の合成３．５−ジメチル−２−フェニルビロコリン６ｇをエタ
ノール５０ｍ２に溶解した後、１，３．３−トリメトキ
シブロベン４ｍｌ２と濃塩酸４ｍＭとを加え、１５分間
にわたり加熱還流した。反応液を水冷し生した結品を濾
取し、メタノールで洗浄して色素（７〉の粗結晶を得た
。合成例２：色素（３）の合成 −Ｌ記で得られた色素（７）の粗結品５ｇにメタノール
２　５　０　ｍ　１１を加えて溶解し少量の不溶物を濾
別した後、過塩素酸テトラブチルアンモニウム５ｇを５
０ｍＱのメタノールに溶解して添加した。生じた結品を
濾取し、メタノールで洗浄して４．２ｇの色素３を得た
。融点：３００℃以上以下令臼本発明では、上記色素と共に下記の一般式（Ｉ）で表わ
されるアニオン部分が遷移金属錯体アニオンのジインモ
ニウム系化合物を用いることが必要である。［式中、ＲＩＩＲ１２、Ｒ′３およびＲ”は、それぞれ
独立に、許換されていてもよいアルキル共、置換されて
いてもよいアルケニルｌ，（または置換されていてもよ
いアリール基を表わし、Ｘは遷移金属錯体アニオンを表わし、ｎはｌまたは２であり、そして式中の全ての万古族環は、ハロゲン原子，置換さ
れていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアル
ケニル基、置換されていてもよいフェニル基、置換され
ていてもよいアルコキシ基、置換されていてもよいフエ
ノキシ県、置換されていてもよいアシル史またはシアノ
基によって置換されていても良い］一般式（Ｉ）において、上記Ｒｌ’，　ＲＩ２Ｒ′３又
はＲ１で表わされる共のうち，好ましいものは炭素原子
数１ないし１０の置換されていてもよいアルキル基、ま
たは炭素原子数６ないし３０の置換されていてもよいフ
ェニル基であり、特に好ましくは電子供学性県で置換さ
れていてもよい炭素原子数６ないし２２のフェニル基で
ある。Ｒ”とＲＩ２またはＲ１３とＲ”が連結して形成
される環の好ましいものはビロリジン環、ピベリジン環
、モルホリン環などの飽和へテロ環である。前記一般式（Ｉ）で表わされるジインモニウム系化合物
の中で、好ましくは下記の一般式（■）で表わされる化
合物である。［式中Ｒは、炭素原ｆ数１ないしｌ２の置換されていて
もよいアルキル基を表わし、Ｇは水素原子、炭素原子数１ないし６のアルキル裁、ま
たはフェニル基を表わし、Ｘは遷移金属錯体アニオンを表わし、ｎは１または２であり、そして式中の全ての芳香族環は、ハロゲン原子、置換さ
れていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアル
ケニル話、置換されていてもよいフェニル基、置換され
ていてもよいアルコキシ共、置換されていてもよいフエ
ノキシ基、置換されていてもよいアシル基またはシアノ
史によって置換されていても良い］七記Ｒで表わされるアルキル裁は直和状、分岐状あるい
は環状のいずれでもよいが、好ましくは直３ｎ状のアル
キル基である。Ｒで表わされるアルキル共上に置換する
基としては、Ｆ，Ｃｆｉ、ＣＮ、炭素原子数６ないし１
ｏの置換されていてもよいフェニル基、炭素原子数６な
いし１０の置換されていてもよいフェノキシ基、炭素原
子数１ないし１０のアルコキシ裁、炭素原子数１ないし
１０のアルキルチオ県、炭素原子数１ないし１０のアル
キルスルホニル基、炭素原子数６ないし１０の置換され
ていてもよいフェニルチオ基、炭素原子数１ないし１０
の置換されていてもよいヒドロキシ基、炭素原子数１な
いし１０の置換されていてもよいアシル裁、炭素原子数
１ないし１０の置換されていてもよいアシルオキシ基、
炭素原子数１ないし１０の置換されていてもよいスルホ
ンアミド基、炭素原子数１ないし１０の置換ざれていて
もよいスルファモイル基が好ましい。Ｒとして特に好ま
しくは、Ｆ，ＣｆｆｉまたはＣＮで置換されていてもよ
い炭素原子数１ないし８のアルキル吹である。Ｇで表わ
される基としては、水素原子またはメチル基が好ましい
。本発明における」二記一般式（Ｉ）および一般式（ＩＩ
）で表わされるジインモニウム系化合物のカチオン部分
のみの工（体例を以下に示す。ただし、本発明において
はこれらに限定されるものではない。上記一般式（Ｉ）
および一般式（ＩＩ）で表わされるジインモニウム化合
物の対アニオンＸは、遷移金属錯体のア二オンであるが
、これについては後述する。以下金白［１０］［１１ｊ［１２ｊ〔１４１［１５Ｊ［１６１『１７｝［１８１

【１９｝（２０】

【２１】［２３】〔２４】［２５１［２６］ −Ｉ二記一般式（Ｉ）および一般式（　ＩＩ　）で表わ
されるジインモニウム化合物の対アニオンＸは、遷移金
属錯体アニオンであることが必要である。このアニオン
部分に用いられる遷移金属錯体としては、神ηのものを
使用することができる。このような錯体としては、下記
の化合物を辛げることかできる。この場合、中心金属と
して好ましいものは、Ｎｉ．（，ｏ，　（：ｕ．Ｐｄ，
　Ｐｔ．などである。例えば、アセチルアセトナートキレート系、ビスフエニ
ルジチオール系、チオビスフェノレートキレート系、ビ
スフェニルチオール系、チオカテコールキレート系、亜
スルフォン酸キレート系などの遷移金屈錯体、および下
記の一般式（ｍ）および（■）（これらは特開昭６２−
１７４７４１シＪ“公報に記載）：・　・　・　（ＩＩＩ）・　・　・　（ｒＶ）（式中、１二言己の一般式（Ｉ［＋）および（ＩＶ）に
おいて、Ｍ，およびＭ２はニッケル、銅、コバルト、パ
ラジウムまたは白金を示す。ｎは１または２を示す。）で表わされる遷移金属錯体を挙げることができる。上記ジインモニウム化合物の対アニオンＸに用いられる
遷移金属錯体アニオンとしては、下記の構造のものを使
用することが好ましい。エ：ノ，下令臼（１）ヒスジチオレン系（ただし、Ｒ１〜Ｒ４はアルキル其、アリールＪＡ、ア
ルキルチオＪ工、またはシアノ基を表わし、Ｍは２価の
遷移金屈原子を表わし、ｎは１または２である）（２）ビスフェニルシチオール系（ただし、Ｒ５〜Ｒ′′はそれぞれ水素原子、置換して
いてもよいアルキルＪ，（、｛ｉ〜換していてもよいア
ミノ基、置換していてもよいアリール県、置換していて
もよいアルキルチオ基またはハロゲンを表わし、Ｍは２
価の遷移金屈原子を表わし、ｎはｌまたは２である）（ただし、Ｒ２＋およびＲ２２はそれぞれ置換または未
置換のアルキルｌよまたはアリール基であり、Ｒ２３は
アルキル乱、ハロゲン原子またはＲ２４ −Ｎ−Ｒ２！ｉ基（ここで、Ｒ１およびＲ”はそれぞれ
置換または未置換のアルキル基またはアリール基である
）であり、Ｍは遷移金属原子であり、ｎは１または２で
あり、９はＯ〜３の整数である）（ただし、Ｒ５〜Ｒ８はそれぞれ水素原子、置換していてもよいアルキル基、置換していてもよいアミ
ノ括、置換していてもよいアリール其、置換していても
よいアルキルチオ県またはハロゲンを表わし、Ｍは２僅
の遷移金嵐原ｒを表わし、ｎは１または２である）（３）ビスフェニルチオール系＋ｔ　８１＋　’ （ただし、Ｒ５〜Ｒ８はそれぞれ水素原子、ｊ値換して
いてもよいアルキル基、置換していてもよいアミノＪ，
Ｃ、置換していてもよいアリール其、置換していてもよ
いアルキルチオ史またはハロゲンを表わし、ＭはＺ価の
遷移金属原子を表わし、ｎはｌまたは２である）（ただし、Ｒ５〜Ｒ８はそれぞれ水素原子、置換してい
てもよいアルキル社、Ｈ，ｙｔ換していてもよいアミノ
基、置換していてもよいアリール裁、置換していてもよ
いアルキルチオ基またはハロゲンを表わし、Ｍは２僅の
遷移金属原子を表わし、ｎは１または２である）以下奈ｒ」（ただし、×１および×２はそれぞれニトロＪ３ｃおよ
び／またはハロゲン原ｒ一であり、ｎ１およびｎ２はそ
れぞれ１〜３の整数であり、Ｒ”およびＲ２７はそれぞ
れアミノ括、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ
裁、アセチルアミノ基、ペンゾイルアミノ基（置換ヘン
ゾイルアミノ話を含む）であり、ｘｌとＸ２，ｎ．とｎ
２およびＲとＲ２はそれぞれ万いに同じであっても異な
っていてもよく、ＭはＣｒまたはＣｏ原子である〉およ
び上記の一般式（ＩＩＩ）および（ＴＶ）で表わされる
錯体アニオン。これらの遷移金属錯体アニオンの中で好ましい貝体例は
下記のものを〒げることかできる。以下余白［二，；己遷移金嵐錯体については既に公知であり、例
えば特開昭６２−１９３８９１号公報、特開哨６　２　
−　ｔ　７　４　７　４　１　ｓ；一公報に記載されて
いる。本発明では、上記アニオン部分が遷移金属錯体のジイン
モニウム系化合物以外に、クエンチャーとしてアニオン
が通常の無機イオンなどのアミニウム系もしくはジイン
モニウム系イオンを含む化合物（共体例としては１−１
本化薬株式会社製ＩＲＱ−００２、ＩＲＱ−００３、Ｉ
ＲＱ−０２２、Ｉ　ＲＱ−０２３）などをさらに添加し
てもよい。本発明の記録層に含まれるアニオン部分が遷移金属錯体
アニオンのジインモニウム系化含物は、前記ジインモニ
ウム化合物のカチオン部分とＬ記遣移金属錯現化合物ア
ニオンとが垢を形成した化含物で、例えば下記の化合物
を辛げることかできる。ｊ′），十ぷ臼記録Ｐごの形成は、ｒｉｎ　；ｉ己本発明のシアニン系
色素およびＬ記本発明のアニオン部分か遷移金属錯体ア
ニオンのジインモニウム系化合物（所望により結合剤を
加えて）をイｌ一機溶剤に溶解して塗イＵ液を調製し５
次いでこの塗Ｉｌｙ液を基板表面に塗ＩＩｉシて塗膜を
形成したのち乾燥することにより行なうことができる。ｔ一．記色素塗ＩｔＴ液調製用の溶剤としては、酢酸エ
チル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートなどのエステ
ル、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイ
ソブチルケトンなどのケトン、ジクロルメタン、Ｌ，２
−ジクロルエタン、クロロホルムなどのハロゲン化炭化
水素、テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサ
ンなとのエーテル、エタノール、ｎ−プロバノール、イ
ソプロバノール、ｎ−ブタノールなどのアルコール、ジ
メチルホルムアミドなどのアミド、２，２，３．３−テ
トラフルオロ−１−プロバノール等のフッ素系溶剤など
を挙げることができる。塗ｌｌ液中にはさらに酸化防ＩＬ剤、ＵＶ吸収剤、可塑
剤、滑刑なと各種の添加剤を目的に応じて添加してもよ
い。結合剤を使用する場合に結合剤としては、例えばゼラチ
ン、ニトロセルロース、酢酸セルロース専のセルロース
１：ｆ，導体、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天然
｛ｆ機高分子物質；およびポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ボリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹
脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビ
ニル・ポリ酢酸ビニル共乗合体等のビニル系樹脂、ポリ
アクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリ
ル樹脂、ポリビニルアルコール、塩素化ポリオレフィン
、エボキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム話導体、フェノ
ール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性柑脂の初期縮
合物などの合成有機高分子物質を挙げることができる。塗布方沃としては、スプレー法、スビンコート法、ディ
ップ法、ロールコート注、ブレードコート法、ドクター
ロール法、スクリーン印刷法などを辛げることかできる
。記録居の材料として結合剤を併用する場合に、結合剤に
対する色素の比率は一般に０．０１〜９９％（重！ｌｔ
比）の範囲にあり、好ましくは１．０〜９５％（　ｊｎ
．　．’ｉｔ比）の範［７１にある。１記録別はＷ肘でも重居でもよいが、その屑ｎは一般に
０．０１μｍ　〜２　μｍの＠　１７１にあり、好まし
くは０．０２〜０．８μｍの範υ［１にある。また、言
己録治はＪ工板の片面のみならず両面に設けられていて
もよい。木発明では５−Ｌ記記録居−Ｌに反射浩を設けることが
必要である。反射居の材料である九反射性物τ１はレーザー光に対す
る反射率か高い物質であり、その例としては、Ｍｇ，Ｓ
ｅ，Ｙ，Ｔｉ．Ｚｒ，Ｈｆ．Ｖ，Ｎｂ．Ｔａ．Ｃｒ．Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ．Ｒｕ，Ｒｈ，
Ｐｄ、Ｉｒ，Ｐｔ，Ｃｕ．Ａｚ．Ａｕ．Ｚｎ，Ｃｄ．Ａ
ｎ、Ｇａ．Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｔｅ，Ｐｂ，Ｐｏ，Ｓｎ
，Ｂｉなとの金嵐および半金１ｉを挙げることかできる
。これらのうちでタｆましいものはＡ２、Ａｕ．Ｃｒお
よびＮｉである。これらの物質は単狼で用いてもよいし
、あるいは二種以Ｌの組合せで、または合金として用い
てもよい。反射屑は、たとえば−Ｌ記九反射性物質を蒸着、スパッ
タリングまたはイオンブレーティングすることにより記
録冶の１二に形成１−ることかできる。反射屑の居Ｊ１Σは一般には１００〜３０００Ｘの範［
ノｔ１にある。反身ｔＪＭは［一，；己蒸若ｌ去、スパッタリングＹ去
、イオンブレーティング法などの他、次のような方法に
よって作ることができる。例えば水溶性樹脂（ＰＶＰ．ＰＶＡなと）に金属塩また
は金城鉗塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液を
Ｊ工板に塗ｉｎ　Ｌ／、５０℃〜１５０℃奸ましくは６
０℃〜１００℃で加熱乾燥させることによって形威され
る。樹脂に対する金属塩または金属錯塩の量は！Ｒ量比で０
．１〜１０好ましくは０．５〜１．５である。この際、
記録層のＩＩ５！戸Ｊは金属粒子反射入ウが０．Ｏｌ〜
０，！　μｍでありそして光吸収居が０．０１〜１μｍ
の範四が通旨である。金ｌＩＪＬ塩または金屈３１！　ｐ＝とじては、蛸酸銀
、シアン化銀カリウム、シアン化金カリウム、銀アンミ
ン錯体、銀シアン鉗体、金塩または金シアン錯体などを
使用できる。還元剤としてはホルマリン、酒石酸、酒石
酸塩、還元剤、次亜燐酸塩、水素化硼素ナトリウム、ジ
メチルアミノボランなどを使用できる。還元剤は金屈塩
または金ＩＩＡ錯塩１モルに対し０．２〜１０モル奸ま
しくは０．５〜４モルの範［川で使用できる。本発明の色素犯録居の−ヒには記録冶および情報記録媒
体全体を物即的および化′ｔ的に保護するＦＩ的で保謹
居を設けることか好ましい。保護層を設けることか保護
フィルム等のラミネートや接着することであってもよい
。また、この保護Ｍ等は、幕板の記録居が設けられてい
ない側にも耐傷性、耐湿性を高める［１的で設けられて
もよい。保護層に用いられる材料の例としては、情機物質として
は、Ｓ　ｉｏ．　Ｓ　ｉｏ２，　Ｓ　ｉ３Ｎ４，　Ｍｇ
Ｆ２、ＳｎＯ２等を挙げることができる。また、行機物
質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性
樹脂等を挙げることができ、好ましくはＵＶ硬化性樹脂
である。保護屑は、たとえばプラスチックの押出加工でｊ′ｔら
れたフィルムを接７１層を介して色素記録層の［，にラ
ミネートすることにより形成することができる。あるい
は真空蒸若、スパッタリング、塗布等の方法により設け
られてもよい。また、熱可塑性樹脂、熱彼化性樹脂の場
合には、これらを適当な溶剤に溶解して塗柘液を：Ａ製
したのち、この塗ｌｉ液を千イＩｉ　Ｌ、？＋２，燥ず
ることによっても形成することができる。ＵＶ６ｌＪ！
化性樹脂の場合には、そのままもしくは適当な溶剤に溶
解して塗イＩ液を調製したのちこの塗布液を９　１Ｈｉ
　Ｌ／、ＵＶ光を照射して硬化させることによっても形
成することができる。Ｕｖ硬化性樹脂としては、ウレタ
ン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレー
ト、ポリエステル（メタ）アクリレート等の（メタ）ア
クリレートのオリゴマー類、（メタ）アクリル酸エステ
ル等のモノマー類等さらに九重含開始剤等の通常のＵＶ
硬化性樹脂を使川することかできる。これらの塗４ｒ液
中には、史に，ｌｔＦ電防止剤、酸化防Ｉ１二剤、ＵＶ
吸収剤等の各神添加剤を目的に応して添加してもよい。保ＡＷの居Ｊｌ，ｒは一般には０．１〜１００４ｍの範
四にある。また、保．ｉｆｆｉ　ｐ，′Ｉ？として、プラスチック
史板等の比較的ノゾい（０．１〜２．０ｍｍ）板を記２
１周上に接着することも奸ましい。本発明において、＋Ｉｉ報，妃録媒体は−ヒ述した構成
からなるｔｌ１一板であってもよいが、あるいは史に１
二記構成をイ『する二枚のＪ，（板を３己録屑が内側と
なるように１ｆ１１い合わせ、接石剤等を用いて接合す
ることにより、貼合せタイプの記録媒体を製造すること
もできる。あるいはまた、二枚の円盤状Ｊ（板のうちの
少なくとも一方に−Ｌ５己構成をイ『ずるＪ工板を用い
て、リング状内訓スペーサとリング状外側スベーサとを
介して接合することにより、エアーサンドイツチタイブ
の記録媒体を製造することもできる。Ｍ報の記録は、一般にレーザー（例えば半導体レーザー
、ｌｌｅ−Ｎｅレーザーなど）などのスポット状の高エ
ネルギービームを基板側より記録層に照射することによ
り、例えば下記のように行なわれる。まず、情報記録媒体を定線速度または定角速度で回転さ
せながら、半導体レーザーなどの記録用の光を基板側か
らプレグループのグループ（溝）又はランド（溝間）に
照射して、ＣＤフォーマット信サなどの記録信号を記録
別と反射治との界面に空洞を形成することにより記録す
る。この際、空洞の生成に作なって、記録層が陥没して
四部を形成するか、または反射層が膨出して凸部を形成
する。あるいは、記録居と反射層共に変化してもよく、
さらに基板に四部または凸部が形成されてもよい。 −・般に、記録光としては７５０〜８５０ｎｍの範囲に
発振波長を有する半導体レーザービームが川いられ、記
録パワーとしては、記録時の線速度によって異なるが一
般に１〜２０ｍＷの範囲である。以下に、本発明の夫施例および比較例を記載する。ただし、これらの芥例は本発明を制限するものではない。［実施例！］前記構造式［ｄ１：Ｃ，Ｕ．，（：，Ｉ＋．，（：０４の色素２．０ｇと、アニオン部分が遷移金民錯体のシインモニウム系化合物
として＋ｉｒｆ記横這式３り、下≦ｌ’１の化合物０．２ｇとを２．２，３．３−テトラフルオロ
−１−プロバノールに溶解して色素記録層塗布液を調製
した。トラッキングガイドが設けられた円盤状のボリカーポネ
ート基板（外径：１２０ｍｍ、内径：１５ｍｍ，厚さ：
１．２ｍｍ、トラック幅：１．０μｍ：トラックピッチ
：１．６μｍ、グループの深さ二８００え）トに、ト１
：己ゆＩｌｉ液をスヒ゜ンコート法によりＩ−＋１転数
４　０　０　ｒｐｍの連度で塗イ８１シた後、ｌ　０　
０　０　ｒｐｍに同転数を増加させて３０秒問乾燥して
１１＾Ｊゾか１０００又の３己録冶を形成した。１該記録＾づトにＡｕをスパッタリングしてＦ　Ｊ＋Ｘ
１　３００Ｘの反射がを形成した。次いで、該反射層Ｈに紫外線硬化樹脂（商品名：３０７
０、スリーホンド■製）をスピンコート沃により同転数
２　０　０　ｒｐｍの連度で塗ｔｒｉ　シた後、高圧水
銀灯により紫外線を照射して膜Ｊｌスか１μｍの保護治
を形成した。このようにしてＪ，ｔ，板、色素記録居、反射居および
保護屑からなる悄報記録媒体を製造した。［比較例１］失施例１において、アニオン部分が遷移金屈錯体のジイ
ンモニウム系化合物に代えて従来のアニオン部分が無機
アニオンのジインモニウム系化介物位素てある下記の構
遣のものに斐史した以外は実施例１と同様に＋ＩＩ＋報
記録媒体を製遣した。［１４〕［比較例２］実施例１において、アニオン部分が遷移金属錯体のジイ
ンモニウム系化合物に代えて従来のカチオン部分無機カ
チオンの遷移金属錯体である下記の構造のものに変更し
た以外は実施例１と同様に情報記録媒体を製造した。１Ｎ（ｎ−Ｃ４１１９）　４［参考例１］実施例１において、記ｉ！層上に反射層を設けなかった
以外は実施例ｌと同様に情報記録媒体を製造した。［悄報記録媒体の計価］ｌ）反射率Ｌ記失施例１、比較例！および比較例２で得られた＋Ｉ
ｌｉ報妃録媒体について、製造直後およびキセノンラン
プにて２４時間光照射後の記録層の反射率を、５゜正反
射付屈装置を取り付けた溝尻反射率計（株式会社Ｆ１克
製作所製）を用いて７８０ｎｍの波ｋの光でそれぞれｄ
！叩定した。２）感度及びＣ／Ｎ１−．　．ｉｄ　４’ｆられた情報記録媒体について、
光ディスク評価機（パルステック工業■製）を用いて記
録時のレーザーバワーを変化させて線速度１．３ｍ／分
、変調周波数７２０ｋＨｚおよびデューティ３３％にて
１尼録を行なった。そして感度およびＣ／Ｎの測定を、
スペクトルアナライザー（ＴＲ４１３５：アトバンテス
ト社製）を用いて、ＲＢＷ＝３０ｋＨｚ，ＶＢＷ＝ｌＯ
ＯＨｚ，１１ト生パワー０．５ｍＷにて行なった。夫施例１で得られた光ディスクの６把録部分を走森へ“
！トンネル穎徴鏡（ＳＴＭ）を用いて保護居、反射層お
よび記録層を舶次剥離しながら各層の表面形状を観察し
た。その結果、実施例１の光ディスクは反射冶の記録部
位が膨出し、江つ記録層が陥段していることが確謔され
た。従って、反射層と１把録居との界面に空洞か形成さ
れ、これによって信号の１；己録が行なわれたことが分
かる。ト記結果を第１表に示す。第１表反射率（％）　　感度　　Ｃ／Ｎ製遣直後　光照射後　（［１１４）　　　（ｄロ）実施
例１７０７０７５０比較例１７０８　０８４０比較例２７０８　０８４０参２例１３　０１０１０３０表から明らかなように、色累記録居上に反射ｈＶ（が設けられた＋Ｉ＋ｉ報６足録媒体であって、該
記録層にアニオン部分がｉｉ柊金屁錯体であるジインモ
ニウム系化合物を含４Ｔ　Ｌた光ディスク（実施例１）
は、高反射率をイ１−シ■Ｌつ耐光＋ｉに優れている。すなわち実施例１では、キセノンランプの照射により色
素層の褪色が起こらないため光照射後の反射率がＩニテ
Ｉ′シない。−万、従来のクエンチャー等を用いた比較
例ｌおよび２では、色素贋が褪色するため光照射により
反射率が上９７，　Ｌている。詑録特性についても、反射屑を４Ｔする失施例！、比較
例ｌおよび比較例２は反射層を持たない参Ｚ例１に比較
して感度およびＣ／Ｎ共に勝っている。特に実施例ｌは
良好な記録＋＋Ｆ生特性を示している。

Claims

【特許請求の範囲】１。基板上に、シアニン系色素および下記の一般式（
I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼２／ｎＸ＾ｎ＾−（
I ）［式中、Ｒ＾１＾１、Ｒ＾１＾２、Ｒ＾１＾３およびＲ
＾１＾４は、それぞれ独立に、置換されていてもよいア
ルキル基、置換されていてもよいアルケニル基または置
換されていてもよいアリール基を表わし、Ｘは遷移金属錯体アニオンを表わし、ｎは１または２であり、そして、式中の全ての芳香族環は、ハロゲン原子、置換
されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいア
ルケニル基、置換されていてもよいフェニル基、置換さ
れていてもよいアルコキシ基、置換されていてもよいフ
ェノキシ基、置換されていてもよいアシル基またはシア
ノ基によって置換されていても良い］で表わされるジインモニウム系化合物との混合物からな
る記録層が設けられ、そして該記録層上に反射層が設け
られてなる情報記録媒体。２。基板上に、シアニン系色素および下記の一般式（
I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼ ２／ｎＸ＾ｎ＾−（ I ）［式中、Ｒ＾１＾１、Ｒ＾１＾２、Ｒ＾１＾３およびＲ
＾１＾４は、それぞれ独立に、置換されていてもよいア
ルキル基、置換されていてもよいアルケニル基または置
換されていてもよいアリール基を表わし、Ｘは遷移金属錯体アニオンを表わし、ｎは１または２であり、そして、式中の全ての芳香族環は、ハロゲン原子、置換
されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいア
ルケニル基、置換されていてもよいフェニル基、置換さ
れていてもよいアルコキシ基、置換されていてもよいフ
ェノキシ基、置換されていてもよいアシル基またはシア
ノ基によって置換されていても良い］で表わされるジインモニウム系化合物との混合物からな
る記録層が設けられ、そして該記録層上に反射層が設け
られてなる情報記録媒体を回転させながら、該基板側か
らレーザーを照射して該記録層に陥没および／または該
反射層に膨出を形成させることにより該記録層と該反射
層との界面に空洞を生成して情報を記録することからな
る光情報記録方法。